CN212179572U - 一种制备碳化硅的冶炼炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上的电极,设置在两个炉头两侧之间的炉墙,以及固定在炉墙外侧的炉墙支撑;在炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在钢柱的顶端中部开设有销孔,在销孔内活动插接有定位柱,定位柱与对应的炉墙支撑的底端活动接触。优点:通过在地面预埋钢柱,并在钢柱内插入定位柱可对炉墙支撑起到固定作用,防止炉墙滑移,加强炉墙稳定性,进而降低安全隐患;同时,在炉体内底部设置块状填充层,可加强炉底热量的散失,使得炉体各个方向同时散热,可降低炉体内部温度场的偏移量,进而提高碳化硅的品质。
Description
技术领域:
本实用新型涉及碳化硅生产技术领域,具体地说涉及一种制备碳化硅的冶炼炉。
背景技术:
在传统工业上冶炼碳化硅时所使用的碳化硅冶炼反应炉,通常包括两个炉头,在两个炉头上的安装电极,在两个炉头两侧之间放置炉墙,在炉墙外侧固定炉墙支撑;反应过程中,将原料及炉芯放置在反应炉内,给两端的电极通电,通过炉芯来加热原料,经过原料的热传递来提升原料的温度,当原料温度上升到反应所需温度时,即可达到冶炼碳化硅的目的。上述反应炉存在以下问题:1、仅靠炉墙支撑对炉墙起支撑作用,填充原料后,炉墙承重大,容易在厂区地面滑移,反应过程中存在更大的安全隐患;2、碳化硅冶炼的反应原理是先通过加热炉芯,再由高温炉芯向低温原料进行热传递来达到冶炼效果,但是,实际反应过程中炉体两侧和上方散失的热量较多,而炉底的热量散失量较少,这就造成炉体内部温度场相对炉芯发生偏移,会直接影响碳化硅的品质。
实用新型内容:
本实用新型的目的在于提供一种制备碳化硅的冶炼炉,安全性高。
本实用新型由如下技术方案实施:一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个炉头上的电极,设置在两个炉头两侧之间的炉墙,以及固定在炉墙外侧的炉墙支撑;在所述炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在所述钢柱的顶端中部开设有销孔,在所述销孔内活动插接有定位柱,所述定位柱与对应的所述炉墙支撑的底端活动接触。
进一步的,在两个所述炉头与所述炉墙之间的地面上开设槽体,在所述槽体内部填充有块状填充层,在所述块状填充层的顶端中部预留有倒梯形容纳槽,在所述倒梯形容纳槽的内壁及其两侧的所述块状填充层的顶部铺设有耐火层。
进一步的,所述块状填充层由石子填充构成。
进一步的,所述耐火层由耐火砖构成。
本实用新型的优点:通过在地面预埋钢柱,并在钢柱内插入定位柱可对炉墙支撑起到固定作用,防止炉墙滑移,加强炉墙稳定性,进而降低安全隐患;同时,在炉体内底部设置块状填充层,可加强炉底热量的散失,使得炉体各个方向同时散热,可降低炉体内部温度场的偏移量,进而提高碳化硅的品质。
附图说明:
图1为本实用新型的整体结构示意图。
炉头1、电极2、炉墙3、炉墙支撑4、地面5、钢柱6、销孔7、定位柱8、槽体9、块状填充层10、倒梯形容纳槽11、耐火层12。
具体实施方式:
在本实用新型的描述中,需要说明的是,如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等,其指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示,一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头1,安装在两个炉头1上的电极2,设置在两个炉头1两侧之间的炉墙3,以及固定在炉墙3外侧的炉墙支撑4;在炉墙支撑4外侧的地面5上预埋有钢柱6,在钢柱6的顶端中部开设有销孔7,在销孔7内活动插接有定位柱8,定位柱8与对应的炉墙支撑4的底端活动接触;通过定位柱8对炉墙支撑4起到固定作用,放置炉墙3在原料的压力下发生偏移,降低安全隐患;同时,定位柱8通过预埋的钢柱6进行固定,而不是直接在地面5开孔固定,可防止直接开孔固定定位柱8造成地面5损坏,同时钢柱6预埋设置,可加强定位柱8的稳定性;在两个炉头1与炉墙3之间的地面5上开设槽体9,在槽体9内部填充有块状填充层10,块状填充层10由石子填充构成,在块状填充层10的顶端中部预留有倒梯形容纳槽11,在倒梯形容纳槽11的内壁及其两侧的块状填充层10的顶部铺设有耐火层12,耐火层12由耐火砖铺设构成;通过设置槽体9并在槽体9内填充块状填充层10,可加强炉体底部热量的散失,降低炉体内部温度场的偏移,提高炉体内部温度场的稳定性,进而提高碳化硅产品的品质。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (4)
1.一种制备碳化硅的冶炼炉,其包括两个炉头,安装在两个所述炉头上的电极,设置在两个所述炉头两侧之间的炉墙,以及固定在所述炉墙外侧的炉墙支撑;其特征在于,在所述炉墙支撑外侧的地面上预埋有钢柱,在所述钢柱的顶端中部开设有销孔,在所述销孔内活动插接有定位柱,所述定位柱与对应的所述炉墙支撑的底端活动接触。
2.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅的冶炼炉,其特征在于,在两个所述炉头与所述炉墙之间的地面上开设槽体,在所述槽体内部填充有块状填充层,在所述块状填充层的顶端中部预留有倒梯形容纳槽,在所述倒梯形容纳槽的内壁及其两侧的所述块状填充层的顶部铺设有耐火层。
3.根据权利要求2所述的一种制备碳化硅的冶炼炉,其特征在于,所述块状填充层由石子填充构成。
4.根据权利要求2或3所述的一种制备碳化硅的冶炼炉,其特征在于,所述耐火层由耐火砖构成。
Priority Applications (1)
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CN202020707995.6U CN212179572U (zh) | 2020-04-30 | 2020-04-30 | 一种制备碳化硅的冶炼炉 |
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Publications (1)
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2020
- 2020-04-30 CN CN202020707995.6U patent/CN212179572U/zh active Active
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