CN211654824U - 透明oled基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备。所述透明OLED基板包括衬底、形成于所述衬底上的驱动电路层和形成于所述驱动电路层上的发光功能膜层。其中，所述驱动电路层包括多个第一驱动电路单元，所述第一驱动电路单元包括存储电容及第一晶体管，所述存储电容包括第一极板与第二极板；所述第一驱动电路单元具有第一导电层，所述第一导电层的一部分作为所述第一极板，另一部分作为所述第一晶体管的栅极。

Description

透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备

本申请是申请日为2018年12月28日、申请号为201822243869.5、发明创造的名称为“显示面板及显示装置”的申请的分案申请。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示屏上开槽(Notch)，在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等，但开槽区域并不能用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

实用新型内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种透明OLED基板，所述透明 OLED基板包括：

衬底；

形成于所述衬底上的驱动电路层；

形成于所述驱动电路层上的发光功能膜层；

其中，所述驱动电路层包括多个第一驱动电路单元，所述第一驱动电路单元包括存储电容及第一晶体管，所述存储电容包括第一极板与第二极板；所述第一驱动电路单元具有第一导电层，所述第一导电层的一部分作为所述第一极板，另一部分作为所述第一晶体管的栅极。如此设置，第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。其中，第一极板可为存储电容的上极板，第二极板可为存储电容的下极板。

在一个实施例中，所述驱动电路层还包括电源线、数据线、扫描线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层，所述驱动电路层还具有第二导电层，所述第二导电层的一部分作为所述第二极板，另一部分作为所述电源线；所述第一驱动电路单元还包括第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二导电层连接，所述第一晶体管的漏极与对应的阳极层连接，所述第二晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管的漏极分别与所述第一导电层连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线连接；如此设置，电源线、存储电容的第二极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在电源线、存储电容的第二极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述扫描线及所述阳极层由透明材料制成；如此，可使得透明OLED基板的驱动电路层的透光率较高，进而使得透明OLED基板的透光率提高。

优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％；

优选的，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。

在一个实施例中，所述驱动电路层还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层，所述驱动电路层还具有第三导电层，所述第三导电层的一部分作为所述第二极板，另一部分作为对应的阳极层；所述第一驱动电路单元还包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的源极与所述数据线连接，所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一导电层连接，所述第一晶体管的漏极与所述电源线连接，所述第一晶体管的源极与所述第三导电层连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第四晶体管的源极与所述参考电位线连接，所述第四晶体管的漏极与所述第三导电层连接；如此设置，阳极层、存储电容的第二极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在阳极层、存储电容的第二极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

优选的，所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述参考电位线及所述阳极层由透明材料制成；如此，可使得透明OLED基板的驱动电路层的透光率较高，进而使得透明OLED基板的透光率提高。

优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％；

优选的，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种透明显示面板，所述透明显示面板包括上述的透明OLED基板及第一封装层，所述第一封装层设置在所述透明OLED基板的背离所述衬底的一侧。

上述的透明显示面板，由于其透明OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一OLED基板及第二OLED基板，所述第一OLED基板包括上述的透明OLED 基板，所述第二OLED基板为非透明OLED基板；

所述第一OLED基板与所述第二OLED基板共用同一衬底，且所述第一 OLED基板的发光功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一工艺中形成。

上述的阵列基板，由于其第一OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

在一个实施例中，所述第一OLED基板至少部分被所述第二OLED基板包围；

优选的，所述第二OLED基板的驱动电路层包括多个第二驱动电路单元，所述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的数量。如此设置，第一驱动电路单元的结构复杂度小于第二驱动电路单元的结构复杂度，从而第一OLED基板的驱动电路层的导电层的面积较小，从而可提高第一OLED基板的透光率。

根据本申请实施例的第四方面，提供了一种显示屏，所述显示屏包括上述的阵列基板及第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述阵列基板上，所述阵列基板的第一OLED基板下方可设置感光元件。

上述的显示屏，由于其第一OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程，进而简化第一OLED基板的的驱动电路层的制备工艺流程。

根据本申请实施例的第五方面，提供了一种显示设备，所述显示设备包括：

设备本体，具有器件区；

上述的显示屏，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述第一OLED基板下方，且所述器件区中设置有透过所述第一OLED基板进行光线采集的感光元件。

优选的，所述感光元件包括摄像头和/或光线感应器。

本申请实施例提供的透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备，由于透明OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的导电结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程，进而简化透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备的制备工艺流程。

附图说明

图1是本申请实施例提供的显示面板的俯视图；

图2为图1所示的显示面板沿CC’进行剖切的剖视图；

图3是图1所示的一种显示面板沿CC’进行剖切的部分剖视图；

图4是图1所示的显示面板的衬底的剖视图；

图5是图1所示的另一种显示面板沿CC’进行剖切的部分剖视图；

图6为本申请实施例提供的一种显示面板的第一显示区的剖视图；

图7是本申请实施例提供的一种第一驱动电路单元的电路图；

图8是本申请实施例提供的另一种显示面板的第一显示区的剖视图；

图9是本申请实施例提供的另一种第一驱动电路单元的电路图；

图10是本申请实施例提供的显示装置的侧视图；

图11是图10所示的显示装置的设备本体的结构示意图；

图12是本申请实施例提供的透明OLED基板的结构示意图；

图13是本申请实施例提供的一种透明OLED基板的剖视图；

图14是本申请实施例提供的另一种透明OLED基板的剖视图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

下面结合附图，对本申请实施例中的显示面板及其制备方法进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。

在诸如手机和平板电脑等智能电子设备上，由于需要集成诸如前置摄像头、光线感应器等感光元件，为了实现全面屏，则可将感光元件设置在电子设备的显示面板的背光面。一般现有的显示面板的透光率较低，设置在显示面板的背光面的感光元件难以接收到足够的光线，导致感光元件无法正常工作，例如设置在显示面板的背光面的摄像头采集的光线较少，拍摄的图像的质量较差。

经发明人研究发现，出现这种问题的原因在于，显示面板的膜层的厚度大而导致其透光率低。

为解决上述问题，本申请实施例提供了一种显示面板。图1为本申请实施例提供的显示面板的俯视图，图2为图1所示的显示面板沿CC’的剖视图。如图 1和图2所示，所述显示面板100具有第一显示区A及第二显示区B，所述第一显示区A下方可设置感光元件。所述显示面板100包括位于第一显示区A和第二显示区B的衬底1、驱动电路层2、发光功能膜层3及导电层4。所述驱动电路层2形成于所述衬底1上，所述发光功能膜层3形成于所述驱动电路层2上，所述导电层4形成于所述发光功能膜层3上，位于所述第一显示区A的导电层的厚度d1小于位于所述第二显示区B的导电层的厚度d2。

在本申请实施例中，为描述方便，将由衬底1指向驱动电路层2的方向定义为上，将由驱动电路层2指向衬底1的方向定义为下，以此确定出上下方向。容易理解，不同的方向定义方式并不会影响工艺的实质操作内容以及产品的实际形态。

本申请实施例提供的显示面板100，由于位于第一显示区A的导电层的厚度小于位于第二显示区B的导电层的厚度，可使得第一显示区A的透光率大于第二显示区B的透光率，从而设置于第一显示区A下方的感光元件可接收到足够的光线，保证感光元件可正常工作。

所述第二显示区B可至少部分包围所述第一显示区A，图1所示的显示面板100中，所述第二显示区B全部包围所述第一显示区A，在其他实施例中，所述第二显示区B可部分包围所述第一显示区A。所述第二显示区B为显示面板100的主要显示区域，通常占据显示面板90％以上的面积，第一显示区A的下方通常可用于设置摄像头、光线传感器等感光器件。

在一个实施例中，参见图3，导电层4位于所述第一显示区A的部分为第一子导电层41，导电层4位于第二显示区的部分包括第二子导电层42和位于第二子导电层42上的第三子导电层43。

其中，第一子导电层41的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌；或者，第一子导电层41的材料包括Mg和Ag中的至少一种。优选的，第一子导电层41包括Mg和Ag两种材料，且Mg的质量与Ag的质量的比例范围为1:4～1:20。如此设置，可保证第一显示区A的透光率较大，从而设置在第一显示区A下方的传感器可接收更多的光线。

第二子导电层42和第三子导电层43中的一层可与第一子导电层41的材质相同且在同一工艺步骤中形成。当第二子导电层42与第一子导电层41同时形成时，在形成导电层4时，先同时形成第二子导电层42与第一子导电层 41，之后再在第二子导电层42上形成第三子导电层43，第二子导电层42与第一子导电层41的材料相同，第三子导电层43的材料可包括Mg和Ag中的至少一种。当第三子导电层43与第一子导电层41同时形成时，在形成导电层4时，首先形成第二子导电层42，再同时形成第一子导电层41和第三子导电层 43，第一子导电层41和第三子导电层43的材料相同，第二子导电层42的材料可包括Mg和Ag中的至少一种。

在一个实施例中，所述导电层4可为阴极层。其中，阴极层可以是面电极，覆盖显示面板100的整个区域。也即是，第一子导电层41覆盖第一显示区域A，第二子导电层42与第三子导电层43覆盖第二显示区B。

在一个实施例中，位于所述第一显示区A的第一子导电层41的厚度与位于第二显示区B的导电层的厚度(也即是第二子导电层42和第三子导电层43的总厚度)的比例范围可为0.25:1～0.85:1，例如可为0.3、0.5、0.7、0.85等。其中，本申请实施例中，厚度指的是膜层在上下方向上的尺寸。

进一步地，位于所述第一显示区A的第一子导电层41的厚度范围可为 5～10nm，位于第二显示区B的第二子导电层42和第三子导电层43的总厚度的范围可为12～20nm。如此设置，可保证第一子导电层41的透光率较好，同时保证导电层4的导电性能及机械性能良好，确保显示面板100可正常工作。

在一个实施例中，发光功能膜层3可包括有机发光材料和公共层。其中，公共层可包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层。电子注入层及电子传输层位于有机发光材料和导电层4之间，空穴注入层和空穴传输层位于驱动电路层2与发光功能膜层3之间。其中，电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层均为整层设置，覆盖第一显示区A及第二显示区B。

进一步地，所述电子注入层的材料包括Ag，以及Mg、K、Li、Cs中的至少一种。优选的，所述电子注入层中Ag的质量与所述电子注入层的总质量的比例范围为1:5～1:21，也即是电子注入层中Ag的质量与其他组分的质量的比值范围为1:4～1:20。

显示面板100还可包括与发光功能膜层3同层设置的像素限定层7，像素限定层7上可开设有像素开口，发光功能膜层3的有机发光材料设置在像素开口内。

在一个实施例中，再次参见图1，所述衬底1可包括第一衬底11及第二衬底12，所述第一衬底11位于第一显示区A，所述第二衬底12位于第二显示区 B，所述第一衬底11的透光率大于第二衬底12的透光率。如此，可使得第一显示区A的透光率较大，更利于设置在第一显示区A下方的感光元件接收较多的光线。

所述衬底1可为柔性衬底或刚性衬底。刚性衬底例如可以是玻璃基板、石英衬底或者塑料衬底等透明衬底。

所述衬底1为柔性衬底时，参见图4，所述第二衬底12可为多层有机材料层和多层无机材料层交叠的叠层；所述第一衬底至少包括透明材料层111，所述第一衬底11的厚度与所述第二衬底12的厚度相同。第一衬底11的厚度与所述第二衬底12的厚度相同时，利于将显示面板100整体设置为同样的厚度，从容使显示面板100整体更加美观。

为保证第一衬底11的透光率较高，透明材料层111的材料需采用高透光率的材料。优选的，所述第一衬底11的透明材料层111的透光率可大于90％。进一步地，第一衬底11的透明材料层111的材料可包括PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)中的至少一种。PET及PC的透光率均为92％，可使得第一衬底11的透光率较高。

为了保证显示面板100工作时第二显示区B的亮度较高，需使第二显示区 B的透光率较低，以减小第二显示区B的亮度损失。所述第二显示区B的第二衬底12的透光率可在30％-60％以内，以降低第二显示区B的透光率，提高第二显示区B在显示时的亮度。

其中，第二衬底12的有机材料层的材质可为PI(聚酰亚胺)，PI的折射率与PET及PC的折射率差别不大，则第一衬底11与第二衬底12的折射率接近，从而可避免因第一衬底11与第二衬底12的折射率不同而导致第一显示区A与第二显示区B的显示效果差别较大，使显示面板100的整体效果比较一致。其中，第二衬底12的无机材料层的材料可为SiO₂、SiNx等。

进一步地，所述第一衬底11还包括有机材料层与无机材料层交叠的叠层112，所述第一衬底11的叠层112与所述第二衬底12的叠层121共用一部分膜层材料。具体地，第一衬底11的有机材料层与第二衬底12的位于同层的有机材料层共用膜层材料，第一衬底的无机材料层与第二衬底12的位于同层的无机材料层共用膜层材料。

再次参见图4，所述第一衬底11的叠层112可包括第一有机层113和位于所述第一有机层113上的第一无机层114，所述第二衬底12的叠层包括由下至上依次交叠的第二有机层121、第二无机层122、第三有机层123和第三无机层 124，所述第一有机层113与部分所述第三有机层123共用同一膜层材料，所述第一无机层114与所述第三无机层124共用同一膜层材料，所述第一有机层113 的厚度小于所述第三有机层123的厚度，所述第一无机层114的厚度等于所述第三无机层124的厚度。其中，第一无机层114与所述第三无机层124共用同一膜层材料指的是二者材料相同且在同一工艺步骤中形成，第一有机层113与部分所述第三有机层123共用同一膜层材料指的是二者的材料相同且同时形成，形成第一有机层113与第三有机层123时，可先同时形成同样厚度的有机材料层，之后将位于第一显示区A的有机材料层部分刻蚀掉部分厚度，即可得到第第一有机层113和第三有机层123。

所述第一衬底11的透明材料层111可设置在所述第一衬底11的叠层112 的下方，且所述第一衬底11的透明材料层111的下端面与所述第二衬底12的下端面齐平。更进一步地，第一衬底11的叠层112的上端面与第二衬底12的上端面齐平，则第一衬底11的总厚度与第二衬底12的总厚度相同，从而更利于将显示面板100的厚度整体上大致相同，利于提高显示面板100的美观性。

在一个实施例中，再次参见图4，第一衬底11的下方、第二衬底12的下方、所述第一衬底11的透明材料层111的侧面与所述第二衬底12之间和/或所述第一衬底11的透明材料层111的上端与所述第一衬底11的叠层112之间设置有保护层5。保护层5可对第一衬底11和第二衬底12进行保护，提高显示面板的机械强度，进而提高显示面板100的使用寿命。

其中，所述保护层5的材料可包括IZO、ITO、SiNx、SiOx中的至少一种。上述材料可使得保护层5的透光率较高，避免保护层5的设置影响第一显示区A 的透光率。

在一个实施例中，衬底1与驱动电路层2之间可设置有缓冲层8，缓冲层8 的材质可为SiNx或SiOx，缓冲层8可提高衬底1与驱动电路层2的粘度性能，避免衬底1与驱动电路层2脱离，提高显示面板100的使用寿命。

本申请实施例提供的显示面板100，第一显示区A的驱动方式可为被动驱动或者主动驱动，第一显示区A的驱动方式为被动驱动时，第一显示区A为 PMOLED显示区；第一显示区A的驱动方式为主动驱动时，第一显示区A为 AMOLED显示区。第二显示区B的驱动方式为主动驱动，第二显示区为 AMOLED显示区。

图3是一种显示面板100的第一显示区A及部分第二显示区B沿CC’的剖视图。参见图3，驱动电路层2位于第二显示区B的部分可包括栅极绝缘层24、位于栅极绝缘层24上的电容绝缘层25、位于电容绝缘层25上的层间介质层26、位于层间介质层26上的平坦化层27及位于平坦化层27上的阳极层23，以及设置在膜层之间的晶体管(未图示)和存储电容(未图示)。其中，阳极层23的材质可以是两层氧化铟锡膜层之间设置Ag膜层的夹层结构。

第一显示区A为PMOLED显示区时，驱动电路层2位于第一显示区A中的结构可有如下几种方式。

第一种方式中，参见图5(图5是一种显示面板100的第一显示区A及部分第二显示区B沿CC’的剖视图)，驱动电路层2位于第一显示区A的部分包括栅极绝缘层24、位于栅极绝缘层24上的电容绝缘层25、位于电容绝缘层25 上的层间介质层26、位于层间介质层26上的平坦化层27及位于平坦化层27上的阳极层21。其中，第一显示区A的栅极绝缘层24、电容绝缘层25、层间介质层26、平坦化层27及位于平坦化层27与第二显示区B的对应的膜层位于同一层，且在同一工艺中形成。阳极层21的材料可为由透明材料制成的单层膜层结构。进一步地，阳极层21的透明材料的透明率大于或等于90％。优选的，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。如此可确保第一显示区A的阳极层21的透光率较高，进而使得第一显示区A 的透光率提高。

第二种方式中，驱动电路层2位于第一显示区A的可仅包括阳极层21，而不保护其他膜层，如此可使得第一显示区A的驱动电路层的透光率较高。其中，阳极层21的材料可为由透明材料制成的单层膜层结构。进一步地，制备阳极层 21的透明材料的透明率大于或等于90％。优选的，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。

第三种方式中，参见图5，驱动电路层2位于所述第一显示区A的驱动电路可包括阳极层21及设置在阳极层21下的透明有机材料膜层22。其中，透明有机材料膜层22及阳极层21可由透明材料制成，且阳极层21的材料可为由透明材料制成的单层膜层结构。进一步地，透明有机材料膜层22阳极层21的透光率均大于90％。优选的，制备阳极层21的透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。透明有机材料膜层22的材料可为 PET或PC等。更进一步地，所述第二显示区B的多层绝缘层(即第二显示区B 的栅极绝缘层24、电容绝缘层25、层间介质层26及平坦化层27)的总厚度与第一显示区A的透明有机材料膜层22的厚度相同，从而使得驱动电路层2位于第一显示区A的部分与位于第二显示区B的部分的厚度相同，利于将显示面板 100的厚度整体上大致相同，从而提高显示面板100的美观性。

第一显示区A为AMOLED显示区时，驱动电路层2位于第一显示区A的部分中设置有多个晶体管和多个存储电容，多个晶体管和多个存储电容构成多个第一驱动电路单元，用以驱动发光功能膜层3的有机发光材料发光，从而使第一显示区A显示。

第二显示区B为AMOLED显示区，驱动电路层2位于第二显示区B的部分中设置有多个晶体管和多个存储电容，多个晶体管和多个存储电容构成多个第二驱动电路单元，用以驱动发光功能膜层3的有机发光材料发光，从而使第二显示区A显示。

在一个实施例中，所述第一驱动电路单元的晶体管的数量小于所述第二驱动电路单元的晶体管的数量。可选的，第一驱动电路单元可为2TIC驱动电路， (即第一驱动电路单元中包括两个晶体管和一个存储电容)，或者第一驱动电路单元可为3TIC驱动电路(即第一驱动电路单元中包括三个晶体管和一个存储电容)。第二驱动电路单元例如可为7TIC电路(即第二驱动电路单元中包括七个晶体管和一个存储电容)、5TIC电路(即第二驱动电路单元中包括五个晶体管和一个存储电容)、4TIC电路(即第二驱动电路单元中包括四个晶体管和一个存储电容)等。如此设置，第一驱动电路单元的结构复杂度小于第二驱动电路单元的结构复杂度，从而驱动电路层2位于第一显示区A的部分中的导电层的面积较小，进而可提高第一显示区A的透光率。

所述第一驱动电路单元的晶体管可包括第一晶体管，所述第一驱动电路单元的存储电容包括第一极板与第二极板。参见图6和图8，驱动电路层2位于第一显示区A的部分具有栅极绝缘层24、位于栅极绝缘层24上的电容绝缘层25、位于电容绝缘层25上的层间介质层26、位于层间介质层26上的平坦化层27、以及位于栅极绝缘层24与电容绝缘层25之间的第一导电层91，所述第一导电层91的一部分912作为所述存储电容的第一极板，另一部分911作为所述第一晶体管的栅极。如此设置，第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。其中，第一极板可为存储电容的下极板，第二极板可为存储电容的上极板。

第一驱动电路单元为2TIC驱动电路时，位于所述第一显示区的驱动电路层还包括电源线、数据线、扫描线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层。如图6所示，驱动电路层2位于第一显示区的部分具有位于平坦化层27上的与第一驱动电路单元一一对应的阳极层23及第二导电层92，所述第二导电层92 的一部分921作为所述存储电容的第二极板，另一部分922作为所述电源线。如此设置，电源线、存储电容的第二极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在电源线、存储电容的第二极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

需要说明的是，图6所示的驱动电路层2位于第一显示区A的部分除了图中所示的第一导电层91、第二导电层92及阳极层23，还包括数据线、扫描线、第一晶体管的源极和漏极、第二晶体管的栅极、源极和漏极，但是图6中未示出这些结构。

第一驱动电路单元为2TIC驱动电路时，其电路图如图7所示，所述第一驱动电路单元的晶体管包括第一晶体管T1及第二晶体管T2，所述第一晶体管T1 的源极及存储电容C的第二极板D2分别与所述电源线连接，所述第一晶体管 T1的漏极与对应的阳极层连接，所述第一晶体管的栅极与存储电容C的第一极板D1连接；所述第二晶体管T2的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管T2 的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第二晶体管T2的源极与所述数据线连接。

由于第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管 T1的栅极连接，而第一导电层的一部分作为存储电容C的第一极板D1，另一部分作为所述第一晶体管T1的栅极连接，则在结构上来说第二晶体管T2的漏极直接与第一导电层连接。由于第一晶体管T1的源极分别与存储电容C的第二极板D2分别及所述电源线连接，第二导电层的一部分作为存储电容C的第二极板D2，另一部分作为所述电源线，则在结构上来说第一晶体管T1的源极与第二导电层连接。

在一个实施例中，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述存储电容C、所述数据线、所述扫描线及阳极层的材料可由透明材料制成。优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％。进一步地，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。如此，可使得第一显示区A的驱动电路层的透光率较高，进而使得第一显示区A的透光率提高。

第一驱动电路单元为3TIC驱动电路时，位于所述第一显示区A的驱动电路层还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层。如图8所示，驱动电路层2位于第一显示区的部分还具有位于平坦化层27上的第三导电层93，所述第三导电层93的一部分932作为所述第二极板，另一部分931作为对应的阳极层。如此设置，阳极层、存储电容的第二极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在阳极层、存储电容的第二极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

需要说明的是，图8所示的驱动电路层2位于第一显示区的部分除了图中所示的第一导电层91和第三导电层93，还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线、第一晶体管的源极和漏极、第三晶体管的栅极、源极和漏极、第四晶体管的栅极、源极和漏极，但是图8中未示出这些结构。

第一驱动电路单元为3TIC驱动电路时，其电路图如图9所示，所述第一驱动电路的晶体管还包括第三晶体管T3和第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的源极与所述数据线连接，所述第三晶体管T3的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述电源线连接，所述第一晶体管T1 的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管T4的栅极与所述第二扫描线连接，所述第四晶体管T4的源极与所述参考电位线连接，所述第四晶体管T4的漏极与阳极层连接。

由于第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板及第一晶体管T1 的栅极连接，而第一导电层的一部分作为存储电容C的第一极板，另一部分作为所述第一晶体管T1的栅极连接，则在结构上来说，第三晶体管T3的漏极与第一导电层连接。由于所述第一晶体管T1的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管T4的漏极与阳极层连接，而第三导电层的一部分作为存储电容C的第二极板D2，另一部分作为对应的阳极层，则在结构上来说，第一晶体管T1的源极与第三导电层连接，第四晶体管T4的漏极与第三导电层连接。

在一个实施例中，第一驱动电路单元的所述第一晶体管T1、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述存储电容C、所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述参考电位线及所述阳极层均由透明材料制成。优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％。进一步地，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。如此，可使得第一显示区A的驱动电路层的透光率较高，进而使得第一显示区A的透光率提高。

本申请实施例还提供了一种显示装置200，如图10所示，所述显示装置200 包括设备本体201及上述的显示面板100。如图11所示，设备本体201具有器件区202，显示面板100覆盖在所述设备本体201上。其中，所述器件区202位于所述显示面板100的第一显示区下方，且所述器件区202中设置有透过所述显示面板100的第一显示区进行光线采集的感光元件203。

其中，所述感光元件203可包括摄像头和/或光线感应器。器件区403中还可设置除感光元件203的其他器件，例如陀螺仪或听筒等器件。

器件区202可以是开槽区，显示面板100的第一显示区可对应于开槽区贴合设置，以使得感光元件203能够透过该第一显示区对外部光线进行采集等操作。

上述的显示装置200，由于其包括的显示面板100的位于第一显示区的导电层的厚度小于位于第二显示区的导电层的厚度，可使得第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，从而设置于第一显示区下方的感光元件可接收到足够的光线，保证感光元件可正常工作。

上述电子设备可以为手机、平板、掌上电脑、ipod等数码设备。

本申请实施例还提供了一种透明OLED基板300，如图12所示，所述透明 OLED基板300包括衬底1’、形成于所述衬底1’上的驱动电路层2’及形成于所述驱动电路层2’上的发光功能膜层3’。其中，所述驱动电路层2’包括多个第一驱动电路单元，所述第一驱动电路单元包括存储电容及第一晶体管，所述存储电容包括第一极板与第二极板。参见图13和图14所述第一驱动电路单元具有第一导电层91’，所述第一导电层91’的一部分912’作为所述第一极板，另一部分911’作为所述第一晶体管的栅极。

本申请实施例提供的透明OLED基板300，由于第一导电层的一部分作为所述第一极板，另一部分作为所述第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

其中，如图13和图14所示，驱动电路层2’具有栅极绝缘层24’、位于栅极绝缘层24’上的电容绝缘层25’、位于电容绝缘层25’上的层间介质层26’、位于层间介质层26’上的平坦化层27’，第一导电层91’位于栅极绝缘层24’与电容绝缘层25’之间。

第一驱动电路单元可为2TIC驱动电路。第一驱动电路单元为2TIC驱动电路时，所述驱动电路层还可包括电源线、数据线、扫描线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层。参见图13，所述驱动电路层还具有位于平坦化层27’上的与第一驱动电路单元一一对应的阳极层23’及第二导电层92’，所述第二导电层92’的一部分922’作为所述存储电容的第二极板，另一部分921’作为所述电源线；所述第一驱动电路单元还包括第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二导电层92’连接，所述第一晶体管的漏极与对应的阳极层连接，所述第二晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管的漏极分别与所述第一导电层连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线连接。

需要说明的是，图13所示的驱动电路层2’除了图中所示的第一导电层91’、第二导电层92’、阳极层23’、栅极绝缘层24’、电容绝缘层25’、层间介质层26’及平坦化层27’，还包括数据线、扫描线、第一晶体管的源极和漏极、第二晶体管的栅极、源极和漏极，但是图13中未示出这些结构。

第一驱动电路单元为2TIC驱动电路时，其电路图如图7所示，所述第一驱动电路单元的晶体管可包括第一晶体管T1及第二晶体管T2，所述第一晶体管 T1的源极及存储电容C的第二极板分别与所述电源线连接，所述第一晶体管T1 的漏极与对应的阳极层连接，所述第一晶体管的栅极与存储电容C的第一极板 D1连接；所述第二晶体管T2的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第二晶体管T2的源极与所述数据线连接。

由于第二晶体管T2的漏极分别与存储电容C的第一极板及第一晶体管T1 的栅极连接，而第一导电层的一部分作为存储电容C的第一极板D1，另一部分作为所述第一晶体管T1的栅极连接，则在结构上来说第二晶体管T2的漏极直接与第一导电层连接。由于第一晶体管T1的源极分别与存储电容C的第二极板 D2分别及所述电源线连接，第二导电层的一部分作为存储电容C的第二极板 D2，另一部分作为所述电源线，则在结构上来说第一晶体管T1的源极与第二导电层连接。

所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2、所述存储电容C、所述数据线、所述扫描线及所述阳极层的材料由透明材料制成。优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％。进一步地，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。如此，可使得透明OLED基板的驱动电路层的透光率较高，进而使得透明OLED基板的透光率提高。

第一驱动电路单元可为3TIC驱动电路。第一驱动电路单元为3TIC驱动电路时，所述驱动电路层还可包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层。如图14所示，驱动电路层2’具有位于平坦化层27’上的第三导电层93’，所述第三导电层93’的一部分932’作为所述第二极板，另一部分931’作为对应的阳极层。如此设置，阳极层、存储电容的第二极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在阳极层、存储电容的第二极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

需要说明的是，图14所示的驱动电路层2’除了图中所示的第一导电层91’、第三导电层93’、栅极绝缘层24’、电容绝缘层25’、层间介质层26’及平坦化层 27’，还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线、第一晶体管的源极和漏极、第三晶体管的栅极、源极和漏极、第四晶体管的栅极、源极和漏极，但是图14中未示出这些结构。

第一驱动电路单元为3TIC驱动电路时，其电路图如图9所示，所述第一驱动电路单元的晶体管还包括第三晶体管T3和第四晶体管T4，所述第三晶体管 T3的源极与所述数据线连接，所述第三晶体管T3的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管T1的栅极连接，所述第一晶体管T1的漏极与所述电源线连接，所述第一晶体管T1的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管 T4的栅极与所述第二扫描线连接，所述第四晶体管T4的源极与所述参考电位线连接，所述第四晶体管T4的漏极与对应的阳极层连接。

由于第三晶体管T3的漏极分别与存储电容C的第一极板D1及第一晶体管 T1的栅极连接，而第一导电层的一部分作为存储电容C的第一极板D1，另一部分作为所述第一晶体管T1的栅极连接，则在结构上来说，第三晶体管T3的漏极与第一导电层连接。由于所述第一晶体管T1的源极分别与阳极层及存储电容C的第二极板D2连接，所述第四晶体管T4的漏极与阳极层连接，而第三导电层的一部分作为存储电容C的第二极板D2，另一部分作为对应的阳极层，则在结构上来说，第一晶体管T1的源极与第三导电层连接，第四晶体管T4的漏极与第三导电层连接。

优选的，所述第一晶体管T1、所述第三晶体管T3、所述第四晶体管T4、所述存储电容C、所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述参考电位线及所述阳极层由透明材料制成。优选的，所述透明材料的透明率大于或等于90％。进一步地，所述透明材料为氧化铟锡、氧化铟锌、掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌。如此，可使得透明OLED基板的驱动电路层的透光率较高，进而使得透明OLED基板的透光率提高。

本申请实施例还提供了一种透明显示面板，所述透明显示面板包括上述的透明OLED基板及第一封装层，所述第一封装层设置在所述透明OLED基板的背离所述衬底的一侧。

本申请实施例提供的透明显示面板，由于其透明OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

其中，第一封装层可以是薄膜封装结构，薄膜封装结构可包括有机材料层和无机材料层交替叠加的叠层，其中有机材料层和无机材料层均为透明材料，无机材料层的材料例如可以是SiO₂，SiNx以及Al₂O₃等，有机材料层的材料例如可以是PI、PET等。第一封装层也可以是玻璃盖板或者是玻璃粉封装结构。

本申请实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一OLED基板及第二OLED基板，所述第一OLED基板包括上述的透明OLED基板，所述第二OLED基板为非透明OLED基板；所述第一OLED基板与所述第二OLED基板共用同一衬底，且所述第一OLED基板的发光功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一工艺中形成。

本申请实施例提供的阵列基板，由于其第一OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程。

其中，阵列基板的所述第一OLED基板可至少部分被所述第二OLED基板包围。

在一个实施例中，所述第二OLED基板的驱动电路层包括多个第二驱动电路单元，所述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的数量。可选的，第一驱动电路单元可为2TIC驱动电路，(即第一驱动电路单元中包括两个晶体管和一个存储电容)，或者第一驱动电路单元可为3TIC驱动电路(即第一驱动电路单元中包括三个晶体管和一个存储电容)。第二驱动电路单元例如可为7TIC电路(即第二驱动电路单元中包括七个晶体管和一个存储电容)、5TIC电路(即第二驱动电路单元中包括五个晶体管和一个存储电容)、4TIC电路(即第二驱动电路单元中包括四个晶体管和一个存储电容)等。如此设置，第一驱动电路单元的结构复杂度小于第二驱动电路单元的结构复杂度，从而第一OLED基板的驱动电路层的导电层的面积较小，从而可提高第一OLED基板的透光率。

本申请实施例还提供了一种显示屏，所述显示屏包括上述的阵列基板及第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述阵列基板上，所述阵列基板的第一OLED基板下方可设置感光元件。

本申请实施例提供的显示屏，由于其第一OLED基板的第一导电层的一部分作为存储电容的第一极板，另一部分作为第一晶体管的栅极，则第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板及二者之间的连接可通过同一步骤完成时，无需在第一晶体管的栅极、存储电容的第一极板形成之后再制备二者之间的连接结构，可简化第一驱动电路单元的制备工艺流程，进而简化第一OLED 基板的的驱动电路层的制备工艺流程。

其中，第二封装层可以是薄膜封装结构，薄膜封装结构可包括有机材料层和无机材料层交替叠加的叠层，其中有机材料层和无机材料层均为透明材料，无机材料层的材料例如可以是SiO₂，SiNx以及Al₂O₃等，有机材料层的材料例如可以是PI、PET等。第二封装层也可以是玻璃盖板或者是玻璃粉封装结构。

本申请实施例还提供了一种显示设备，所述显示设备包括设备本体及上述的显示屏。设备本体具有器件区，显示屏覆盖在所述设备本体上。其中，所述器件区位于所述第一OLED基板下方，且所述器件区中设置有透过所述第一OLED基板进行光线采集的感光元件。

其中，所述感光元件可包括摄像头和/或光线感应器。器件区中还可设置除感光元件的其他器件，例如陀螺仪或听筒等器件。

器件区可以是开槽区，显示屏的第一OLED基板可对应于开槽区贴合设置，以使得感光元件能够透过该第一OLED基板对外部光线进行采集等操作。

上述电子设备可以为手机、平板、掌上电脑、ipod等数码设备。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (14)

1.一种透明OLED基板，其特征在于，所述透明OLED基板包括：

衬底；

形成于所述衬底上的驱动电路层；

形成于所述驱动电路层上的发光功能膜层；

其中，所述驱动电路层包括多个第一驱动电路单元，所述第一驱动电路单元包括存储电容及第一晶体管，所述存储电容包括第一极板与第二极板；所述第一驱动电路单元具有第一导电层，所述第一导电层的一部分作为所述第一极板，另一部分作为所述第一晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的透明OLED基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括电源线、数据线、扫描线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层，所述驱动电路层还具有第二导电层，所述第二导电层的一部分作为所述第二极板，另一部分作为所述电源线；所述第一驱动电路单元还包括第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述第二导电层连接，所述第一晶体管的漏极与对应的阳极层连接，所述第二晶体管的栅极与所述扫描线连接，所述第二晶体管的漏极分别与所述第一导电层连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线连接。

3.根据权利要求2所述的透明OLED基板，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述扫描线及所述阳极层由透明材料制成。

4.根据权利要求2所述的透明OLED基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层，所述驱动电路层还具有第三导电层，所述第三导电层的一部分作为所述第二极板，另一部分作为对应的阳极层；所述第一驱动电路单元还包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的源极与所述数据线连接，所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一导电层连接，所述第一晶体管的漏极与所述电源线连接，所述第一晶体管的源极与所述第三导电层连接，所述第四晶体管的栅极与所述第二扫描线连接，所述第四晶体管的源极与所述参考电位线连接，所述第四晶体管的漏极与所述第三导电层连接。

5.根据权利要求4所述的透明OLED基板，其特征在于，所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述参考电位线及所述阳极层由透明材料制成。

6.根据权利要求3或5所述的透明OLED基板，其特征在于，所述透明材料的透明率大于或等于90％。

7.根据权利要求6所述的透明OLED基板，其特征在于，所述透明材料为氧化铟锡或者氧化铟锌。

8.一种透明显示面板，其特征在于，所述透明显示面板包括权利要求1-7任一项所述的透明OLED基板及第一封装层，所述第一封装层设置在所述透明OLED基板的背离所述衬底的一侧。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一OLED基板及第二OLED基板，所述第一OLED基板包括权利要求1-7任一项所述的透明OLED基板，所述第二OLED基板为非透明OLED基板；

所述第一OLED基板与所述第二OLED基板共用同一衬底，且所述第一OLED基板的发光功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一工艺中形成。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一OLED基板至少部分被所述第二OLED基板包围。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第二OLED基板的驱动电路层包括多个第二驱动电路单元，所述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的数量。

12.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏包括权利要求9至11任一项所述的阵列基板及第二封装结构，所述第二封装结构设置在所述阵列基板上，所述阵列基板的第一OLED基板下方可设置感光元件。

13.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：

设备本体，具有器件区；

如权利要求12所述的显示屏，覆盖在所述设备本体上；

其中，所述器件区位于所述第一OLED基板下方，且所述器件区中设置有透过所述第一OLED基板进行光线采集的感光元件。

14.根据权利要求13所述的显示设备，其特征在于，所述感光元件包括摄像头和/或光线感应器。

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