CN213342769U - 光发射组件、半导体光电子器件和设备 - Google Patents

光发射组件、半导体光电子器件和设备 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供一种光发射组件、半导体光电子器件和设备，涉及微电子器件技术领域，以解决半导体光电子器件中传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续的问题。该光发射组件包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感。第一电容的第一端连接射频正电极，第一电容的第二端连接射频负电极，半导体芯片的第一极连接直流负电极；半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极；滤波电路的第一端连接第一电容的第二端，滤波电路的第二端连接半导体芯片的第一极；或者，滤波电路的第一端连接第一电容的第一端，滤波电路的第二端连接第一电感的第二端。

Description

光发射组件、半导体光电子器件和设备
技术领域
本申请实施例涉及微电子器件技术领域，尤其涉及一种光发射组件、半导体光电子器件和设备。
背景技术
半导体光电子器件是指通过电耦合、机械固定和密封等措施，将半导体芯片封装为具有稳定的功能、性能的器件。该半导体光电子器件可以用于控制激光二极管。
一般而言，半导体芯片的内阻约为10欧姆(ohm，Ω)，而与半导体芯片直接连接的驱动源的传输线单端的阻抗为25Ω或50Ω。也就是说，传输线的阻抗与半导体芯片内阻不同，即传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续。传输线阻抗与半导体芯片的阻抗不连续会产生强烈的反射信号，由于半导体芯片的内阻低于传输线的阻抗，使得反射信号与入射信号相位相反。相位相反的反射信号与入射信号叠加后，会导致输入半导体光电子器件的信号幅度减小。
并且，在半导体光电子器件封装过程中，载体、金线和匹配网络等器件的设置会引入各种寄生参数，从而导致高频带宽损失严重，使得半导体光电子器件在高速率应用场景的使用严重受限。
为了解决上述阻抗不连续的问题，在一种方案中，可以在传输线和半导体芯片之间串联电阻。但是，在传输线和芯片之间串联电阻，会增大半导体光电子器件的负载，从而增大半导体光电子器件的功耗。但是，该方案并不能解决上述高频带宽损失严重的问题。
为了降低半导体光电子器件的负载，在另一种方案中，可以在传输线和半导体芯片之间设置滤波电路，形成低通滤波网络。但是，该方案仍不能解决上述高频带宽损失严重的问题。
实用新型内容
本申请提供一种光发射组件、半导体光电子器件和设备，以解决半导体光电子器件中传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续的问题。
为实现上述技术目的，本申请采用如下技术方案：
第一方面，本申请提供了一种光发射组件，包括半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感。其中，第一偏置电路用于隔绝交流信号。
在第一种情况下，射频正电极连接第一电容的第一端，第一电容的第二端连接射频负电极。半导体芯片的第一极连接直流负电极。半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极。滤波电路的第一端连接第一电容的第一端，滤波电路的第二端连接第一电感的第二端。
在第二种情况下，射频正电极连接第一电容的第一端，第一电容的第二端连接射频负电极。半导体芯片的第一极连接直流负电极。半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，第一偏置电路的第二端连接直流正电极。滤波电路的一端连接第一电容的第二端，滤波电路的第二端连接半导体芯片的第一极。
一方面，在上述任一种情况下，直流正电极通过第一偏置电路和第一电感连接半导体芯片的第二极；半导体芯片的第一极连接直流负电极。因此，直流正电极可以通过第一偏置电路和第一电感为半导体芯片提供直流驱动信号，与直流负电极形成直流驱动回路。也就是说，直流驱动信号不需要经过射频正电极和射频负电极(即射频传输线)。射频正电极和射频负电极之间串联滤波电路、第一电感和半导体芯片，射频正电极可以为半导体芯片提供射频驱动信号，与射频负电极形成射频驱动回路。也就是说，射频驱动信号不需要经过直流正电极和直流负电极。
综上所述，本申请实施例提供的光发射组件可以实现直流驱动回路和射频驱动回路的分离(简称为交直分流)。并且，滤波电路用于平衡射频传输线的阻抗和半导体芯片的内阻。这样，便可以避免由于半导体芯片的内阻与射频传输线的阻抗不连续所引起的信号反射，从而可以避免输入半导体光电子器件的信号幅度减小。
另一方面，在上述任一种情况下，射频正电极与射频负电极之间并联有第一电容和第一电感。并联的第一电容和第一电感可以形成谐振电路，可以用于优化半导体芯片的高频带宽。如此，可以减少高频带宽损失。
在一种可能的实施方式中，该光发射组件还包括第二偏置电路，第二偏置电路用于隔绝交流信号。
在第一种情况中，第一电容的第二端和半导体芯片的第一极直接连接，可以理解为，第一电容的第二端连接直流负电极，具体包括：第二偏置电路的第一端连接直流负电极，第二偏置电路的第二端连接第一电容的第二端。
在第二种情况中，直流负电极连接半导体芯片的第一极，具体包括：直流负电极连接第二偏置电路的一端，第二偏置电路的另一端连接半导体芯片的第一极。
可以理解的，直流负电极通过第二偏置电路与半导体芯片的第一极，第一偏置电路和第二偏置电路均用于隔绝交流信号，使得射频信号回路与直流信号回路隔绝。
另一种可能的实施方式中，滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感；其中，第二电容与第二电感串联；串联的第二电容和第二电感，与电阻并联。
需要说明的，滤波电路中的电阻可以解决射频传输线与半导体芯片的阻抗不连续的问题。第二电感和第二电容串联形成低通滤波电路，以改善光发射组件的低频带宽。
另一种可能的实施方式中，光发射组件与载体连接，第一电容包括第一导体和第二导体，第一导体和第二导体相对设置，第一导体和第二导体之间的距离值为预设阈值；第一导体为焊接于载体上的焊盘，第二导体为载体的接地层。
另一种可能的实施方式中，第一偏置电路为磁珠或电感元件，第二偏置电路为磁珠或电感元件。
另一种可能的实施方式中，光发射组件还包括激光二极管；半导体芯片的第二极与激光二极管的阳极连接，半导体芯片的第一极与激光二极管的阴极连接。
另一种可能的实施方式中，电阻为薄膜电阻或贴片电阻，第二电容为贴片电容。
另一种可能的实施方式中，载体为热沉或陶瓷。载体的材质可以是氮化铝。
另一种可能的实施方式中，光发射组件与载体连接，射频正电极和直流正电极位于该载体上。
另一种可能的实施方式中，射频负电极和直流负电极共存于第一电极。
第二方面，本申请还提供一种半导体光电子器件，包括上述第一方面及其任一种可能的实施方式中的光发射组件。
第三方面，本申请实施例还提供一种设备，包括上述第一方面及其任一种可能的实施方式中的光发射组件和第二方面的半导体光电子器件。
可以理解的是，上述提供的第二方面的半导体光电子器件和第三方面的设备所能达到的有益效果，可参考第一方面及其任一种可能的实施方式中的有益效果，此处不再赘述。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种光发射组件的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图5为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图7为本申请实施例提供的另一种光发射组件的电路结构示意图；
图8A为本申请实施例提供的一种光发射组件的版图设计示意图；
图8B为本申请实施例提供的另一种光发射组件的版图设计示意图；
图9为本申请实施例提供的另一种光发射组件的版图设计示意图；
图10为本申请实施例提供的一种光发射组件封装结构示意图；
图11为本申请实施例提供的另一种光发射组件的封装结构示意图；
图12为本申请实施例提供的另一种光发射组件的封装结构示意图；
图13为本申请实施例提供的一种光发射组件的结构示意图。
具体实施方式
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在半导体光电子器件的封装中，与半导体芯片直接连接的驱动端的传输线上存在传输阻抗。半导体芯片的内阻约为10Ω，一般使用的传输线包括传输阻抗为50Ω的传输线、传输阻抗为80Ω的传输线以及传输阻抗为100Ω的传输线，传输线的阻抗与半导体芯片内阻不同，即传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续。通常，对半导体芯片进行封装时，在传输线和半导体芯片之间串联电阻可以减少传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续引起的问题。但是，引入串联电阻会增大半导体光发射组件的负载，增大半导体光电子器件的功耗。而且，还会引起高频带宽损失的问题。
其中，半导体光电子器件中半导体芯片用于与激光半导体连接，并用于控制激光半导体发光，则包括有半导体芯片的封装电路是半导体光电子器件中的光发射组件。一般而言，可以通过在光发射组件中设置并联谐振电路，并设置该并联谐振电路在高频谐振，优化光发射组件在高频电路的阻抗，减少传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续引起的问题，也可以优化光发射组件的高频带宽。如图1所示，该光发射组件的包括电容C、寄生电感L和半导体芯片101。如图1中，电容C连接在第一电极A1和第二电极A2之间，寄生电感L和半导体芯片串联在第一电容的两端。其中，第一电极A1连接射频正电极和直流正电极，第二电极A2连接射频负电极和直流负电极。
当谐振频率满足
Figure DEST_PATH_GDA0002787640240000031
时，光发射组件的带宽提升明显。其中，f0表示电容和寄生电感形成的谐振电路的谐振频率，L表示寄生电感的电感量，C表示电容的电容量。在如图1所示的光发射组件中，调节电容C的电容量和寄生电感L的电感量，使得该谐振电路在高频时发生谐振，以提升光发射组件在高频时的带宽，通过谐振电路可以改善光发射组件在高频时的带宽。但是，在低频时，输入该半导体芯片101的信号的相位发生偏移，使得半导体芯片101的响应速度下降，影响光发射组件中激光半导体的发光亮度。
本申请实施例提供一种光发射组件，该发射组件中采用交直分流的电路结构，即直流驱动回路和射频驱动回路的分离。该光发射组件中包括滤波电路，该滤波电路中包括电阻，电阻的阻抗与半导体芯片的阻抗之和可以平衡传输线S的阻抗，这样，便可以避免由于半导体芯片的内阻与射频传输线S的阻抗不连续所引起的信号反射，从而可以避免输入半导体光电子器件的信号幅度减小。该光发射组件还可以进一步通过谐振电路在高频时形成的谐振改善光发射组件的高频带宽。
请参考图2、图3和图4，为本申请实施例提供的光发射组件的电路结构图。其中，该光发射组件100包括：半导体芯片101、滤波电路102、第一偏置电路103、第一电容C1和第一电感L1。光发射组件100与载体连接，载体上设置有射频正电极(或称为射频正极)、直流正电极(或称为直流正极)和第一电极A1。第一电极A1可以作为射频负电极(或称为射频负极)和直流负电极(或称为直流负极)，即射频负电极和直流负电极可以连接在同一个连接点。或者，第一电极A1包括射频负电极和直流负电极，即射频负电极和直流负电极可以连接在不同的连接点。其中，射频正电极用于为半导体芯片提供射频控制信号，直流正电极用于为半导体芯片提供直流驱动信号。
第一种情况中，请参考图2，为本申请实施例中光发射组件的电路结构示意图。如图2 所示，射频正电极AC+连接第一电容C1的第一端，第一电极A1连接第一电容C1的第二端，其中第一电极A1包括射频负电极AC-和直流负电极DC-，射频负电极AC-和直流负电极DC- 连接在同一个连接点。第一电容C1的第二端还连接半导体芯片101的第一极，半导体芯片 101的第二极连接第一电感L1的第一端。第一电感L1的第二端连接第一偏置电路103的第一端，第一偏置电路103的第二端连接直流正电极DC+。滤波电路102的第一端连接第一电容C1的第一端，滤波电路102的第二端连接第一电感L1的第二端。
从图示2中可以确定，第一电容C1的第二端和半导体芯片101的第一极是等电位的点，因此，射频负电极还可以连接半导体芯片101的第一极。
例如，请参考图3，为本申请实施例中光发射组件的电路光发射组件的结构示意图。如图3所示，射频正电极AC+连接第一电容C1的第一端，射频负电极AC-连接第一电容C1的第二端。直流负电极DC-连接半导体芯片101的第一极，半导体芯片101的第二极连接第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端连接第一偏置电路103的第一端，第一偏置电路103的第二端连接直流正电极DC+。滤波电路102的第一端连接第一电容C1的第二端，滤波电路102的第二端连接电容C1的第一端。
第二种情况中，请参考图4，为本申请实施例提供的电路光发射组件的电路结构示意图。如图4所示，射频正电极AC+连接第一电容C1的第一端，射频负电极AC-连接第一电容C1 的第二端。直流负电极DC-连接半导体芯片101的第一极，半导体芯片101的第二极连接第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端连接第一偏置电路103的第一端，第一偏置电路103的第二端连接直流正电极DC+。滤波电路102的第一端连接第一电容C1的第二端，滤波电路102的第二端连接半导体芯片的第一极。
直流正电极DC+和直流负电极DC-构成直流回路，第一偏置电路用于隔绝直流，第一偏置电路设置于直流正电极与第一电感之间，使得射频信号不会进入直流回路。本申请实施例中直流驱动信号可以直接传输至半导体芯片的第一极，在直流回路中不存在半导体芯片内阻和传输线S阻抗不连续的情况，也就不需要增加直流驱动信号的调制幅度以解决导体芯片内阻和传输线S阻抗不连续的问题。射频正电极和射频负电极之间串联滤波电路、第一电感和半导体芯片，射频正电极可以为半导体芯片提供射频驱动信号，与射频负电极形成射频驱动回路。其中，滤波电路用于平衡射频传输线S的阻抗和半导体芯片的内阻。这样，便可以避免由于半导体芯片的内阻与射频传输线S的阻抗不连续所引起的信号反射，从而可以避免输入半导体光电子器件的信号幅度减小。
另外，在射频信号形成的射频回路中，第一电容C1和第一电感L1形成并联谐振电路，设置第一电容的电容量为皮法(pF)级别，第一电感的电感量为纳亨(nH)级别，以使得该并联谐振电路在高频发生谐振，提高光发射组件的高频带宽。例如，第一电感的电感量为0.2nH，第一电容的电容量为0.04pF，则谐振电路的谐振频率为30GHz。
示例性的，滤波电路102用于平衡半导体芯片的阻抗和传输线S的阻抗，该滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感。如图5所示，滤波电路102中第二电容C2与第二电感L2串联；串联的第二电容C2和第二电感L2，与电阻R并联。其中，电阻R可以是薄膜电阻或贴片电阻，第二电容C2可以是贴片电容，以减小光发射组件的体积。
需要说明的，滤波电路102中的电阻R可以解决射频传输线S与半导体芯片的阻抗不连续的问题。滤波电路的阻值加上半导体器件的阻值的和，小于或等于传输线S的阻抗。例如，传输线S的阻抗为50Ω，半导体芯片的阻抗为10Ω时，电阻R的阻值为40Ω。而且，第二电感和第二电容串联形成带通滤波电路，以改善光发射组件的低频带宽。在一些实施例中，带通滤波电路可以是低通滤波器。在一些实施例中，滤波电路102中的电阻R的阻值为40Ω。
示例性的，以图4所示的光发射组件的电路中滤波电路的结构为图5所示的电路结构为例，当谐振频率为
Figure DEST_PATH_GDA0002787640240000051
时，其中，f为第一电容和第一电感的谐振频率，L1表示第一电感的电感量，C1表示第一电容的电容量。光发射组件中半导体芯片的带宽用公式1表示为：
Figure DEST_PATH_GDA0002787640240000052
其中，p(ω)表示半导体芯片的带宽，ω表示射频信号的频率，Rm表示传输线S的阻抗， R表示滤波电路中电阻的阻值，C1表示第一电容的电容量，L1表示第一电感的电感量，C2 表示第二电容的电容量，L2表示第二电感的电感量，Ud表示直流正电极的输出电压，j为虚数无意义。
上述公式1中，当电路中的射频信号的频率发生变化，则半导体芯片的带宽也会适应性改变，射频信号的频率在变化时，半导体芯片的带宽存在最大值，即半导体芯片的高频带宽。再具体设置中，可以通过设置第一电容的电容量和第一电感的电感量以调节半导体芯片的高频带宽。
本申请实施例中，光发射组件中直流回路与射频回路分流设置，如果光发射组件中直流负电极和半导体芯片之间可以设置第二偏置电路，则射频信号不会进入直流回路。在第一种情况中，如图2所示，第一电极A1作为射频负电极和直流负电极。第二偏置电路的设置如图6所示，第二偏置电路104的第一端连接直流负电极DC-，第二偏置电路104的第二端连接第一电容C1的第二端。在第二种情况中，如图4所示，第一电极A1包括射频负电极和直流负电极。第二偏置电路的设置如图7所示，第二偏置电路的第一端连接直流负电极DC-，第二偏置电路的第二连接半导体芯片101的第一极。在一些实施例中，第二偏置电路104可以固定设置于载体上。
第一偏置电路和第二偏置电路均可以隔绝交流信号，以使得射频信号不会影响直流回路。在一些实施例中，第一偏置电路可以包括磁珠或第一偏置电路包括磁珠和电感元件。第二偏置电路可以包括磁珠或第二偏置电路包括磁珠和电感元件。如果第一偏置电路和第二偏置电路是电感元件，可以选择感抗大的电感元件作为第一偏置电路，以避免射频信号进入直流回路。如果第一偏置电路和第二偏置电路是磁珠，磁珠是用来吸收超高频信号。在一些实施例中，可以由多个磁珠构成第一偏置电路，或者，由磁珠和其他元件配合形成第一偏置电路。在一些实施例中，第一偏置电路包括磁珠和电感，磁珠的数量和电感的数量基于实际情况调整。
示例性的，本申请实施例中的光发射组件与载体连接，载体可以为热沉或陶瓷。其中，热沉和陶瓷都是不会随传递到自身的热能的大小变化而改变自身的体积的，选择热沉或陶瓷作为光发射组件的载体可以确保光发射组件的器件结构稳定。
本申请实施例中，电容是由两个相对设置的导体，和两个导体中间设置的绝缘层构成的。例如，第一电容包括第一导体和第二导体，第一导体和第二导体相对设置，中间的绝缘层为空气，第一导体和第二导体之间的距离值为预设阈值。预设阈值可以是30mm(毫米)、1cm (厘米)或2cm等，具体不做限定。在一些实施例中，第一电容是设置在载体上的，可以使用载体的接地层作为第一电容的中的一个导体，通过焊接在载体上形成焊盘以作为第一电容的另一个导体，该第一电容还可以称为隐藏电容。如，第一导体为焊接形成于载体上的焊盘，第二导体为载体的接地层。在一些实施例中，焊盘的形状可以是圆形、正方形或矩形等。
在一些实施例中，第一电感可以是使用金线形成的电感元件，例如，通过打金线的工艺加工金线以形成第一电感。
在一些实施例中，光发射组件是用于控制激光半导体的发光，该光发射组件中还可以包括激光半导体。激光半导体的阳极与半导体芯片的第二极连接，激光半导体的阴极与半导体芯片的阴极连接。
本申请实施例还提供一种光发射组件的版图设计，第一电极A1作为射频负电极和直流负电极。如图8A所示，第一偏置电路103为磁珠M，第一电容C1是由焊盘和载体的接地层形成的电容，第二电容C2为贴片电容，贴合于第一电容C1的焊盘上，电阻R为薄膜电阻，第一电感和第二电感均是通过打金线的方式设置于载体V上。其中，RF表示射频信号，RF+ 表示射频信号正极输出，RF-表示射频信号负极输出；Bias表示直流驱动信号，Bias+表示直流驱动信号正极输出，Bias-表示直流驱动信号负极输出。在一些实施例中，第一电感是通过打金线形成的。
或者，如图8B所示，为该光发射组件的另一版图设计。其中，载体的形状与图8A所示的载体的形状不同，因此，图8B所示的传输线S的布局不同，直流正电极可以通过金线S1连接至第一偏置电路。在一些实施例中，直流正电极和第一偏置电路中的金线S1可以理解为电感。
本申请实施例还提供一种光发射半导体的版图设计，第一电极A1包括射频负电极和直流负电极。如图9所示，第一偏置电路和第二偏置均为磁珠M，第一偏置电路和第二偏置电路均是由两个磁珠M形成。第一电容是由焊盘和载体的接地层形成的。第二电容为贴片电容，贴合于第一电容的焊盘上。电阻为薄膜电阻，第一电感和第二电感均是通过打金线的方式设置于载体上。
本申请实施例中，对于光发射组件进行封装以形成产品。图10为一种示例性的光发射组件的封装结构。如图10中，半导体芯片与第一电感串联，并与第一电容并联。直流正电极通过第一偏置电路与半导体芯片连接，射频正电极与第一电容连接。外围电路200部分用于提供直流信号或射频信号。
示例性的，以图8B所示的光发射组件的版图设计的光发射组件进行封装，如图11和图 12所示，为光发射组件的封装实物示意图。图11中，图8B所示的版图设置于底座M2上，底座上还包括多个引线S2，引线S2包括射频正电极AC+、直流正电极DC+和第一电极A1。图12中，将光发射组件的版图设置于底座M2上，底座包括多个引线S2，外围电路200通过引线为光发射组件提供射频驱动信号和直流驱动信号。底座M2设置在柔性电路板(FlexiblePrinted Circuit，FPC)上，以便光发射组件与外围电路200连接。
可以理解的是，当光发射半导体的电路连接完成之后，需要对载体进行封装。如图13所示，光发射组件引出的引线S2是直流正电极、直流负电极、射频正电极和射频负电极。图示中仅示出两个引线与传输线S的连接，仅为示意。光发射组件连接传输线S，传输线S可以设置在柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)上，外围电路200可以是设置在印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)上，驱动电路M1提供直流信号和射频信号。
其中，对光发射组件的版图设计完成之后，还需要对该光发射组件进行封装。例如，可以是进行晶体管外形(transistor out-line，TO)，形成光发射组件，或者还可以是板上芯片封装(chips on board，COB)的封装方式等。
本申请实施例还提供一种半导体光电子器件，包括上述实施例提到的光发射组件。
可以理解的是，光发射组件可以是设置在绝缘底座上的，以便固定光发射组件，或者，将光发射组件与其他器件组合使用。例如，光发射组件和光接收组件组合使用。
本申请实施例还提供一种设备，包括上述实施例中的光发射组件和上述实施例中的半导体光电子器件。
一种半导体组件制造方法，应用于半导体组件，所述半导体组件包括半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感。
该半导体组件的制造方法包括：将第一电容的第一端连接射频正电极，将第一电容的第二端连接射频负电极，将半导体芯片的第一极连接直流负电极。将半导体芯片的第二极连接第一电感的第一端，将第一电感的第二端连接第一偏置电路的第一端，将第一偏置电路的第二端连接直流正电极。将滤波电路的第一端连接第一电容的第二端，将滤波电路的第二端连接半导体芯片的第一极；或者，将所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第一端，滤波电路的第二端连接所述第一电感的第二端；其中，第一偏置电路用于隔绝交流信号。
在一些实施例中，该方法还包括设置第二偏置电路，第二偏置电路用于隔绝交流信号；将半导体芯片的第一极连接直流负电极，包括：将第二偏置电路的第一端连接直流负电极，第二偏置电路的第二端连接半导体芯片的第一极。或者，将第一电容的第二端连接直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述第一电容的第二端。
在一些实施例中，滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感；其中，第二电容与第二电感串联；串联的第二电容和所述第二电感，与电阻并联。
在一些实施例中，半导体组件与载体连接，第一电容包括第一导体和第二导体，第一导体和第二导体相对设置，第一导体和第二导体之间的距离值为预设阈值；第一导体为焊接于载体上的焊盘，第二导体为载体的接地层。
在一些实施例中，第一偏置电路包括：磁珠；或磁珠和电感元件，和/或，第二偏置电路包括：磁珠；或磁珠和电感元件。
以上内容，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以上述权利要求的保护范围为准。

Claims (28)

1.一种光发射组件，其特征在于，包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感；其中，所述第一偏置电路用于隔绝交流信号；
所述第一电容的第一端连接射频正电极，所述第一电容的第二端连接射频负电极，所述半导体芯片的第一极连接直流负电极；
所述半导体芯片的第二极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一偏置电路的第一端，所述第一偏置电路的第二端连接直流正电极；
所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第二端，所述滤波电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；或者，所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第一端，所述滤波电路的第二端连接所述第一电感的第二端。
2.根据权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路用于隔绝交流信号；
所述半导体芯片的第一极连接直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；
或者，所述第一电容的第二端连接所述直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述第一电容的第二端。
3.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感；
其中，所述第二电容与所述第二电感串联；串联的所述第二电容和所述第二电感，与所述电阻并联。
4.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；
所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。
5.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；
所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。
6.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，
所述第一偏置电路包括
磁珠；
或
磁珠和电感元件。
7.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，
所述第二偏置电路包括
磁珠；
或
磁珠和电感元件。
8.根据权利要求1-2、5任一项所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；
所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。
9.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；
所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。
10.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；
所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。
11.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述电阻为薄膜电阻或贴片电阻，所述第二电容为贴片电容。
12.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述载体为热沉或陶瓷。
13.根据权利要求5所述的光发射组件，其特征在于，所述载体为热沉或陶瓷。
14.根据权利要求6或7所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述载体为热沉或陶瓷。
15.根据权利要求8所述的光发射组件，其特征在于，载体为热沉或陶瓷。
16.根据权利要求9所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述载体为热沉或陶瓷。
17.根据权利要求10所述的光发射组件，其特征在于，所述载体为热沉或陶瓷。
18.根据权利要求11所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述载体为热沉或陶瓷。
19.根据权利要求1-2、5-7、9-18任一项所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述射频正电极和所述直流正电极位于所述载体上。
20.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述射频正电极和所述直流正电极位于所述载体上。
21.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述射频正电极和所述直流正电极位于所述载体上。
22.根据权利要求8所述的光发射组件，其特征在于，所述射频正电极和所述直流正电极位于载体上。
23.根据权利要求1-2、5-7、9-18、20-22任一项所述的光发射组件，其特征在于，所述射频负电极和所述直流负电极共存于第一电极。
24.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述射频负电极和所述直流负电极共存于第一电极。
25.根据权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述射频负电极和所述直流负电极共存于第一电极。
26.根据权利要求8所述的光发射组件，其特征在于，所述射频负电极和所述直流负电极共存于第一电极。
27.一种半导体光电子器件，其特征在于，包括：如权利要求1-26中任一项所述的光发射组件。
28.一种设备，其特征在于，包括如权利要求1-26中任一项所述的光发射组件或如权利要求27中所述的半导体光电子器件。
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