CN211929534U - 一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板cob光源装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，包括：铜基板，其上表面固设有镜面镀银层；镜面镀银层的上表面固设有绝缘层；绝缘层开设有固晶区；正极电路层，固设于绝缘层的上表面；负极电路层，固设于绝缘层的上表面；固晶区还位于所述正极电路层与所述负极电路层之间；LED芯片组，固设于固晶区；蓝宝石，固设于固晶区；荧光陶瓷层，盖住LED芯片组与蓝宝石；LED芯片组包括串联的LED芯片，LED芯片组的正极引线与正极电路层连接，LED芯片组的负极引线与负极电路层连接。本实用新型的优点在于：本实用新型实现单光源的超大功率，在LED芯片排布中嵌入蓝宝石，使用荧光陶瓷封装技术，实现双向导热的功能。

Description

一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置

【技术领域】

本实用新型涉及COB光源设备，具体地涉及一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置。

【背景技术】

现今市面已有的COB光源大都是低功率产品，很多灯具为了达到更高功率而选择使用多个COB光源串并；但是该做法对于成本、散热方案、光型都存在很大的不足。

【实用新型内容】

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，具有超高功率且散热良好。

本实用新型是这样实现的：一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，包括：铜基板，其上表面固设有镜面镀银层；所述镜面镀银层的上表面固设有绝缘层；所述绝缘层开设有固晶区；

正极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；

负极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；所述固晶区还位于所述正极电路层与所述负极电路层之间；

LED芯片组，固设于所述固晶区；

蓝宝石，固设于所述固晶区；

荧光陶瓷层，盖住所述LED芯片组与所述蓝宝石；

所述LED芯片组包括串联的LED芯片，所述LED芯片组的正极引线与所述正极电路层连接，所述LED芯片组的负极引线与所述负极电路层连接，在所述LED芯片排布中嵌入复数个所述蓝宝石。

进一步地，所述LED芯片组有二十四个，一个所述LED芯片组中串联的LED芯片有一百零六个，所述蓝宝石有二百零八个。

进一步地，所述绝缘层是BT材质绝缘层。

进一步地，所述正极电路层具有正极电源连接端与正极引线连接端，所述LED芯片组的正极引线与所述正极引线连接端连接，所述负极电路层具有负极电源连接端与负极引线连接端，所述LED芯片组的负极引线与所述负极引线连接端连接。

进一步地，所述固晶区为圆形，所述正极引线连接端与所述负极引线连接端为圆弧形。

本实用新型的优点在于：本实用新型实现单光源的超大功率，在LED芯片排布中嵌入蓝宝石，使用荧光陶瓷封装技术，实现双向导热的功能；使用镜面镀银的铜基板作为光源基板，有更好的导热效果。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型的基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置的结构示意图。

图2是图1中去掉LED芯片组后的蓝宝石在固晶区上的位置示意图。

图3是本实用新型中两个LED芯片组在固晶区上的连接示意图。

图4是本实用新型中电路层在铜基板上的位置示意图。

图中标记：铜基板1，固晶区11，LED芯片组2，蓝宝石3，正极电源连接端4，正极引线连接端5，负极电源连接端6，负极引线连接端7，字符8。

【具体实施方式】

本实用新型实施例通过提供一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，解决了现有技术中COB光源在达到超大功率时散热不足的技术问题，实现了不仅具有超大功率还散热良好的技术效果。

本实用新型实施例中的技术方案为解决上述问题，总体思路如下：使用镜面镀银的铜基板作为光源基板，在固晶区的LED芯片排布中嵌入蓝宝石，并使用荧光陶瓷封装技术。

为了更好地理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

参阅图1至图4，本实用新型的基于荧光陶瓷的超大功率铜基板1COB光源装置的优选实施例。本实用新型包括：铜基板1，其上表面固设有镜面镀银层；所述镜面镀银层的上表面固设有绝缘层；所述绝缘层开设有固晶区11；铜基板1作为光源基板，有更好的导热效果。正极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；负极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；所述固晶区11还位于所述正极电路层与所述负极电路层之间；LED芯片组2，固设于所述固晶区11；蓝宝石3，固设于所述固晶区11；即固晶区内的LED芯片组与蓝宝石直接与镜面镀银层接触；荧光陶瓷层，盖住所述LED芯片组2与所述蓝宝石3；荧光陶瓷是一种透明陶瓷材料，兼具了晶体和玻璃两者的优势，具有热导率高、耐光辐照能力强以及光学输出性能高等优点。

所述LED芯片组2包括串联的LED芯片，所述LED芯片组2的正极引线与所述正极电路层连接，所述LED芯片组2的负极引线与所述负极电路层连接，在所述LED芯片排布中嵌入复数个所述蓝宝石3。蓝宝石3能吸收相邻的LED芯片产生的热量，而LED芯片产生的热量还会被铜基板1吸收，蓝宝石3吸收的热量也会传递给铜基板1，实现LED芯片的侧向以及竖向导热的功能。

所述LED芯片组2有二十四个，一个所述LED芯片组2中串联的LED芯片有一百零六个，所述蓝宝石3有二百零八个。

所述绝缘层是BT材质绝缘层。BT材质是以双马来酰亚胺(BMD)和三嗪为主树脂成分，并加入环氧树脂、聚苯醚树脂(PPE)或烯丙基化合物等作为改性组分，所形成的热固性树脂，应用于印制电路板。

所述正极电路层具有正极电源连接端4与正极引线连接端5，所述LED芯片组的正极引线与所述正极引线连接端5连接，所述负极电路层具有负极电源连接端6与负极引线连接端7，所述LED芯片组2的负极引线与所述负极引线连接端7连接。在所述负极电路层做阻焊开窗镀银处理形成字符8。

所述固晶区11为圆形，所述正极引线连接端5与所述负极引线连接端7为圆弧形。在所述铜基板1固设有具高反射率的白色油墨层，该油墨层位于铜基板1的最上方。

本实用新型工作：正极电源连接端4与负极电源连接端6接通电源，固晶区11中的二十四个并联的LED芯片组2，LED芯片组2中串联的一百零六个LED芯片开始发光，可达到单光源1200W；蓝宝石3吸收相邻的LED芯片产生的热量，并传递给铜基板1，形成侧面导热；而LED芯片产生的热量也会被所处位置的铜基板1吸收，其成竖向导热；实现了不仅具有超大功率的光源，而且散热良好。

虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。

Claims (5)

1.一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，其特征在于，包括：铜基板，其上表面固设有镜面镀银层；所述镜面镀银层的上表面固设有绝缘层；所述绝缘层开设有固晶区；

正极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；

负极电路层，固设于所述绝缘层的上表面；所述固晶区还位于所述正极电路层与所述负极电路层之间；

LED芯片组，固设于所述固晶区；

蓝宝石，固设于所述固晶区；

荧光陶瓷层，盖住所述LED芯片组与所述蓝宝石；

所述LED芯片组包括串联的LED芯片，所述LED芯片组的正极引线与所述正极电路层连接，所述LED芯片组的负极引线与所述负极电路层连接，在所述LED芯片排布中嵌入复数个所述蓝宝石。

2.如权利要求1所述的一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，其特征在于，所述LED芯片组有二十四个，一个所述LED芯片组中串联的LED芯片有一百零六个，所述蓝宝石有二百零八个。

3.如权利要求1所述的一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，其特征在于，所述绝缘层是BT材质绝缘层。

4.如权利要求1所述的一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，其特征在于，所述正极电路层具有正极电源连接端与正极引线连接端，所述LED芯片组的正极引线与所述正极引线连接端连接，所述负极电路层具有负极电源连接端与负极引线连接端，所述LED芯片组的负极引线与所述负极引线连接端连接。

5.如权利要求4所述的一种基于荧光陶瓷的超大功率铜基板COB光源装置，其特征在于，所述固晶区为圆形，所述正极引线连接端与所述负极引线连接端为圆弧形。

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