CN212324360U - 麦克风 - Google Patents

麦克风 Download PDF

Info

Publication number
CN212324360U
CN212324360U CN202021265074.5U CN202021265074U CN212324360U CN 212324360 U CN212324360 U CN 212324360U CN 202021265074 U CN202021265074 U CN 202021265074U CN 212324360 U CN212324360 U CN 212324360U
Authority
CN
China
Prior art keywords
microphone
asic chip
shielding film
electromagnetic shielding
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202021265074.5U
Other languages
English (en)
Inventor
胡恒宾
曾鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AAC Technologies Holdings Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd filed Critical AAC Acoustic Technologies Shenzhen Co Ltd
Priority to CN202021265074.5U priority Critical patent/CN212324360U/zh
Priority to PCT/CN2020/104629 priority patent/WO2022000644A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN212324360U publication Critical patent/CN212324360U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Details Of Audible-Bandwidth Transducers (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种麦克风,包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述保护结构内的ASIC芯片和MEMS芯片,所述保护结构上贯穿设有声孔,所述保护结构包括线路板及与所述线路板盖接形成所述收容空间的外壳,所述ASIC芯片的表面上覆盖有第一电磁屏蔽膜。与相关技术相比,本实用新型的麦克风可以较大程度上改善麦克风受到的电磁干扰问题。

Description

麦克风
【技术领域】
本实用新型涉及声电领域,尤其涉及一种麦克风。
【背景技术】
随着无线通讯的发展,全球移动电话用户越来越多,用户对移动电话的要求己不仅满足于通话,而且要能够提供高质量的通话效果,尤其是目前移动多媒体技术的发展,移动电话的通话质量更显重要,移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置,其设计好坏直接影响通话质量。
相关技术中的麦克风,包括线路板、与线路板盖接形成收容空间的外壳以及收容于收容空间内的ASIC芯片和MEMS芯片,其中,ASIC芯片和MEMS芯片固设于线路板上。然而相关技术中的ASIC芯片易受到电磁干扰,从而严重影响微机电麦克风的性能。
因此,实有必要提供一种新的麦克风解决上述技术问题。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于提供一种麦克风,该麦克风可以较大程度上改善麦克风受到的电磁干扰的问题。
为了达到上述目的,本实用新型提供了一种麦克风,包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述保护结构内的ASIC芯片和MEMS芯片,所述保护结构上贯穿设有声孔,所述保护结构包括线路板及与所述线路板盖接形成所述收容空间的外壳,所述ASIC芯片的表面上覆盖有第一电磁屏蔽膜。
优选地,所述外壳由金属材料制成。
优选地,所述外壳包括间隔设置的第一金属壳和第二金属壳以及设置在所述第一金属壳与第二金属壳之间的第二电磁屏蔽膜。
优选地,所述MEMS芯片将所述收容空间分隔为第一声腔和第二声腔,所述声孔与所述第一声腔或所述第二声腔连通。
优选地,所述第一电磁屏蔽膜包括依次叠设的载体膜、绝缘层、金属层、胶膜层及保护层,所述载体膜相对于所述保护层更加靠近所述ASIC芯片。
优选地,所述ASIC芯片固定于所述线路板上。
优选地,所述第一电磁屏蔽膜与所述外壳间隔设置。
优选地,所述第一电磁屏蔽膜覆盖在所述ASIC芯片背离所述线路板的表面上。
优选地,所述ASIC芯片通过第一导线与所述线路板电连接,所述MEMS芯片通过第二导线与所述线路板电连接,所述第一导线和所述第二导线通过嵌在所述线路板内的电路电连接,其中,所述ASIC芯片背离所述线路板的表面具有与所述第一导线电连接的电连接区域,所述第一电磁屏蔽膜具有使所述电连接区域外露的镂空区域。
与相关技术相比,本实用新型的麦克风通过在所述ASIC芯片的表面覆盖电磁屏蔽膜,以反射或者吸收电磁波,且可以根据实际的使用需求,选择性的屏蔽特定频段的电磁波,从而可以改善电磁波对所述ASIC芯片的电磁干扰。
【附图说明】
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本实用新型的麦克风一实施例的立体图;
图2为图1所示麦克风的分解图;
图3为图1所示麦克风沿A-A方向的剖视图;
图4为图2所示麦克风中电磁屏蔽膜的层结构示意图;
图5为本实用新型的麦克风另一实施例的结构示意图;
图6为本实用新型的麦克风又一实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一
请结合参阅图1至4,麦克风包括具有收容空间1A的保护结构1以及收容于所述保护结构1内的ASIC芯片3和MEMS芯片5,所述MEMS芯片5将所述收容空间1A分隔为第一声腔1B和第二声腔1C,所述保护结构1上贯穿设有与所述第一声腔1B或所述第二声腔1C连通的声孔7。所述第一声腔1B为所述MEMS芯片5的背腔。
所述保护结构1包括线路板11及与所述线路板11盖接形成所述收容空间1A的外壳13,当外界声波经过所述声孔7作用在所述MEMS芯片5上时,所述MEMS芯片5产生电信号,所述MEMS芯片5产生的电信号经所述ASIC芯片3和所述线路板11输出至外部电路。
其中,所述外壳13为金属外壳,例如,铜制外壳;所述外壳13与所述线路板11之间通过焊接连接,所述外壳13与所述线路板11之间可以面接触连接,也可以点接触连接,且所述外壳13与所述线路板11之间的连接可以为电性连接(例如,通过所述外壳13与所述线路板11之间可以通过导电材料连接、激光焊接等方式电性连接),也可以为非电性连接(例如,所述外壳13与所述线路板11之间通过非导电材料连接)。通过将所述外壳13设置为金属外壳,从而可以使得所述外壳1具有屏蔽作用,从而可以降低所述ASIC芯片3和MEMS芯片5的电磁干扰。
所述ASIC芯片3的表面31上覆盖有第一电磁屏蔽膜9。电磁波入射到第一电磁屏蔽膜9表面后会经过电磁屏蔽层的反射或者吸收造成电磁波能量的衰减,从而可以改善电磁波对所述ASIC芯片3的电磁干扰。
如图4所示,所述第一电磁屏蔽膜9包括依次叠设的载体膜91、绝缘层93、金属层95、胶膜层97及保护层99,所述载体膜91相对于所述保护层99更加靠近所述ASIC芯片3。其中,所述金属层95作为第一电磁屏蔽膜9的屏蔽层。
需要说明的是,电磁屏蔽膜的有效屏蔽波段主要与其磁导率相关,电磁屏蔽膜的材质和厚度都会影响磁导率,从而改变有效的屏蔽波段,以例如,某金属化聚乙烯纤维导电纸作为第一电磁屏蔽膜9为例,其较好屏蔽波段为10MHz-100MHz。
在本实施例中,所述ASIC芯片3固定于所述线路板11上。
在本实施例中,所述第一电磁屏蔽膜9与所述外壳13间隔设置。
在本实施例中,所述第一电磁屏蔽膜9覆盖在所述ASIC芯片3背离所述线路板11的表面31上。所述表面31包括与所述线路板11间隔设置的顶面311及自所述顶面311向靠近所述线路板11方向弯折延伸的侧面313,所述第一电磁屏蔽膜9覆盖在所述顶面311上,其中,所述顶面311为所述ASIC芯片3背离所述线路板11的表面31。
在本实施例中,所述ASIC芯片3通过第一导线a与所述线路板11电连接,所述MEMS芯片5通过第二导线b与所述线路板11电连接,所述第一导线a和所述第二导线b通过嵌在所述线路板11内的电路电连接,其中,所述ASIC芯片3背离所述线路板11的表面31(即所述顶面311)具有与所述第一导线a电连接的电连接区域315,所述第一电磁屏蔽膜9具有使所述电连接区域315外露的镂空区域9A。可以理解的是,在其他实施例中,还可以不设置所述第一导线,所述ASIC芯片3直接通过嵌在所述线路板11内的电路与所述第二导线b电连接,相应地,所述顶面311上可以不设置所述电连接区域,所述第一电磁屏蔽膜9也不需要设置所述镂空区域。
在本实施例中,所述MEMS芯片5固定于所述线路板11上,所述声孔7贯穿所述外壳13以与所述第二声腔1C连通。
实施例二
请参阅图5,实施例二与实施例一的区别仅在于:所述声孔7贯穿所述线路板11以与所述第一声腔1B连通。
实施例三
请参阅图6,实施例三与实施例一的区别在于:所述第一电磁屏蔽膜9还设置在所述ASIC芯片的所述侧面313,且所述外壳13包括间隔设置的第一金属壳131、第二金属壳132和设置在第一金属壳131与第二金属壳132之间的第二电磁屏蔽膜133。其中,所述第二电磁屏蔽膜133可以采用与所述第一电磁屏蔽膜9相同的层结构。采用该种设置,可以在不明显增加麦克风高度和体积的基础上增加屏蔽层的层数及厚度并形成多层金属反射界面及板间滤波电容,从而可以有效屏蔽和滤除电磁波辐射的干扰。
可以理解的是,在其他实施例中,所述ASIC芯片也可以固定于所述外壳上;或者,所述MEMS芯片固定于所述外壳上并与所述外壳围合形成所述第一声腔,相应地,所述声孔贯穿所述外壳以与所述第一声腔连通,或者,所述声孔贯穿所述线路板以与所述第二声腔连通。
与相关技术相比,本实用新型的麦克风通过在所述ASIC芯片3的所述外表面31覆盖第一电磁屏蔽膜9,以反射或者吸收电磁波,从而可以改善电磁波对所述ASIC芯片3的电磁干扰。
以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

Claims (9)

1.一种麦克风,包括具有收容空间的保护结构以及收容于所述保护结构内的ASIC芯片和MEMS芯片,所述保护结构上贯穿设有声孔,所述保护结构包括线路板及与所述线路板盖接形成所述收容空间的外壳,其特征在于,所述ASIC芯片的表面上覆盖有第一电磁屏蔽膜。
2.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,所述外壳由金属材料制成。
3.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,所述外壳包括间隔设置的第一金属壳和第二金属壳以及设置在所述第一金属壳与第二金属壳之间的第二电磁屏蔽膜。
4.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,所述MEMS芯片将所述收容空间分隔为第一声腔和第二声腔,所述声孔与所述第一声腔或所述第二声腔连通。
5.根据权利要求1所述的麦克风,其特征在于,所述第一电磁屏蔽膜包括依次叠设的载体膜、绝缘层、金属层、胶膜层及保护层,所述载体膜相对于所述保护层更加靠近所述ASIC芯片。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的麦克风,其特征在于,所述ASIC芯片固定于所述线路板上。
7.根据权利要求6所述的麦克风,其特征在于,所述第一电磁屏蔽膜与所述外壳间隔设置。
8.根据权利要求6所述的麦克风,其特征在于,所述第一电磁屏蔽膜覆盖在所述ASIC芯片背离所述线路板的表面上。
9.根据权利要求8所述的麦克风,其特征在于,所述ASIC芯片通过第一导线与所述线路板电连接,所述MEMS芯片通过第二导线与所述线路板电连接,所述第一导线和所述第二导线通过嵌在所述线路板内的电路电连接,其中,所述ASIC芯片背离所述线路板的表面具有与所述第一导线电连接的电连接区域,所述第一电磁屏蔽膜具有使所述电连接区域外露的镂空区域。
CN202021265074.5U 2020-06-30 2020-06-30 麦克风 Active CN212324360U (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202021265074.5U CN212324360U (zh) 2020-06-30 2020-06-30 麦克风
PCT/CN2020/104629 WO2022000644A1 (zh) 2020-06-30 2020-07-24 麦克风

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202021265074.5U CN212324360U (zh) 2020-06-30 2020-06-30 麦克风

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN212324360U true CN212324360U (zh) 2021-01-08

Family

ID=74028346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202021265074.5U Active CN212324360U (zh) 2020-06-30 2020-06-30 麦克风

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN212324360U (zh)
WO (1) WO2022000644A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117528368A (zh) * 2024-01-08 2024-02-06 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种mems麦克风结构

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007015593A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Bse Co., Ltd Silicon based condenser microphone and packaging method for the same
KR100722689B1 (ko) * 2006-05-03 2007-05-30 주식회사 비에스이 부가적인 백 챔버를 갖는 실리콘 콘덴서 마이크로폰
KR100740463B1 (ko) * 2006-09-09 2007-07-18 주식회사 비에스이 실리콘 콘덴서 마이크로폰
JP5321111B2 (ja) * 2009-02-13 2013-10-23 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
IT1397976B1 (it) * 2009-12-23 2013-02-04 St Microelectronics Rousset Trasduttore di tipo microelettromeccanico e relativo procedimento di assemblaggio.
CN104145484A (zh) * 2011-11-17 2014-11-12 应美盛股份有限公司 具有声管的麦克风模块
US20130320465A1 (en) * 2012-05-30 2013-12-05 Merry Electronics Co., Ltd. Thin mems microphone module
TWI606731B (zh) * 2012-09-10 2017-11-21 博世股份有限公司 麥克風封裝件及製造麥克風封裝件之方法
US10097918B2 (en) * 2013-01-23 2018-10-09 Infineon Technologies Ag Chip arrangement and a method for manufacturing the same
US9986354B2 (en) * 2013-06-26 2018-05-29 Infineon Technologies Ag Pre-mold for a microphone assembly and method of producing the same
US9521499B2 (en) * 2013-06-26 2016-12-13 Infineon Technologies Ag Electronic device with large back volume for electromechanical transducer
JP6311376B2 (ja) * 2014-03-14 2018-04-18 オムロン株式会社 マイクロフォン
US20180146302A1 (en) * 2014-07-31 2018-05-24 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Mems microphone package structure and method for manufacturing the mems microphone package structures
CN107005756B (zh) * 2014-10-29 2019-11-01 罗伯特·博世有限公司 具有模制成型的间隔件的麦克风封装体
CN204408624U (zh) * 2015-01-20 2015-06-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风装置
CN204377134U (zh) * 2015-01-20 2015-06-03 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
CN204377143U (zh) * 2015-01-20 2015-06-03 瑞声声学科技(深圳)有限公司 微机电麦克风的封装结构
CN204408625U (zh) * 2015-01-21 2015-06-17 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
CN206100450U (zh) * 2016-08-31 2017-04-12 歌尔股份有限公司 一种mems麦克风的封装结构
DE112018000811T5 (de) * 2017-02-14 2019-10-24 Knowles Electronics, Llc System und Verfahren zum Kalibrieren einer Mikrofon-Grenzfrequenz
US10469956B2 (en) * 2017-03-21 2019-11-05 Cirrus Logic, Inc MEMS transducer package
US10631100B2 (en) * 2018-09-12 2020-04-21 Infineon Technologies Ag Micro-electrical mechanical system sensor package and method of manufacture thereof
US20200154223A1 (en) * 2018-11-09 2020-05-14 Knowles Electronics, Llc Systems and methods for calibrating microphone assemblies including a membrane barrier
CN209072678U (zh) * 2018-12-14 2019-07-05 歌尔科技有限公司 一种mems麦克风的封装结构
CN110248298A (zh) * 2019-05-13 2019-09-17 苏州捷研芯纳米科技有限公司 硅麦克风及其加工方法
CN110526199A (zh) * 2019-09-10 2019-12-03 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 硅麦克风封装结构及其封装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117528368A (zh) * 2024-01-08 2024-02-06 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种mems麦克风结构
CN117528368B (zh) * 2024-01-08 2024-03-26 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 一种mems麦克风结构

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022000644A1 (zh) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100392979C (zh) 组合式电子元件
CN212572884U (zh) 麦克风
CN204993854U (zh) Mems麦克风
CN212324360U (zh) 麦克风
CN209314104U (zh) Mems麦克风和电子设备
CN109391871B (zh) 一种蓝牙耳机
CN201403200Y (zh) 硅电容麦克风
US20090174610A1 (en) Combined microphone and radio-frequency antenna modules
CN110783318B (zh) 一种传感器封装结构以及电子设备
CN210958792U (zh) 一种mems麦克风及电子设备
CN212324311U (zh) 麦克风
CN213126091U (zh) 一种电子设备
CN212392982U (zh) 无线耳机
CN201011742Y (zh) 改进的硅麦克风
CN210298076U (zh) Mems麦克风及电子设备
CN209627636U (zh) 一种抗通信干扰的麦克风电路及耳机
CN209642946U (zh) 一种耳机、耳机系统及耳机充电系统
CN210745545U (zh) Mems麦克风
CN213847009U (zh) 智能麦克风封装结构和电子设备
CN215644479U (zh) 一种传感组件及电子设备
CN213694154U (zh) 麦克风封装结构和电子设备
CN215187374U (zh) 一种抗干扰性能强的硅麦
CN213694155U (zh) 智能麦克风封装结构和电子设备
CN111010467A (zh) 电子设备
JP4639561B2 (ja) コンデンサマイクロホン

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant