CN212625542U - 一种daf膜封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种DAF膜封装结构，包括芯片以及至少一片DAF膜，其中所述DAF膜上相对的两个表面分别设置有凹槽，所述凹槽用于放置芯片，并且所述DAF膜上设置有凹槽的两个表面均覆盖有粘胶层；本实用新型在DAF膜的相对两个表面上分别设置用于安装芯片的凹槽，芯片可以通过粘接的方式固定在凹槽中，采用凹槽定位，提升封装的精度，还便于进行后续的切片操作；并且芯片可以封装在相邻的两片DAF膜之间，两片DAF膜上的凹槽位置错位粘接，保证粘接到芯片上的DAF膜厚度，保证相邻两片芯片之间的安全绝缘距离。

Description

一种DAF膜封装结构

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种DAF膜封装结构。

背景技术

传统的半导体功率器件封装大部分采用软焊料粘片，一些小功率期间粘片使用高导热的树脂胶，芯片大而厚,集成度低，基本均是分立器件，其特点是产品功率大、散热快,封装工艺相对简单，生产效率不高、性能仅满足大功率、不强调高集成度、高可靠性的市场。但是随着应用环境的复杂度提高,就会暴露出其固有的缺点。但是随着应用环境的复杂度提高,就会暴露出其固有的缺点。如，芯片在DAF膜上封装位置精度差，造成浪费DAF膜原材料的问题，而且不方便后续的切片操作。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种DAF膜封装结构，用于解决现有技术的浪费DAF膜原材料、不方便后续切片操作的问题。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案为：一种DAF膜封装结构，包括芯片以及至少一片DAF膜，其中所述DAF膜上相对的两个表面分别设置有凹槽，所述凹槽用于放置芯片，并且所述DAF膜上设置有凹槽的两个表面均覆盖有粘胶层。

进一步地，所述DAF膜采用高导热树脂制成。

进一步地，所述DAF膜上最薄处的厚度大于等于25μm。

进一步地，所述凹槽内设置有用于粘接所述芯片的胶面。

进一步地，所述胶面与所述粘胶层采用相同材料制成。

进一步地，所述凹槽内注入用于粘接所述芯片的胶液。

进一步地，所述凹槽上还设置有延伸至所述DAF膜边缘的引脚槽。

进一步地，所述引脚槽的深度小于所述凹槽的深度。

进一步地，位于所述DAF膜上相对两个表面的所述凹槽错位设置。

本实用新型的有益效果有：本实用新型在DAF膜的相对两个表面上分别设置用于安装芯片的凹槽，芯片可以通过粘接的方式固定在凹槽中，采用凹槽定位，提升封装的精度，还便于进行后续的切片操作；并且芯片可以封装在相邻的两片DAF膜之间，两片DAF膜上的凹槽位置错位粘接，保证粘接到芯片上的DAF膜厚度，保证相邻两片芯片之间的安全绝缘距离。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本实用新型DAF膜封装结构的其中一个实施例的剖面示意图；

图2是本实用新型DAF膜封装结构的另一个实施例的剖面示意图；

图3是本实用新型DAF膜封装结构的结构俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参照图1与图2所示的一种DAF膜封装结构，其包括芯片100以及至少一片DAF膜200，其中，所述DAF膜200上相对的两个表面上分别设置有凹槽300，所述凹槽300用于安装芯片100，并且，所述DAF膜200上设置有凹槽300的两个表面均覆盖有粘胶层400，具体的，该DAF膜200可以采用高导热树脂制成，该DAF膜200还可具备绝缘性，在封装时，可以先将芯片100放入凹槽300内，并且引线可以沿DAF膜200的表面延伸至边缘，再在凹槽300内注入用于粘接芯片100的胶液或者是用粘胶覆盖在芯片100相对远离凹槽300底部的一面，从而将芯片100固定在凹槽300内，并且引线通过粘胶层400粘接，保证封装效果，而在另外一些实施例中，还可以是预先在凹槽300的底部和/或侧壁上涂覆粘胶或贴附有胶面，从而可以直接将芯片100安装在凹槽300内。

在一些实施例中，所述DAF膜200上最薄处的厚度大于等于25μm，更进一步的，该DAF膜200上最薄处的厚度为25μm至30μm之间，其目的在于保证芯片100的安全间距，避免相邻的芯片100直接接触引发的短路现象，从而提高产品的良品率及可靠性。

在一些实施例中，参照图2所示，所述胶面与所述粘胶层400采用相同材料制成，具体的，该胶面与粘胶层400可以是一体成型，其也可以是采用涂覆粘胶材料在DAF膜200的表面而形成。

在一些实施例中，参照图3所示，所述凹槽300上还设置有延伸至DAF膜200边缘的引脚槽500，该引脚槽500的深度小于凹槽300的深度，芯片100上的引线相对芯片100弯折后能够放置到引脚槽500内并且自引脚槽500引出DAF膜200，从而能够避免相邻的引线发生直接接触而造成短路的问题，提高产品的良品率以及可靠性。

在一些实施例中，参照图1所示，位于所述DAF膜200上相对两个表面的凹槽300错位设置，具体的，两个凹槽300之间在水平方向上的距离要在半个凹槽300的槽宽至一个凹槽300的槽宽之间，从而保证在切片操作中相邻两个芯片层有足够的间隙，方便切片，在本实施例中，该芯片100层有两层，并且相邻的两层芯片100层通过DAF膜200粘接，此时，两片DAF膜200上设置有凹槽300的位置错位粘接，从而避免两片芯片100层相接触，提高产品的良品率以及可靠性。

以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种DAF膜封装结构，其特征在于，包括芯片(100)以及至少一片DAF膜(200)，其中所述DAF膜(200)上相对的两个表面分别设置有凹槽(300)，所述凹槽(300)用于放置芯片(100)，并且所述DAF膜(200)上设置有凹槽(300)的两个表面均覆盖有粘胶层(400)。

2.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述DAF膜(200)采用高导热树脂制成。

3.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述DAF膜(200)上最薄处的厚度大于等于25μm。

4.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述凹槽(300)内设置有用于粘接所述芯片(100)的胶面。

5.根据权利要求4所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述胶面与所述粘胶层(400)采用相同材料制成。

6.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述凹槽(300)内注入用于粘接所述芯片(100)的胶液。

7.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述凹槽(300)上还设置有延伸至所述DAF膜(200)边缘的引脚槽(500)。

8.根据权利要求7所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，所述引脚槽(500)的深度小于所述凹槽(300)的深度。

9.根据权利要求1所述的一种DAF膜封装结构，其特征在于，位于所述DAF膜(200)上相对两个表面的所述凹槽(300)错位设置。

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