CN212967686U - 一种改善蚀刻应力的引线框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。首先，通孔的位置设置不会影响在基岛上焊接芯片，其次，通孔可以减少与蚀刻液的接触面积，蚀刻过程中减少热量的产生，更易散出，减少热量聚集的机会，从而获得较均匀的温度场，减少基岛上的热应力产生，同时通过改变引线框架的结构，使得大部分残余应力和热应力能相互平衡，甚至抵消，降低应力的不利影响，在批量生产时减少基岛翘曲、变形等不良出现。

Description

一种改善蚀刻应力的引线框架

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种改善蚀刻应力的引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架的生产工艺主要为机械冲制或化学蚀刻(主要是半蚀刻)两种，而QFN/DFN引线框架多采用化学蚀刻。首先，引线框架的材料一般为中高强度的超薄铜带，经过熔铸、热轧、冷轧、热处理及精整生产工艺流程后，带材内部本身就存在着应力不均的问题，铜带被半蚀刻后会释放应力，其次，如图1所示，现有技术中常见的引线框架主要包括引脚和基岛(连筋、边框等结构未示出)，引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，半蚀刻工艺需要使用化学溶液腐蚀掉不被干膜保护的部分，目前蚀刻溶液是以氯化铜与盐酸的酸性氯化铜蚀刻液及以氯化铜与氨水的碱性氯化铜溶液为主，以酸性氯化铜蚀刻过程为例，主要化学反应过程是氯化铜中的2价Cu将接触的铜材氧化为1价铜，是放热反应，不均匀的温度场导致引线框架上产生热应力，如果基岛背面半蚀刻后形成的散热片相对尺寸大幅减小后，蚀刻液与基岛接触的面积大幅增加，使得热量集中，不能及时散出，热应力就会不规律产生，在批量生产时频繁出现基岛翘曲、变形等异常，有待改进。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改善蚀刻应力的引线框架，减少基岛翘曲变形等情况的发生。

本实用新型是这样实现的：一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片(散热片相对尺寸大幅缩小)，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。

其中，所述基岛上的通孔数量为多个，并且相对于散热片左右对称。

其中，所述通孔的形状为圆形、三角形、长边形、梯形或六边形。

其中，所述通孔的总面积为基岛平面面积的20％-40％。

本实用新型的有益效果为：本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架在现有技术的基础上，在基岛的边缘设置通孔，首先，通孔的位置设置不会影响在基岛上焊接芯片，其次，通孔可以减少与蚀刻液的接触面积，蚀刻过程中减少热量的产生，更易散出，减少热量聚集的机会，从而获得较均匀的温度场，减少基岛上的热应力产生，同时通过改变引线框架的结构，使得大部分残余应力和热应力能相互平衡，甚至抵消，降低应力的不利影响，在批量生产时减少基岛翘曲、变形等不良出现。

附图说明

图1是现有技术中引线框架的背面立体图；

图2是本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架实施例一的背面立体图；

图3是本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架实施例一的背面图；

图4是本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架实施例二的背面图；

图5是本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架实施例三的背面图。

1、引脚；2、基岛；21、散热片；22、半蚀刻部分；23、通孔。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

作为本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架的实施例一，如图2和图3所示，包括引脚1和基岛2，所述引脚1和基岛2背面部分区域为半蚀刻(基岛半蚀刻部分标号为22)，所述基岛2背面半蚀刻后形成长条形的散热片21，所述基岛2的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔23。本实施例中，有的通孔为半开放式(边缘的那四个通孔)，有的为封闭式(中间那二个通孔)。

本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架在现有技术的基础上，在基岛2的边缘设置通孔23，首先，通孔23的位置设置不会影响在基岛2上焊接芯片，其次，通孔23可以减少与蚀刻液的接触面积，蚀刻过程中减少热量的产生，更易散出，减少热量聚集的机会，从而获得较均匀的温度场，减少基岛2上的热应力产生，同时通过改变引线框架的结构，使得大部分残余应力和热应力能相互平衡，甚至抵消，降低应力的不利影响，在批量生产时减少基岛2翘曲、变形等不良出现。

在本申请中，根据不同需求和实际情况，可以灵活改变通孔的数量、尺寸和位置。比如通孔的形状可以为圆形、三角形、长边形、梯形或六边形。另外，基岛上的通孔数量可以为多个，并且相对于散热片左右对称，这样的对称结构更利于降低应力的不利影响。

图3为本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架的实施例二，图4为本实用新型所述改善蚀刻应力的引线框架的实施例三，与实施例一不同之处仅在于通孔的数量不同，其它结构及有益效果均与实施例一一致。

在本申请中，所述通孔的总面积优选值为基岛平面面积的20％-40％。面积占比太小，起到作用也会变小，面积占比太大，会影响基岛的整体强度。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种改善蚀刻应力的引线框架，包括引脚和基岛，所述引脚和基岛背面部分区域为半蚀刻，所述基岛背面半蚀刻后形成长条形的散热片，其特征在于，所述基岛的边缘设有用于减少与蚀刻液接触面积的通孔。

2.根据权利要求1所述改善蚀刻应力的引线框架，其特征在于，所述基岛上的通孔数量为多个，并且相对于散热片左右对称。

3.根据权利要求2所述改善蚀刻应力的引线框架，其特征在于，所述通孔的形状为圆形、三角形、长边形、梯形或六边形。

4.根据权利要求2所述改善蚀刻应力的引线框架，其特征在于，所述通孔的总面积为基岛平面面积的20％-40％。

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