CN211578761U - 一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的tvs - Google Patents

Abstract

本实用新型一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P‑epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P‑sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。与现有双向TVS比，高浓度的多晶具有很小的电阻，可使结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。

Description

一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS

技术领域

本实用新型一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS涉及半导体保护器件的技术领域，尤其涉及用于电源端口和信号端口的保护器件设计和制造领域。

背景技术

瞬态电压抑制器（简称TVS）是一种钳位过压保护器件，TVS在PCB电路板上与被保护电路并联，能够在很短的时间内将浪涌电压固定在一个比较低的电压水平，使后级集成电路免受过静电放电或瞬态浪涌电压的冲击，避免电路损坏。

TVS器件主要应用在各类接口电路当中，如手机、平板、电视机、电脑主机中均有大量TVS保护器件，TVS器件与被保护芯片为并联关系，在正常工作条件下，TVS呈现高阻抗状态。当有静电释放或浪涌电压从电路IO端进入后，会触发TVS器件优先导通，电流经过TVS器件到地释放，将电压钳位在一个较低的水平，从而有效保护了后级集成电路。通过VFTLP测试系统测试，TVS一般开启时间为0.5～2ns。

随着现今科技的快速发展，集成电路不断向低电压、低功耗、高速传输的方向发展，对相应的TVS保护器件也提出了更高的性能要求，要求TVS有足够高的耐受能力，和尽可能低的钳位电压。

以双向TVS器件为例，常用纵向NPN结构如图1所示，和插指NPN结构如图2所示，在制程工艺确定情况下，TVS能够承受的瞬态电流与其结面积成正比，所以该类极限电流能力受芯片面积所限。

深槽（Deep Trench）刻蚀技术日趋成熟，优良的测试机可以刻蚀通整张晶圆，深槽的深宽比可达20：1至100：1。Poly填充技术非常成熟，常见应用有：Trench MOS、隔离槽内无掺杂poly填充、高频硅电容器等。

发明内容

本实用新型所要解决的技术技术问题是：提供一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，以解决上述问题。

本实用新型技术问题通过下述技术方案解决：一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，采用包含P型外延层的N型衬底或P型衬底的TVS器件，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有N型重掺杂区（N+区），形成纵向二维NPN结，在P型外延层或直接在P型衬底的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区（N+区）利用深槽刻蚀（DTI）填充高浓度低阻N型多晶（Npoly）的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅（Npoly）中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P-sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。

本实用新型将纵向二维NPN结构延伸至三维，通过增加一个维度，增加了NPN结构的电流路径，因设计规则所限，极限电流能力约增加至2~10倍。

在上述方案基础上，所述的TVS器件为衬底包含P型外延层P-epi的N型衬底的双向TVS器件，包括纵向NPN结构和插指NPN结构，通过控制槽深度，使得侧面结N+与N+间距与底面纵向结形成的N+/P-epi/N-sub并联，并具有相近的击穿电压，在EOS事件时一同泄放电荷。

本实用新型使用高浓度低阻N型掺杂多晶Npoly填充，可获得优良导电性，使得槽顶部与底部电阻差值小，均匀导通。高浓度多晶硅中的N+掺杂经退火会向周围扩散，最终形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构。

深槽多使用离子刻蚀，深槽侧面陡直，刻蚀后会使用牺牲氧化层修复表面缺陷。陡直的槽界面可以使得槽间距均匀稳定。

在上述方案基础上，所述的N型衬底硅片厚度为80~150μm，其中，N型衬底电阻率为2~6mΩ*CM；P-epi电阻率15~53mΩ*CM，厚度8~60μm；薄氧化层生长厚度为200~500Å，掩模（HardMask）氧化层厚度10000~20000Å。

通过选取适当电阻率的衬底及适当电阻率及厚度外延材料，外延电阻率均匀，缺陷少，结构的漏电流低。通过控制槽深度，使得侧面结N+与N+间距与底面结形成的N+/P-epi/N-sub并联，极大的增加了有效面积的利用。

在上述方案基础上，N型衬底硅片上通过深槽刻蚀DTI深积多晶硅POLY并进行原位掺杂形成的高浓度低阻N型多晶硅Npoly，由一个以上深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅构成一个NPOLY电极，Npoly电阻率3~12Ω/□，高浓度低阻N型多晶硅Npoly淀积在沟槽内，并在HardMask氧化层表面形成厚度为1~2μm的多晶硅层，Npoly电阻率3~12Ω/□，Npoly深槽的硅墙为低阻N+型硅墙，深槽刻蚀DTI深度5~53μm、宽度0.5~2.5μm、间距1~3μm。

硅片退火后Npoly深槽扩散形成N+型硅墙，分别与衬底电极、相邻电极构成纵向NPN结构、插指结构。

在上述方案基础上，所述的双向TVS器件为纵向NPN结构时，由三个N+侧壁相接触的并排深槽构成一组Npoly，有二组，高浓度低阻N型多晶硅（Npoly）淀积在沟槽内，并在HardMask氧化层表面的形成厚度为1~2μm的多晶硅层，正面Npoly上的二金属层对应IO1、IO2信号端，衬底背面有金属层，对应IO2信号端。相对于常用双向TVS的二维结构拓展成三维结构，能力获得显著提升。

在上述方案基础上，所述的双向TVS器件为插指结构时，由多组NPOLY电极并联，各深槽深度相同、宽度相同，掺杂浓度相同的高浓度低阻N型多晶，深槽刻蚀DTI的硅墙为N+型，在深槽侧面形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构，与纵向硅片正面Npoly上的金属层对应多对IO1、IO2信号端；硅片背面的金属层对应IO2信号端，形成多插指并联结构。

设计成插指状，可有效保证多晶电阻较小，或多元胞结构，增加侧面结，保证NPN有效结面积尽量大，保证通流能力。

本实用新型所述的衬底硅片为P型衬底/P-sub，通过控制槽深度，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-sub/N+/Npoly结构。

上述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，为纵向NPN结构的双向TVS器件，包括下述步骤：

步骤一，硅片为包含N型的硅衬底N-sub、P型外延层P-epi，在硅片正面的P型外延层P-epi上表面生长一层薄氧化层OX，之后通过淀积生成HardMask氧化层OX-HM，作为深槽刻蚀的掩蔽层；

步骤二，利用表面深槽刻蚀DTI，深槽深度和宽度相同，三个一组，同组深槽的间距相同，共二组，二组深槽之间间距大于同组深槽间距；在深槽中填充高浓度低阻N型多晶硅Npoly，原位N+掺杂，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构，高浓度低阻N型多晶硅Npoly淀积在沟槽内，并在HardMask氧化层表面的形成厚度为1~2μm的多晶硅层，刻蚀去除二组Npoly深槽上表面周围的多晶硅；

步骤三，在二组Npoly深槽上表面周围沉积氧化层OX，在二组Npoly深槽上表面形成接触孔；

步骤四，在接触孔上沉积金属层，分别作为IO1和IO2信号端；

步骤五，硅片背面沉积金属层，作为IO2信号端。

其中，步骤二中，将硅片进入高温炉管，对POLY同时进行推进，使得POLY中的N+掺杂向P型外延层P-epi中扩散，并激活，炉管温度为950~1200℃，时间60~180min。

步骤三中，所述的氧化层OX为硼磷玻璃或多层绝缘膜质复合层。

步骤四中，所述的金属层是纯铝层，或铝硅化合物层，或从下往上依次为厚度200~500Å钛、厚度400~1000Å氮化钛、厚度2~4μm铝硅铜的三层复合结构层。

本实用新型优越在于：本实用新型结构的TVS是由相邻两组填入深槽的多晶硅及其杂质扩散形成的N+与外延层形成的Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly双极性晶体管，相对于常用双向TVS，能力获得显著提升。高浓度的多晶具有很小的电阻，可以使得结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。

附图说明

图1，常用纵向NPN结构的双向TVS器件；

图2，现有插指NPN结构的双向TVS器件；

图3，实施例1纵向NPN结构双向TVS结构示意图；

图4，实施例1中，在硅片正面的P型外延层P-epi上表面制作深槽刻蚀的掩蔽层示意图；

图5，实施例1中，利用表面深槽刻蚀（DTI），在P型外延层P-epi上形成深槽示意图；

图6，在上述硅片表面，淀积POLY并进行原位掺杂成Npoly示意图；

图7，上述硅片Npoly表面厚度大于掩蔽层，将该硅片进入高温炉管对POLY同时进行推进，使得POLY中的N型重掺杂向P型外延层P-epi中扩散，使N+与Pepi形成PN结示意图；

图8，将上述硅片表面多晶硅进行光刻，再通过刻蚀去除部分多晶硅，形成所需图形示意图；

图9，在上述硅片上表面进行介质层淀积、光刻、刻蚀，形成接触孔和金属淀积层示意图；

图10，将上述硅片减薄并进行背面金属化示意图；

图11，实施例2多插指并联的双向TVS器件结构示意图提；

图12，实施例3 有P型外延层P型衬底的多插指并联TVS器件结构示意图；

图13，实施例4 P型衬底的多插指并联TVS器件结构示意图；

图中标示说明：

N-sub——N型衬底；P-sub——P型衬底；

P-epi——P型外延层；

Trend——深槽；

poly——多晶填充；Npoly——N型掺杂多晶硅；

N+——低阻N+型硅墙；

METAL——金属层；

OX——氧化层；OX-HM——HardMask氧化层。

具体实施方式

实施例1

本实施例提供一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS器件，在现有双向TVS器件基础上，将N型重掺杂区N+利用深槽刻蚀技术改为填充高浓度低阻N型掺杂多晶硅Npoly深槽，在深槽的侧面形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构，包含P型外延层P-epi的N型衬底N-sub硅片、P型外延层P-epi上的深槽Trend、N型多晶硅Npoly、多晶刻蚀、金属硅化物作薄的氧化层OX、连接孔、信号端IO1和IO2、及金属层METAL，形成如图3所示纵向NPN结构双向TVS结构示意图：

采用包含P型外延层P-epi的N型衬底N-sub的TVS器件，在P型外延层P-epi的上表面的N型重掺杂区N+利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶硅Npoly的六个深槽，由三个深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅构成一个NPOLY电极，其中,包含三组高浓度多晶硅与其之间被杂质扩散形成的N+掺杂的硅墙，及其两侧相接触被杂质扩散形成的N+掺杂的硅壁并排构成一组NPOLY电极连接IO1信号端；另外三组高浓度多晶硅与其之间被杂质扩散形成的N+掺杂“硅墙”，及其两侧相接触被杂质扩散形成的N+掺杂的硅壁并排构成一组NPOLY电极连接IO2信号端，衬底通过背面金属层亦连接IO2信号端；连接正面IO1信号端的正面Npoly电极、P型外延层、连接正面IO2信号端的正面Npoly电极构成表面插指结构TVS；连接正面IO1信号端的正面Npoly电极、P型外延层、通过背面金属层METAL亦连接IO2信号端的衬底构成纵向NPN；高浓度低阻N型多晶硅Npoly中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。

本实施例通过控制深槽的深度，使得侧面结N+与N+间距与底面纵向结形成的N+/P-epi/N-sub并联。

其中，作为优选，所述的N型衬底N-sub厚度为80~150μm，N型衬底N-sub电阻率为2~6mΩ*CM；P型外延层P-epi电阻率15~53mΩ*CM，厚度8~60μm；薄氧化层OX生长厚度为200~500Å，HardMask氧化层OX-HM厚度10000~20000Å。

N型衬底硅片上通过深槽刻蚀DTI沉积POLY并进行原位掺杂形成的高浓度低阻N型多晶硅Npoly构成有纵向NPN结，高浓度低阻N型多晶硅Npoly电阻率3~12Ω/□，高浓度低阻N型多晶硅Npoly深槽的硅墙为低阻N+型硅墙，深槽刻蚀DTI深度5~53μm、宽度0.5~2.5μm、间距1~3μm。

其中，由三个N+硅墙相接触的并排深槽构成一组Npoly，有二组，高浓度低阻N型多晶硅（Npoly）淀积在沟槽内，并在HardMask氧化层表面的形成厚度为1~2μm的多晶硅层，正面Npoly通过金属层形成电极，分别对应IO1、IO2信号端；衬底背面有金属层，对应IO2信号端。

构成表面插指结构并联纵向NPN结构的双向TVS器件。

本实施例纵向NPN结构双向TVS结构器件按下述步骤制备：

步骤1：使用包含P型外延层P-epi的N型衬底N-sub的硅片，在其上表面生长一层薄的氧化层OX，之后通过淀积生成HardMask氧化层OX-HM，作为深槽刻蚀的掩蔽层，通过光刻、腐蚀去除部分氧化层，结构如图4所示；

步骤2：在上述硅片表面，进行深槽刻蚀DTI，为获得优良的深槽侧面需要进行多次牺牲氧化修复刻蚀造成的缺陷，为了多晶填充poly能够很好的填入深槽Trench，深槽Trench宽度需要限制，作为优选，深槽Trench深度5~53μm、宽度0.5~2.5μm和间距1~3μm，同时为了保证通流能力，需要使用多组深槽Trench，如图5所示；

步骤3：在上述硅片表面，淀积多晶填充POLY，并进行原位掺杂，作为优选，Npoly电阻率3~12Ω/□，其淀积在P型外延上表面厚度为1~2μm，如图6所示。

步骤4：且深槽Trench间的“硅墙”需要对N型POLY进行推进，使得“硅墙”反型，并成为低阻的N+硅墙，如图7所示，将硅片进入高温炉管，对POLY同时进行推进，使得POLY中的杂质向P-epi中扩散，并激活，作为优选，炉管温度为950~1200℃，时间60~180min；

步骤5：将硅片表面多晶硅进行光刻，再通过刻蚀去除部分多晶硅，形成所需图形，如图8所示；

步骤6：在上述硅片表面进行介质淀积，然后光刻、刻蚀，形成接触孔。介质层可以是氧化层，也可以是硼磷玻璃，也可以是多层绝缘膜质复合层；进行金属淀积，然后通过光刻、刻蚀，形成正面金属层；淀积钝化层，并刻蚀图形；

本实施例金属层可以是纯铝，也可以是铝硅化合物；优选的，如图9所示，金属层为三层复合结构，从下往上依次为钛Ti、氮化钛、铝硅铜三层结构，其中，钛Ti厚度为200~500Å，氮化钛厚度为400~1000Å，铝硅铜厚度为2~4μm，完成后如下图9所示的结构，二组正面Npoly上的金属层，分别连接IO1、IO2信号端；

步骤7：将上述硅片减薄至80~150μm，并进行背面金属化，如图10所示，形成背面金属层对应IO2信号端。

硅片减薄，可以有效降低衬底材料的纵向电阻，有利于降低表面到背面的钳位电压。

制成品纵向NPN结构双向TVS器件如图3所示。

本实施例的技术特征和优点如下：

（1）本实施例的TVS是由相邻两组填入深槽的多晶硅及其N型杂质扩散形成的N+与外延层形成的Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly双极性晶体管，相对于常用双向TVS的二维结构拓展成三维结构，能力获得显著提升。

（2）作为基极的P型外延层Pepi由外延工艺制成，其优良的均匀性可以消除提前击穿损坏的薄弱点，提升产品的极限性能。

（3）陡直的深槽Trench侧面是构成等间距CE结的基础，保证器件内部各处基极宽度相等，CE结耐受电压均衡，产品极限能力可以获得较好的提升。

（4）Npoly内N型杂质在推进时向Pepi中扩散，N+与Pepi形成的PN结，具有优良的电特性。

（5）高浓度的多晶具有很小的电阻，可以使得结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。

（6）多晶硅与金属界面加入Ti层，形成良好的欧姆接触，有助于减小接触电阻。

实施例2

本实施例提供一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS器件，如图11所示，为多插指并联的双向TVS器件，本实施例的硅片与实施例1相同，是在现有插指结构的双向TVS器件基础上，将N型重掺杂区（N+）利用深槽刻蚀技术改为填充高浓度低阻N型掺杂多晶硅Npoly深槽，在深槽的侧面形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构。

本实施例将插指结构的N+区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶硅Npoly的双数倍六个深槽，各深槽深度相同、宽度相同，掺杂浓度相同的高浓度低阻N型多晶，深槽的间距也相同，深槽刻蚀DTI的硅墙为N+型，在深槽的侧面形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构，与纵向硅片正面Npoly上的金属层对应多对IO1、IO2信号端；硅片背面的金属层对应IO2信号端，形成多插指并联结构。

制备方法与实施例近似。

本实施例优点除上述实施例介绍的内容外，还包括：通过设计成插指状，可有效保证多晶电阻较小，或多元胞结构，增加侧面结，保证NPN有效结面积尽量大，保证通流能力。

实施例3

本实施例提供一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS器件，如图12所示，为多插指并联的双向TVS器件，本实施例的结构与实施例2相同，只是硅片为包含P型外延层P-epi的P型衬底N-sub。

该多插指并联的双向TVS器件亦可获得与实施例2近似效果。

实施例4

本实施例提供一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS器件，如图13所示，为多插指并联的双向TVS器件，本实施例的结构与实施例2相同，只是硅片为P型衬底N-sub。

该多插指并联的双向TVS器件亦可获得与实施例2近似效果。

本实用新型中，如因工艺能力原因造成的Npoly电阻偏大，将会影响电流均衡，通过仿真计算分段电阻，调整P型外延层Pepi的各部分浓度，获得不同击穿电压，配合分段电阻，使得结构中各部分同时工作，获得极大的通流能力。

另外，部分工厂由于设备能力所限，深槽Trench侧面的陡直程度不理想，如出现上宽下窄，则近深槽Trench底面的间距会大于顶部，影响均流，为改善此现象，可以通过单向工艺获知间距的变化规律，通过调整P型外延层Pepi各部分浓度，获得不同的击穿电压，使得各部分均流。

上面所述只是为了说明本实用新型的技术思想和技术特征，应该理解为本实用新型并不局限于以上实施例，在本实用新型权利要求所限定的精神和范围内可对其进行许多改变，重复，修改，甚至等效，仍将落入本实用新型的保护范围内。

Claims (7)

1.一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，采用包含P型外延层的N型衬底或P型衬底的TVS器件，在P型外延层（P-epi）或直接在P型衬底（P-sub）硅片的上表面形成有N型重掺杂区（N+区），形成纵向二维NPN结，其特征在于，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区（N+区）利用深槽刻蚀（DTI）填充高浓度低阻N型多晶（Npoly）的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅（Npoly）中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P-sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。

2.根据权利要求1所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征要于，所述的TVS器件为衬底包含P型外延层（P-epi）的N型衬底的双向TVS器件，包括纵向NPN结构和插指NPN结构，通过控制槽深度，使得侧面结N+与N+间距与底面纵向结形成的N+/P-epi/N-sub并联，并具有相近的击穿电压，在EOS事件时一同泄放电荷。

3.根据权利要求1或2所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征在于：包含P型外延层的N型衬底厚度为80~150μm，其中，N型衬底电阻率为2~6mΩ*CM；P-epi电阻率15~53mΩ*CM，厚度8~60μm；薄氧化层生长厚度为200~500Å，掩模氧化层厚度10000~20000Å。

4.根据权利要求2所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征在于：N型衬底硅片上通过深槽刻蚀（DTI）沉积多晶硅（POLY）并进行原位掺杂形成的高浓度低阻N型多晶硅（Npoly），由一个以上深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅构成一个NPOLY电极，Npoly电阻率3~12Ω/□，高浓度低阻N型多晶硅（Npoly）淀积在沟槽内，并在掩模氧化层（OX-HM）表面形成厚度为1~2μm的多晶硅层，Npoly深槽的硅墙为低阻N+型硅墙，深槽刻蚀DTI深度5~53μm、宽度0.5~2.5μm、间距1~3μm。

5.根据权利要求4所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征在于：所述的双向TVS器件为表面插指结构并联纵向NPN结构，由三个深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅构成一个NPOLY电极，其中,包含三组高浓度多晶硅与其之间被杂质扩散形成的N+掺杂的硅墙，及其两侧相接触被杂质扩散形成的N+掺杂的硅壁并排构成一组NPOLY电极连接IO1信号端；另外三组高浓度多晶硅与其之间被杂质扩散形成的N+掺杂“硅墙”，及其两侧相接触被杂质扩散形成的N+掺杂的硅壁并排构成一组NPOLY电极连接IO2信号端，衬底通过背面金属层亦连接IO2信号端；连接正面IO1信号端的正面Npoly电极、P型外延层、连接正面IO2信号端的正面Npoly电极构成表面插指结构TVS；连接正面IO1信号端的正面Npoly电极、P型外延层、通过背面金属层亦连接IO2信号端的衬底构成纵向NPN。

6.根据权利要求4所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征在于：所述的双向TVS器件为插指结构时，由多组NPOLY电极并联，各深槽深度相同、宽度相同，掺杂浓度相同的高浓度低阻N型多晶，深槽刻蚀（DTI）的硅墙为N+型，在深槽侧面形成Npoly/N+/P-epi/N+/Npoly结构，与纵向硅片正面Npoly上的金属层对应多对IO1、IO2信号端；硅片背面的金属层对应IO2信号端，形成多插指并联结构。

7.根据权利要求1所述的利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，其特征要于，所述的衬底为P型衬底硅片，通过控制槽深度，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P-sub/N+/Npoly结构。

Images