CN113529056A - 一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及无源器件自动加工领域，具体是涉及一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法，包括工作台、反应腔、固定组件、旋转组件和制备机构，将半导体衬底放入其中一个反应腔中，通过固定组件使得半导体衬底无法移动，通过反应腔提供制备的密闭空间，同时启动旋转组件和第一制备组件，旋转组件驱动固定组件转动，第一制备组件在反应腔充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层，完成后将半导体衬底取出放入另一个反应腔内，通过第二制备组件在反应腔充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品，操作简单，同时两个反应腔分别制备，提高了制备的效率。

Description

一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法

技术领域

本发明涉及无源器件自动加工领域，具体是涉及一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法。

背景技术

电子元器件中，有源器件已经实现了高度集成化，而无源器件很长时间以来都是以分立元件的形式被使用，因此，电子系统的小型化和集成化主要依赖于无源器件的小型化和集成化，现有技术中无源器件的集成技术主要包括薄膜集成技术、低温共烧陶瓷技术、印制电路板集成技术、以及多芯片组件技术等，其中利用薄膜集成技术进行无源器件的集成，可以实现成本和性能的最优组合，是一种最具发展潜力的无源器件集成技术，但是现有技术中还有操作比较复杂，制备效率较低的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，提供一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法。

为达到以上目的，本发明采用的技术方案为：

一种用以制备无源器件的自动化设备，包括：

工作台，用于提供设备放置的容置空间；

所述工作台还包括有：

反应腔，位于工作台的顶部，用于提供制备无源器件的密闭空间；反应腔具有两个，两个反应腔内均设有固定组件和旋转组件，固定组件位于反应腔的底部，用于固定无源器件的半导体衬底；

旋转组件位于固定组件的底部，用于驱动固定组件转动；

制备机构，所述制备机构包括第一制备组件和第二制备组件，第一制备组件和第二制备组件分别位于两个反应腔的顶部，

第一制备组件用于在反应腔充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

第二制备组件用于在反应腔充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品。

优选的，所述反应腔为圆筒状结构，反应腔分为腔体和盖体，盖体的一侧设有连接轴，盖体通过连接轴与工作台轴接，盖体的连接轴的上方设有拉手，拉手与盖体轴接，工作台内轴接有直线驱动器，直线驱动器的输出轴与拉手轴接，盖体上远离拉手的一侧设有把手，盖体与腔体之间设置有密封圈，用于密封所述腔体，盖体的顶部设有与第一制备组件和第二制备组件相互匹配的进气孔。

优选的，所述旋转组件包括旋转驱动器和旋转轴，工作台内水平设置有隔板，旋转驱动器位于工作台的隔板上，旋转轴位于旋转驱动器上方，且旋转驱动器的输出轴与旋转轴固定连接，旋转轴远离旋转驱动器的一端与固定组件固定连接。

优选的，所述固定组件为一个圆盘状的承载台，承载台的内部为空心结构，承载台的上方设有若干个通孔，承载台的内部通过与外部风机连接。

优选的，所述第一制备组件和第二制备组件的结构完全一致，均包括制备筒、气管、原料罐和喷嘴，原料罐具有若干个，所有原料罐均位于工作台的旁侧，制备筒位于反应腔的顶部，制备筒的顶部设有若干个制备孔，喷嘴位于制备筒的底部，气管位于原料罐和制备孔之间。

优选的，所述工作台内还设有真空组件，真空组件包括真空泵和管道，真空泵位于工作台的内部，腔体的底部设有抽气孔，两个反应腔的抽气孔和真空泵之间通过管道连接，用于将反应腔内的气体抽走。

优选的，所述工作台的旁侧还设有废气处理装置，用于将制备机构产生的废气排出并处理，盖体的边缘上设有出气孔，废气处理装置通过废气管与盖体的出气孔连接。

优选的，所述承载台的下方还设有加热片，加热片上也开设有圆孔与通孔相互匹配，加热片用于对承载台进行加热，加热片与外部电源连接。

优选的，所述反应腔由不锈钢或者石英材料制成，腔体的内部由石英或者高温陶瓷所构成，所述固定组件由石墨材料制成。

本发明提供的一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法，包括有以下步骤：

S1、将半导体衬底放入其中一个反应腔内；

S2、通过反应腔内的固定组件将半导体衬底固定，使其无法移动，旋转组件开始驱动固定组件旋转，从而带动半导体衬底旋转；

S3、通过启动真空组件将反应腔内的气体抽走，使得反应腔内处于真空状态，并通过连通电源，通过加热片对承载台进行加热，从而将热量传递至半导体衬底；

S4、启动与反应腔对应的第一制备组件，第一制备组件对反应腔内充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

S5、反应产生的气体通过废气处理装置回收并处理；

S6、将已制备绝缘介质层的半导体衬底放入另一个反应腔内，重复S2和S3的步骤；

S7、启动与反应腔对应的第二制备组件，第二制备组件对反应腔内充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上形成金属层；

S8、重复S5的步骤。

本发明与现有技术相比具有的有益效果是：

1.本发明通过启动旋转驱动器，旋转驱动器的输出轴带动了旋转轴的转动，旋转轴带动了固定组件的转动，从而使得固定组件上半导体衬底也随着旋转，从而使得沉积的化学气体反应产物均匀的沉积在半导体衬底上，从而形成绝缘介质层和金属层，提高沉积的质量，解决了在第一制备组件和第二制备组件制备绝缘介质层和金属层的时候，化学沉积的产物落至半导体衬上，可能造成半导体衬上无法均匀的沉积反应产物的技术问题；

2.本发明通过连通电源，使得加热片的电阻发热，从而将热量传递至承载台，通过承载台加热半导体衬底，使得半导体衬底被加热促成绝缘介质层和金属层的形成，只对产物形成的半导体衬底部分进行加热，就可使得反应产物进行外延,设备结构简单，减少了能源消耗，同时缩短了冷却的时间，提高了制备效率，加热片上的圆孔为了不阻碍承载台的通孔的工作，方便承载台对半导体衬底进行固定，解决了在制备机构制备绝缘介质层和金属层时，需要对半导体衬底进行加热，从而便于发生反应，一般会通过加热整个反应腔来控制温度，但是会造成能源的大量消耗，同时增加冷却的时间的技术问题；

3.本发明通过启动真空泵，通过管道将反应腔内的气体抽走，使得反应腔内处于真空状态，真空环境下生成的绝缘介质层和金属层质量更好，且可以提高制备的反应效率，解决了提高绝缘介质层和金属层质量的技术问题。

附图说明

图1为本发明的整体的立体结构示意图；

图2为本发明的整体的正视图；

图3为本发明的整体的顶视图；

图4为本发明的工作台和反应腔的立体结构示意图一；

图5为本发明的工作台和反应腔的立体结构示意图二；

图6为本发明的反应腔的立体结构示意图一；

图7为本发明的反应腔的立体结构示意图二；

图8为本发明的图3中A-A处剖面示意图；

图9为本发明的反应腔的侧视图；

图10为本发明的固定组件的立体结构示意图；

图11为本发明的加热组件的立体结构示意图；

图12为本发明的制备机构的侧视图；

图13为本发明的固定组件和旋转组件的剖面示意图；

图中标号为：

1-工作台；

2-反应腔；2a-腔体；2b-盖体；2b1-连接轴；2b2-把手；2b3-拉手；2b4-进气孔；2c-直线驱动器；

3-固定组件；3a-承载台；3b-通孔；

4-旋转组件；4a-旋转驱动器；4b-旋转轴；4c-隔板；

5-制备机构；5a-第一制备组件；5a1-制备筒；5a2-气管；5a3-原料罐；5a4-喷嘴；5b-第二制备组件；

6-废气处理装置；6a-废气管；6b-出气孔；

7-真空组件；7a-真空泵；7b-管道；7c-抽气孔；

8-加热组件；8a-加热片；8b-圆孔。

具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。

为了解决自动制备无源器件的技术问题，如图1-13所示，提供以下技术方案：

一种用以制备无源器件的自动化设备，包括：

工作台1，用于提供设备放置的容置空间；

所述工作台1还包括有：

反应腔2，位于工作台1的顶部，用于提供制备无源器件的密闭空间；反应腔2具有两个，两个反应腔2内均设有固定组件3和旋转组件4，固定组件3位于反应腔2的底部，用于固定无源器件的半导体衬底；

旋转组件4位于固定组件3的底部，用于驱动固定组件3转动；

制备机构5，所述制备机构5包括第一制备组件5a和第二制备组件5b，第一制备组件5a和第二制备组件5b分别位于两个反应腔2的顶部，

第一制备组件5a用于在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

第二制备组件5b用于在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品。

首先将半导体衬底放入其中一个反应腔2内，通过固定组件3使得半导体衬底无法移动，通过反应腔2提供制备的密闭空间，同时启动旋转组件4和第一制备组件5a，旋转组件4驱动固定组件3转动，第一制备组件5a在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层，完成后将半导体衬底取出放入另一个反应腔2内，通过固定组件3使得半导体衬底无法移动，同时启动旋转组件4和第二制备组件5b，第二制备组件5b在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品，操作简单，同时两个反应腔分别制备，提高了制备的效率。

在对半导体衬底制备提供绝缘介质层和金属层时，需要密闭的容置室，且方便将半导体衬底放置于容置室内，为了解决这一技术问题，如图1-8所示，提供以下技术方案：

所述反应腔2为圆筒状结构，反应腔2分为腔体2a和盖体2b，盖体2b的一侧设有连接轴2b1，盖体2b通过连接轴2b1与工作台1轴接，盖体2b的连接轴2b1的上方设有拉手2b3，拉手2b3与盖体2b轴接，工作台1内轴接有直线驱动器2c，直线驱动器2c的输出轴与拉手2b3轴接，盖体2b上远离拉手2b3的一侧设有把手2b2，盖体2b与腔体2a之间设置有密封圈，用于密封所述腔体2a，盖体2b的顶部设有与第一制备组件5a和第二制备组件5b相互匹配的进气孔2b4。

当盖体2b和腔体2a闭合时，通过密封圈使得反应腔2内形成密闭的空间，使得内部的气体不会溢出，便于第一制备组件5a和第二制备组件5b对于腔体2a内的半导体衬底制备绝缘介质层和金属层；盖体2b上的把手2b2便于作业人员打开盖体2b；拉手2b3通过与直线驱动器2c的输出轴轴接，通过启动直线驱动器2c，直线驱动器2c的输出轴收缩，使得拉手2b3拉动盖体2b以盖体2b的连接轴2b1的轴线为中心旋转，从而打开盖体2b，从而实现自动打开盖体2b；两个反应腔2的进气孔2b4分别与第一制备组件5a和第二制备组件5b相连接，方便第一制备组件5a和第二制备组件5b对其充入气体。

在第一制备组件5a和第二制备组件5b制备绝缘介质层和金属层的时候，化学沉积的产物落至半导体衬上，可能造成半导体衬上无法均匀的沉积反应产物，为了解决这一技术问题，如图8、图10和图13所示，提供以下技术方案：

所述旋转组件4包括旋转驱动器4a和旋转轴4b，工作台1内水平设置有隔板4c，旋转驱动器4a位于工作台1的隔板4c上，旋转轴4b位于旋转驱动器4a上方，且旋转驱动器4a的输出轴与旋转轴4b固定连接，旋转轴4b远离旋转驱动器4a的一端与固定组件3固定连接。

当第一制备组件5a和第二制备组件5b开始在半导体衬底上制备绝缘介质层和金属层时，通过启动旋转驱动器4a，旋转驱动器4a的输出轴带动了与其固定连接的旋转轴4b的转动，旋转轴4b的转动带动了与其固定连接的固定组件3的转动，从而使得固定组件3上半导体衬底也随着旋转，从而使得沉积的化学气体反应产物均匀的沉积在半导体衬底上，从而形成绝缘介质层和金属层，提高沉积的质量。

为了解决固定半导体衬底的技术问题，如图10和图13所示，提供以下技术方案：

所述固定组件3为一个圆盘状的承载台3a，承载台3a的内部为空心结构，承载台3a的上方设有若干个通孔3b，承载台3a的内部通过与外部风机连接。

当半导体衬底放置于承载台3a上后，通过外部风机的工作，将承载台3a内部的空气抽走，使得承载台3a内形成复压，因半导体衬底放置于通孔3b上，通孔3b对于半导体衬底形成吸力，将半导体衬底固定于承载台3a上，从而提高半导体衬底在承载台3a上的稳定性，同时可以使得旋转组件4在旋转承载台3a时，不会将承载台3a上的半导体衬底通过离心力将其移动，从而更加均匀的沉积化学气体反应物。

为了解决在半导体衬底上制备金属层和绝缘介质层的技术问题，如图2-5和图12所示，提供以下技术方案：

所述第一制备组件5a和第二制备组件5b的结构完全一致，均包括制备筒5a1、气管5a2、原料罐5a3和喷嘴5a4，原料罐5a3具有若干个，所有原料罐5a3均位于工作台1的旁侧，制备筒5a1位于反应腔2的顶部，制备筒5a1的顶部设有若干个制备孔，喷嘴5a4位于制备筒5a1的底部，气管5a2位于原料罐5a3和制备孔之间。

当需要制备绝缘介质层和金属层时，通过打开原料罐5a3，将原料罐5a3内的气体通过气管5a2输送至制备孔，通过制备孔将几种原料的化学气体在制备筒5a1内充分混合，再通过喷嘴5a4喷出气体，使得气体在半导体衬底上形成化学反应，最后沉积在半导体衬底上形成绝缘介质层或者金属层，第一制备组件5a用于在半导体衬底上形成绝缘介质层，第二制备组件5b用于在半导体衬底上的绝缘介质层上形成金属层。

为了解决提高绝缘介质层和金属层质量的技术问题，如图8所示，提供以下技术方案：

所述工作台1内还设有真空组件7，真空组件7包括真空泵7a和管道7b，真空泵7a位于工作台1的内部，腔体2a的底部设有抽气孔7c，两个反应腔2的抽气孔7c和真空泵7a之间通过管道7b连接，用于将反应腔2内的气体抽走。

在腔体2a的闭合的情况下，通过启动真空泵7a，通过管道7b将反应腔2内的气体抽走，使得反应腔2内处于真空状态，真空环境下生成的绝缘介质层和金属层质量更好，且可以提高制备的反应效率。

为了解决制备绝缘介质层和金属层后废气的处理的技术问题，如图1所示，提供以下技术方案：

所述工作台1的旁侧还设有废气处理装置6，用于将制备机构5产生的废气排出并处理，盖体2b的边缘上设有出气孔6b，废气处理装置6通过废气管6a5a2与盖体2b的出气孔6b连接。

由于制备机构5在制备绝缘介质层和金属层时，化学反应会产生废气，废气中含有有毒有害物质，不能随便排放，通过盖体2b上的出气孔6b通过废气管6a5a2由废气处理装置6吸取，最后通过废气处理装置6的过滤后排出，已确保废气的安全排出，以免伤害到工作人员，同时伤害大气环境。

在制备机构5制备绝缘介质层和金属层时，需要对半导体衬底进行加热，从而便于发生反应，现有技术中，一般会通过加热整个反应腔2来控制温度，但是会造成能源的大量消耗，同时增加冷却的时间，为了解决这一技术问题，如图11和图13所示，提供以下技术方案：

所述承载台3a的下方还设有加热片8a，加热片8a上也开设有圆孔8b与通孔3b相互匹配，加热片8a用于对承载台3a进行加热，加热片8a与外部电源连接。

通过连通电源，使得加热片8a的电阻发热，从而将热量传递至承载台3a，通过承载台3a加热半导体衬底，使得半导体衬底被加热促成绝缘介质层和金属层的形成，只对产物形成的半导体衬底部分进行加热，就可使得反应产物进行外延,设备结构简单，减少了能源消耗，同时缩短了冷却的时间，提高了制备效率，加热片8a上的圆孔8b为了不阻碍承载台3a的通孔3b的工作，方便承载台3a对半导体衬底进行固定。

在制备组件工作的过程中，反应产物可能与反应腔2的内壁或者承载台3a产生反应，影响绝缘介质层和金属层的制备，为了解决这一技术问题，提供以下技术方案：

所述反应腔2由不锈钢或者石英材料制成，腔体2a的内部由石英或者高温陶瓷所构成，所述固定组件3由石墨材料制成。

石墨材料制成的固定组件3能够有效的吸收从加热组件8所提供的热量，从而使得固定组件3达到制备绝缘介质层和金属层所需的温度，而且不会与反应气体发生反应，反应腔2的石英材质或者不锈钢材质，为了确保腔体2a的坚固性，在真空条件下不会损坏，同时也能耐受一定的高温不会损坏。

本发明提供的一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法，包括有以下步骤：

S1、将半导体衬底放入其中一个反应腔2内；

S2、通过反应腔2内的固定组件3将半导体衬底固定，使其无法移动，旋转组件4开始驱动固定组件3旋转，从而带动半导体衬底旋转；

S3、通过启动真空组件7将反应腔2内的气体抽走，使得反应腔2内处于真空状态，并通过连通电源，通过加热片8a对承载台3a进行加热，从而将热量传递至半导体衬底；

S4、启动与反应腔2对应的第一制备组件5a，第一制备组件5a对反应腔2内充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

S5、反应产生的气体通过废气处理装置6回收并处理；

S6、将已制备绝缘介质层的半导体衬底放入另一个反应腔2内，重复S2和S3的步骤；

S7、启动与反应腔2对应的第二制备组件5b，第二制备组件5b对反应腔2内充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上形成金属层；

S8、重复S5的步骤。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

Claims (10)

1.一种用以制备无源器件的自动化设备，包括：

工作台(1)，用于提供设备放置的容置空间；

其特征在于，所述工作台(1)还包括有：

反应腔(2)，位于工作台(1)的顶部，用于提供制备无源器件的密闭空间；反应腔(2)具有两个，两个反应腔(2)内均设有固定组件(3)和旋转组件(4)，固定组件(3)位于反应腔(2)的底部，用于固定无源器件的半导体衬底；

旋转组件(4)位于固定组件(3)的底部，用于驱动固定组件(3)转动；

制备机构(5)，所述制备机构(5)包括第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)，第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)分别位于两个反应腔(2)的顶部，

第一制备组件(5a)用于在反应腔(2)充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

第二制备组件(5b)用于在反应腔(2)充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品。

2.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述反应腔(2)为圆筒状结构，反应腔(2)分为腔体(2a)和盖体(2b)，盖体(2b)的一侧设有连接轴(2b1)，盖体(2b)通过连接轴(2b1)与工作台(1)轴接，盖体(2b)的连接轴(2b1)的上方设有拉手(2b3)，拉手(2b3)与盖体(2b)轴接，工作台(1)内轴接有直线驱动器(2c)，直线驱动器(2c)的输出轴与拉手(2b3)轴接，盖体(2b)上远离拉手(2b3)的一侧设有把手(2b2)，盖体(2b)与腔体(2a)之间设置有密封圈，用于密封所述腔体(2a)，盖体(2b)的顶部设有与第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)相互匹配的进气孔(2b4)。

3.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述旋转组件(4)包括旋转驱动器(4a)和旋转轴(4b)，工作台(1)内水平设置有隔板(4c)，旋转驱动器(4a)位于工作台(1)的隔板(4c)上，旋转轴(4b)位于旋转驱动器(4a)上方，且旋转驱动器(4a)的输出轴与旋转轴(4b)固定连接，旋转轴(4b)远离旋转驱动器(4a)的一端与固定组件(3)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述固定组件(3)为一个圆盘状的承载台(3a)，承载台(3a)的内部为空心结构，承载台(3a)的上方设有若干个通孔(3b)，承载台(3a)的内部通过与外部风机连接。

5.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述第一制备组件(5a)和第二制备组件(5b)的结构完全一致，均包括制备筒(5a1)、气管(5a2)、原料罐(5a3)和喷嘴(5a4)，原料罐(5a3)具有若干个，所有原料罐(5a3)均位于工作台(1)的旁侧，制备筒(5a1)位于反应腔(2)的顶部，制备筒(5a1)的顶部设有若干个制备孔，喷嘴(5a4)位于制备筒(5a1)的底部，气管(5a2)位于原料罐(5a3)和制备孔之间。

6.根据权利要求2所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述工作台(1)内还设有真空组件(7)，真空组件(7)包括真空泵(7a)和管道(7b)，真空泵(7a)位于工作台(1)的内部，腔体(2a)的底部设有抽气孔(7c)，两个反应腔(2)的抽气孔(7c)和真空泵(7a)之间通过管道(7b)连接，用于将反应腔(2)内的气体抽走。

7.根据权利要求2所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述工作台(1)的旁侧还设有废气处理装置(6)，用于将制备机构(5)产生的废气排出并处理，盖体(2b)的边缘上设有出气孔(6b)，废气处理装置(6)通过废气管(6a)(5a2)与盖体(2b)的出气孔(6b)连接。

8.根据权利要求4所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述承载台(3a)的下方还设有加热片(8a)，加热片(8a)上也开设有圆孔(8b)与通孔(3b)相互匹配，加热片(8a)用于对承载台(3a)进行加热，加热片(8a)与外部电源连接。

9.根据权利要求1所述的一种用以制备无源器件的自动化设备，其特征在于，所述反应腔(2)由不锈钢或者石英材料制成，腔体(2a)的内部由石英或者高温陶瓷所构成，所述固定组件(3)由石墨材料制成。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的一种用以制备无源器件的自动化设备的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：

S1、将半导体衬底放入其中一个反应腔(2)内；

S2、通过反应腔(2)内的固定组件(3)将半导体衬底固定，使其无法移动，旋转组件(4)开始驱动固定组件(3)旋转，从而带动半导体衬底旋转；

S3、通过启动真空组件(7)将反应腔(2)内的气体抽走，使得反应腔(2)内处于真空状态，并通过连通电源，通过加热片(8a)对承载台(3a)进行加热，从而将热量传递至半导体衬底；

S4、启动与反应腔(2)对应的第一制备组件(5a)，第一制备组件(5a)对反应腔(2)内充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

S5、反应产生的气体通过废气处理装置(6)回收并处理；

S6、将已制备绝缘介质层的半导体衬底放入另一个反应腔(2)内，重复S2和S3的步骤；

S7、启动与反应腔(2)对应的第二制备组件(5b)，第二制备组件(5b)对反应腔(2)内充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上形成金属层；

S8、重复S5的步骤。

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