CN213583308U - 磁膜 - Google Patents

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徐政柱
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Abstract

本发明题为“磁膜”。本发明公开了一种磁膜，所述磁膜包括一个或多个导磁层。每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹。所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得所述第一规则图案的傅里叶变换具有在对应于所述第一节距P1的第一空间频率下沿所述第二方向的第一峰。所述第一贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均长度L1。L1/P1大于或等于5。

Description

磁膜
技术领域
本实用新型涉及一种磁膜。
背景技术
磁膜可用于例如电磁干扰屏蔽。
发明内容
在本说明书的一些方面，提供了包括一个或多个导磁层的磁膜。每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹。第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得第一规则图案的傅里叶变换包括在对应于第一节距P1的第一空间频率下沿第二方向的第一峰。第一贯穿裂纹具有沿第一方向的平均长度L1。 L1/P1≥5。
在本说明书的一些方面，提供了包括一个或多个导磁层的磁膜。每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第一电感I1，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，磁线圈在200kHz 下具有第二电感I2。I1>I2。
在本说明书的一些方面，提供了包括一个或多个导磁层的磁膜，该一个或多个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个至少第一贯穿裂纹和第二贯穿裂纹。第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且沿正交的第二方向形成第一规则图案，并且第二贯穿裂纹沿不同于第一方向的第三方向延伸并且沿正交的第四方向形成第二规则图案，使得第一规则图案和第二规则图案的二维傅里叶变换包括沿相应的第二方向和第四方向的相应的第一峰和第二峰。在顶部平面图中，第一贯穿裂纹具有沿第二方向的平均宽度V1，并且第二贯穿裂纹具有沿第四方向的平均宽度V2。V1>V2。
在本说明书的一些方面，提供了包括一个或多个导磁层的磁膜。每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第一电阻R1，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，磁线圈在 200kHz下具有第二电阻R2。R1>R2。
在本说明书的一些方面，提供了磁膜。该磁膜包括一个或多个导磁层，该一个或多个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈在200kHz下生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈具有最大电感Imax，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转以具有不同的第二面内取向时，磁线圈具有最小电感Imin。Imax/Imin>1.5。
在本说明书的一些方面，提供了磁膜。该磁膜包括一个或多个导磁层，该一个或多个导磁层开裂以形成多个贯穿裂纹，该多个贯穿裂纹形成规则图案，使得当磁膜基本上平放并且通过将磁线圈靠近磁膜设置来形成组件时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，磁线圈的电感大于具有相同构造的对比组件的电感，不同的是对比组件的磁膜的一个或多个导磁层开裂以形成多个第一贯穿裂纹，该多个第一贯穿裂纹形成不规则图案，甚至当对比组件的磁线圈中的线匝数增加约30％时也是如此。
在本说明书的一些方面，提供了磁膜，该磁膜包括第一导磁层，该第一导磁层包括多个离散区段。每个区段开裂以形成多个贯穿裂纹，该多个贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距沿正交的第二方向形成规则图案，使得规则图案的傅里叶变换包括在对应于第一节距的空间频率下沿第二方向的峰。对于多个离散区段中的至少一个区段的第二方向不同于对于多个离散区段中的至少一个其他区段的第二方向。
附图说明
图1A为磁膜的示意性顶部平面图；
图1B为图1A的磁膜的示意性端视图；
图1C为另一个磁膜的示意性顶部平面图；
图2A至图2B为导磁层的图像；
图3为贯穿裂纹的规则图案的傅里叶变换的示意性曲线图；
图4A为导磁层的高度分布的傅里叶变换的量值的曲线图；
图4B至图4C为图4A的傅里叶变换的沿不同方向的量值的曲线图；
图5A为另一个导磁层的高度分布的傅里叶变换的量值的曲线图；
图5B至图5C为图5A的傅里叶变换的沿不同方向的量值的曲线图；
图6为包括多个导磁层的磁膜的示意性端视图；
图7A至图7C为示出磁膜和靠近磁膜设置的磁线圈的不同相对取向的示意性顶视图；
图8A为包括贯穿裂纹的不规则图案的磁膜的示意性顶视图；
图8B为通过将磁线圈靠近图8A的磁膜设置而形成的组件的示意性顶视图；
图8C为图8B的组件在磁膜800已相对于磁线圈面内旋转约90度之后的示意性顶视图；
图9A为包括导磁层的磁膜的示意性顶部平面图；
图9B为图9A的导磁层的示意性顶部平面图；
图10为磁膜的示意性顶视图，该磁膜包括第一导磁层，该第一导磁层包括多个离散区段；
图11为使导磁层开裂的方法的示意图；
图12为导磁层的图像；并且
图13A至图13B为图12的导磁层的高度分布的傅里叶变换的沿不同方向的量值的曲线图。
具体实施方式
在以下说明中参考附图，该附图形成本发明的一部分并且其中以举例说明的方式示出各种实施方案。附图未必按比例绘制。应当理解，在不脱离本说明书的范围或实质的情况下，可设想并进行其他实施方案。因此，以下具体实施方式不应被视为具有限制意义。
本说明书的磁膜可用于多种应用中。例如，磁膜可用于需要磁屏蔽的电子设备中。例如，磁膜能够可用于诸如无线电力传输、无线充电、无线供电通信(WPC)、近场通信(NFC)、磁安全传输(MST)和/或无线磁通信(WMC)的应用中。
在一些实施方案中，磁膜包括一个或多个导磁层，其中层中的至少一个开裂以形成贯穿裂纹的规则图案。已发现，可选择贯穿裂纹的图案以增加磁膜的有效磁导率(例如，如在靠近磁膜的磁线圈的电感中所反映的)。例如，贯穿裂纹的图案可具有这样的取向，使得磁膜对于与贯穿裂纹的图案的取向对准的磁场具有比对于与贯穿裂纹的图案的取向不对准的磁场更高的有效磁导率。在一些实施方案中，磁膜具有比已开裂以形成多个贯穿裂纹(该多个贯穿裂纹形成不规则图案)的对比磁膜显著更高的有效磁导率。增加的有效磁导率可导致例如无线电力或数据传输应用中的传输距离显著增加。
导磁材料或导磁层可被理解为具有至少2的相对磁导率的材料或层。在一些实施方案中，导磁层具有大于2、或大于10、或大于100、或大于 500、或大于1000、或大于2000的相对磁导率。导磁层可以是软磁的。软磁材料或软磁层可被理解为具有不大于1000A/m的矫顽力的材料或层。矫顽力是对材料去磁所需的磁场强度的量度。具有低矫顽力的软磁材料或磁性材料可被描述为易于去磁的磁性材料。在一些实施方案中，导磁层具有小于1000A/m、或小于100A/m、或小于50A/m、或小于20A/m的矫顽力。
除非另有说明，否则相对磁导率是指复相对磁导率的实部。除非另有说明，否则磁特性和电特性(例如，相对磁导率、矫顽力、电阻率)是指在200kHz下评估的相应特性，并且除非另有说明，否则是指在室温(例如， 22℃)下确定的相应特性。
任何合适的磁性材料可用于导磁层。在一些实施方案中，在开裂之前导电的铁合金层用作导磁层。在一些此类实施方案中，该层开裂，这降低了该层的电导率并降低了该层中的涡流损耗。该合金可为包含铁、钴或镍中的任何两种或全部三种的结晶合金。例如，可任选地添加附加元素以改变诸如磁致伸缩、电阻率、磁导率、饱和感应、矫顽力、剩磁和/或腐蚀的特性。此类合金的示例包括NiFe、NiFeMo、FeSi、FeAlSi和FeCo。也可以使用非晶态合金。例如，可以使用包含钴和/或铁的非晶态合金以及诸如硅和硼的类金属。此类合金在本领域中是已知的。也可以使用纳米晶材料，诸如纳米晶合金。例如，可以使用包含铁、硅和/或硼的纳米晶合金，以及在退火时添加以控制纳米晶体的成核和生长的任选的其他元素。这些合金中的许多包含铁、硅、硼、铌和铜。可用的FeSiBNbCu合金包括以商品名 VITROPERM购自瓦克华公司(VACUUMSCHMELZE GmbH&co.)和以商品名FINEMET购自日立金属有限公司(Hitachi Metals，Ltd.)的那些。在一些实施方案中，磁膜包括一个或多个包含纳米晶合金的导磁层。在一些实施方案中，纳米晶合金包含铁，以及硅、铝、硼、铌、铜、钴、镍或钼中的至少一种。在一些实施方案中，纳米晶合金包含铁、硅、硼、铌和铜。
在一些实施方案中，导磁层可由导电材料(例如，不超过200μΩcm的电阻率)或电绝缘材料(例如，至少100Ωm的电阻率)形成。在一些实施方案中，导电材料具有小于200μΩcm、或小于100μΩcm、或小于50μΩcm、或小于20μΩcm、或小于10μΩcm的电阻率。在一些实施方案中，电绝缘材料具有大于100Ωm、或大于200Ωm、或大于500Ωm、或大于1000Ωm的电阻率。
在一些实施方案中，导磁层由电绝缘多氧化物材料形成。可用的多氧化物材料包括铁氧体。铁氧体包括铁的氧化物和至少一种其他金属。可用的铁氧体的示例包括软立方铁氧体材料，诸如MnZn-铁氧体或NiZn-铁氧体。例如，此类材料可从许多供应商(诸如飞磁公司(Ferroxcube))获得。在一些实施方案中，导磁多氧化物层包含铁和锰。在一些此类实施方案中，导磁多氧化物层包含锌。在一些实施方案中，导磁多氧化物层还包含硅、钙、钛、锡、钴、铌、钽、钒、钼、锆或铋中的一种或多种。
在一些实施方案中，导磁层包含分散在粘结剂(例如，热固性粘合剂、环氧树脂或包括环氧树脂的混合物中的至少一种)中的颗粒(例如，导磁填料)。导磁填料可以是或包括本文其他地方所述的磁性材料中的任一种的颗粒。在一些实施方案中，颗粒是金属颗粒，其可以是或包括例如铁-硅- 硼-铌-铜合金，或者可以是或包括例如铁-铝-硅合金(例如，铁硅铝合金)。在一些实施方案中，颗粒是铁氧体颗粒，诸如锰-锌铁氧体颗粒或镍-锌铁氧体颗粒。用于颗粒或用于连续(开裂之前)导磁层和/或软磁层的其他合适的材料包括坡莫合金、钼坡莫合金和超透磁合金。也可以使用不同颗粒的组合。在一些实施方案中，颗粒包括金属颗粒，其包括铁-硅-硼-铌-铜合金或铁-铝-硅合金中的至少一种。颗粒可具有任何合适的形状和大小。在一些实施方案中，颗粒是薄片。与薄片的最大侧向尺寸相比，薄片可具有较小的厚度(例如，小至少4倍、或至少8倍)，并且例如可具有不规则的边缘形状。
图1A为磁膜600的示意性顶部平面图，该磁膜包括一个或多个导磁层 200(在图1A至图1B所示的实施方案中示出了一个层)。图1B为磁膜 600的示意性端视图。图1C为磁膜600的另一个实施方案的示意性顶部平面图。图2A至图2B为使用如别处(参见图11)所述的开裂辊由纳米晶铁合金带制成的导磁层200a和200b的图像，其中图像已被高通滤波以移除层的波纹。在一些实施方案中，每个导磁层200对应于导磁层200a或200b。每个导磁层200开裂以形成限定多个导磁节段20的多个第一贯穿裂纹10。图3为根据一些实施方案的导磁层200中的贯穿裂纹的规则图案的傅里叶变换300的量值的示意性等高线图。傅里叶变换300可通过傅里叶变换导磁层200的高度分布(主表面的高度相对于主表面的平均高度)来确定。图4A至图4C示出了导磁层200a的高度分布的傅里叶变换300a的量值。二维傅里叶变换300a在图4A中示出，并且沿第二(31)方向和第一(30) 方向的傅里叶变换分别在图4B和图4C中示出。图5A至图5C示出了导磁层200b的高度分布的傅里叶变换300b。二维傅里叶变换300b在图5A中示出，并且沿第二(31)方向和第一(30)方向的傅里叶变换分别在图5B 和图5C中示出。在图5C中，在傅里叶变换中不存在对应于沿第一方向的节距的统计意义上的显著峰。在计算傅里叶变换300a和300b之前，高度分布被滤波以从分布中移除表面中的凹坑。
例如，规则图案可为周期性图案或可包括关于周期性的一些变化。在一些实施方案中，可通过图案的傅里叶变换中对应于图案中的节距的峰将图案识别为规则图案。
在一些实施方案中，第一贯穿裂纹10沿第一方向30延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向31形成第一规则图案，使得第一规则图案的傅里叶变换包括在对应于第一节距P1的第一空间频率SF1下沿第二方向的第一峰310(例如，可将节距P1识别为SF1的倒数)。第一贯穿裂纹具有沿第一方向的平均长度L1。L1除以P1可例如大于或等于5(L1/P1≥5)。导磁节段20的图案可以比图1A和图1C所示的图案继续得更远。例如，图 1C所示的实施方案中的节段20的阵列可任选地在第一方向30上延伸超过两个节段20。
在一些实施方案中，每个导磁层开裂以进一步形成多个第二贯穿裂纹 40，该多个第二贯穿裂纹沿第二方向31延伸并且以第二节距P2沿第一方向形成第二规则图案，使得第二规则图案的傅里叶变换300包括在对应于第二节距P2的第二空间频率SF2下沿第一方向30的第二峰320。第二贯穿裂纹40具有沿第二方向31的平均长度L2。在一些实施方案中，L2/P2≤2 (参见例如图1C)。在一些实施方案中，L2/P2≥2(参见例如图1A)。在一些实施方案中，在顶部平面图中，第一贯穿裂纹10具有沿第二方向31 的平均宽度W1，并且第二贯穿裂纹40具有沿第一方向30的平均宽度W2。 W1可约等于W2，或者W1可大于W2，或者W1可小于W2。在一些实施方案中，磁膜用于磁场沿第一方向30的应用中。在一些此类实施方案中，可优选W1>W2。具有较小的W2可增加沿第一方向30的磁通量，而具有较大的W1可减少涡流损耗。在一些实施方案中，例如，W1/W2>1.1，或者W1/W2>1.3，或者10>W1/W2>1.1。在一些实施方案中，平均宽度基本上小于对应的节距。在一些实施方案中，例如，W1/P1和/或W2/P2小于0.3、或小于0.2、或小于0.1、或小于0.05、或小于0.03、或小于0.01。在一些实施方案中，P2/P1>1.1，或者P2/P1>1.3，或者10>P2/P1>1.1。
宽度W1和W2可通过开裂过程(例如，使用图11中示意性地示出的元件186和188的不同宽度)确定，或者可在最初形成导磁层之后进行调整。例如，可通过向磁膜(例如，或设置在基底上的导磁层)非对称地施加张力来将该膜非对称地拉伸(例如，在一个面内方向上比在正交的面内方向上拉伸更多，或者只在一个面内方向上拉伸)。然后，在膜处于张力下时，可将可固化材料(例如，可固化粘合剂组合物和/或可固化聚合物组合物)涂覆到该膜上，使得可固化材料至少部分地填充贯穿间隙的至少一部分(例如，全部或沿拉伸方向间隔开的部分)。然后，可固化材料可被固化(例如，通过施加光化辐射或热量)，使得当张力被释放时，至少部分地填充有可固化材料的贯穿间隙的宽度保持大致等于由非对称拉伸产生的宽度。在一些实施方案中，导磁层由导电材料(例如，铁合金)形成，并且可固化材料是电绝缘的，以防止导电材料的相邻节段的电接触。
图3示意性地示出了围绕第一峰310的恒定量值等高线334和围绕第二峰320的恒定量值等高线333。二维傅里叶变换300在恒定量值等高线内的区域中具有比在恒定量值等高线之外的区域中更高的量值。例如，等高线333和/或334可为如示意性地示出的圆形或可为其他形状，诸如椭圆形。沿k1和k2(沿第二方向(31)和第一方向(30)的空间频率)轴线的峰的位置和量值可以相同或不同。
在一些实施方案中，磁膜600包括一个或多个导磁层200，其中每个导磁层200开裂以形成多个贯穿裂纹(10，40)，该多个贯穿裂纹形成贯穿裂纹的规则图案。多个贯穿裂纹包括多个第一贯穿裂纹10，该多个第一贯穿裂纹沿第一方向30延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向31布置，使得贯穿裂纹的规则图案的二维傅里叶变换包括在对应于第一节距P1的第一空间频率下沿第二方向的第一峰。在一些实施方案中，多个贯穿裂纹 (10，40)还包括多个第二贯穿裂纹40，该多个第二贯穿裂纹沿第二方向 31延伸并且以第二节距P2沿第一方向30布置，使得贯穿裂纹的规则图案的二维傅里叶变换包括在对应于第二节距P2的第二空间频率下沿第二方向 31的第二峰320。在一些实施方案中，二维傅里叶变换不包括对应于沿第一方向的贯穿裂纹的规则图案的节距的任何峰。
导磁层200a具有大致相等的节距P1和P2。导磁层200b具有节距P1，但不具有带有傅里叶变换中的对应峰的节距P2，该对应峰在图2B和图5C 中是可辨别的。在一些实施方案中，P2/P1为约1、或大于1、或大于2、或大于5。在一些实施方案中，1≤P2/P1≤12，或者1≤P2/P1≤10，或者 2≤P2/P1≤9。在一些实施方案中，P1为至少50微米、或至少100微米、或至少200微米、或至少300nm。在一些实施方案中，P1不超过5mm、或不超过3mm、或不超过2mm、或不超过1mm。例如，在一些实施方案中， P1在100微米至3mm的范围内。
在一些实施方案中，一个或多个导磁层200设置在基底50上。在一些实施方案中，基底50为聚合物膜基底。
图6为磁膜600的实施方案的示意性端视图，其中一个或多个导磁层包括沿磁膜600的厚度方向32堆叠的多个导磁层200。在一些实施方案中，磁膜包括沿磁膜600的厚度方向32堆叠的多个重复单元203，其中每个重复单元包括基底50；来自设置在基底50上的一个或多个导磁层的导磁层 200；以及设置在导磁层上并将重复单元粘结到相邻重复单元的粘合剂层60。多个重复单元203的最顶部(沿厚度方向32)重复单元202粘结到设置在多个重复单元203上的重复单元70(另选地，该重复单元可为保护层或与磁膜600相邻的制品层)。
图7A至图7C为示出磁膜600和靠近磁膜600设置的磁线圈420的不同相对取向的示意性顶视图。可通过将磁线圈420靠近磁膜600设置来形成组件444，其中磁线圈420生成磁通量线421，该磁通量线基本上平行于磁膜600的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸。在一些实施方案中，磁膜600包括一个或多个导磁层200，其中每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹(10，40)，使得例如当磁膜600基本上平放并且磁线圈420靠近磁膜600设置时，其中磁线圈生成磁通量线421，该磁通量线基本上平行于磁膜600的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜600具有第一面内取向411(参见图7A)时，磁线圈在 200kHz下具有第一电感I1并且/或者在200kHz下具有第一电阻R1，并且当磁膜600相对于磁线圈面内旋转大于约15度的角度α以具有第二面内取向412(参见图7B)时，磁线圈在200kHz下具有第二电感I2并且/或者在 200kHz下具有第二电阻R2。在一些实施方案中，I1>I2。在一些实施方案中，R1>R2。
线圈中的电感和电阻通常至少部分地取决于磁膜中使用的导磁材料。在一些实施方案中，导磁材料是例如纳米晶铁合金，其可具有例如大于100、或大于500、或大于1000、或大于2000的相对磁导率。较高的相对磁导率可导致例如当靠近磁膜时线圈中的电感与当远离磁膜时线圈中的电感的较高比率。比率I1/I2和/或R1/R2通常至少部分地取决于磁膜的一个或多个导磁层中的贯穿裂纹的图案的各向异性。例如，较大程度的各向异性可导致较高的I1/I2和/或R1/R2。
在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约20度时， I1/I2≥1.1。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约 30度时，I1/I2≥1.2。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约45度时，I1/I2≥1.3，或者I1/I2≥1.4，或者I1/I2≥1.5。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约60度时，I1/I2≥1.5，或者I1/I2≥1.6，或者I1/I2≥1.7。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约90度时，I1/I2≥2，或者I1/I2≥2.1，或者I1/I2≥2.2。图7C 示意性地示出了磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约90度，使得磁膜 600具有面内取向413。在一些实施方案中，I1除以I2的最小值(最大转舵角(over angles)α)不大于8或不大于5。
在一些实施方案中，在磁线圈420靠近磁膜600设置之前，磁线圈在 200kHz下具有电感I。在一些实施方案中，I1/I≥5，或者I1/I≥7，或者 I1/I≥8，或者I1/I≥9。I1/I可为例如至多20或至多15。在一些实施方案中， I2/I≥5，或者I2/I≥7，或者I2/I≥8。
在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约20度时， R1/R2≥1.1。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约 30度时，R1/R2≥1.2。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约45度时，R1/R2≥1.5。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约60度时，R1/R2≥1.7。在一些实施方案中，当磁膜600相对于磁线圈420面内旋转约90度时，R1/R2≥2.1，或者R1/R2≥2.2。在一些实施方案中，R1除以R2的最小值(最大转舵角α)不大于8或不大于5。
在一些实施方案中，在磁线圈420靠近磁膜600设置之前，磁线圈在 200kHz下具有电阻R。在一些实施方案中，R1>R。在一些实施方案中， R1/R≥2.5，或者R1/R≥2.8，或者R1/R≥3，或者R1/R≥3.2。在一些实施方案中，R1/R不大于10或不大于7。在一些实施方案中，R2>R。在一些实施方案中，R2/R≥2.5，或者R2/R≥2.8。
组件444可通过将磁膜600基本上平放(例如，标称平放或大致平放，但由于例如膜中的应力变化而具有与平放的偏差)来制备，并且用磁线圈 420的线材缠绕磁膜600，使得线材基本上平行于磁膜600(例如，线材的大多数可标称地或大致平行于磁膜600的主表面，但由于例如线材的刚度，可具有一些与平行的偏差)。在一些实施方案中，磁线圈420为基本上平面的并且螺旋地缠绕在磁膜600周围。例如，图7A至图7C示意性地示出的磁线圈420可为基本上平面的(例如，在磁膜600的顶部和底部上基本上平行于该膜延伸)，并且可沿平行于取向411的轴线螺旋地缠绕在磁膜 600周围。
当磁膜600包括单个导磁层200b(参见图2B)时，组件444的 200kHz下的电感、200kHz下的电阻和对应的品质因数被报告在下表中。磁片具有17mm×38mm×40微米的尺寸。包括基底和粘合剂的磁膜具有60微米的厚度。
α(度) 电感(μH) 电阻(Ω) 品质因数
0 65.835 9.96 8.3
10 62.993 9.71 8.2
20 57.094 8.59 8.4
30 50.392 7.48 8.5
45 42.053 6.21 8.5
60 37.356 5.50 8.5
90 28.562 4.23 8.5
在一些实施方案中，磁膜600包括一个或多个导磁层200，该一个或多个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹(10，40)，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈420靠近磁膜设置时，其中磁线圈在200kHz下生成磁通量线421，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向411时，磁线圈具有最大电感 Imax，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转以具有不同的第二面内取向(412 或413)时，磁线圈具有最小电感Imin。在一些实施方案中， Imax/Imin>1.5。在一些实施方案中，Imax/Imin>1.8。在一些实施方案中，Imax/Imin>2。Imax/Imin可为例如至多8或至多5。在一些实施方案中，第二面内取向相对于第一面内取向面内旋转约90度。
图8A为包括一个或多个导磁层的磁膜800的示意性顶视图，该一个或多个导磁层开裂以形成多个第一贯穿裂纹810，该多个第一贯穿裂纹形成不规则图案。磁膜800可对应于磁膜600，或本文其他地方所述的具有贯穿裂纹的规则图案的其他磁膜，不同的是贯穿裂纹的规则图案已被替换为贯穿裂纹的不规则图案。例如，贯穿裂纹的不规则图案可具有与贯穿裂纹的对应的规则图案相同的平均间隙和面积覆盖百分比。图8B为通过将磁线圈 820靠近磁膜800设置而形成的组件844的示意性顶视图。图8C为组件在磁膜800相对于磁线圈820面内旋转约90度时的示意性顶视图。
在一些实施方案中，磁膜600包括一个或多个导磁层200，该一个或多个导磁层开裂以形成多个贯穿裂纹(10，40)，该多个贯穿裂纹形成规则图案，使得当磁膜基本上平放并且通过将磁线圈420靠近磁膜600设置来形成组件444时，其中磁线圈生成磁通量线421，该磁通量线基本上平行于磁膜600的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，磁线圈420的电感大于具有相同构造的对比组件844的电感，不同的是对比组件844的磁膜800的一个或多个导磁层开裂以形成多个第一贯穿裂纹810，该多个第一贯穿裂纹形成不规则图案。甚至当对比组件中的磁线圈820中的线匝数增加约30％时，磁线圈420的电感也可大于对比组件844的电感。对比组件844的电感是对比组件中的磁线圈820的电感。在一些实施方案中，当组件444的磁膜相对于组件444的磁线圈面内旋转约90度时，组件 444的磁线圈在200kHz下具有第一电感I1并且在200kHz下具有第二电感 I2，其中I1/I2≥2，或者I1/I2≥2.1，或者I1/I2≥2.2。在一些此类实施方案中，或在其他实施方案中，当对比组件844的磁膜800相对于对比组件844的磁线圈820面内旋转约90度时，对比组件844的磁线圈820在200kHz下具有第一电感Ic1并且在200kHz下具有第二电感Ic2，其中Ic1和Ic2大致相等(例如，相差在20％内或在10％内)。
使用具有两个导磁层200b(参见图2A)的磁膜来制备对应于组件444 的组件，并且使用具有导磁层的磁膜来制备对应于对比组件844的对比组件，该导磁层通过将纳米晶铁合金带(与用于导磁层200b的带的类型相同) 开裂成类似于随机正方形图案的不规则图案来制备。用于该组件中的磁膜具有13mm×66mm的面内尺寸并且为60微米厚，包括基底和粘合剂层的厚度，其中两个导磁层各自具有20微米的厚度。膜中的每一个具有3000的相对磁导率。磁线圈使用0.04mm厚和0.6mm宽的扁平线材。在200kHz下测量磁线圈的电阻和电感，并将结果报告在下表中。
Figure DEST_PATH_GDA0002945431080000121
例如，第一贯穿裂纹10和第二贯穿裂纹40可沿如图1A中示意性地示出的正交的方向延伸，或者可沿彼此构成倾斜角度的方向延伸。
图9A至图9B为磁膜700和导磁层500的示意性顶部平面图。磁膜 700包括一个或多个导磁层500，该一个或多个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段530的多个至少第一贯穿裂纹510和第二贯穿裂纹520。在一些实施方案中，一个或多个导磁层500包括两个(或更多个)导磁层。第一贯穿裂纹510沿第一方向540延伸并且沿正交的第二方向541形成第一规则图案，并且第二贯穿裂纹520沿不同于第一方向的第三方向550延伸并且沿正交的第四方向551形成第二规则图案，使得第一规则图案和第二规则图案的二维傅里叶变换300包括沿相应的第二方向541和第四方向551的相应的第一峰310和第二峰320。在一些实施方案中，在顶部平面图中，第一贯穿裂纹510具有沿第二方向的平均宽度V1，并且第二贯穿裂纹520具有沿第四方向的平均宽度V2，其中V1>V2。当磁膜700基本上平放并且磁线圈420靠近磁膜700设置时，磁膜700可具有针对组件444所描述的特性中的任一种，其中磁线圈420生成磁通量线421，该磁通量线基本上平行于磁膜700的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸。磁膜 700的长度标度(例如，节距、贯穿裂纹长度、贯穿裂纹宽度)可在针对磁膜600的对应长度标度所描述的任何范围内。例如，在一些实施方案中， V1/V2>1.1，或者V1/V2>1.3，或者10>V1/V2>1.1。
在一些实施方案中，第一方向540和第三方向550限定两者间的倾斜角度θ。在一些实施方案中，第一方向540和第三方向550为基本上正交的 (例如，相差在正交的20度、或10度或甚至5度内)。
图10为磁膜900的示意性顶视图，该磁膜包括第一导磁层901，该第一导磁层包括多个离散区段201。每个区段201开裂以形成多个贯穿裂纹 910，该多个贯穿裂纹沿第一方向(930a，930b)延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向(931a，931b)形成规则图案，使得规则图案的傅里叶变换 300包括在对应于第一节距P1的空间频率下沿第二方向的峰310。对于多个离散区段201中的至少一个区段201a的第二方向931a不同于对于多个离散区段201中的至少一个其他区段201b的第二方向931b。不同方向是指非平行方向。在一些实施方案中，对于多个离散区段201中的至少一个区段 201a的第二方向931a与对于多个离散区段201中的至少一个其他区段201b 的第二方向931b形成倾斜角度α。在一些实施方案中，对于多个离散区段 201中的每个区段的第二方向(931a，931b)基本上沿从第一导磁层901的中心907起的径向方向(例如，对于多个离散区段201中的每个区段的第二方向(931a，931b)可标称地沿从中心907起的径向方向，但可由于普通的制造变化而不同于径向方向，或者第二方向可由于离散区段201与使得第二方向径向的位置和取向产生小的移位或旋转(例如，由于制造变化) 而不同于径向方向)。磁膜900可用于例如其中磁通量线主要沿径向方向延伸(例如，由平面螺旋线圈产生)的应用中。
在一些实施方案中，多个离散区段中的相邻区段由间隙隔开。在一些实施方案中，间隙的平均宽度g1可大于贯穿裂纹910的平均宽度。平均间隙g1可对应于例如平均宽度W1或V1，并且贯穿裂纹910的平均宽度可对应于例如平均宽度W2或V2。磁膜900的长度标度(例如，节距、贯穿裂纹长度、贯穿裂纹宽度)或长度标度的比率可在例如针对磁膜600的对应长度标度或长度标度的比率所描述的任何范围内。
在一些实施方案中，磁膜900还包括靠近第一导磁层(例如，对应于图6中描绘的层200中的一个)的第二导磁层(例如，对应于图6中描绘的层200中的另一个)。在一些实施方案中，第二导磁层包括多个离散区段，第二导磁层的每个区段开裂以形成多个规则布置的贯穿裂纹。在一些实施方案中，第二导磁层是导磁层901的第二层。
磁膜900可例如通过以下方式来制备：制备具有沿第一方向延伸的贯穿裂纹的第一磁膜并且沿正交的第二方向形成规则图案，从第一磁膜切割区段201，并且然后将区段201以如图10中示意性地示出的图案放置(例如，可将区段放置在基底上并粘结到该基底)以提供磁膜900。多个区段 201可包括例如3至20或4至16个区段。每个区段可具有基本上相同的大小和形状，或者不同的区段可具有不同的大小和/或形状(例如，区段可跨越中心907附近的不同角度)。
在一些实施方案中，有意使导磁层开裂以形成贯穿裂纹的规则图案。在一些实施方案中，使用如图11中示意性地示出的开裂辊来使导磁层开裂。导磁层100沿顺维方向或纵向方向161在第一对开裂辊166和第二对开裂辊168之间移动。开裂辊166包括沿正交于纵向方向161的跨幅材或横向方向162延伸的多个线性元件186(例如，设置在辊上的线材或脊)。将沿横向方向的每单位长度的力F1施加到第一对开裂辊166，这导致形成多个第一贯穿裂纹110。多个第一贯穿裂纹110沿横向方向延伸。开裂辊168包括围绕辊的圆周延伸的多个元件188(例如，设置在辊上的线材或脊)。将沿横向方向的每单位长度的力F2施加到第二对开裂辊168，这导致形成多个第二贯穿裂纹140。多个第二贯穿裂纹140沿纵向方向161延伸。每单位长度的力F1和F2可相同或不同。线性元件186之间的间距(节距)可与元件188之间的间距(节距)相同或不同。例如，使用辊来使导磁层200a 开裂，其中在多组辊的元件之间具有大致相等的间距，并且使导磁层200b 开裂，其中一组辊的元件的间距为另一组辊的元件的间距的约9倍。在一些实施方案中，多对辊166和178可例如相对于彼此旋转以形成其他裂纹图案。
使用图11中示意性地示出的系统来使具有3000的相对磁导率的纳米晶带的附加样品开裂。元件188的间距与元件186的间距的比率为约7∶3。开裂的样品的图像在图12中示出。将样品安装在具有大致3英寸半径的圆柱体上，使得曲率沿方向161以便更清楚地示出沿方向162延伸的间隙。高度分布的傅里叶变换的分别沿方向161和162的量值(在减去曲率之后) 在图13A至图13B中示出。图13A中的最大峰处于0.000796倒数微米的空间频率，并且图13B中的最大峰处于0.00159倒数微米的空间频率。最大峰具有约1.7-1.9×106的类似量值。
形成贯穿裂纹的规则图案的其他方法包括在使导磁层开裂之前向导磁层施加应力消除图案。例如，导磁层可以被刻划成规则图案，诸如矩形、正方形或三角形图案。刻划线可例如通过将锋利的刀片压入膜中，或例如通过使用激光切割该层来形成。在一些实施方案中，将导磁层层压到基底 (例如，聚合物膜)，将规则的应力消除图案施加到导磁层，并且然后导磁层以由应力消除图案(例如，沿刻划线)确定的图案开裂。然后可例如通过使用一个或多个辊使膜弯曲来使导磁层开裂。
本发明包括如下例示性实施方案。
第一实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹，第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得第一规则图案的傅里叶变换包括在对应于第一节距P1的第一空间频率下沿第二方向的第一峰，第一贯穿裂纹具有沿第一方向的平均长度L1， L1/P1≥5。
第二实施方案是根据第一实施方案所述的磁膜，其中每个导磁层开裂以进一步形成多个第二贯穿裂纹，该多个第二贯穿裂纹沿第二方向延伸并且以第二节距P2沿第一方向形成第二规则图案，使得第二规则图案的傅里叶变换包括在对应于第二节距P2的第二空间频率下沿第二方向的第二峰。
第三实施方案是根据第二实施方案所述的磁膜，其中在顶部平面图中，第一贯穿裂纹具有沿第二方向的平均宽度W1，并且第二贯穿裂纹具有沿第一方向的平均宽度W2，W1>W2。
第四实施方案是根据第一实施方案至第三实施方案中任一项所述的磁膜，其中一个或多个导磁层设置在基底上。
第五实施方案是根据第一实施方案至第四实施方案中任一项所述的磁膜，其中一个或多个导磁层包括沿磁膜的厚度方向堆叠的多个导磁层。
第六实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第一电感I1，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第二电感I2，I1>I2。
第七实施方案是根据第六实施方案所述的磁膜，其中当磁膜相对于磁线圈面内旋转约30度时，I1/I2≥1.2。
第八实施方案是根据第六实施方案或第七实施方案所述的磁膜，其中在磁线圈靠近磁膜设置之前，该磁线圈在200kHz下具有电感I，并且其中 I1/I≥5。
第九实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，该一个或多个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个至少第一贯穿裂纹和第二贯穿裂纹，第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且沿正交的第二方向形成第一规则图案，并且第二贯穿裂纹沿不同于第一方向的第三方向延伸并且沿正交的第四方向形成第二规则图案，使得第一规则图案和第二规则图案的二维傅里叶变换包括沿相应的第二方向和第四方向的相应的第一峰和第二峰，其中在顶部平面图中，第一贯穿裂纹具有沿第二方向的平均宽度V1，并且第二贯穿裂纹具有沿第四方向的平均宽度V2，V1>V2。在一些实施方案中， V1/V2>1.1。在一些实施方案中，第一方向和第三方向限定两者间的倾斜角度。在一些实施方案中，第一方向和第三方向为基本上正交的。
第十实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第一电阻R1，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，磁线圈在200kHz下具有第二电阻R2，R1>R2。在一些实施方案中，R1/R2≥1.1。
第十一实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，该一个或多个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当磁膜基本上平放并且磁线圈靠近磁膜设置时，其中磁线圈在200kHz下生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，当磁膜具有第一面内取向时，磁线圈具有最大电感Imax，并且当磁膜相对于磁线圈面内旋转以具有不同的第二面内取向时，磁线圈具有最小电感Imin，Imax/Imin>1.5。在一些实施方案中，Imax/Imin>1.8，或者 Imax/Imin>2。在一些实施方案中，第二面内取向相对于第一面内取向面内旋转约90度。
第十二实施方案是一种磁膜，该磁膜包括一个或多个导磁层，该一个或多个导磁层开裂以形成多个贯穿裂纹，该多个贯穿裂纹形成规则图案，使得当磁膜基本上平放并且通过将磁线圈靠近磁膜设置来形成组件时，其中磁线圈生成磁通量线，该磁通量线基本上平行于磁膜的至少一部分横穿，并且跨过该磁膜的该至少一部分延伸，磁线圈的电感大于具有相同构造的对比组件的电感，不同的是对比组件的磁膜的一个或多个导磁层开裂以形成多个第一贯穿裂纹，该多个第一贯穿裂纹形成不规则图案，甚至当对比组件的磁线圈中的线匝数增加约30％时也是如此。
第十三实施方案是根据第十二实施方案所述的磁膜，其中当组件的磁膜相对于组件的磁线圈面内旋转约90度时，组件的磁线圈在200kHz下具有第一电感I1并且在200kHz下具有第二电感I2，I1/I2≥2。在一些实施方案中，当对比组件的磁膜相对于对比组件的磁线圈面内旋转约90度时，对比组件的磁线圈在200kHz下具有第一电感Ic1并且在200kHz下具有第二电感Ic2，Ic1和Ic2大致相等。
第十四实施方案是一种磁膜，该磁膜包括第一导磁层，该第一导磁层包括多个离散区段，每个区段开裂以形成多个贯穿裂纹，该多个贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距沿正交的第二方向形成规则图案，使得规则图案的傅里叶变换包括在对应于第一节距的空间频率下沿第二方向的峰，对于多个离散区段中的至少一个区段的第二方向不同于对于多个离散区段中的至少一个其他区段的第二方向。在一些实施方案中，对于多个离散区段中的至少一个区段的第二方向与对于多个离散区段中的至少一个其他区段的第二方向形成倾斜角度。
第十五实施方案是根据第十四实施方案所述的磁膜，其中对于多个离散区段中的每个区段的第二方向基本上沿从第一导磁层的中心起的径向方向。
诸如“约”的术语将在本领域普通技术人员在本说明书中使用和描述的上下文中理解。如果本领域普通技术人员在本说明书中使用和描述的上下文中对“约”应用于表达特征大小、数量和物理特性的量的使用不清楚，则“约”将被理解为是指在指定值的10％以内。给定为约指定值的量可精确地为指定值。例如，如果本领域普通技术人员在本说明书中使用和描述的上下文中对其不清楚，则具有约1的值的量是指该量具有介于0.9和1.1 之间的值，并且该值可为1。
上述所有引用的参考文献、专利或专利申请以一致的方式全文据此以引用方式并入本文。在并入的参考文献部分与本申请之间存在不一致或矛盾的情况下，应以前述说明中的信息为准。
除非另外指明，否则针对附图中元件的描述应被理解为同样应用于其他附图中的对应元件。虽然本文已经例示并描述了具体实施方案，但本领域的普通技术人员将会知道，在不脱离本公开范围的情况下，可用多种另选的和/或等同形式的具体实施来代替所示出和所描述的具体实施方案。本申请旨在涵盖本文所讨论的具体实施方案的任何改型或变型。因此，本公开旨在仅受权利要求及其等同形式的限制。

Claims (15)

1.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹，所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得所述第一规则图案的傅里叶变换包括在对应于所述第一节距P1的第一空间频率下沿所述第二方向的第一峰，所述第一贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均长度L1，L1/P1≥5。
2.根据权利要求1所述的磁膜，其中每个导磁层开裂以进一步形成多个第二贯穿裂纹，所述多个第二贯穿裂纹沿所述第二方向延伸并且以第二节距P2沿所述第一方向形成第二规则图案，使得所述第二规则图案的傅里叶变换包括在对应于所述第二节距P2的第二空间频率下沿所述第二方向的第二峰。
3.根据权利要求2所述的磁膜，其中在俯视平面图中，所述第一贯穿裂纹具有沿所述第二方向的平均宽度W1，并且所述第二贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均宽度W2，W1>W2。
4.根据权利要求1所述的磁膜，其中所述一个或多个导磁层设置在基底上。
5.根据权利要求1所述的磁膜，其中所述一个或多个导磁层包括沿所述磁膜的厚度方向堆叠的多个导磁层。
6.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置，且所述磁线圈生成磁通量线，所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿，并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时，当所述磁膜具有第一面内取向时，所述磁线圈在200kHz下具有第一电感I1，并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，所述磁线圈在200kHz下具有第二电感I2，I1>I2。
7.根据权利要求6所述的磁膜，其中当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转约30度时，I1/I2≥1.2。
8.根据权利要求6所述的磁膜，其中在所述磁线圈靠近所述磁膜设置之前，所述磁线圈在200kHz下具有电感I，并且其中I1/I≥5。
9.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，所述一个或多个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个至少第一贯穿裂纹和第二贯穿裂纹，所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且沿正交的第二方向形成第一规则图案，并且所述第二贯穿裂纹沿不同于所述第一方向的第三方向延伸并且沿正交的第四方向形成第二规则图案，使得所述第一规则图案和所述第二规则图案的二维傅里叶变换包括沿相应的第二方向和第四方向的相应的第一峰和第二峰，其中在俯视平面图中，所述第一贯穿裂纹具有沿所述第二方向的平均宽度V1，并且所述第二贯穿裂纹具有沿所述第四方向的平均宽度V2，V1>V2。
10.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置，且所述磁线圈生成磁通量线，所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿，并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时，当所述磁膜具有第一面内取向时，所述磁线圈在200kHz下具有第一电阻R1，并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时，所述磁线圈在200kHz下具有第二电阻R2，R1>R2。
11.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，所述一个或多个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹，使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置，且所述磁线圈在200kHz下生成磁通量线，所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿，并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时，当所述磁膜具有第一面内取向时，所述磁线圈具有最大电感Imax，并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转以具有不同的第二面内取向时，所述磁线圈具有最小电感Imin，Imax/Imin>1.5。
12.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括一个或多个导磁层，所述一个或多个导磁层开裂以形成多个贯穿裂纹，所述多个贯穿裂纹形成规则图案，使得当所述磁膜基本上平放并且通过将磁线圈靠近所述磁膜设置来形成组件，且所述磁线圈生成磁通量线，所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿，并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时，所述磁线圈的电感大于具有相同构造的对比组件的电感，不同的是所述对比组件的所述磁膜的所述一个或多个导磁层开裂以形成多个第一贯穿裂纹，所述多个第一贯穿裂纹形成不规则图案，甚至当所述对比组件的所述磁线圈中的线匝数增加约30％时也是如此。
13.根据权利要求12所述的磁膜，其中所述组件的所述磁线圈在200kHz下具有第一电感I1并且当所述组件的所述磁膜相对于所述组件的所述磁线圈面内旋转约90度时，所述组件的所述磁线圈在200kHz下具有第二电感I2，I1/I2≥2。
14.一种磁膜，其特征在于，所述磁膜包括第一导磁层，所述第一导磁层包括多个离散区段，每个区段开裂以形成多个贯穿裂纹，所述多个贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距沿正交的第二方向形成规则图案，使得所述规则图案的傅里叶变换包括在对应于所述第一节距的空间频率下沿所述第二方向的峰，对于所述多个离散区段中的至少一个区段的所述第二方向不同于对于所述多个离散区段中的至少一个其他区段的所述第二方向。
15.根据权利要求14所述的磁膜，其中对于所述多个离散区段中的每个区段的所述第二方向基本上沿从所述第一导磁层的中心起的径向方向。
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