CN210968196U - 多晶硅打磨处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种多晶硅打磨处理装置，其包括有主轴电机、主轴、磨具、输送装置、升降电机、平衡架、平衡块、卷线器和接近开关，其采用升降电机控制卷线器调节平衡架端部的升降，从而控制磨具的同步升降微调，同时采用多个磨轮，按照自多晶硅两侧边缘向中央且以左右交替渐进的顺序与多晶硅接触，打磨多晶硅的表面。本实用新型具有负载可调、表面打磨厚度均匀、减少磨轮打磨边缘线的痕迹、增加边皮头尾料表面光滑度等优点。

Description

多晶硅打磨处理装置

技术领域

本实用新型属于一种晶体硅太阳能电池的生产领域，特别关于一种多晶硅打磨处理装置。

背景技术

多晶硅晶体的生长是晶体硅太阳能电池生产的重要环节，其晶体生长所用的硅料多是晶体硅锭开方后的边皮料、头料和尾料，而为了减少边皮料、头料和尾料的表面杂质对晶体硅锭的后续处理环节的影响，需要对回收料表面进行打磨处理。

现有技术中，专利号为2017212130908的一种多晶硅边皮头尾料微分打磨处理装置的专利，其中公开了恒负载打磨的方式，并且采用渐进式的磨轮组合方式对边皮头尾料进行打磨。

采用恒负载打磨的方式，其磨轮对边皮头尾料的压力恒定，导致即使多晶硅表面有高低起伏，但是磨轮打磨的深度是不变的，就使得可能回收料的表面打磨过多，浪费物料。而且对边皮头尾料的表面要求是打磨光滑即可，在保持物料表面光滑的前提下磨削掉物料的越薄越好。

另外，采用从一侧到另一侧渐进式的磨轮打磨，由于多晶硅表面粗糙会使得未打磨到的一侧微微翘起一个坡度，且恒负载的情况下打磨深度不变，就导致磨轮的边缘处打磨成一个台阶状，从而会导致磨轮打磨的边缘线比较明显，并影响边皮头尾料表面的平滑度，降低产品的质量和收率。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种负载可调、表面打磨厚度均匀、减少磨轮打磨边缘线的痕迹、增加多晶硅表面光滑度的多晶硅打磨处理装置。

为达成上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种多晶硅打磨处理装置，其包括有主轴电机、主轴、磨具、输送装置、升降电机、平衡架、平衡块、卷线器和接近开关，

所述主轴电机与所述主轴相连，所述主轴位于所述主轴电机的正下方，所述主轴带动所述磨具旋转，

所述平衡架设于所述磨具顶部，所述平衡架中间底部与所述磨具固定连接，

所述平衡块固设于所述平衡架的一侧端部，

所述卷线器固设于所述平衡架的另一侧端部，

所述升降电机设于所述卷线器的上方，所述升降电机带动所述卷线器转动，所述卷线器控制所述平衡架端部的提升和下降，从而控制磨具的升降，

所述输送装置带动多晶硅工件向前运动与所述磨具接触，所述接近开关固定于所述输送装置的侧边，位于所述磨具前方的位置，所述接近开关检测接近所述磨具的多晶硅表面的高度，并将高度信号传递给所述升降电机，所述升降电机根据高度信号调整所述磨具的高度，使得所述磨具的高度与多晶硅表面高度一致。

进一步地，所述磨具包括多个磨轮，所述磨轮自多晶硅两侧边缘向中央且以左右交替渐进的顺序与多晶硅接触，打磨多晶硅的表面。

更进一步地，所述磨轮的尺寸相同，所述磨轮的整体打磨宽度等于或者超出多晶硅的宽度。

进一步地，相邻所述磨轮之间，内侧磨轮覆盖在外侧磨轮上的宽度为2mm。

更进一步地，所述磨轮为奇数个时，最中间的所述磨轮位于多晶硅的中间线上。

进一步地，所述磨轮为偶数个时，多晶硅的中间线处于最中间相邻两个所述磨轮的覆盖面上。

更进一步地，其还包括有防水罩和冷却水进口，所述防水罩为半圆形，其设置于每个所述磨轮上方，所述冷却水进口连通至所述防水罩内侧，并向每个所述磨轮上喷水。

更进一步地，每个所述磨轮都对应设置有升降电机、平衡架、平衡块、卷线器和接近开关。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

1.负载可调，通过接近开关、卷线器的配合，将磨轮与多晶硅的表面进行同步升降，从而打磨物料表面。

2.多晶硅表面打磨厚度均匀，通过磨轮的升降，随多晶硅的表面起伏而使得磨轮打磨同样的表面厚度，减少物料的浪费损失，降低生产成本。

3.减少磨轮打磨边缘线的痕迹，采用左右交叉打磨的方式，保持多晶硅两侧的平衡，使得边缘线的痕迹模糊，减少乃至消除前道磨轮打磨边缘线的痕迹。

4.增加多晶硅的表面光滑度，增加后续加工的产品质量。

附图说明

图1为多晶硅边打磨处理装置的结构示意图；

图2为图1中单数个磨轮时磨轮组合的结构示意图；

图3为图1中偶数个磨轮时磨轮组合的结构示意图。

附图标记为：主轴电机10、主轴20、磨具30、输送装置40、升降电机50、平衡架60、平衡块70、卷线器80、接近开关90、磨轮31、防水罩32和冷却水进口33。

具体实施方式

为进一步阐述本实用新型所采用的技术手段和达到的技术效果，以下结合附图和实施例做详细说明。

参考图1，本实用新型提供了一种多晶硅打磨处理装置，其包括有主轴电机10、主轴20、磨具30、输送装置40、升降电机50、平衡架60、平衡块70、卷线器80和接近开关90。主轴电机10与主轴20相连，主轴20位于主轴电机10的正下方，主轴20带动磨具30旋转。平衡架60设于磨具30顶部，平衡架60的中间底部与磨具30固定连接，平衡块70固设于平衡架60的一侧端部，卷线器80固设于平衡架60的另一侧端部。升降电机50设于卷线器80的上方，升降电机50带动卷线器80转动，卷线器80控制平衡架60端部的提升和下降，从而控制磨具30的升降。输送装置40带动多晶硅工件向前运动与磨具30接触。接近开关90固定于输送装置40的侧边，位于磨具30前方的位置，接近开关90检测接近磨具30的多晶硅表面的高度，并将高度信号传递给升降电机50，升降电机50根据高度信号调整磨具30的高度，使得磨具30的高度与多晶硅表面高度一致。

一个实施例中，磨具30包括多个磨轮31，磨轮31自多晶硅两侧边缘向中央且以左右交替渐进的顺序与多晶硅接触，打磨多晶硅的表面。磨轮31的尺寸相同，磨轮31的整体打磨宽度等于或者超出多晶硅的宽度。相邻磨轮31之间，内侧磨轮31覆盖在外侧磨轮31上的宽度为2mm。

参考图2，在一个实施例中，磨轮31为奇数个时，最中间的磨轮31位于多晶硅的中间线上。

参考图3，在一个实施例中，磨轮31为偶数个时，多晶硅的中间线处于最中间相邻两个磨轮的覆盖面上。

在一个实施例中，多晶硅打磨处理装置还包括有防水罩32和冷却水进口33，防水罩32为半圆形，其设置于每个磨轮31上方，冷却水进口33连通至防水罩32内侧，并向每个磨轮31上喷水。

在一个实施例中，每个磨轮31都对应设置有升降电机50、平衡架60、平衡块70、卷线器80和接近开关90。

本申请具有如下有益效果：

1.负载可调，采用接近开关、卷线器、升降电机对多晶硅表面进行同步升降，使得其表面打磨厚度相同。

2.减少相邻磨轮打磨的边缘线的痕迹，采用左右交叉渐进打磨的方式，保持多晶硅两侧的平衡，防止一侧翘起造成边明显的边缘线痕迹。

3.降低物料浪费，减少生产成本，同时增加多晶硅表面的光滑度，增加后续生产时的产品质量。

应说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.一种多晶硅打磨处理装置，其特征在于：其包括有主轴电机、主轴、磨具、输送装置、升降电机、平衡架、平衡块、卷线器和接近开关，

所述主轴电机与所述主轴相连，所述主轴位于所述主轴电机的正下方，所述主轴带动所述磨具旋转，

所述平衡架设于所述磨具顶部，所述平衡架中间底部与所述磨具固定连接，

所述平衡块固设于所述平衡架的一侧端部，

所述卷线器固设于所述平衡架的另一侧端部，

所述升降电机设于所述卷线器的上方，所述升降电机带动所述卷线器转动，所述卷线器控制所述平衡架端部的提升和下降，从而控制磨具的升降，

所述输送装置带动多晶硅工件向前运动与所述磨具接触，

所述接近开关固定于所述输送装置的侧边，位于所述磨具前方的位置，所述接近开关检测接近所述磨具的多晶硅表面的高度，并将高度信号传递给所述升降电机，所述升降电机根据高度信号调整所述磨具的高度，使得所述磨具的高度与多晶硅表面高度一致。

2.根据权利要求1所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：所述磨具包括多个磨轮，所述磨轮自多晶硅两侧边缘向中央且以左右交替渐进的顺序与多晶硅接触，打磨多晶硅的表面。

3.根据权利要求2所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：所述磨轮的尺寸相同，所述磨轮的整体打磨宽度等于或者超出多晶硅的宽度。

4.根据权利要求3所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：相邻所述磨轮之间，内侧磨轮覆盖在外侧磨轮上的宽度为2mm。

5.根据权利要求2所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：所述磨轮为奇数个时，最中间的所述磨轮位于多晶硅的中间线上。

6.根据权利要求2所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：所述磨轮为偶数个时，多晶硅的中间线处于最中间相邻两个所述磨轮的覆盖面上。

7.根据权利要求2所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：其还包括有防水罩和冷却水进口，所述防水罩为半圆形，其设置于每个所述磨轮上方，所述冷却水进口连通至所述防水罩内侧，并向每个所述磨轮上喷水。

8.根据权利要求2所述的多晶硅打磨处理装置，其特征在于：每个所述磨轮都对应设置有升降电机、平衡架、平衡块、卷线器和接近开关。

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