CN212967612U - 晶圆检测系统及晶圆检测设备 - Google Patents

晶圆检测系统及晶圆检测设备 Download PDF

Info

Publication number
CN212967612U
CN212967612U CN202021702370.7U CN202021702370U CN212967612U CN 212967612 U CN212967612 U CN 212967612U CN 202021702370 U CN202021702370 U CN 202021702370U CN 212967612 U CN212967612 U CN 212967612U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
conductive
probe card
carrier
wafer inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202021702370.7U
Other languages
English (en)
Inventor
陈韦志
游本懋
林怡彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chroma ATE Suzhou Co Ltd
Original Assignee
Chroma ATE Suzhou Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chroma ATE Suzhou Co Ltd filed Critical Chroma ATE Suzhou Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN212967612U publication Critical patent/CN212967612U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/22—Connection or disconnection of sub-entities or redundant parts of a device in response to a measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
    • G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2648—Characterising semiconductor materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2889—Interfaces, e.g. between probe and tester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2879—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to electrical aspects, e.g. to voltage or current supply or stimuli or to electrical loads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆检测系统及其晶圆检测设备，包含承载装置、探针卡、及桥接模块。其中，承载装置包括供待测晶圆放置的承载单元；探针卡包括探测部及导电部，导电部被配置在探测部周边且具有接触面；桥接模块包括朝上凸伸且邻近晶圆置放区并耦接承载单元的多个传导单元。在探测部接触待测晶圆的受测点时，导电部的接触面可同时与传导单元形成耦接关系，从而使测试信号可经由传导单元及导电部而被传递回探针卡，形成测试回路。这样，可以缩短回路的路径长度，提高信号传递时的正确性，也增进检测的正确率。

Description

晶圆检测系统及晶圆检测设备
【技术领域】
本实用新型关于一种半导体元件的检测系统及设备，特别是关于一种用于检测晶圆的晶圆检测系统及晶圆检测设备。
【背景技术】
半导体元件的制造过程通常区分有前段制程与后段制程，前段制程主要包含晶圆处理制程(Wafer Fabrication,Wafer Fab)及晶圆针测制程(Wafer Probe)，后段制程则主要包含IC构装制程(IC Packaging)及具有初步测试(Initial Test)与最终测试的测试制程等几个步骤。
其中，晶圆针测制程可对晶圆中的各个晶粒进行电性功能上的测试，用以在IC构装制程之前就能确认出电性功能不良的晶粒，进而避免此类不良晶粒进入后端制程，达到降低生产成本的目的。
晶圆针测制程的步骤是将探针卡的探针接触晶圆上作为输入端的受测点(例如晶粒上的銲垫)，进而透过探针将测试信号输入至对应的晶粒，检测电路的电性状况，以供晶粒良莠的判断。晶圆的底部为各晶粒的接地端，承载晶圆的载盘(例如：铜盘)具有导电性而作为各个晶粒的共享接地。传统上是将所述载盘额外连接一条电缆，电缆的另一端连接至探针卡，形成一个测试回路，以进行晶圆上每一晶粒的逐一测试。
然而，举例来说，当晶粒的测试条件须使用短脉冲且大电流的信号时，由于这是一种作用时间极短、电流极大(甚至可能需要在小于1μs的时间期间内提供电流大于10A)的脉冲信号，测试回路的路径长度就攸关着测试信号的质量，也对测试结果的正确性产生很大的影响。传统上，通过电缆连接探针卡与载盘的配置方式会使测试回路的路径较长，而较长的传导路径除了缆线本身材质会对所传递的信号产生影响外，也越容易受到电感效应的影响，导致短脉冲且大电流的信号波形往往会产生严重的形变而失真，进而使得检测失准，甚至可能导致无效。
【发明内容】
本实用新型的一目的在于缩短测试回路的路径。
本实用新型的另一目的在于提供大电流测试回路的路径。
本实用新型的再一目的在于减小测试信号的波形失真程度，提高短脉冲且大电流的信号在测试回路中传递时的正确性。
本实用新型的又一目的在于提高晶圆检测的正确率。
为达上述目的及其它目的，本实用新型提出一种晶圆检测系统，包含：承载装置、探针卡、及桥接模块。其中，所述承载装置包括供待测晶圆放置的承载单元，所述承载单元定义有晶圆置放区；所述探针卡被配置为相对所述承载装置，所述探针卡包括探测部及导电部，所述导电部被配置在所述探测部周边且具有接触面；所述桥接模块被提供来适用于与所述承载装置安装在一起，所述桥接模块包括朝上凸伸且邻近所述晶圆置放区的多个传导单元，所述多个传导单元耦接所述承载单元。其中，在所述探针卡的所述探测部接触所述待测晶圆的顶面的一受测点时，所述导电部的所述接触面可与所述多个传导单元的至少其一者形成耦接关系，从而使所述探针卡输出的测试信号于通过所述待测晶圆而自底面传递至所述承载单元后，可经由所述多个传导单元的至少其一者及所述导电部而被传递回所述探针卡，形成一测试回路。
在本实用新型的一实施例中，所述探针卡可包括一基板，所述导电部可为配置在所述基板的底面的一导电层。
在本实用新型的一实施例中，所述导电层可具有一通孔，所述探测部自所述通孔凸伸而出。
在本实用新型的一实施例中，所述导电层的通孔可位于所述导电层的中央部位，自所述导电层的通孔边缘至所述导电层的外缘的延伸长度可大于或等于所述待测晶圆的半径。
在本实用新型的一实施例中，所述桥接模块可包括用于安装至所述承载装置上的一固定架，所述各个传导单元可配置在所述固定架上。
在本实用新型的一实施例中，所述固定架可呈环绕所述晶圆置放区的一环形。
在本实用新型的一实施例中，所述各个传导单元可安装在所述承载单元内，且所述各个传导单元的一端凸伸出所述承载单元的上表面。
在本实用新型的一实施例中，所述各个传导单元可为一弹性元件。
在本实用新型的一实施例中，所述各个传导单元可为一弹簧探针 (Pogo Pin)。
在本实用新型的一实施例中，所述各个传导单元的一端可直接连接所述承载单元。
在本实用新型的一实施例中，所述多个传导单元可分布于所述晶圆置放区的周围，于所述探针卡逐一检测所述待测晶圆的各个待测点时，所述探针卡的所述导电部皆能耦接所述多个传导单元的至少其一者。
为达上述目的及其它目的，本实用新型还提供了一种晶圆检测设备，可用来对于置放在一承载装置上的一待测晶圆进行检测，所述晶圆检测设备包含：探针卡及桥接模块。所述探针卡包括一探测部及配置于所述探测部周边的一导电部；所述桥接模块被提供来适用于与所述承载装置安装在一起，所述桥接模块包括朝上凸伸且邻近所述待测晶圆的放置位置的多个传导单元，所述多个传导单元用于耦接所述承载装置。其中，所述多个传导单元被提供来适用于在所述探针卡的所述探测部接触所述待测晶圆时，所述导电部可耦接所述多个传导单元的至少其一者。
在本实用新型的一实施例中，所述探针卡可包括一基板，所述导电部为配置于所述基板的底面的一导电层，所述导电层的一侧面可用于供所述多个传导单元的另一端的接触。
在本实用新型的一实施例中，所述基板具有可对应至所述通孔的一窗口，可供配置于所述基板的顶侧的一光侦测设备可透过所述窗口接收所述待测晶圆所发出的光线。
据此，本实用新型公开的晶圆检测系统及其晶圆检测设备可在探针卡被移动来使探测部耦接待测晶圆时，通过探针卡的导电部与桥接模块的传导单元之间的耦接关系，在待测晶圆的放置位置的周边建立传导路径，让自探针卡所送出的测试信号可经由桥接模块与导电部传递回探针卡，缩短了测试回路的路径长度，提高测试信号传递时的正确性，也增进了晶圆检测的正确率。
【附图说明】
图1为本实用新型一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图；
图2为图1实施例在形成测试回路的状态下的示意图；
图3为图1实施例在俯视图下的示意图；
图4为图3实施例于AA’剖面线下的断面图；
图5为仰角视图下探针卡于一实施例中的底部示意图；
图6为仰角视图下探针卡于另一实施例中的底部示意图；
图7为本实用新型另一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图；
图8为本实用新型再一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图；
图9为图8实施例的晶圆检测系统的部分立体示意图；
图10为本实用新型又一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图；
上述附图中，各附图标记代表：
100 承载装置
110 承载单元
111 载盘
112 载具
120 晶圆置放区
200 桥接模块
210 传导单元
220 固定架
300 探针卡
310 探测部
320 导电部
322 通孔
330 基板
340 窗口
400 晶圆
410 晶粒
500 光侦测设备
AA’ 剖面线
CR 导电部内缘至外缘的最短距离
TP 测试回路
VM 垂直方向。
【具体实施方式】
为充分了解本实用新型的目的、特征及功效，现结合下述具体的实施例，并配合所附的图式，对本实用新型做一详细说明，说明如后：
在本文中，所描述的用语“包含、包括、具有”或其它任何类似用语意非仅限于本文所列出的此等要件而已，而是可包括未明确列出但却是所述单元、部件、结构、装置、模块、系统、部位或区域通常固有的其它要件。
在本文中，所描述的用语“一”或“一个”来描述单元、部件、结构、装置、模块、系统、部位或区域等。此举只是为了方便说明，并且对本实用新型的范畴提供一般性的意义。因此，除非很明显地另指他意，否则此种描述应理解为包括一个或至少一个，且单数也同时包括多个。
在所附的各图中，各单元、部件、结构、装置、模块、系统、部位或区域等的尺寸及比例的绘示，仅为一种示意，并非为一种限制。
请同时参照图1及图2，图1为本实用新型一实施例中的晶圆检测系统的侧面视图，图2为图1实施例在形成测试回路的状态下的示意图。
晶圆检测系统包含：承载装置100、探针卡300、及包括有传导单元210的桥接模块200。桥接模块200被提供来适用于与承载装置100安装在一起。桥接模块200可适用于在承载装置100与探针卡300之间提供耦接关系，从而在承载装置100与探针卡300之间提供电性连接的回路。桥接模块200可以是组立在承载装置100上的形式，也可以是与承载装置100构装在一起的形式。
承载装置100与探针卡300之间可具有一定程度的移动关系，通常是通过承载装置100的被驱动，令晶圆的受测点可靠近探针卡300，以供针测步骤的进行。然而，通过探针卡300的移动以靠近晶圆、或是承载装置100与探针卡300二者皆被移动等来进行针测步骤，均适用于本实用新型的实施例中。
另一方面，承载装置100与探针卡300之间，在检测上通常呈现相对向的配置，以便于让晶圆400适用于探针卡300的针测步骤。在晶圆检测的过程中，探针卡300被运作于承载装置100上方，并通过承载装置100与探针卡300 之间的移动关系，使晶圆400的各个晶粒依序受检。如图1所示，在确认受检测的晶粒位置后，可通过垂直方向VM的移动，形成图2所示例的耦接关系，进而使测试回路TP被建立。后续，探针卡300可通过例如受控于测试机(图未示)，以进行各种电性测试项目的执行。
承载装置100包括用来放置晶圆400的承载单元110以及被定义在承载单元110上的晶圆置放区120。承载单元110例如可以是提供夹持或吸附等功能的载具112(chuck)与承载晶圆的载盘111(carrier)的组合，也可以是其它可用于固持晶圆400的装置或设备。于图1及图2的示例中，承载单元110是以载具112与载盘111的组合来做为示例，在其它实施例中也可仅使用单一载具112或是其它单一装置或设备来承载晶圆400。此外，载盘111的承载面积可以约略大于或等于晶圆400的面积，图1及图2是以侧面示图下，载盘111的承载直径约等于晶圆 400的直径来做为示例。
桥接模块200包括耦接承载单元110的多个传导单元210。传导单元210可被配置为朝上凸伸且邻近晶圆置放区120。通过具备电性传导能力的承载单元110(例如承载单元110的承载面为金属材质)，令传导单元210可进一步耦接放置于承载单元110上的晶圆。基于邻近晶圆置放区120的传导单元210的配置，承载装置100与探针卡300间的回路路径得以被缩短。此外，传导单元210可相邻晶圆置放区120，然而，在其它实施方式中，传导单元210与晶圆置放区120 间也可间隔他物。
探针卡300包括探测部310、导电部320及基板330。在检测程序中的对位及移动步骤完成后，探测部310可接触选定的受测晶粒，以供测试信号得以被传输至受测晶粒中。探测部310在图1及图2中仅示例单一探针，然并非以此为限。探测部310可被固定于基板330上。基板330通常被配置成在顶面具有各种电子元件及在基板的顶面与内部布局有相关线路，至于基板的底面则具有绝缘层。
在本实用新型的实施例中，基板330的底面适用于附加一导电部 320，且所述导电部320可被配置在探测部310的周边。配置在基板330底面的导电部320可通过基板330上及/或内部布置的线路，耦接探针卡300上的电子元件，以使信号传回对应的功能模块，供后续电性分析步骤的进行。所述导电部320例如为配置在基板330底面的一导电层，并例如形成于所述绝缘层的下方，进而在探针卡300底部形成用于耦接传导单元210的接触面。
所述测试回路TP，包含自探针卡300的探测部310所输出的一测试信号于通过待测晶圆的晶粒而自所述晶粒底面传递至承载单元110后，再经由至少一个传导单元210传递至探针卡300的导电部320的路径，进而使信号可被传递回探针卡300供后续分析。
接着请同时参照图3及图4，图3为图1实施例于俯视图下的示意图，图4为图3实施例于AA’剖面线下的断面图。于图3中，为便于说明，探针卡 300是以虚线且透视的方式来呈现。图3示例出探针卡300的探测部310位在晶圆 400左侧晶粒的上方的状态。由于晶粒410遍布在晶圆400的各个位置，因此探针卡300与晶圆400的相对位置就会随着受检测的晶粒410而改变。桥接模块200的传导单元210被提供来能让探针卡300在检测晶粒410时，导电部320皆能耦接到至少一个传导单元210。
在一实施方式中，导电部320于邻近探测部310的导电部320内缘至导电部320外缘的最短距离CR，至少为晶圆400的半径。举例来说，此实施方式中，导电部320具有供探测部310凸伸的通孔322，自所述通孔322边缘至导电部320的外缘的延伸长度大于或等于待测晶圆400的半径。此方式中可使探测部 310约略位于导电部320的中央部位，导电部320的面积大小与传导单元210的数量，能有较均衡的配置。然并非以此为限，其它形状的导电部320，只要能在针测步骤时与至少一个传导单元210产生电性连接，皆可适用。此外，导电部320配置的面积越大，传导单元210的数量可以较少；对应地，传导单元210配置的数量越多，导电部320的面积就可以有限度地缩小。
图4所示的状态是探针卡300相对于晶圆400来说位于左边，而当探针卡300的相对位置向右移时，左边的传导单元210将会有接触不到导电部320 的情况产生，此时就可由右边的传导单元210来建立导电路径。
所述的传导单元210可为具有形变能力(例如材质本身的可形变性)或伸缩能力(例如通过弹簧等部件组立而成)的弹性元件。具备此等特性的传导单元210可提供一定程度的额外的连接长度，来确保导电部320与传导单元210 间的耦接，例如：在针测接触时的位置关系下，导电部320与承载单元110二者间的距离为第一长度，而传导单元210所配置的长度较所述第一长度来得更长，如此，在针测步骤进行时，即可确保导电部320与传导单元210间耦接关系可被建立。
接着请参照图5及图6，图5为仰角视图下探针卡于一实施例中的底部示意图，图6为仰角视图下探针卡于另一实施例中的底部示意图。图5及图6 中，探针卡300的底面具有相异的图形化的导电部320，此外，探测部310的位置的配置也不同。
图5显示，在妥适数量的传导单元的安排下，导电部320可以有其它不同的配置方式，而非限定于必须布满探针卡300底面的方式。探测部310的面积与传导单元的数量及配置位置的搭配安排下，可在不同晶粒的侦测步骤进行时，依旧能让传导单元与导电部320相耦接。图6显示出另一种导电部320的安排，在针测步骤时能至少有一个传导单元与导电部320相耦接，皆可适用。
接着请参照图7及图8，图7为本实用新型的另一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图，图8为本实用新型的再一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图。此二实施例示例出桥接模块200与承载装置100之间的不同配置关系。
如图7所示，所述桥接模块200是以非拆卸式的方式与承载装置 100构装在一起。桥接模块200包括安装至承载装置100上的固定架220。在图7中，所述固定架220穿过载盘111与载具112，并被安装于其中。传导单元210可自承载装置100的表面凸伸而出。传导单元210可通过固定架220，电性连接承载装置 100与放置于其上的晶圆400。举例来说，传导单元210的一端可直接连接承载单元110。
如图8所示，所述桥接模块200是以可拆卸式的方式与承载装置 100构装在一起。桥接模块200包括安装至承载装置100上的固定架220。固定架 220可通过卡榫、扣具、紧迫、磁吸或其它方式来固定至承载装置100上。传导单元210可通过固定架220，电性连接承载装置100与放置于其上的晶圆400。图8 的示例可应用于对现有自动化机台的附加，不影响也不会阻挡既有的晶圆400的放置程序，可于晶圆400放置后，再将桥接模块200安装在承载装置100上，搭配本案实施例揭露的探针卡，完成短路径的测试回路的建立。
接着请参照图9，其为图8实施例的晶圆检测系统的部分立体示意图。图9显示出承载装置100、桥接模块200与晶圆400的配置关系。图9的传导单元210是以弹簧探针(PogoPin)来示例。图9示例的固定架220，可在安装至承载装置100后环绕晶圆置放区120，进而可因应晶圆400的形状而呈环形。在晶圆400 被放置在晶圆置放区120后，可拆卸式的桥接模块200被安装在承载装置100上。
接着请参照图10，其为本实用新型又一实施例中的晶圆检测系统的侧面断面视图。在一些晶圆的测试中，待测晶圆可具有发光的特性，例如：当受测晶粒于信号接收点接收到测试信号时，会对应地于所述晶粒的发光点产生发光的效果。信号接收点与发光点可位在所述晶粒的不同位置。图10的示例中，基板330具有可对应至通孔322的一窗口340，以让受测晶粒所发出的光线能通过所述窗口340，进而可让配置在基板330另一侧(或称顶侧)的光侦测设备500 检知。换言之，探针卡300的中央部位可基于窗口340的存在而呈现中空，让待测晶圆400在受测时所产生的光线，可由架设在探针卡300上方的的光学相关测试设备进行检测。
综上所述，通过探针卡底部的安排(直接涂布一层导电层或是外加一片导电层或是其它类似方式)，以及通过桥接模块的配置，使测试信号可经由桥接模块的传导单元及探针卡底部的导电部而被传递回探针卡，形成测试回路，不但缩短了回路的路径长度，提高了信号传递时的正确性，也增进了检测的正确率。
本实用新型在上文中已以优选实施例进行描述，然本领域技术人员应理解的是，所述实施例仅用于描绘本实用新型，而不应解读为限制本实用新型的范围。应注意的是，凡是与所述实施例等效的变化与置换，均应设为涵盖于本实用新型的范畴内。因此，本实用新型的保护范围当以权利要求的界定为准。

Claims (20)

1.一种晶圆检测系统，其包含：
一承载装置，包括供一待测晶圆放置的一承载单元，所述承载单元定义有一晶圆置放区；
一探针卡，被配置为相对所述承载装置，所述探针卡包括一探测部及配置于所述探测部周边且具有一接触面的一导电部；及
一桥接模块，其适用于与所述承载装置安装在一起，所述桥接模块包括朝上凸伸且邻近所述晶圆置放区的多个传导单元，所述多个传导单元耦接所述承载单元，
其特征在于，于所述探针卡的所述探测部接触所述待测晶圆的顶面的一受测点时，所述导电部的所述接触面与所述多个传导单元的至少之一形成耦接关系，从而使所述探针卡输出的一测试信号，在通过所述待测晶圆而自底面传递至所述承载单元后，经由所述多个传导单元的至少之一及所述导电部而被传递回所述探针卡，形成一测试回路。
2.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述探针卡包括一基板，所述导电部为配置于所述基板的底面的一导电层。
3.如权利要求2所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述导电层具有一通孔，所述探测部自所述通孔凸伸而出。
4.如权利要求3所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述导电层的通孔位于所述导电层的中央部位，自所述导电层的通孔边缘至所述导电层的外缘的延伸长度大于或等于所述待测晶圆的半径。
5.如权利要求3所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述基板具有可对应至所述通孔的一窗口，供配置于所述基板的顶侧的一光侦测设备可透过所述窗口接收所述待测晶圆所发出的光线。
6.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述桥接模块包括用于安装至所述承载装置上的一固定架，所述各个传导单元配置在所述固定架上。
7.如权利要求6所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述固定架呈一环形。
8.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述各个传导单元安装在所述承载单元内，且所述各个传导单元的一端凸伸出所述承载单元的上表面。
9.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述各个传导单元为一弹性元件。
10.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述各个传导单元为一弹簧探针(Pogo Pin)。
11.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述各个传导单元的一端直接连接所述承载单元。
12.如权利要求1所述的晶圆检测系统，其特征在于，所述多个传导单元分布于所述晶圆置放区的周围，在所述探针卡逐一检测所述待测晶圆的各个待测点时，所述探针卡的所述导电部皆能耦接所述多个传导单元的至少其一者。
13.一种晶圆检测设备，用于对置放在一承载装置上的一待测晶圆进行检测，所述晶圆检测设备包含：
一探针卡，包括一探测部及配置于所述探测部周边的一导电部；及
一桥接模块，其适用于与所述承载装置安装在一起，所述桥接模块包括朝上凸伸且邻近所述待测晶圆的放置位置的多个传导单元，所述多个传导单元用于耦接所述承载装置，
其特征在于，所述多个传导单元适用于在所述探针卡的所述探测部接触所述待测晶圆时，所述导电部耦接所述多个传导单元的至少之一。
14.如权利要求13所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述探针卡包括一基板，所述导电部为配置于所述基板的底面的一导电层，所述导电层的一侧面用于供所述多个传导单元的一端的接触。
15.如权利要求14所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述导电层具有一通孔，所述探测部自所述通孔凸伸而出。
16.如权利要求15所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述导电层的通孔配置于所述导电层的中央部位，自所述导电层的通孔边缘至所述导电层的外缘的长度大于或等于所述待测晶圆的半径。
17.如权利要求15所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述基板具有可对应至所述通孔的一窗口，供配置于所述基板的顶侧的一光侦测设备透过所述窗口接收所述待测晶圆所发出的光线。
18.如权利要求14所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述各个传导单元的另一端直接连接所述承载装置。
19.如权利要求13所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述各个传导单元为一弹性元件。
20.如权利要求13所述的晶圆检测设备，其特征在于，所述各个传导单元为一弹簧探针(Pogo Pin)。
CN202021702370.7U 2020-08-03 2020-08-14 晶圆检测系统及晶圆检测设备 Active CN212967612U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109126250 2020-08-03
TW109126250A TWI738449B (zh) 2020-08-03 2020-08-03 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN212967612U true CN212967612U (zh) 2021-04-13

Family

ID=75352443

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010817541.9A Pending CN114093787A (zh) 2020-08-03 2020-08-14 晶圆检测系统及晶圆检测设备
CN202021702370.7U Active CN212967612U (zh) 2020-08-03 2020-08-14 晶圆检测系统及晶圆检测设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010817541.9A Pending CN114093787A (zh) 2020-08-03 2020-08-14 晶圆检测系统及晶圆检测设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11609261B2 (zh)
JP (1) JP7313401B2 (zh)
CN (2) CN114093787A (zh)
TW (1) TWI738449B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117075022A (zh) * 2023-10-16 2023-11-17 深圳市道格特科技有限公司 一种探针卡多性能测试通用设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT202200006356A1 (it) * 2022-03-31 2023-10-01 Crea Collaudi Elettr Automatizzati S R L Sistema di test per il test ad alta tensione ed alta corrente su una pluralità di dispositivi a semiconduttore di potenza compresi in un wafer, e sistema di contattazione
CN115856564B (zh) * 2023-03-01 2023-05-09 上海菲莱测试技术有限公司 一种vcsel晶圆级别短脉冲测试系统
CN117410197B (zh) * 2023-10-17 2024-09-06 无锡卓海科技股份有限公司 一种用于晶圆的全自动测量系统、方法、设备和介质

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05198633A (ja) * 1992-01-22 1993-08-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ用プローバ
JPH07122600A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置評価解析用光検出装置
DE10296944T5 (de) 2001-06-18 2004-04-29 Advantest Corp. Prüfkontaktsystem, das eine Planaritätseinstellmechanismus besitzt
US7250779B2 (en) 2002-11-25 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe station with low inductance path
JP2007019237A (ja) * 2005-07-07 2007-01-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd 両面発光素子用プロービング装置
JP2007183194A (ja) 2006-01-10 2007-07-19 Micronics Japan Co Ltd プロービング装置
JP4209456B1 (ja) * 2008-02-22 2009-01-14 三菱重工業株式会社 積層接合装置用治具
JP5296117B2 (ja) * 2010-03-12 2013-09-25 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6045993B2 (ja) 2013-07-08 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP6072638B2 (ja) * 2013-07-29 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
CN107728032B (zh) * 2016-08-16 2020-01-14 株洲中车时代电气股份有限公司 一种压接型功率半导体器件的测试装置
TWI678540B (zh) * 2019-01-18 2019-12-01 佳思科技有限公司 半導體元件測試載具
TWM603962U (zh) * 2020-08-03 2020-11-11 致茂電子股份有限公司 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117075022A (zh) * 2023-10-16 2023-11-17 深圳市道格特科技有限公司 一种探针卡多性能测试通用设备

Also Published As

Publication number Publication date
US11609261B2 (en) 2023-03-21
US20220034956A1 (en) 2022-02-03
TWI738449B (zh) 2021-09-01
CN114093787A (zh) 2022-02-25
JP2022028607A (ja) 2022-02-16
TW202206833A (zh) 2022-02-16
JP7313401B2 (ja) 2023-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN212967612U (zh) 晶圆检测系统及晶圆检测设备
KR100309889B1 (ko) 프로우브장치
KR100712561B1 (ko) 웨이퍼 형태의 프로브 카드 및 그 제조방법과 웨이퍼형태의 프로브 카드를 구비한 반도체 검사장치
TWM603962U (zh) 晶圓檢測系統及其晶圓檢測設備
US6856154B2 (en) Test board for testing IC package and tester calibration method using the same
US20160033569A1 (en) Wafer prober integrated with full-wafer contacter
JPH07167906A (ja) 開回路の容量式検査のためのプローブ
US9577770B2 (en) Method for analyzing the RF performance of a probe card, detector assembly and system for analyzing the RF performance of a probe card
KR19980042364A (ko) 반도체 디바이스 시험장치
JP3730340B2 (ja) 半導体試験装置
KR20110093242A (ko) 프로브 블록 조립체
US20080061812A1 (en) Component-attach test vehicle
US20160282386A1 (en) Contact unit and inspection jig
CN113341360B (zh) 用于芯片测试的射频校准装置及其校准方法
US20090128172A1 (en) Calibration board for electronic device test apparatus
KR20020025786A (ko) 반도체 시험장치용 캘리브레이션 장치, 캘리브레이션 방법및 반도체시험장치
TWM547673U (zh) 晶圓測試針座結構改良
KR20090075515A (ko) 프로브 카드 및 이를 포함하는 테스트 장비
JPH01170857A (ja) プローブカード
EP3091365B1 (en) Method for analyzing the rf performance of a probe card, detector assembly and system for analyzing the rf performance of a probe card
KR101109401B1 (ko) 기판의 코이닝-전기검사 장치
KR20130064402A (ko) Ｃｉｓ 프로브카드
KR20050067759A (ko) 반도체 검사장치
US20080284456A1 (en) Test Apparatus of Semiconductor Devices
TW202309540A (zh) 用於探測待測裝置的設備及方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant