CN213804064U - 一种bbo晶体生产用提拉炉 - Google Patents

一种bbo晶体生产用提拉炉 Download PDF

Info

Publication number
CN213804064U
CN213804064U CN202022710257.XU CN202022710257U CN213804064U CN 213804064 U CN213804064 U CN 213804064U CN 202022710257 U CN202022710257 U CN 202022710257U CN 213804064 U CN213804064 U CN 213804064U
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixedly connected
bin
storehouse
bbo crystal
wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN202022710257.XU
Other languages
English (en)
Inventor
陈从贺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hg Optoelectronic Inc
Original Assignee
Hg Optoelectronic Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hg Optoelectronic Inc filed Critical Hg Optoelectronic Inc
Priority to CN202022710257.XU priority Critical patent/CN213804064U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN213804064U publication Critical patent/CN213804064U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型涉及提拉炉技术领域,且公开了一种BBO晶体生产用提拉炉,包括底仓,所述底仓的内底壁固定安装有放置仓,所述放置仓的内壁固定连接有固定架,所述放置仓内底壁的左右两侧均固定连接有与放置仓的内顶壁固定连接的第二加热线圈,所述固定架的左右两侧内壁之间固定连接有第一加热线圈,所述固定架的顶部固定连接有坩埚,所述底仓的顶部固定连接有顶仓,所述顶仓的顶部固定安装有第一电机。该BBO晶体生产用提拉炉,通过第二电机可提拉并转动籽晶杆,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体,籽晶杆运动的过程中可使籽晶杆和溶体充分接触,提高了BBO晶体的生长速率。

Description

一种BBO晶体生产用提拉炉
技术领域
本实用新型涉及提拉炉技术领域,具体为一种BBO晶体生产用提拉炉。
背景技术
BBO晶体在非线性光学晶体中,是一种综合优势明显,性能良好的晶体,它有着极宽的透光范围,极低的吸收系数,较弱的压电振铃效应,相对于其他的电光调制晶体,具有更高的消光比,较大的相匹配角,较高的抗光损伤阈值和宽带的温度匹配以及优良的光学均匀性,有利于提高激光输出功率稳定性,特别是用于激光器之三倍频有着广泛的应用。
BBO晶体在生产时需要利用提拉炉进行制备,现有的提拉炉在使用时将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化,在熔体表面接籽晶提拉熔体,在受控条件下,使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列,随降温逐渐凝固而生长出单晶体,在使用时籽晶杆与溶体的接触有限,降低了生产的效率,故此,提出一种BBO晶体生产用提拉炉来解决上述的问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种BBO晶体生产用提拉炉,具备生产效率高等优点,解决了在使用时籽晶杆与溶体的接触有限,降低了生产的效率的问题。
(二)技术方案
为实现上述生产效率高的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种BBO晶体生产用提拉炉,包括底仓,所述底仓的内底壁固定安装有放置仓,所述放置仓的内壁固定连接有固定架,所述放置仓内底壁的左右两侧均固定连接有与放置仓的内顶壁固定连接的第二加热线圈,所述固定架的左右两侧内壁之间固定连接有第一加热线圈,所述固定架的顶部固定连接有坩埚,所述底仓的顶部固定连接有顶仓,所述顶仓的顶部固定安装有第一电机,所述第一电机的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至顶仓内部的转轴,所述转轴的底部固定连接有转板,所述转板的底部固定安装有固定仓,所述固定仓的内底壁固定安装有螺杆,所述螺杆的外侧螺纹连接有一端贯穿并延伸至固定仓底部的套杆,所述套杆的底部固定连接有籽晶杆,所述螺杆的外侧固定连接有蜗轮,所述转板的底部固定连接有第二电机,所述第二电机的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至固定仓内部且与蜗轮啮合的蜗杆。
优选的,所述顶仓的内周壁开设有与转板的外侧滑动连接的环形滑槽,所述套杆的底部固定连接有与籽晶杆的顶部固定连接的连接板。
优选的,所述套杆的内部开设有螺纹通孔,所述螺纹通孔与螺杆螺纹连接。
优选的,所述套杆的左右两侧均固定连接有滑块,所述固定仓的左右两侧内壁均开设有与滑块滑动连接的滑动槽。
优选的,所述固定仓的底部开设有运动通孔,所述运动通孔的大小与套杆的大小相适配。
优选的,所述放置仓的内壁固定连接有保温层,所述固定架呈U字型。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种BBO晶体生产用提拉炉,具备以下有益效果:
该BBO晶体生产用提拉炉,通过设置第一加热圈和第二加热线圈,可充分对坩埚内部的原料进行加热,使其加热到熔融状态,调整坩埚内部的温度,使熔体上部处于过冷状态,然后启动第二电机,第二电机的输出轴带动蜗杆转动,蜗杆带动其啮合的蜗轮进行旋转,蜗轮带动其内部的螺杆进行旋转,通过设置滑块和滑动槽,套杆可通过连接板带动其底部的籽晶杆向下运动直至让籽晶杆接触熔体表面,待籽晶表面稍熔后,启动第一电机,第一电机的输出轴带动转轴转动,转板带动其底部的籽晶杆绕着转轴做圆周运动,配合着第二电机可提拉并转动籽晶杆,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体,籽晶杆运动的过程中可使籽晶杆和溶体充分接触,提高了BBO晶体的生长速率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型图1中A部放大结构示意图。
图中:1底仓、2放置仓、3固定架、4第一加热线圈、5坩埚、6第二加热线圈、7籽晶杆、8固定仓、9转板、10第一电机、11第二电机、12顶仓、13套杆、14螺杆、15转轴、16蜗轮、17蜗杆。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2,一种BBO晶体生产用提拉炉,包括底仓1,底仓1的内底壁固定安装有放置仓2,放置仓2的内壁固定连接有保温层,放置仓2的内壁固定连接有固定架3,固定架3呈U字型,放置仓2内底壁的左右两侧均固定连接有与放置仓2的内顶壁固定连接的第二加热线圈6,固定架3的左右两侧内壁之间固定连接有第一加热线圈4,固定架3的顶部固定连接有坩埚5,底仓1的顶部固定连接有顶仓12,顶仓12的顶部固定安装有第一电机10,第一电机10的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至顶仓12内部的转轴15,转轴15的底部固定连接有转板9,顶仓12的内周壁开设有与转板9的外侧滑动连接的环形滑槽,转板9的底部固定安装有固定仓8,固定仓8的内底壁固定安装有螺杆14,螺杆14的外侧螺纹连接有一端贯穿并延伸至固定仓8底部的套杆13,固定仓8的底部开设有运动通孔,运动通孔的大小与套杆13的大小相适配,套杆13的左右两侧均固定连接有滑块,固定仓8的左右两侧内壁均开设有与滑块滑动连接的滑动槽,套杆13的内部开设有螺纹通孔,螺纹通孔与螺杆14螺纹连接,套杆13的底部固定连接有籽晶杆7,套杆13的底部固定连接有与籽晶杆7的顶部固定连接的连接板,螺杆14的外侧固定连接有蜗轮16,转板9的底部固定连接有第二电机11,第二电机11的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至固定仓8内部且与蜗轮16啮合的蜗杆17,文中所出现的电器元件均与外界的主控器及电源电连接,主控器为现有技术中公众所知的常规控制设备,且现有技术的电连接不在文中赘述。
综上所述,该BBO晶体生产用提拉炉,通过设置第一加热圈4和第二加热线圈6,可充分对坩埚5内部的原料进行加热,使其加热到熔融状态,调整坩埚5内部的温度,使熔体上部处于过冷状态,然后启动第二电机11,第二电机11的输出轴带动蜗杆17转动,蜗杆17带动其啮合的蜗轮16进行旋转,蜗轮16带动其内部的螺杆14进行旋转,通过设置滑块和滑动槽,套杆13可通过连接板带动其底部的籽晶杆7向下运动直至让籽晶杆7接触熔体表面,待籽晶表面稍熔后,启动第一电机10,第一电机10的输出轴带动转轴15转动,转板9带动其底部的籽晶杆7绕着转轴15做圆周运动,配合着第二电机11可提拉并转动籽晶杆7,使熔体处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉和旋转过程中,生长出圆柱状晶体,籽晶杆7运动的过程中可使籽晶杆7和溶体充分接触,提高了BBO晶体的生长速率,解决了在使用时籽晶杆与溶体的接触有限,降低了生产的效率的问题。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种BBO晶体生产用提拉炉,包括底仓(1),其特征在于:所述底仓(1)的内底壁固定安装有放置仓(2),所述放置仓(2)的内壁固定连接有固定架(3),所述放置仓(2)内底壁的左右两侧均固定连接有与放置仓(2)的内顶壁固定连接的第二加热线圈(6),所述固定架(3)的左右两侧内壁之间固定连接有第一加热线圈(4),所述固定架(3)的顶部固定连接有坩埚(5),所述底仓(1)的顶部固定连接有顶仓(12),所述顶仓(12)的顶部固定安装有第一电机(10),所述第一电机(10)的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至顶仓(12)内部的转轴(15),所述转轴(15)的底部固定连接有转板(9),所述转板(9)的底部固定安装有固定仓(8),所述固定仓(8)的内底壁固定安装有螺杆(14),所述螺杆(14)的外侧螺纹连接有一端贯穿并延伸至固定仓(8)底部的套杆(13),所述套杆(13)的底部固定连接有籽晶杆(7),所述螺杆(14)的外侧固定连接有蜗轮(16),所述转板(9)的底部固定连接有第二电机(11),所述第二电机(11)的输出轴固定连接有一端贯穿并延伸至固定仓(8)内部且与蜗轮(16)啮合的蜗杆(17)。
2.根据权利要求1所述的一种BBO晶体生产用提拉炉,其特征在于:所述顶仓(12)的内周壁开设有与转板(9)的外侧滑动连接的环形滑槽,所述套杆(13)的底部固定连接有与籽晶杆(7)的顶部固定连接的连接板。
3.根据权利要求1所述的一种BBO晶体生产用提拉炉,其特征在于:所述套杆(13)的内部开设有螺纹通孔,所述螺纹通孔与螺杆(14)螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的一种BBO晶体生产用提拉炉,其特征在于:所述套杆(13)的左右两侧均固定连接有滑块,所述固定仓(8)的左右两侧内壁均开设有与滑块滑动连接的滑动槽。
5.根据权利要求1所述的一种BBO晶体生产用提拉炉,其特征在于:所述固定仓(8)的底部开设有运动通孔,所述运动通孔的大小与套杆(13)的大小相适配。
6.根据权利要求1所述的一种BBO晶体生产用提拉炉,其特征在于:所述放置仓(2)的内壁固定连接有保温层,所述固定架(3)呈U字型。
CN202022710257.XU 2020-11-20 2020-11-20 一种bbo晶体生产用提拉炉 Expired - Fee Related CN213804064U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022710257.XU CN213804064U (zh) 2020-11-20 2020-11-20 一种bbo晶体生产用提拉炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202022710257.XU CN213804064U (zh) 2020-11-20 2020-11-20 一种bbo晶体生产用提拉炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213804064U true CN213804064U (zh) 2021-07-27

Family

ID=76938167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202022710257.XU Expired - Fee Related CN213804064U (zh) 2020-11-20 2020-11-20 一种bbo晶体生产用提拉炉

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN213804064U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115467010A (zh) * 2022-09-26 2022-12-13 福建福晶科技股份有限公司 一种低温相bbo晶体生长装置及生长方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115467010A (zh) * 2022-09-26 2022-12-13 福建福晶科技股份有限公司 一种低温相bbo晶体生长装置及生长方法
CN115467010B (zh) * 2022-09-26 2023-11-14 福建福晶科技股份有限公司 一种低温相bbo晶体生长装置及生长方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN213804064U (zh) 一种bbo晶体生产用提拉炉
WO2022213647A1 (zh) 一种pzn基大尺寸三元高性能单晶、生长方法及熔盐炉
CN103806100B (zh) 一种五氧化三钛多晶的垂直温梯法生长方法
CN102925959A (zh) 新型弛豫铁电单晶pimnt的生长工艺
CN112522789A (zh) 单斜相Ga2S3晶体的气相生长方法、晶体生长装置
CN106149051A (zh) 氟化物单晶体的热控布里奇曼法单晶生长装置与方法
CN206624946U (zh) 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉
CN204251756U (zh) 一种单晶炉
CN105112990B (zh) 一种微下拉定向生长异型近器件倍频晶体的方法
CN204251757U (zh) 直拉法单晶炉
CN201942788U (zh) 一种直拉单晶炉坩埚旋转与升降机构
CN1321229C (zh) 一种R2CaB10O19单晶的助熔剂生长方法
Zhang et al. Growth of large MgO single crystals by an arc-fusion method
CN113293429B (zh) 一种单斜相Ga2S3单晶的制备方法
CN215856456U (zh) 一种用于钒酸钇晶体生长装置
CN104389021A (zh) 非化学计量比钛酸镧多晶镀膜材料及其生长技术
CN201495105U (zh) 一种梯度控温的铸锭炉加热器
CN202047170U (zh) 一种多晶铸锭炉用结晶速度调控装置
CN112941620A (zh) 控制含镓类光功能晶体挥发的提拉制备装置及方法
Agnihotri et al. Single crystal growth of stannous selenide
CN216427480U (zh) 基于晶体加工用晶体提拉炉
CN115852484B (zh) 一种高效制备氟化镁多晶光学镀膜材料的装置和方法
CN200967842Y (zh) 熔炼拉晶炉
CN105063752B (zh) 生长碘化亚汞单晶体的方法及装置
CN1216185C (zh) 坩埚下降法生长近化学计量比铌酸锂单晶的方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20210727

Termination date: 20211120