KR100644053B1 - 태양전지 및 그의 제조 방법 - Google Patents

태양전지 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100644053B1
KR100644053B1 KR1020050001417A KR20050001417A KR100644053B1 KR 100644053 B1 KR100644053 B1 KR 100644053B1 KR 1020050001417 A KR1020050001417 A KR 1020050001417A KR 20050001417 A KR20050001417 A KR 20050001417A KR 100644053 B1 KR100644053 B1 KR 100644053B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor layer
type
type semiconductor
electrode
mesa
Prior art date
Application number
KR1020050001417A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060080828A (ko
Inventor
노민수
조인성
송희석
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020050001417A priority Critical patent/KR100644053B1/ko
Publication of KR20060080828A publication Critical patent/KR20060080828A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100644053B1 publication Critical patent/KR100644053B1/ko

Links

Images

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
    • E03C—DOMESTIC PLUMBING INSTALLATIONS FOR FRESH WATER OR WASTE WATER; SINKS
    • E03C1/00—Domestic plumbing installations for fresh water or waste water; Sinks
    • E03C1/02—Plumbing installations for fresh water
    • E03C1/06—Devices for suspending or supporting the supply pipe or supply hose of a shower-bath
    • E03C1/066—Devices for suspending or supporting the supply pipe or supply hose of a shower-bath allowing height adjustment of shower head
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, P타입 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 P타입 반도체 기판 하부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와; 상기 집광부의 N타입 반도체층 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 실시예를 포함하여, 태양전지에 발광부를 일체로 형성함으로써, 광의 집광 및 발광을 하나의 소자에서 구현할 수 있는 효과가 있다,
태양전지, 발광부, 집광부

Description

태양전지 및 그의 제조 방법 { Solar cell and method for fabricating the same }
도 1은 일반적인 태양전지가 구동되는 개념을 설명하기 위한 도면
도 2a 내지 2c는 본 발명의 제 1 내지 3 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 개략적인 단면도
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 내지 3 실시예에 따른 구체적인 예시를 도시한 단면도
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : P타입 반도체 기판 102,112,122 : P타입 반도체층
103,113,123 : N타입 반도체층 104,114,152 : P전극
105,115,125,151 : N전극 111,121 : 반도체 기판
131 : N타입 화합물 반도체층 132 : 활성층
133 : P타입 화합물 반도체층 150 : 공통전극
본 발명은 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지에 발광부를 일체로 형성하여, 광의 집광 및 발광을 하나의 소자에서 구현할 수 있는 태양전지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 태양 전지(Solar cell)가 실용화되고 있고, 이에 대한 다각적인 연구 및 개발이 수행되고 있다.
현재, 태양 전지는 석유자원의 고갈이 예측됨에 따라, 태양에너지를 이용한 차세대 에너지원으로 각광을 받고 있다.
그러므로, 태양광을 보다 효과적으로 전기 에너지로 변환할 수 있으며, 다양한 성능을 갖는 태양 전지의 제작이 시도되고 있고, 특히, 광전 변환 효율이 우수한 특성을 갖는 태양 전지 제작이 시도되고 있다.
도 1은 일반적인 태양전지가 구동되는 개념을 설명하기 위한 도면으로서, P형 반도체층(10)과 N형 반도체층(11)을 접합시킨 후, 상기 P형 반도체층(10)의 하 부에 전극패드(12a)를 형성하고, 상기 N형 반도체층(11)의 상부에 전극패드(12b)를 형성하면, 태양전지(20)의 제조가 완성된다.
이런 태양전지(20)의 전극패드들(12a,12b)에 전구(30)를 연결하고, 상기 태양전지(20)를 태양광에 노출시키면, N형 반도체층(11)과 P형 반도체층(10)을 가로질러 전류가 흐르게 되는 광기전력 효과(Photovoltaic effect)에 의해 기전력이 발생하여 전기에너지가 발생되고, 이 전기에너지에 의해 전구(30)는 점등하게 된다. 이러한 태양전지는 집광 기능만을 가능하고, 축적된 에너지를 사용하기 위해서는 별도의 소자가 구비되어야하는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 태양전지에 발광부를 일체로 형성하여, 광의 집광 및 발광을 하나의 소자에서 구현할 수 있는 태양전지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는, P타입 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 P타입 반도체 기판 하부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
상기 집광부의 N타입 반도체층 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는, 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
상기 집광부의 반도체 기판 하부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는, 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
상기 집광부의 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는, P타입 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N타입 반도체층 상부의 일 영역에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일부까지 메사식각하는 단계와;
상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층의 일부를 감싸며 N타입 반도체층 상부에 공통전극을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층 상부 및 P타입 반도체 기판 하부 각각에 P전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법이 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 5 양태(樣態)는, 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층 일부까지 메사식각하는 단계와;
상기 반도체 기판 하부에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 반도체 기판의 일영역이 노출되도록, P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일 영역을 식각하는 단계와;
상기 메사 식각된 P타입 반도체층 상부 및 상기 P타입 화합물 반도체층 하부에 P전극을 형성하고, 상기 N타입 반도체층 상부 및 반도체 기판 하부에 N전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법이 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 6 양태(樣態)는, 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층 일부까지 메사식각하는 단계와;
상기 메사 식각된 P타입 반도체층 상부에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
상기 P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일부까지 메사식각하는 단계와;
상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층의 일부를 감싸며 N타입 반도체층 상부에 공통전극을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층 상부에 P전극을 형성하고, 상기 N타입 반도체 기판 상부에 N전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 2c는 본 발명의 제 1 내지 3 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 개략적인 단면도로서, 본 발명의 제 1 실시예의 태양전지는 도 2a에 도시된 바와 같이, P타입 반도체 기판(101) 상부에 P타입 반도체층(102)과 N타입 반도체층(103)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 P타입 반도체 기판(101) 하부에 P전극(104)이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층(103) 상부에 N전극(105)이 형성되어 이루어진 집광부와; 상기 집광부의 N타입 반도체층(103) 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 이루어진다.
그리고, 본 발명의 제 2 실시예의 태양전지는 도 2b와 같이, 반도체 기판(111) 상부에 P타입 반도체층(112)과 N타입 반도체층(113)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층(113)에서 P타입 반도체층(112)의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층(112) 상부에 P전극(114)이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층(113) 상부에 N전극(115)이 형성되어 이루어진 집광부와; 상기 집광부의 반도체 기판(111) 하부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 이루어진다.
또한, 도 2c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예의 태양전지는 반도체 기판(121) 상부에 P타입 반도체층(122)과 N타입 반도체층(123)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층(123)에서 P타입 반도체층(122)의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층(122) 상부에 P전극(114)이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층(123) 상부에 N전극(115)이 형성되어 이루어진 집광부와; 상기 집광부의 메사식각된 P타입 반도체층(122) 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 이루어진다.
이렇게 구성된 본 발명의 제 1 내지 3 실시예의 태양전지는 집광부의 P타입 반도체층과 N타입 반도체층에서 태양광을 집광하여 전자와 정공을 생성하고, 생성된 전류는 축전 시스템(미도시)에서 축전된다.
그리고, 태양전지의 발광부에서는 광을 방출함으로써, 본 발명의 태양전지는 광의 집광 및 발광이 하나의 소자에서 구현할 수 있는 장점이 있는 것이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제 1 내지 3 실시예에 따른 구체적인 예시를 도시한 단면도로서, 본 발명의 발광부는, N타입 화합물 반도체층(131) 상부에 활성층(132) 및 P타입 화합물 반도체층(133)이 순차적으로 형성되어 있고, 상기 P타입 화합물 반도체층(133)에서 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부까지 메사식각되어 있는 구조물을 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 화합물 반도체층은 GaN으로 형성하는 것이 바람직하다.
이 때, 도 3a와 같이, 집광부의 N타입 반도체층(103) 상부에는 발광부의 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부를 감싸는 공통전극(150)이 형성되어 있다.
그리고, 집광부의 P타입 반도체 기판(101) 하부에는 P전극(104)이 형성되어 있다.
본 발명의 제 2 실시예에서는, 도 3b와 같이, 집광부의 N타입 반도체층(113)에서 P타입 반도체층(112)의 일부까지 메사식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층(112) 상부에 P전극(114)이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층(113) 상부에 N전극(115)이 형성되어 있다.
그리고, 반도체 기판(111) 하부의 일 영역에 발광부의 구조물이 형성되어 있고, 상기 반도체 기판(111) 하부의 타 영역에 N전극(151)이 형성되어 있고, 발광부의 P타입 화합물 반도체층(133) 하부에 P전극(152)이 형성되어 있다.
그리고, 도 3c에 도시된 바와 같은 본 발명의 제 3 실시예에서는, 집광부의 메사 식각된 P타입 반도체층(122)과 발광부의 N타입 반도체층(131)은 공통전극(150)에 연결되어 있고, 상기 발광부의 P타입 화합물 반도체층(133) 상부에 P전극(152)이 형성되어 있고, 집광부의 N타입 반도체층(123) 상부에 N전극(125)가 형성되어 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전 지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, P타입 반도체 기판(101) 상부에 P타입 반도체층(102)과 N타입 반도체층(103)을 순차적으로 적층한다.(도 4a)
그 후, 상기 N타입 반도체층(103) 상부의 일 영역에 N타입 화합물 반도체층(131), 활성층(132)과 P타입 화합물 반도체층(133)을 순차적으로 적층한다.(도 4b)
그 다음, 상기 P타입 화합물 반도체층(133)에서 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부까지 메사식각한다.(도 4c)
마지막으로, 상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부를 감싸며 N타입 반도체층(103) 상부에 공통전극(150)을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층(133) 상부 및 P타입 반도체 기판(101) 하부 각각에 P전극(152,104)을 형성한다.(도 4d)
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 반도체 기판(111) 상부에 P타입 반도체층(112)과 N타입 반도체층(113)을 순차적으로 적층한다.(도 5a)
그 다음, 상기 N타입 반도체층(113)에서 P타입 반도체층(112) 일부까지 메사식각한다.(도 5b)
연속해서, 상기 반도체 기판(111) 하부에 N타입 화합물 반도체층(131), 활성층(132)과 P타입 화합물 반도체층(133)을 순차적으로 적층한다.(도 5c)
그 후, 상기 반도체 기판(111)의 일영역이 노출되도록, P타입 화합물 반도체층(133)에서 N타입 화합물 반도체층(131)의 일 영역을 식각한다.(도 5d)
마지막으로, 상기 메사 식각된 P타입 반도체층(112) 상부 및 상기 P타입 화 합물 반도체층(133) 하부에 P전극(114,152)을 형성하고, 상기 N타입 반도체층(115) 상부 및 반도체 기판(111) 하부에 N전극(151)을 형성한다.(도 5e)
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광부를 구비한 태양 전지의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 반도체 기판(121) 상부에 P타입 반도체층(122)과 N타입 반도체층(123)이 순차적으로 적층한다.(도 6a)
그 다음, 상기 N타입 반도체층(123)에서 P타입 반도체층(122) 일부까지 메사식각한다.(도 6b)
그 후, 상기 메사 식각된 P타입 반도체층(122) 상부에 N타입 화합물 반도체층(131), 활성층(132)과 P타입 화합물 반도체층(133)을 순차적으로 적층한다.(도 6c)
연이어, 상기 P타입 화합물 반도체층(133)에서 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부까지 메사식각한다.(도 6d)
계속하여, 상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층(131)의 일부를 감싸며 N타입 반도체층(103) 상부에 공통전극(150)을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층(133) 상부에 P전극(152)을 형성하고, 상기 N타입 반도체 기판(123) 상부에 N전극(125)을 형성한다.(도 6e)
전술된 본 발명의 제 1 내지 3 실시예의 반도체 기판은 실리콘 기판을 사용하는 것이 바람직하고, N타입 반도체층과 P타입 반도체층은 실리콘 반도체층을 사용하는 것이 바람직하다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 태양전지에 발광부를 일체로 형성하여, 광의 집광 및 발광을 하나의 소자에서 구현할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (10)

  1. P타입 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 P타입 반도체 기판 하부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
    상기 집광부의 N타입 반도체층 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지.
  2. 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
    상기 집광부의 반도체 기판 하부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지.
  3. 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고, 상기 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 P전극이 형성되어 있고, 상기 N 타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 집광부와;
    상기 집광부의 메사식각된 P타입 반도체층 상부에 형성되어 광을 방출하는 발광부로 구성된 태양전지.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 발광부는 N타입 화합물 반도체층 상부에 활성층 및 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 형성되어 있고, 상기 P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일부까지 메사식각되어 있는 구조물을 포함하고 있고,
    상기 집광부의 N타입 반도체층 상부에는 발광부의 N타입 화합물 반도체층의 일부를 감싸는 공통전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광부는 반도체 기판 하부의 일 영역에 형성되어 있고,
    상기 발광부는 N타입 화합물 반도체층 상부에 활성층 및 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 형성되어 있는 구조물을 포함하고 있고,
    상기 반도체 기판 하부의 타 영역에 발광부의 N전극이 형성되어 있고,
    상기 발광부의 P타입 화합물 반도체층 하부에 P전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판과 반도체층의 물질은,
    실리콘인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. P타입 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 N타입 반도체층 상부의 일 영역에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일부까지 메사식각하는 단계와;
    상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층의 일부를 감싸며 N타입 반도체층 상부에 공통전극을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층 상부 및 P타입 반도체 기판 하부 각각에 P전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법.
  8. 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층 일부까지 메사식각하는 단계와;
    상기 반도체 기판 하부에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 반도체 기판의 일영역이 노출되도록, P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일 영역을 식각하는 단계와;
    상기 메사 식각된 P타입 반도체층 상부 및 상기 P타입 화합물 반도체층 하부에 P전극을 형성하고, 상기 N타입 반도체층 상부 및 반도체 기판 하부에 N전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법.
  9. 반도체 기판 상부에 P타입 반도체층과 N타입 반도체층이 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 N타입 반도체층에서 P타입 반도체층 일부까지 메사식각하는 단계와;
    상기 메사 식각된 P타입 반도체층 상부에 N타입 화합물 반도체층, 활성층과 P타입 화합물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와;
    상기 P타입 화합물 반도체층에서 N타입 화합물 반도체층의 일부까지 메사식각하는 단계와;
    상기 메사 식각된 N타입 화합물 반도체층의 일부를 감싸며 N타입 반도체층 상부에 공통전극을 형성하고, 상기 P타입 화합물 반도체층 상부에 P전극을 형성하고, 상기 N타입 반도체 기판 상부에 N전극을 형성하는 단계로 구성된 태양전지의 제조 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 기판과 반도체층의 물질은,
    실리콘이고,
    상기 화합물 반도체층은,
    GaN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법.
KR1020050001417A 2005-01-06 2005-01-06 태양전지 및 그의 제조 방법 KR100644053B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050001417A KR100644053B1 (ko) 2005-01-06 2005-01-06 태양전지 및 그의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050001417A KR100644053B1 (ko) 2005-01-06 2005-01-06 태양전지 및 그의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060080828A KR20060080828A (ko) 2006-07-11
KR100644053B1 true KR100644053B1 (ko) 2006-11-10

Family

ID=37172029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050001417A KR100644053B1 (ko) 2005-01-06 2005-01-06 태양전지 및 그의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100644053B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101069008B1 (ko) 2009-09-10 2011-09-29 한국광기술원 태양전지 결합형 발광소자, 이의 제조방법 및 이의 동작방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100878419B1 (ko) * 2007-07-13 2009-01-13 삼성전기주식회사 수발광소자
CN101780067B (zh) * 2009-01-16 2012-05-30 康臣药业(内蒙古)有限责任公司 一种治疗糖尿病肾病的药物组合物及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101069008B1 (ko) 2009-09-10 2011-09-29 한국광기술원 태양전지 결합형 발광소자, 이의 제조방법 및 이의 동작방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060080828A (ko) 2006-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7674639B2 (en) GaN based LED with etched exposed surface for improved light extraction efficiency and method for making the same
JP5368088B2 (ja) 発光ダイオードおよびその製造方法
US8008683B2 (en) Semiconductor light emitting device
TWI282616B (en) Light emitting device having a plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
CN102130260B (zh) 发光装置及其制造方法
CN101969089B (zh) 一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法
JP2010506384A (ja) 互いに異なる大きさの発光セルを有する発光ダイオード及びこれを採用した発光素子
JP2010157679A (ja) 発光ダイオードのチップレベルパッケージ
JP2011510493A (ja) Ｌｅｄ、ｌｅｄを有するパッケージ構造体、およびｌｅｄを製作する方法
TW201203597A (en) Light emitting diode having AlInGaP active layer and method of fabricating the same
US20150036329A1 (en) Light emitting module having wafer with integrated power supply device
US9040328B2 (en) Manufacturing method for an LED
KR101203141B1 (ko) 기판으로부터 절연된 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 소자및 그것을 제조하는 방법
KR100644053B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조 방법
CN102054914A (zh) 发光二极管及其制造方法、发光装置
JP2007329466A (ja) 半導体発光トランジスタ
KR100878419B1 (ko) 수발광소자
KR101171326B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN211455714U (zh) 一种led芯片
CN111370546A (zh) 一种led芯片及其制备方法
KR100654079B1 (ko) 전기적 특성 및 접착력이 개선된 ｐ형 전극패드를 구비한발광 다이오드
US9040325B2 (en) Method for manufacturing light emitting diode package having a voltage stabilizing module consisting of two doping layers
US11489089B2 (en) Light emitting device with two vertically-stacked light emitting cells
KR20070009938A (ko) 요철 버퍼층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법
KR20120117969A (ko) 미세로드들을 구비하는 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110920

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee