CN211713253U - 立式氧化镓生长炉 - Google Patents
立式氧化镓生长炉 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211713253U CN211713253U CN202020241848.4U CN202020241848U CN211713253U CN 211713253 U CN211713253 U CN 211713253U CN 202020241848 U CN202020241848 U CN 202020241848U CN 211713253 U CN211713253 U CN 211713253U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flange
- quartz
- tube
- gallium oxide
- hearth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种立式氧化镓生长炉，包括上炉膛和下炉膛；其内贯穿设置有石英外管，外管内套接有通过水平连接板固定的内管，所述水平连接板上开设有透气孔，所述内管内设置有位于中部的搁板，所述搁板上放置有用于盛装镓催化剂的坩埚，内管的两端分别位于上炉膛的顶部开口处和下炉膛的中部；且石英内外管两端采用水冷式封堵结构，管内间隔设置有用于用于放置镓催化剂的坩埚和用于放置蓝宝石片的石英托盘，顶部设置有分别通向内外管的进气石英管，底部设置有出气管和抽真空管。本实用新型结构紧凑合理，操作方便快捷，可以轻松实现实验室小批量氧化镓的制作，有助于对新材料进行研究。
Description
技术领域
本实用新型涉及加热炉技术领域，尤其是涉及一种立式氧化镓生长炉。
背景技术
随着微波器件及光电子器件的发展，Ⅲ-Ⅴ族材料得到了快速发展，但对于需要在大功率、高频、高速、高温以及在恶劣环境中工作的器件材料的选择，要求则愈来愈高的。氧化镓的带隙大于硅、氮化镓和碳化硅，是一种新兴的宽禁带功率半导体材料，但目前没有专用的用于氧化镓晶体生长的设备，给科学研究带来了一定的困难。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型提供一种立式氧化镓生长炉，其采取下述技术方案：
本实用新型所述的立式氧化镓生长炉，包括
炉膛，其由加热温度不同的上炉膛和下炉膛组成；
石英管，其包括贯穿设置在上炉膛和下炉膛内的外管，所述外管内套接有通过水平连接板固定的内管，所述水平连接板上开设有透气孔，所述内管内设置有位于中部的搁板，所述搁板上放置有用于盛装镓催化剂的坩埚，内管的两端分别位于上炉膛的顶部开口处和下炉膛的中部；
封堵部，其包括设置在外管两端的上水冷法兰和下水冷法兰，所述上水冷法兰上设置有上盖合法兰，所述上盖合法兰上通过吊丝连接有位于内管顶部的上石英隔热塞；所述下水冷法兰通过中间法兰和下盖合法兰相连，所述中间法兰通过卡箍与下盖合法兰活动相连，所述下盖合法兰上设置有向顶部延伸设置的刚玉棒，所述刚玉棒上套接有位于外管底部的下石英隔热塞，刚玉棒顶部设置有用于放置蓝宝石片的石英托盘，所述石英托盘与内管底部相距1-3mm；
通气部，其包括穿过上盖合法兰和上石英隔热塞设置的第一进气石英管和第二进气石英管，所述第一进气石英管的出口端位于内管中并靠近所述坩埚设置，所述第二进气石英管的出口端位于内管和外管之间并靠近第一块所述水平连接板设置；还包括设置在下盖合法兰上的出气管和抽真空管。
所述刚玉棒通过骑马卡与下盖合法兰连接。
所述中间法兰和下盖合法兰之间设置有密封圈，所述卡箍为链式快拆卡箍。
所述第一进气石英管和第二进气石英管均通过快装不锈钢法兰与上盖合法兰相连。
所述刚玉棒为三根。
所述下盖合法兰与手动滚珠丝杠式升降机构相连。
所述第一进气石英管的进口端设置有压力表。
所述石英托盘与内管底部相距2mm。
本实用新型提供的立式氧化镓生长炉，结构紧凑合理，操作方便快捷，可以轻松实现实验室小批量氧化镓的制作，有助于对新材料进行研究。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的左视图。
图3是图1中的A-A向视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述实施例。
如图1-3所示，本实用新型所述的立式氧化镓生长炉，包括炉膛、石英管、封堵部和通气部。
具体地，在机架左侧设置炉膛，其由独立控制加热温度的上炉膛1.1和下炉膛1.2组成；石英管为双层管，其包括贯穿安装在上炉膛1.1和下炉膛1.2内的外管2.1，外管2.1内套接有通过多个（图1中为2个）水平连接板2.2固定的内管2.3，水平连接板2.2上开设有透气孔，内管2.3内安装有位于中部的搁板，搁板上放置有用于盛装镓催化剂的坩埚2.4，内管2.3的两端分别位于上炉膛1.1的顶部开口处和下炉膛1.2的中部；封堵部，包括安装在外管2.1两端的上水冷法兰3.1和下水冷法兰3.2，其中，上水冷法兰3.1上安装有上盖合法兰3.3，上盖合法兰3.3上通过吊丝连接有位于内管2.3顶部的上石英隔热塞3.4；下水冷法兰3.2通过中间法兰3.5和下盖合法兰3.6相连，下盖合法兰3.6和中间法兰3.5之间安装有密封圈，且中间法兰3.5通过链式快拆卡箍3.7与下盖合法兰3.6活动相连。下盖合法兰3.6上通过骑马卡3.8连接有三根向顶部延伸的刚玉棒3.9，刚玉棒3.9上套接有位于外管2.1底部的下石英隔热塞3.10，刚玉棒3.9顶部安装有用于放置蓝宝石片的石英托盘3.11，石英托盘3.11与内管2.3底部相距2mm；通气部，包括穿过上盖合法兰3.3和上石英隔热塞3.4安装的第一进气石英管4.1和第二进气石英管4.2，第一进气石英管4.1的进口端通过三通连接有压力表4.3，出口端位于内管2.3中并靠近坩埚2.4设置，第二进气石英管4.2的出口端则位于内管2.3和外管2.1之间并靠近第一块水平连接板2.2设置；还包括连接在下盖合法兰3.6上的出气管4.4和抽真空管4.5。上述第一进气石英管4.1和第二进气石英管4.2均通过快装不锈钢法兰与上盖合法兰3.3相连。
为了方便操作，将下盖合法兰3.6连接在位于机架下方的手动滚珠丝杠式升降机构上。具体地，手动滚珠丝杠式升降机构是由底部的手轮5.1通过联轴器与十字转向器5.2连接，十字转向器5.2通过联轴器与滚珠丝杠5.3连接实现下盖合法兰3.6的上下移动。
另外，在机架上还安装有与PLC、温度传感器和各控制元件等相连的触摸显示屏6，从而实现便捷的自动化操作。
使用时，首先根据实验要求调整好第一进气石英管4.1、第二进气石英管4.2、出气管4.4和抽真空管4.5的开合状态，打开循环冷却水冷却上水冷法兰3.1和下水冷法兰3.2里面的密封圈，然后在触摸屏6上设置好上炉膛1.1和下炉膛1.2两个加热温区的升温曲线，再将蓝宝石片放到石英托盘3.11上，手摇手轮5.1使得下盖合法兰3.6与中间法兰3.5相贴合，锁紧链式快拆卡箍3.7后，开始升温，通气体，待试验结束后，松开链式快拆卡箍3.7，手摇手轮5.1使得下盖合法兰3.6落到底，然后取出样品即可。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
Claims (8)
1.一种立式氧化镓生长炉，其特征在于：包括
炉膛，其由加热温度不同的上炉膛和下炉膛组成；
石英管，其包括贯穿设置在上炉膛和下炉膛内的外管，所述外管内套接有通过水平连接板固定的内管，所述水平连接板上开设有透气孔，所述内管内设置有位于中部的搁板，所述搁板上放置有用于盛装镓催化剂的坩埚，内管的两端分别位于上炉膛的顶部开口处和下炉膛的中部；
封堵部，其包括设置在外管两端的上水冷法兰和下水冷法兰，所述上水冷法兰上设置有上盖合法兰，所述上盖合法兰上通过吊丝连接有位于内管顶部的上石英隔热塞；所述下水冷法兰通过中间法兰和下盖合法兰相连，所述中间法兰通过卡箍与下盖合法兰活动相连，所述下盖合法兰上设置有向顶部延伸设置的刚玉棒，所述刚玉棒上套接有位于外管底部的下石英隔热塞，刚玉棒顶部设置有用于放置蓝宝石片的石英托盘，所述石英托盘与内管底部相距1-3mm；
通气部，其包括穿过上盖合法兰和上石英隔热塞设置的第一进气石英管和第二进气石英管，所述第一进气石英管的出口端位于内管中并靠近所述坩埚设置，所述第二进气石英管的出口端位于内管和外管之间并靠近第一块所述水平连接板设置；还包括设置在下盖合法兰上的出气管和抽真空管。
2.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述刚玉棒通过骑马卡与下盖合法兰连接。
3.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述中间法兰和下盖合法兰之间设置有密封圈，所述卡箍为链式快拆卡箍。
4.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述第一进气石英管和第二进气石英管均通过快装不锈钢法兰与上盖合法兰相连。
5.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述刚玉棒为三根。
6.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述下盖合法兰与手动滚珠丝杠式升降机构相连。
7.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述第一进气石英管的进口端设置有压力表。
8.根据权利要求1所述的立式氧化镓生长炉，其特征在于：所述石英托盘与内管底部相距2mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020241848.4U CN211713253U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 立式氧化镓生长炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020241848.4U CN211713253U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 立式氧化镓生长炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211713253U true CN211713253U (zh) | 2020-10-20 |
Family
ID=73396613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020241848.4U Active CN211713253U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 立式氧化镓生长炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211713253U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112944914A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种立式氧化炉摆动炉门装置及立式氧化炉 |
-
2020
- 2020-03-03 CN CN202020241848.4U patent/CN211713253U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112944914A (zh) * | 2021-02-01 | 2021-06-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种立式氧化炉摆动炉门装置及立式氧化炉 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN202648375U (zh) | 一种高温高真空电阻炉 | |
| CN204570081U (zh) | 一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置 | |
| CN211713253U (zh) | 立式氧化镓生长炉 | |
| CN201933151U (zh) | 大型真空化学气相沉积石墨化处理多功能炉 | |
| CN102154699B (zh) | 一种生长蓝宝石单晶的方法和生长设备 | |
| CN206624946U (zh) | 一种用于制备磷化铟单晶的高压炉 | |
| CN202347065U (zh) | 一种二硫化钼微波脱硫装置 | |
| CN104263969B (zh) | 一种用于制备超高纯铝的炉胆装置和方法 | |
| CN206832039U (zh) | 具有可升降炉底板的真空感应炉 | |
| CN111005062B (zh) | 一种晶体生长装置 | |
| CN107249726A (zh) | 一种硅氧化合物的制造设备及制备方法 | |
| CN207358085U (zh) | 一种异型铸件浇注装置 | |
| CN214736217U (zh) | 一种制备半绝缘碳化硅单晶的装置 | |
| CN209854285U (zh) | 一种有效提高石英扩散炉内温度稳定性的保温桶 | |
| CN209443071U (zh) | 一种高纯钙真空蒸馏提纯装置 | |
| CN109210930B (zh) | 一种生产一氧化硅的多室卧式真空炉及一氧化硅制备方法 | |
| CN201493999U (zh) | 一种制膜箱 | |
| CN201942784U (zh) | 一种适于直拉法中20英寸硅单晶生长的热场装置 | |
| CN113375432A (zh) | 一种无水稀土卤化物提纯脱水设备 | |
| CN206308446U (zh) | 一种新型硅晶炉 | |
| CN205974546U (zh) | 一种电热恒温培养箱 | |
| CN221412262U (zh) | 一种碲蒸馏制备装置 | |
| CN105396525B (zh) | 一种密闭高温反应釜 | |
| CN108396388B (zh) | 立式烘烤氧化系统 | |
| CN218811773U (zh) | 一种装有保温机构的菌种发酵器皿 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |