CN211734467U - 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体 - Google Patents

一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体 Download PDF

Info

Publication number
CN211734467U
CN211734467U CN202020281180.6U CN202020281180U CN211734467U CN 211734467 U CN211734467 U CN 211734467U CN 202020281180 U CN202020281180 U CN 202020281180U CN 211734467 U CN211734467 U CN 211734467U
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
atomic layer
layer deposition
base
deposition reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202020281180.6U
Other languages
English (en)
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Mnt Micro And Nanotech Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Mnt Micro And Nanotech Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Mnt Micro And Nanotech Co ltd filed Critical Jiangsu Mnt Micro And Nanotech Co ltd
Priority to CN202020281180.6U priority Critical patent/CN211734467U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN211734467U publication Critical patent/CN211734467U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型涉及原子层沉积反应设备技术领域,且公开了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,包括腔体底座和腔体盖,所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层,所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板,所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧,所述腔体底座的内侧壁安装有中央加热盘,腔体底座的底部安装有与中央加热盘相连通的法兰焊接头。该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过电容耦合,激发反应气体活化,使反应气体具有更好的反应活性,从而提高原子层沉积过程中的反应效率,降低沉积温度,提高薄膜的沉积质量有效的增加了设备水平压力稳定性,外腔体筒的内侧台阶式设计,有效的降低放电离子撞击设备腔体内侧壁。

Description

一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积反应设备技术领域,具体为一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体。
背景技术
原子层沉积是一种通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器内将物质以单原子膜的形式一层一层的化学吸附在基底表面的方法,与传统的沉积工艺相比,在原子层沉积过程中,不同的反应物前驱体则是以气体脉冲的形式交替送入反应器内,每种反应物饱和吸附后过剩的反应物则被惰性气体冲走。原子层沉积的自限制性和互补性使其在薄膜的成分和厚度控制方面有出色的优势,所制备的薄膜均匀性好,纯度高并且具有良好的保形性。原子层沉积适合于各种复杂结构的衬底,能沉积具有大的高深宽比结构,同时还可以在热稳定性低的柔性基底上沉积材料。前驱体的饱和化学吸附能保证生成大面积均匀薄膜。因此,反应前驱体是否被基底表面化学吸附是实现原子层沉积的关键,而原子层沉积反应需要在腔体内密封反应,但现有的原子层沉积反应腔体密封性较差,原子层沉积反应腔体在进行反应时,原子层沉积无法在腔体内部实现有效充分反应,因此发明人设计了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过产生等离子体来保证等离子原子层的充分反应。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,解决了原子层沉积反应腔体设备密封性不好降低了原子层沉积反应质量的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,包括腔体底座和腔体盖,所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层,所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板,所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧,所述腔体底座的内侧壁安装有中央加热盘,腔体底座的底部安装有与中央加热盘相连通的法兰焊接头。
所述腔体底座与腔体盖之间通过铰接座活动连接,两个所述伸缩气弹簧的伸缩杆末端与腔体盖上的铰接座部分活动连接,所述腔体盖的端口内侧固定安装有顶部匀气盘,所述腔体盖在远离腔体底座的另一端口处安装有外腔体筒,所述外腔体筒的内侧安装有聚四氟乙烯腔体筒,聚四氟乙烯腔体筒的内侧端口处安装有聚四氟乙烯匀气盘,所述聚四氟乙烯腔体筒的内侧壁安装有密封圈,所述外腔体筒在远离腔体盖的端面通过螺钉连接有螺钉法兰,所述螺钉法兰和外筒体筒之间安装有聚四氟乙烯顶板,所述螺钉法兰上通过螺栓固定连接有CF法兰焊接头,所述螺钉法兰和聚四氟乙烯顶板上开设有相互连通的通孔,所述CF法兰焊接头通过通孔与聚四氟乙烯腔体筒相连通。
优选的,所述腔体底座的大端口与腔体盖的大端口相适配。
优选的,所述腔体盖上固定安装有拉动把手。
优选的,所述外腔体筒采用plasma腔体简。
优选的,所述法兰焊接头的端口与腔体底座1的内腔相连通。
优选的,所述法兰焊接头采用KF25法兰焊接头。
(三)有益效果
本实用新型提供了一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体。具备以下有益效果:
(1)、该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过设置伸缩气弹簧将腔体底座和腔体盖相互连接,伸缩气弹簧的弹簧力使得腔体盖紧密与腔体底座相贴合,有效的增加了设备水平压力稳定性,保障了设备工作时的密封性。
(2)、该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过设置顶部匀气盘、聚四氟乙烯匀气盘、聚四氟乙烯腔体筒和聚四氟乙烯腔体筒相互配合,在设备安装使用时,外腔体筒的内侧台阶式设计,有效的降低放电离子撞击设备腔体内侧壁,从而保障了设备原子层沉积反应的稳定性,腔体内通过电容耦合,激发反应气体活化,使反应气体具有更好的反应活性,从而提高原子层沉积过程中的反应效率,降低沉积温度,提高薄膜的沉积质量。
(3)、该电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,通过设置CF法兰焊接头和腔体盖内腔相连通,法兰焊接头和腔体底座内腔相连通,使得设备在使用时为开盖式真空腔体,有效的保障设备在使用时内部原子层沉积反应的密封性。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型轴侧示意图;
图3为本实用新型爆炸示意图。
图中:1腔体底座、2环壁隔热层、3水冷盖板、4伸缩气弹簧、5中央加热盘、6顶部匀气盘、7聚四氟乙烯匀气盘、8腔体盖、9外腔体筒、10聚四氟乙烯腔体筒、11密封圈、12聚四氟乙烯顶板、13螺钉法兰、14CF法兰焊接头、15法兰焊接头、16铰接座、17拉动把手。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1-3所示,本实用新型提供一种技术方案:一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,包括腔体底座1和腔体盖8,腔体底座1的大端口与腔体盖8的大端口相适配,腔体盖8上固定安装有拉动把手17,腔体底座1的内侧安装有环壁隔热层2,环壁隔热层2的设置对设备腔体内部进行隔温,保障原子层沉积反应的温度性,腔体底座1腔体端口内侧底部安装有水冷盖板3,腔体底座1的两侧对称安装有伸缩气弹簧4,腔体底座1的内侧壁安装有中央加热盘5,腔体底座1的底部安装有与中央加热盘5相连通的法兰焊接头15,法兰焊接头15的端口与腔体底座1的内腔相连通,法兰焊接头15采用KF25法兰焊接头。
腔体底座1与腔体盖8之间通过铰接座16活动连接,两个伸缩气弹簧4的伸缩杆末端与腔体盖8上的铰接座16部分活动连接,腔体盖8的端口内侧固定安装有顶部匀气盘6,腔体盖8在远离腔体底座1的另一端口处安装有外腔体筒9,外腔体筒9采用plasma腔体简,外腔体筒9的内侧安装有聚四氟乙烯腔体筒10,聚四氟乙烯腔体筒10的内侧端口处安装有聚四氟乙烯匀气盘7,顶部匀气盘6和聚四氟乙烯匀气盘7的设置有效的增加了原子层沉积反应分散均匀性,聚四氟乙烯腔体筒10的内侧壁安装有密封圈11,密封圈11的设置保障设备腔体结构之间配合的密封性,外腔体筒9在远离腔体盖8的端面通过螺钉连接有螺钉法兰13,螺钉法兰13和外筒体筒8之间安装有聚四氟乙烯顶板12,螺钉法兰13上通过螺栓固定连接有CF法兰焊接头14,螺钉法兰13和聚四氟乙烯顶板12上开设有相互连通的通孔,CF法兰焊接头14通过通孔与聚四氟乙烯腔体筒10相连通。
该文中出现的电器元件均与外界的主控器及220V市电电连接,并且主控器可为计算机等起到控制的常规已知设备。
工作原理:缩气弹簧14的弹簧力使得腔体盖8紧密与腔体底座1相贴合,有效的增加了设备水平压力稳定性,外腔体筒9的内侧台阶式设计,有效的降低放电离子撞击设备腔体内侧壁,法兰焊接头15和腔体底座1内腔相连通,使得设备在使用时为开盖式真空腔体,有效的保障设备在使用时内部原子层沉积反应的密封性。
本实用新型的控制方式是通过控制器来自动控制,控制器的控制电路通过本领域的技术人员简单编程即可实现,电源的提供也属于本领域的公知常识,并且本实用新型主要用来保护机械装置,所以本实用新型不再详细解释控制方式和电路连接。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个引用结构”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,包括腔体底座和腔体盖,其特征在于:所述腔体底座的内侧安装有环壁隔热层,所述腔体底座腔体端口内侧底部安装有水冷盖板,所述腔体底座的两侧对称安装有伸缩气弹簧,所述腔体底座的内侧壁安装有中央加热盘,腔体底座的底部安装有与中央加热盘相连通的法兰焊接头;
所述腔体底座与腔体盖之间通过铰接座活动连接,两个所述伸缩气弹簧的伸缩杆末端与腔体盖上的铰接座部分活动连接,所述腔体盖的端口内侧固定安装有顶部匀气盘,所述腔体盖在远离腔体底座的另一端口处安装有外腔体筒,所述外腔体筒的内侧安装有聚四氟乙烯腔体筒,聚四氟乙烯腔体筒的内侧端口处安装有聚四氟乙烯匀气盘,所述聚四氟乙烯腔体筒的内侧壁安装有密封圈,所述外腔体筒在远离腔体盖的端面通过螺钉连接有螺钉法兰,所述螺钉法兰和外筒体筒之间安装有聚四氟乙烯顶板,所述螺钉法兰上通过螺栓固定连接有CF法兰焊接头,所述螺钉法兰和聚四氟乙烯顶板上开设有相互连通的通孔,所述CF法兰焊接头通过通孔与聚四氟乙烯腔体筒相连通。
2.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,其特征在于:所述腔体底座的大端口与腔体盖的大端口相适配。
3.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,其特征在于:所述腔体盖上固定安装有拉动把手。
4.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,其特征在于:所述外腔体筒采用plasma腔体简。
5.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,其特征在于:所述法兰焊接头的端口与腔体底座的内腔相连通。
6.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体,其特征在于:所述法兰焊接头采用KF法兰焊接头。
CN202020281180.6U 2020-03-09 2020-03-09 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体 Active CN211734467U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020281180.6U CN211734467U (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020281180.6U CN211734467U (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN211734467U true CN211734467U (zh) 2020-10-23

Family

ID=72857784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020281180.6U Active CN211734467U (zh) 2020-03-09 2020-03-09 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN211734467U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113529056A (zh) * 2021-07-16 2021-10-22 中科微光子科技(成都)有限公司 一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法
CN115341196A (zh) * 2022-08-22 2022-11-15 江苏微导纳米科技股份有限公司 反应腔体门盖组件及镀膜设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113529056A (zh) * 2021-07-16 2021-10-22 中科微光子科技(成都)有限公司 一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法
CN115341196A (zh) * 2022-08-22 2022-11-15 江苏微导纳米科技股份有限公司 反应腔体门盖组件及镀膜设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN211734467U (zh) 一种电容耦合等离子体原子层沉积反应腔体
CN111020534B (zh) 镀膜设备
JP5512886B2 (ja) 薄膜太陽電池の堆積のための表面給電電極およびその信号給電方法
CN111155302B (zh) 一种石墨烯复合碳纤维及其pecvd制备方法
WO2011153674A1 (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
JP2007284791A (ja) プラズマ化学気相成長法に基づく多層薄膜構造の製造方法
CN103045983B (zh) 一种表面含钨涂层的碳纤维基高温隔热材料的制备方法
CN104593729A (zh) 防止蒸镀材料喷溅及塞孔的坩埚
Zhong et al. Rapid, Universal Surface Engineering of Carbon Materials via Microwave‐Induced Carbothermal Shock
JP5726073B2 (ja) プラズマを用いる形式の化学反応によって、基板上に層を析出する方法
CN204167256U (zh) 一种应用于气相/气固相反应的等离子体反应器
WO2024027294A1 (zh) 热丝化学气相沉积设备、硅基薄膜沉积方法及太阳能电池
CN108728801A (zh) 蒸镀装置及蒸镀方法
CN103938185B (zh) 一种管状零件内孔涂层的制备方法
CN106011786B (zh) 大气压弥散放电装置及金属表面沉积类SiO2薄膜方法
CN101831626B (zh) 一种化学气相沉积金刚石装置
CN116162922B (zh) 处理腔室、基片处理方法及处理装置
CN106555175A (zh) 一种高密度等离子体增强化学气相沉积设备
CN218059190U (zh) 化学气相沉积炉
CN109267037A (zh) 常压等离子体增强化学气相沉积方法及采用该方法的设备
CN102674679A (zh) 一种多晶硅还原炉内衬涂层及其制造方法
CN213357746U (zh) 一种制备Topcon电池钝化膜层的装置
CN107995767A (zh) 一种高效稳定的电弧等离子体源
CN204779803U (zh) 用于管内壁镀膜的装置
CN207276694U (zh) 一种通过离子轰击进行表面处理的加热炉

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant