CN210549947U - 一种离子束抛光设备 - Google Patents

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常洪兴
徐胜
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Abstract

本实用新型涉及到电镀技术领域,尤其涉及一种离子束抛光设备。该离子束抛光设备使用真空泵将真空室获得一定真空度。打开离子源将冲入真空室内的惰性气体氩气电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,对基板进行抛光。电机带动基板旋转,提高抛光的均匀性。在打开离子源的同时打开中和器避免电荷在基板上聚集而产生对后续离子的排斥作用。使用离子束抛光设备可用得到超光滑表面。不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性。此外,该离子束抛光设备结构简单,不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性,适合推广使用。

Description

一种离子束抛光设备
技术领域
本实用新型涉及到抛光技术领域,尤其涉及一种离子束抛光设备。
背景技术
抛光技术在设备制造领域很常见,常规的抛光方法都是靠人工来完成,工人在此过程中的劳动强度大,工作效率低,抛光后的产品质量不够完整统一。
有鉴于上述的缺陷,本公司积极加以研究创新,以期创设一种离子束抛光设备,离子抛光把离子刻蚀技术用于超光滑表面的抛光。不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性。
实用新型内容
为了克服背景技术中存在的缺陷,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种离子束抛光设备,包括真空室、离子源、中和器和真空泵,所述真空室的底部设有真空泵,所述真空室的左侧设有离子源,所述真空室的前侧设有中和器,所述真空室内部固定有电机固定架,所述电机固定架上通过电机固定轴固定有电机,所述电机的转轴上固定有基板,所述中和器设置在离子源和基板之间。
本实用新型所涉及的一种离子束抛光设备,该离子束抛光设备使用真空泵将真空室获得一定真空度。打开离子源将冲入真空室内的惰性气体氩气电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,对基板进行抛光。电机带动基板旋转,提高抛光的均匀性。在打开离子源的同时打开中和器避免电荷在基板上聚集而产生对后续离子的排斥作用。使用离子束抛光设备可用得到超光滑表面,抛光时去除基板表面的厚度很小,一般只有几个微米。 不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性。此外,该离子束抛光设备结构简单,不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性,适合推广使用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型一种离子束抛光设备的结构示意图一;
图2是本实用新型一种离子束抛光设备的结构示意图二;
其中:1、真空室;2、离子源;3、中和器;4、真空泵;5、电机固定架;6、电机固定轴;7、电机;8、转轴;9、基板。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。附图为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
请参阅图1-2,一种离子束抛光设备,包括真空室1、离子源2、中和器3和真空泵4,其特征在于,所述真空室1的底部设有真空泵4,所述真空室1的左侧设有离子源2,所述真空室1的前侧设有中和器3,所述真空室1内部固定有电机固定架5,所述电机固定架5上通过电机固定轴6固定有电机7,所述电机7的转轴8上固定有基板9,所述中和器3设置在离子源2和基板9之间。
本实用新型所涉及的一种离子束抛光设备,该离子束抛光设备使用真空泵将真空室获得一定真空度。打开离子源将冲入真空室内的惰性气体氩气电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,对基板进行抛光。电机带动基板旋转,提高抛光的均匀性。在打开离子源的同时打开中和器避免电荷在基板上聚集而产生对后续离子的排斥作用。使用离子束抛光设备可用得到超光滑表面,抛光时去除基板表面的厚度很小,一般只有几个微米。 不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性。此外,该离子束抛光设备结构简单,不仅可用提高抛光质量,而且大大提高了抛光效率,提高了抛光的均匀性和稳定性,适合推广使用。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (1)

1.一种离子束抛光设备,包括真空室(1)、离子源(2)、中和器(3)和真空泵(4),其特征在于,所述真空室(1)的底部设有真空泵(4),所述真空室(1)的左侧设有离子源(2),所述真空室(1)的前侧设有中和器(3),所述真空室(1)内部固定有电机固定架(5),所述电机固定架(5)上通过电机固定轴(6)固定有电机(7),所述电机(7)的转轴(8)上固定有基板(9),所述中和器(3)设置在离子源(2)和基板(9)之间。
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