CN211605179U - 一种氮化镓芯片的电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层，封装层的内表面封装有发光芯片，发光芯片的顶端装配有N型电极和P型电极，本实用新型设置了一种带有发光芯片、封装层和电极的氮化镓芯片，在使用时，将N型电极和P型电极分别焊接在对应的供电电极位置，在电极通电后，电源正极的电流从P型电极流入经过P型氮化镓层后经过PN结作用，电流从N型电极流出进入电源的负极，从而保证氮化镓层发光，在焊接时，凹槽结构能够提高电极与供电部位的连接力，通过散热孔和空腔结构利用金属的导热性能好的能力提高散热效果，有效的解决了现有的LED芯片结构与集成电路板底端的缝隙小，散热效果差的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体为一种氮化镓芯片的电极结构。
背景技术
LED芯片也称为LED发光芯片，是LED灯的核心组件，也就是指的P-N结，其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子，但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的，LED散热效果是LED芯片使用寿命的重要指标，如果散热效果不好，很容易造成发光结构热结，降低发光效率现有的LED芯片结构的电极接片一般设置在侧面，电极与发光结构之间的接触面积较小，而底部设置电极的芯片与集成电路板底端的缝隙小，因此现有的LED芯片结构的散热效果差，鉴于以上问题，特提出一种氮化镓芯片的电极结构。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种氮化镓芯片的电极结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层，所述封装层的内表面封装有发光芯片，所述发光芯片的顶端装配有N型电极和P型电极，所述N型电极和P型电极的下表面分别焊接在对应的导电层的上表面，所述N型电极和P型电极的内表面开设有提高散热效率的腔体。
优选的，所述发光芯片包括衬板，所述衬板的上表面光刻有N型氮化镓层，所述N型氮化镓层的上表面光刻有多量子阱层，所述多量子阱层的上表面光刻有P型氮化镓层，所述N型氮化镓层的上表面焊接在N型电极的下表面，所述P型氮化镓层的上表面焊接在P型电极的下表面。
优选的，所述封装层包括透明密封树脂材料制成的树脂壳，所述树脂壳的上表面装配有用于过滤掉无用光的荧光层。
优选的，所述树脂壳的上表面装配有固定座，所述固定座的上表面开设有第一电极口和第二电极口，所述第一电极口和第二电极口分别套接在P型电极和N型电极的外表面。
优选的，所述N型电极包括第一连接体，所述第一连接体的内表面开设有第一空腔，所述第一空腔的顶端位于第一连接体的侧表面开设有第一散热孔，所述第一连接体的上表面开设有提高焊接抓力的第一凹槽。
优选的，所述P型电极包括第二连接体，所述第二连接体的内表面开设有第二空腔，所述第二空腔的顶端位于第二连接体的侧表面开设有第二散热孔，所述第二连接体的上表面开设有提高焊接抓力的第二凹槽。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型设置了一种带有发光芯片、封装层和电极的氮化镓芯片，在使用时，将N型电极和P型电极分别焊接在对应的供电电极位置，在电极通电后，电源正极的电流从P型电极流入经过P型氮化镓层后经过PN结作用，电流从N型电极流出进入电源的负极，从而保证氮化镓层发光，在焊接时，凹槽结构能够提高电极与供电部位的连接力，通过散热孔和空腔结构利用金属的导热性能好的能力提高散热效果，有效的解决了现有的LED芯片结构与集成电路板底端的缝隙小，散热效果差的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为本实用新型剖切装配示意图。
图3为本实用新型N电极剖切结构示意图。
图4为本实用新型P电极剖切结构示意图。
图中：1、封装层，11、树脂壳，12、荧光层，13、固定座，14、第一电极口，15、第二电极口，2、发光芯片，21、衬板，22、N型氮化镓层，23、多量子阱层，24、P型氮化镓层，3、N型电极，31、第一连接体，32、第一空腔，33、第一散热孔，34、第一凹槽，4、P型电极，41、第二连接体，42、第二空腔，43、第二散热孔，44、第二凹槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层1，封装层1的内表面封装有发光芯片2，发光芯片2的顶端装配有N型电极3和P型电极4，N型电极3和P型电极4的下表面分别焊接在对应的导电层的上表面，N型电极3和P型电极4的内表面开设有提高散热效率的腔体；
本实用新型设置了一种带有发光芯片2、封装层1和电极的氮化镓芯片，在使用时，将N型电极3和P型电极4分别焊接在对应的供电电极位置，在电极通电后，电源正极的电流从P型电极4流入经过P型氮化镓层24后经过PN结作用，电流从N型电极3流出进入电源的负极，从而保证氮化镓层发光，在焊接时，凹槽结构能够提高电极与供电部位的连接力，通过散热孔和空腔结构利用金属的导热性能好的能力提高散热效果，有效的解决了现有的LED芯片结构与集成电路板底端的缝隙小，散热效果差的问题。
具体而言，发光芯片2包括衬板21，衬板21的上表面光刻有N型氮化镓层22，N型氮化镓层22的上表面光刻有多量子阱层23，多量子阱层23的上表面光刻有P型氮化镓层24，N型氮化镓层22的上表面焊接在N型电极3的下表面，P型氮化镓层24的上表面焊接在P型电极4的下表面，在本实用新型中所使用到的发光芯片2是一种市面上常见的倒装式LED芯片，其具体的氮化镓等结构厚度均参考现有技术，本实用新型中给出的图例比例仅为示意。
具体而言，封装层1包括透明密封树脂材料制成的树脂壳11，树脂壳11的上表面装配有用于过滤掉无用光的荧光层12，通过能够过滤其他颜色光源的荧光层12将发光芯片2产生的光源过滤成为所需要使用颜色的光源。
具体而言，树脂壳11的上表面装配有固定座13，固定座13的上表面开设有第一电极口14和第二电极口15，第一电极口14和第二电极口15分别套接在P型电极4和N型电极3的外表面，通过固定座13的支撑作用，便于装配使用时的连接效果。
具体而言，N型电极3包括第一连接体31，第一连接体31的内表面开设有第一空腔32，第一空腔32的顶端位于第一连接体31的侧表面开设有第一散热孔33，第一连接体31的上表面开设有提高焊接抓力的第一凹槽34。
具体而言，P型电极4包括第二连接体41，第二连接体41的内表面开设有第二空腔42，第二空腔42的顶端位于第二连接体41的侧表面开设有第二散热孔43，第二连接体41的上表面开设有提高焊接抓力的第二凹槽44，通过空腔和能够通风管的散热孔结构，提高电极金属块的散热效果，并且本实用新型中N型氮化镓层22的左端延伸至N型电极3的下表面，N型电极3和P型电极4的高度突出于固定座13的上表面，保证散热孔至少露出其半径的长度。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (6)
1.一种氮化镓芯片的电极结构，包括绝缘防尘密封并且透光的封装层(1)，其特征在于：所述封装层(1)的内表面封装有发光芯片(2)，所述发光芯片(2)的顶端装配有N型电极(3)和P型电极(4)，所述N型电极(3)和P型电极(4)的下表面分别焊接在对应的导电层的上表面，所述N型电极(3)和P型电极(4)的内表面开设有提高散热效率的腔体。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓芯片的电极结构，其特征在于：所述发光芯片(2)包括衬板(21)，所述衬板(21)的上表面光刻有N型氮化镓层(22)，所述N型氮化镓层(22)的上表面光刻有多量子阱层(23)，所述多量子阱层(23)的上表面光刻有P型氮化镓层(24)，所述N型氮化镓层(22)的上表面焊接在N型电极(3)的下表面，所述P型氮化镓层(24)的上表面焊接在P型电极(4)的下表面。
3.根据权利要求2所述的一种氮化镓芯片的电极结构，其特征在于：所述封装层(1)包括透明密封树脂材料制成的树脂壳(11)，所述树脂壳(11)的上表面装配有用于过滤掉无用光的荧光层(12)。
4.根据权利要求3所述的一种氮化镓芯片的电极结构，其特征在于：所述树脂壳(11)的上表面装配有固定座(13)，所述固定座(13)的上表面开设有第一电极口(14)和第二电极口(15)，所述第一电极口(14)和第二电极口(15)分别套接在P型电极(4)和N型电极(3)的外表面。
5.根据权利要求4所述的一种氮化镓芯片的电极结构，其特征在于：所述N型电极(3)包括第一连接体(31)，所述第一连接体(31)的内表面开设有第一空腔(32)，所述第一空腔(32)的顶端位于第一连接体(31)的侧表面开设有第一散热孔(33)，所述第一连接体(31)的上表面开设有提高焊接抓力的第一凹槽(34)。
6.根据权利要求5所述的一种氮化镓芯片的电极结构，其特征在于：所述P型电极(4)包括第二连接体(41)，所述第二连接体(41)的内表面开设有第二空腔(42)，所述第二空腔(42)的顶端位于第二连接体(41)的侧表面开设有第二散热孔(43)，所述第二连接体(41)的上表面开设有提高焊接抓力的第二凹槽(44)。
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| CN202020506392.XU CN211605179U (zh) | 2020-04-09 | 2020-04-09 | 一种氮化镓芯片的电极结构 |
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| CN (1) | CN211605179U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114361933A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-04-15 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 半导体激光器散热结构及具有其的封装结构 |
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2020
- 2020-04-09 CN CN202020506392.XU patent/CN211605179U/zh active Active
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| CN114361933A (zh) * | 2021-12-08 | 2022-04-15 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 半导体激光器散热结构及具有其的封装结构 |
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