CN212934595U - 一种开设有隔离槽的基底及封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种开设有隔离槽的基底及封装结构，该基底在基板上开始隔离槽，隔离槽将相邻的两个焊盘隔离开，使得在后续封装时，隔离槽内能够有填充上填充物，将两个焊盘隔离开，不会发生锡自由流动产生的桥接异常。

Description

一种开设有隔离槽的基底及封装结构

【技术领域】

本实用新型属于集成电路封装技术领域，具体涉及一种开设有隔离槽的基底及封装结构。

【背景技术】

封装行业BGA产品(全称Ball Grid Array球栅阵列封装)中，电容直接焊接在基板上，经过后工序植球以及上模组高温焊接造成电容底部锡桥接问题，可靠性低，风险高。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种开设有隔离槽的基底及封装结构，以解决现有技术中模组高温焊接易造成电容底部锡桥接的问题。

为达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案予以实现：

一种开设有隔离槽的基底，包括基板，基板上设置有相邻的第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘之间开设有隔离槽；隔离槽的长度长于第一焊盘的宽度和第二焊盘的宽度。

本实用新型的进一步改进在于：

优选的，所述隔离槽为矩形、椭圆形或圆角矩形。

优选的，所述隔离槽通过激光刻蚀得到。

一种上述基底的封装结构，第一焊盘和第二焊盘上同时粘结有电容，电容被塑封在塑封体中，隔离槽内填充有填充物，所述填充物和塑封体为同一物质。

优选的，隔离槽的长度大于填充物的直径上限。

优选的，隔离槽的长度大于填充物的直径上限的两倍。

优选的，隔离槽的深度大于填充物的直径上限。

优选的，隔离槽的深度大于填充物的直径上限的两倍。

优选的，所述基板的底部焊接有锡球。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型公开了一种开设有隔离槽的基底，该基底在基板上开始隔离槽，隔离槽将相邻的两个焊盘隔离开，使得在后续封装时，隔离槽内能够填充上填充物，将两个焊盘隔离开，不会发生锡自由流动产生的桥接异常。

进一步的，所述隔离槽能够根据需要设置为不同的形状。

所述隔离槽通过激光刻蚀得到，保证刻蚀精度。

本实用新型还公开了一种包括上述基底的封装结构，该封装结构中电容下部的两个焊盘通过隔离槽隔离，隔离槽内填充有填充物，填充物和塑封体为同一物质，使得在塑封时塑封料填充在两个焊盘之间的隔离槽内，经过后续的高温时锡不会自由流动，杜绝了锡自由流动造成锡桥接异常，此结构适用于在基板上需要焊接电容的产品。

进一步的，隔离槽的长度和深度均大于填充物的直径上限，使得填充物能够将隔离槽填充满但不会溢出。

【附图说明】

图1为成型后产品整体平面图；

图2为基板部分示意图；

图3为产品的剖视图；

图中：1-隔离槽，2-电容，3-塑封体，4-基板，5-第一焊盘，6-第二焊盘，7-锡球。

【具体实施方式】

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述：

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型公开了一种开设有隔离槽的基底及封装结构，包括隔离槽1、电容2、塑封体3、基板4、第一焊盘5、第二焊盘6和锡球7。

参见图2和图3，基板4上设置有若干个焊盘，定义任意两个相邻的焊盘为第一焊盘5和第二焊盘6，设定第一焊盘5和第二焊盘6的连接方向为长度方向，隔离槽1的长度方向垂直于第一焊盘5和第二焊盘6的连接方向；隔离槽1的长度大于第一焊盘5或第二焊盘6的宽度，使得隔离槽1完全隔开第一焊盘5和第二焊盘6；隔离槽1的形状能够为矩形、椭圆形或圆角矩形，但必须将两个焊盘完全隔离；所述焊盘的材质为镍钯金，

参见图1，隔离槽1的长度大于填充物的最大直径，隔离槽1的深度大于填充物的最大直径，优选的，隔离槽1的直径大于填充物直径范围上限的两倍以上，充分的保证填充物能够完整的填充到隔离槽1中，防止因为大的颗粒物堵塞在隔离槽1中，小的填充物难以进入到隔离槽1中，影响填充。例如，如果填充物的直径为9-20um，则隔离槽1的长度和深度均须大于20um，更为优选的，长度和深度均大于40um。

电容2同时设置在第一焊盘5和第二焊盘6上，电容2被塑封体3塑封在内，形成整个封装结构。

本实用新型的制备过程包括以下步骤：

步骤1，在基板4的正面刻蚀出第一焊盘5和第二焊盘6；

步骤2，在第一焊盘5和第二焊盘6之间开设隔离槽1；

步骤3，在第一焊盘5和第二焊盘6上刷锡膏，然后焊接电容2；

步骤4，在基板4的正面进行塑封，将电容2塑封在内，形成塑封体3；塑封的同时，塑封材料进入到隔离槽1中，将隔离槽1填充满。

步骤5，在基板4的背面焊接锡球7。

本实用新型在电容2下方的两个焊盘之间激光开设隔离槽1，使封装结构在塑封时塑封料填充在隔离槽1内，后工序植球以及上模组高温焊接电容底部锡不会自由流动，不会造成桥接短路等问题。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种开设有隔离槽的基底，其特征在于，包括基板(4)，基板(4)上设置有相邻的第一焊盘(5)和第二焊盘(6)，第一焊盘(5)和第二焊盘(6)之间开设有隔离槽(1)；隔离槽(1)的长度长于第一焊盘(5)的宽度和第二焊盘(6)的宽度。

2.根据权利要求1所述的一种开设有隔离槽的基底，其特征在于，所述隔离槽(1)为矩形、椭圆形或圆角矩形。

3.根据权利要求1所述的一种开设有隔离槽的基底，其特征在于，所述隔离槽(1)通过激光刻蚀得到。

4.一种基于权利要求1所述的基底的封装结构，其特征在于，第一焊盘(5)和第二焊盘(6)上同时粘结有电容(2)，电容(2)被塑封在塑封体(3)中，隔离槽(1)内填充有填充物，所述填充物和塑封体为同一物质。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，隔离槽(1)的长度大于填充物的直径上限。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，隔离槽(1)的长度大于填充物的直径上限的两倍。

7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，隔离槽(1)的深度大于填充物的直径上限。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，隔离槽(1)的深度大于填充物的直径上限的两倍。

9.根据权利要求4-8任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述基板(4)的底部焊接有锡球(7)。

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