CN213635991U - 一种硅基oled微显示屏 - Google Patents

Abstract

本发明涉及微型显示技术领域，尤其是一种硅基OLED微显示屏；包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃，盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构，所述Micro Lens结构包括若干微结构一，位于每个微结构一上的微结构二，以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构，每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置，若干光刻胶微结构等间距设置；本实用新型中的硅基OLED微显示屏，增加了玻璃表面微结构，相比于只采用光刻胶制作的Micro Lens能够达到更好的聚光效果，亮度能够提升30％以上；相比于直接在硅基OLED上直接制作Micro Lens，由于表面平整度更好，良率更易控制。

Description

一种硅基OLED微显示屏

技术领域

本发明涉及微型显示技术领域，尤其是一种硅基OLED微显示屏。

背景技术

在微型显示技术领域，硅基MicroOLED是近几年发展较为快速的技术，而且已经开始进入商用量产阶段。目前硅基OLED微显示屏彩色化大多采用白光加彩色滤光膜(Colorfilter，简称CF)的方案，亮度基本都在1500cd/m²以内，而市场越来越多的产品对其亮度要求在3000cd/m²以上。现有的OLED器件依靠材料和器件优化，提升的亮度有限，并且随着亮度提升，器件的寿命也会受到影响。

基于硅基OLED衬底直接制作Micro Lens对制作材料要求很高，需要低温(90℃)就能固化形成lens结构。目前能够达到2um以内分辨率并且是低温制作工艺的材料，价格非常高，并且只有少数材料厂商才能够提供。同时，基于硅基OLED衬底直接制作Micro Lens的工艺控制要求较高，良率提升有一定难度。

现有的硅基OLED微显示屏，是基于盖板玻璃，只采用光刻胶固化制作Micro Lens的方法制得，其亮度还可以进一步提高。

发明内容

本发明的目的是：克服现有技术中的不足，提供一种亮度高的硅基OLED微显示屏。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种硅基OLED微显示屏，包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃，显示屏和盖板玻璃之间通过贴合胶连接，所述硅基OLED微显示屏包括从上到下依次层叠设置的彩色滤光膜、薄膜封装层、OLED层和硅基CMOS驱动背板；

所述盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构，所述MicroLens结构包括若干微结构一，位于每个微结构一上的微结构二，以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构，每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置，若干光刻胶微结构等间距设置。

进一步的，所述光刻胶微结构、微结构一和微结构二的中心相同。

进一步的，所述微结构一的横截面为矩形图形，所述光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm～0.8μm，所述矩形图形的长宽比为(1:1)～(1:3)，微结构一的高度为0.2μm～0.5μm。

进一步的，所述若干微结构一中相邻微结构一之间的间距为2～5μm。

进一步的，所述微结构二的横截面为矩形图形，所述光刻胶图形的横截面的宽度为1～1.2um，所述矩形图形的长宽比为(1:1)～(1:3)，微结构二的高度为0.2um～0.5um。

进一步的，所述若干微结构二中相邻微结构二之间的间距为2～5μm。

进一步的，所述光刻胶微结构为半球形结构。

进一步的，所述半球形结构的底面为圆形或椭圆形，当其为圆形时，其直径为1.5～3um；当其为椭圆形时，其短轴长度为1.5～3um，其长轴和短轴的直径为(1:1.1)～(1:3)所述半球形结构的高度为光刻胶的厚度为1.2～3um。

进一步的，所述半球形结构的球面与玻璃表面的接触角度为45°～90°。

进一步的，所述贴合胶折射率小于光刻胶微结构的折射率。

本发明的另一个目的是：提供一种应用于硅基OLED微显示屏的Micro Lens的制造方法，该制备方法工艺简单，成本低。

为了解决上述技术问题，本发明中的制备方法包括以下步骤：本发明采用的技术方案如下：

一种应用于硅基OLED微显示屏的Micro Lens的制造方法，包括以下步骤：

S1在玻璃基板上，先后经过光刻工艺、刻蚀工艺制作出微结构一；

S2继续在具有微结构一的玻璃基板上，依次采用光刻工艺、刻蚀工艺制作出微结构二；

S3在具有微结构二的玻璃基板上旋涂光刻胶，通过曝光、显影、烘烤固化后制作成光刻胶微结构；

S4在硅基OLED微显示屏的彩色滤光膜上点胶，将步骤S3中玻璃基板上有光刻胶微结构的面与显示屏贴合，从而完成Micro Lens的制作。

进一步的，所述步骤S1具体包括在玻璃表面旋涂一层厚度均匀的光刻胶，经过光刻机曝光、显影机显影后，在玻璃表面制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，完成后用去胶溶液浸泡或者等离子去胶机去除上表面光刻胶，从而制得微结构一。

进一步的，所述光刻胶的旋涂厚度为0.8～1.2μm；所述光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm～0.8μm，长宽比例为1:1～1:3，相邻光刻胶图形之间的间距2～5μm；所述玻璃刻蚀厚度范围为0.2μm～0.5μm。

进一步的，所述步骤S2具体包括：旋涂一层厚度均匀的光刻胶，然后光刻曝光和显影，光刻需要套刻对位，从而在微结构一的正上方形成横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的中心位置与微结构一的中心相同；之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，完成后用去胶溶液浸泡或者等离子去胶机去除上表面光刻胶，从而制得微结构二。

进一步的，所述光刻胶的旋涂厚度为0.8～1.2um，光刻胶图形的横截面的宽度为1～1.2um，长宽比为1:1～1:3，相邻光刻胶图形之间的间距为2～5um；所述刻蚀厚度范围为0.2um～0.5um。

进一步的，所述步骤S3具体包括：旋涂一层厚度均匀的光刻胶，光刻胶材料的折射率n小于玻璃的折射率，然后进行光刻、显影工序，光刻需要套刻对位，显影后制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形中心位置与玻璃微结构二的中心相同；最后放入热板中进行烘烤，直至光刻胶被烘烤成半球形，从而形成光刻胶微结构。

进一步的，所述光刻胶的厚度为1.2～3um，所述光刻胶材料的折射率n为1.4～1.75；所述光刻胶图形的横截面的宽度为1.5～3um，长宽比例为1:1～1:3，相邻光刻胶图形之间的间距为2～5um。

进一步的，所述烘烤温度为90℃～230℃，烘烤时间为1min～10min，球形与玻璃表面的接触角度为45°～90°。

进一步的，所述步骤S4中点胶的材料的折射率低于光刻胶微结构。

采用本发明的技术方案的有益效果是：

本发明与现有技术的差别在于，增加了玻璃表面微结构，相比于只采用光刻胶制作的Micro Lens能够达到更好的聚光效果，提升器件出光亮度。相比于直接在硅基OLED上直接制作Micro Lens，由于表面平整度更好，良率更易控制，并且只需要使用成本更低的高温固化材料即可。

本发明采用一种新型的Micro Lens制作方法，基于盖板玻璃制作，在玻璃刻蚀出微结构，之后再在衬底表面用有机材料制作出微透镜，玻璃微结构和微透镜一起组成MicroLens，相比于只是采用光刻胶材料制作出的Micro Lens，亮度能够提升30％以上。

附图说明

图1为硅基OLED表面制作完成Micro Lens之后的截面图；

图2为玻璃表面刻蚀后的微结构一的截面图；

图3为玻璃表面刻蚀后的微结构一和微结构二的截面图；

图4为玻璃表面制作完的Micro Lens的截面图；

图5为前道工艺完成CF制作的硅基OLED微显示屏的结构示意图。

图6为本发明中步骤S1的工艺流程图。

图7为本发明中步骤S2的工艺流程图。

图8为本发明中步骤S3的工艺流程图。

图中：1-硅基CMOS驱动背板，2-OLED层，3-薄膜封装层，4-彩色滤光膜，5-贴合胶，6-光刻胶微结构，7-微结构一，8-微结构二，9-盖板玻璃。

具体实施方式

下面结合具体实施方式和说明书附图对本发明作进一步说明。

请参阅图1，一种硅基OLED微显示屏，包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃9，显示屏和盖板玻璃9之间通过贴合胶5连接，硅基OLED微显示屏包括从上到下依次层叠设置的彩色滤光膜4、薄膜封装层3、OLED层2和硅基CMOS驱动背板1；盖板玻璃9与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构，Micro Lens结构包括若干微结构一7，位于每个微结构一7上的微结构二8，以及位于每个微结构二8上方的光刻胶微结构6，每个光刻胶微结构6包覆微结构一7和微结构二8设置，若干光刻胶微结构6等间距设置。

光刻胶微结构6、微结构一7和微结构二8的中心相同，微结构一7的横截面为矩形图形，光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm～0.8μm，矩形图形的长宽比为(1:1)～(1:3)，微结构一7的高度为0.2μm～0.5μm，若干微结构一7中相邻微结构一之间的间距为2～5μm。微结构二8的横截面为矩形图形，光刻胶图形的横截面的宽度为1～1.2um，矩形图形的长宽比为(1:1)～(1:3)，微结构二8的高度为0.2um～0.5um；若干微结构二8中相邻微结构二8之间的间距为2～5μm。

本发明中微结构一和微结构二的结构设计，可以形成更好的聚光效果，如果只有微结构二，那微结构二和半球形光刻胶的结构里面，微结构二的上面有一段是空余的光刻胶，有微结构一能够更好的实现聚光效果。

光刻胶微结构6为半球形结构，本发明中将光刻胶微结构6设计成半球形，可以通过梯度折射率实现更好的将光汇聚的效果。半球形结构的底面为圆形或椭圆形，当其为圆形时，其直径为1.5～3um；当其为椭圆形时，其短轴长度为1.5～3um，其长轴和短轴的直径为(1:1.1)～(1:3)所述半球形结构的高度为光刻胶的厚度为1.2～3um半球形结构的球面与玻璃表面的接触角度为45°～90°，将接触角度设计在此范围内，可以提高接触表面的汇聚效果，贴合胶折射率小于光刻胶微结构6的折射率，采用此设计，可以实现梯度折射率，实现最终出去的光能够通过折射率逐渐汇聚到中心，从而实现亮度提升。

本发明中的硅基OLED微显示屏，增加了玻璃表面微结构，相比于只采用光刻胶制作的Micro Lens能够达到更好的聚光效果，提升器件出光亮度。相比于直接在硅基OLED上直接制作Micro Lens，由于表面平整度更好，良率更易控制，并且只需要使用成本更低的高温固化材料即可。

实施例1

请参阅图2-8，本实施例中的一种应用于本发明中的硅基OLED微显示屏的MicroLens的制造方法，包括以下步骤：

步骤1在玻璃表面旋涂一层厚度均匀的光刻胶，厚度为1um，经过光刻机曝光、显影机显影后，曝光能量200mJ/cm²，显影液采用浓度为3％的TMAH显影溶液，显影时间60s；在玻璃表面制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度0.5um，长宽比例为1:1，相邻光刻胶图形之间的间距3um；之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，玻璃刻蚀厚度为0.3um，刻蚀方法采用湿法腐蚀溶液浸泡刻蚀。完成后用去胶溶液浸泡去除上表面光刻胶，微结构一7制作完成。

本步骤中，光刻胶的材料选择：厚度1um分辨率在0.35～0.7um的正胶即可，AZ、罗门哈斯、FuJiFilm等厂商提供的AZ mir700系列、罗门哈斯SPR955系列等都可以。

本步骤中的腐蚀溶液为氢氟酸刻蚀溶液，主要成分是氟化氢HF水溶液，浓度HF：水比例可以是大于50:1。刻蚀工艺为：将待刻蚀的玻璃背面用保护胶带贴好保护，之后浸泡入刻蚀溶液，反应时间可以是5min～20min之后放入纯水中冲洗后即可。

本步骤中去胶溶液可以是NMP、IPA。去胶的方法是：将待去胶的晶圆放入NMP中浸泡10～30min，同时加热至40～60℃，之后取出放入IPA溶液浸泡2～10min，最后采用去离子水冲洗1min～2min，并甩干即可。

步骤2在已经制作出玻璃微结构一7的上表面，继续旋涂一层厚度均匀的光刻胶，厚度为1um，继续进行光刻、显影等工序，曝光需要进行对位套准，该次曝光需要进行对位套准，从而实现在玻璃微结构一7的正上方形成横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为1um，长宽比例为1:1，相邻光刻胶图形之间的间距为3um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构一7的中心相同。之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，刻蚀厚度为0.3um，刻蚀方法采用湿法腐蚀溶液浸泡刻蚀。完成后用去胶溶液浸泡去除上表面光刻机，微结构二8制作完成。

本步骤中的光刻、显影工序的具体工艺参数与步骤1中的相同。光刻设备都具有识别对位系统，只要在掩膜版上制作出套刻标记(套刻标记就是一种有规律的图形)，光刻机上输入套刻标记的位置坐标，设备就能找到标记并完成套刻。套刻是需要依次制作多层图形时，前后图形通过标记依次套准光刻，最终多层图形间实现具有相对位置关系的堆叠，其中相对位置可以根据设计者的思路进行调整，可以是中心对准，也可以是偏移固定量的堆叠。

步骤3在已经制作出玻璃微结构一7和微结构二8的上表面，旋涂一层厚度均匀的光刻胶材料，此光刻胶的厚度为2.5um，折射率n必须小于玻璃的折射率，本实施例中的折射率n为1.53，进行光刻、显影工序，光刻需要套刻对位，显影后制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为2um，长宽比例为1:1，相邻光刻胶图形之间的间距为3um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构中心相同。最后放入热板中进行烘烤，烘烤温度为160℃，烘烤时间为5min。直至光刻胶被烘烤成半球形，球形与玻璃表面的接触角度为80°，从而完成光刻胶微结构6的制作。实现制作微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6之后的微结构的方法，就是本发明提出的Micro Lens的制作方法。

步骤4将完成制作的带有微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6的玻璃与已经完成OLED器件制作、OLED封装、CF制作的硅基驱动背板进行倒装贴合，从而实现Micro lens的功能。需要注意的是，贴合胶5采用的是面胶贴合，贴合胶5的折射率选取需要低于光刻胶微结构6的折射率。

实施例2

请参阅图2-8，本实施例中的一种应用于本发明中的硅基OLED微显示屏的MicroLens的制造方法，包括以下步骤：

步骤1在玻璃表面旋涂一层厚度为1.2um的光刻胶，经过光刻机曝光、显影机显影后，曝光能量为240mJ/cm²，显影液为浓度5％的TMAH显影溶液，显影时间为30s；在玻璃表面制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为0.8um，长宽比例为1:1，相邻光刻胶图形之间的间距为5um；之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，玻璃刻蚀厚度为0.2um，刻蚀方法可以是腐蚀溶液浸泡刻蚀或者等离子体干法刻蚀。完成后用等离子去胶机去除上表面光刻胶，微结构一7制作完成。

本步骤中，光刻胶的材料选择：厚度1um分辨率在0.35～0.7um的正胶即可，AZ、罗门哈斯、FuJiFilm等厂商提供的AZ mir700系列、罗门哈斯SPR955系列等都可以。

本步骤中的等离子体去胶采用微波等离子体的方式，腔体加热100℃

～150℃，然后通入氧气和氮气，氮气作为载气，氧气作为反应气体，经过微波时产生氧等离子体，经过管路传输至晶圆上的光刻胶表面，在加热的情况下，逐渐将光刻胶去除掉。等离子体去胶机：也称微波等离子体去胶机，用于去除晶圆表面光刻胶以及表面有机物。

本步骤中的腐蚀溶液为氢氟酸刻蚀溶液，主要成分是氟化氢HF水溶液，浓度HF：水比例可以是大于50:1。刻蚀工艺为：将待刻蚀的玻璃背面用保护胶带贴好保护，之后浸泡入刻蚀溶液，反应时间可以是5min～20min，之后放入纯水中冲洗后即可。

本步骤中去胶溶液可以是NMP、IPA。去胶的方法是：将待去胶的晶圆放入NMP中浸泡10～30min，同时加热至40～60℃，之后取出放入IPA溶液浸泡2～10min，最后采用去离子水冲洗1min～2min，并甩干即可。

步骤2在已经制作出玻璃微结构一7的上表面，旋涂一层厚度为1.2um的光刻胶，继续进行光刻、显影等工序，曝光需要进行对位套准，该次曝光需要进行对位套准，从而实现在玻璃微结构一7的正上方形成横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为1.2um，长宽比例为1:1，相邻图形之间的间距为5um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构一7的中心相同。之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，刻蚀厚度为0.3um，刻蚀方法可以是腐蚀溶液浸泡刻蚀或者等离子体干法刻蚀。完成后用等离子去胶机去除上表面光刻机，微结构二8制作完成。

本步骤中的光刻、显影工序的具体工艺参数与步骤1中的相同。光刻设备都具有识别对位系统，只要在掩膜版上制作出套刻标记(套刻标记就是一种有规律的图形)，光刻机上输入套刻标记的位置坐标，设备就能找到标记并完成套刻。套刻也称多层图形依次制作，通过标记依次套准光刻。套刻是需要依次制作多层图形时，前后图形通过标记依次套准光刻，最终多层图形间实现具有相对位置关系的堆叠，其中相对位置可以根据设计者的思路进行调整，可以是中心对准，也可以是偏移固定量的堆叠。

步骤3在已经制作出玻璃微结构一7和微结构二8的上表面，旋涂一层厚度均匀的光刻胶材料，此光刻胶的厚度为3um，折射率n必须小于玻璃的折射率，本实施例中的折射率n为1.48，进行光刻、显影工序，光刻需要套刻对位，显影后制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为3um，长宽比例为1:1，相邻光刻胶图形之间的间距为5um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构中心相同。最后放入热板中进行烘烤，烘烤温度为200℃，烘烤时间为3min。直至光刻胶被烘烤成半球形，球形与玻璃表面的接触角度为70°，从而完成光刻胶微结构6的制作。实现制作微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6之后的微结构的方法，就是本发明提出的Micro Lens的制作方法。

步骤4将完成制作的带有微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6的玻璃与已经完成OLED器件制作、OLED封装、CF制作的硅基驱动背板进行倒装贴合，从而实现Micro lens的功能。需要注意的是，贴合胶5采用的是面胶贴合，贴合胶5的折射率选取需要低于光刻胶微结构6的折射率。

实施例3

请参阅图2-8，本实施例中的一种应用于本发明中的硅基OLED微显示屏的MicroLens的制造方法，包括以下步骤：

步骤1在玻璃表面旋涂一层厚度为0.8um的光刻胶，经过光刻机曝光、显影机显影后，曝光能量为180mJ/cm²，显影液为浓度2％的TMAH显影溶液，显影时间为90s；在玻璃表面制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为0.4um，长宽比例为1:3，相邻光刻胶图形之间的间距为5um；之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，玻璃刻蚀厚度为0.4um，刻蚀方法可以是腐蚀溶液浸泡刻蚀或者等离子体干法刻蚀。完成后用等离子去胶机去除上表面光刻胶，微结构一7制作完成。

本步骤中，光刻胶的材料选择：厚度1um分辨率在0.35～0.7um的正胶即可，AZ、罗门哈斯、FuJiFilm等厂商提供的AZ mir700系列、罗门哈斯SPR955系列等都可以。

本步骤中的等离子体去胶采用微波等离子体的方式，腔体加热100℃

～150℃，然后通入氧气和氮气，氮气作为载气，氧气作为反应气体，经过微波时产生氧等离子体，经过管路传输至晶圆上的光刻胶表面，在加热的情况下，逐渐将光刻胶去除掉。等离子体去胶机：也称微波等离子体去胶机，用于去除晶圆表面光刻胶以及表面有机物。

本步骤中的腐蚀溶液为氢氟酸刻蚀溶液，主要成分是氟化氢HF水溶液，浓度HF：水比例可以是大于50:1。刻蚀工艺为：将待刻蚀的玻璃背面用保护胶带贴好保护，之后浸泡入刻蚀溶液，反应时间可以是5min～20min，之后放入纯水中冲洗后即可。

步骤2在已经制作出玻璃微结构一7的上表面，旋涂一层厚度为0.8um的光刻胶，继续进行光刻、显影等工序，曝光需要进行对位套准，该次曝光需要进行对位套准，从而实现在玻璃微结构一7的正上方形成横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度为1.2um，长宽比例为1:3，相邻图形之间的间距为5um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构一7的中心相同。之后对有光刻胶图形的表面进行玻璃刻蚀工序，刻蚀厚度为0.4um，刻蚀方法可以是腐蚀溶液浸泡刻蚀或者等离子体干法刻蚀。完成后用等离子去胶机去除上表面光刻机，微结构二8制作完成。

本步骤中的光刻、显影工序的具体工艺参数与步骤1中的相同。光刻设备都具有识别对位系统，只要在掩膜版上制作出套刻标记(套刻标记就是一种有规律的图形)，光刻机上输入套刻标记的位置坐标，设备就能找到标记并完成套刻。套刻也称多层图形依次制作，通过标记依次套准光刻。套刻是需要依次制作多层图形时，前后图形通过标记依次套准光刻，最终多层图形间实现具有相对位置关系的堆叠，其中相对位置可以根据设计者的思路进行调整，可以是中心对准，也可以是偏移固定量的堆叠。

步骤3在已经制作出玻璃微结构一7和微结构二8的上表面，旋涂一层厚度均匀的光刻胶材料，此光刻胶的厚度为1.2um，折射率n必须小于玻璃的折射率，本实施例中的折射率n为1.61，进行光刻、显影工序，光刻需要套刻对位，显影后制作出阵列排布的横截面为矩形的光刻胶图形，光刻胶图形的横截面的宽度1.5um，长宽比例为1:3，图形间距为5um，并且光刻胶图形中心位置与玻璃微结构中心相同。最后放入热板中进行烘烤，烘烤温度为140℃，烘烤时间为10min。直至光刻胶被烘烤成半球形，球形与玻璃表面的接触角度为80°，从而完成光刻胶微结构6的制作。实现制作微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6之后的微结构的方法，就是本发明提出的Micro Lens的制作方法。

步骤4将完成制作的带有微结构一7、微结构二8和光刻胶微结构6的玻璃与已经完成OLED器件制作、OLED封装、CF制作的硅基驱动背板进行倒装贴合，从而实现Micro lens的功能。需要注意的是，贴合胶5采用的是面胶贴合，贴合胶5的折射率选取需要低于光刻胶微结构6的折射率。

对上述实施例中制得的硅基OLED微显示屏采用光谱仪进行亮度检测，光谱仪是平板显示行业用来专门测量发光光谱和亮度的设备。

测量方法：屏幕点亮后，光谱仪垂直于显示面放置，并且在显示面正前方，距离显示屏50mm，之后控制软件进行测试即可。

相比于现有技术中的基于盖板玻璃，只采用光刻胶固化制作Micro Lens的方法，本发明中的亮度提升比例见表1。

表1

	亮度提升比例(％)
		实施例1	50
实施例2	30
		实施例3	35

由表1中数据可知，采用本发明中的制备方法制得的硅基OLED微显示屏的亮度得到了显著提高。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实验例的细节，而且在不背离本发明的精神和基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的同等要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的权利方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：包括硅基OLED微显示屏和具有Micro Lens结构的盖板玻璃，显示屏和盖板玻璃之间通过贴合胶连接，所述硅基OLED微显示屏包括从上到下依次层叠设置的彩色滤光膜、薄膜封装层、OLED层和硅基CMOS驱动背板；

所述盖板玻璃与硅基OLED微显示屏的接触面上有Micro Lens结构，所述Micro Lens结构包括若干微结构一，位于每个微结构一上的微结构二，以及位于每个微结构二上方的光刻胶微结构，每个光刻胶微结构包覆微结构一和微结构二设置，若干光刻胶微结构等间距设置。

2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述光刻胶微结构、微结构一和微结构二的中心相同。

3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述微结构一的横截面为矩形图形，所述光刻胶图形的横截面的宽度为0.4μm~0.8μm，所述矩形图形的长宽比为1:1~1:3，微结构一的高度为0.2μm~0.5μm。

4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述若干微结构一中相邻微结构一之间的间距为2~5μm。

5.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述微结构二的横截面为矩形图形，所述光刻胶图形的横截面的宽度为1~1.2um，所述矩形图形的长宽比为1:1~1:3，微结构二的高度为0.2um~0.5um。

6.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述若干微结构二中相邻微结构二之间的间距为2~5μm。

7.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述光刻胶微结构为半球形结构。

8.根据权利要求7所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述半球形结构的底面为圆形或椭圆形，当其为圆形时，其直径为1.5~3um；当其为椭圆形时，其短轴长度为1.5~3um，其长轴和短轴的直径为1:1.1~1:3，所述半球形结构的高度为光刻胶的厚度为1.2~3um。

9.根据权利要求7所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述半球形结构的球面与玻璃表面的接触角度为45°~90°。

10.根据权利要求1所述的一种硅基OLED微显示屏，其特征在于：所述贴合胶折射率小于光刻胶微结构的折射率。

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