CN210374969U - 一种导电膜 - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 36
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009924 canning Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- HHIQWSQEUZDONT-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W].[W].[W] HHIQWSQEUZDONT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种导电膜，导电膜具有标准开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成，圆形导电膜与一个贯穿孔中的导电材料相连，环形导电膜与另一个贯穿孔中的导电材料相连。绝缘基板表面的导电膜与绝缘基板的贯穿孔中导电材料连通，在外接引线时，可确保圆形导电膜和环形导电膜完整性，提高单电极电容位移传感器电场均匀性，从而改善电容位移传感器的性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种导电膜的技术领域，尤其涉及一种导电膜。
背景技术
电容位移传感器具有动态特性好、分辨力高、结构简单等优点非常适合高精度、非接触动态测量，已被广泛用于位移、压力等领域的高精度测量。在电容位移传感器中，电容(C) 与电极之间距离(d)之间的关系可表示为：
C＝εrε0A/d (1)
其中，εr为电极之间介质相对介电常数，ε0为真空介电常数，A为极板间覆盖面积，d为极板间距。极板间距离变化，引起电容传感器电容变化，从而实现位移、压力等测量。上述方程(1)成立的条件是电容位移传感器极板间电场均匀分布。由于边缘电场存在会导致电容位移传感器两极板之间电场分布不均匀，而是随着空间变化，导致电容位移传感器信号扭曲。为了尽量减小电场边缘效应，提高电场分布的均匀度，电容传感器探头中一般采用文献[1]Journal Applied Physics 1975，46，2486-2490[W.C.Heerens,F.C.Vermeulen,Capacitance of kelvin guard-ring capacitors with modified edge geometry,J.Appl. Phys.46(1975)2486-2490]中报道的开尔芬保护环(Kelvin GuardRing)结构的电极(见图5a)即由工作电极1和保护环组成。图5b中工作电极2一般为被检测对象，其工作面积远大于工作电极1。在运行过程中，工作电极1和保护环电势保持一致，大幅减小电场边缘效应。
另外，电容传感器极板厚度越大，电场边缘效应越大。为了减小电容传感器极板厚度，人们亦以绝缘基板上的开尔芬保护环结构的薄导电膜替代开尔芬环结构的较厚的金属板作为电极，减小电场边缘效应。然而，在采用开尔芬环结构的导电膜时，为了给保护环中间工作电极连接引线，导电膜往往采用文献[3]Nature Nanotechnology 2011,6,496-500所报道非标准的开尔芬保护环结构(见图6)，这会引入额外的电场边缘效应，损害电容位移传感器性能。
因此，寻找一种在绝缘基板上制作具有标准开尔芬保护环结构的导电膜作为电极，是减少电容位移传感器电场边缘效应，提高电场分布均匀性，改善电容传感器性能的关键。
实用新型内容
本实用新型的目的是：避免上述电容位移传感器探头以绝缘基板上非标准的开尔芬保护结构的导电膜为电极时，存在较大的电场边缘效应问题，提出了一种在绝缘基板表面具有标准开尔芬保护环结构的导电膜，从而减小电容位移传感器以导电膜为电极时的电场边缘效应，提供了电容位移传感器性能。
本实用新型采用的技术方案是：一种导电膜，导电膜具有标准开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成；所述标准开尔芬保护环结构的导电膜2由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜201和表面完整的环形导电膜202组成；所述表面完整的圆形导电膜201与一个填充有导电材料4的贯穿孔 301相连；所述表面完整的环形导电膜202与另一个填充有导电材料4的贯穿孔302相连。
由此，本实用新型的有益效果是：在所述绝缘基板引入填充导电材料的贯穿孔，并且导电材料与绝缘基板表面完好并具有标准开尔芬环结构导电膜接触，这在确保标准开尔芬环导电膜与外部引线连通的同时，可减小边缘电场效应，改善电容位移传感器性能。
附图说明
图1为带有贯穿孔的绝缘基板截面结构示意图。
图2为绝缘基板上具有标准开尔芬环结构导电膜表面结构示意图。
图3为绝缘基板上具有标准开尔芬环结构导电膜截面结构示意图。
图4为制作导电膜的方法流程示意图。
图5a为现有技术开尔芬保护环(Kelvin Guard Ring)结构的电极横向剖视图。
图5b为现有技术开尔芬保护环(Kelvin Guard Ring)结构的电极纵向剖视图。
图6为现有技术非标准的开尔芬保护环结构导电膜表面结构示意图。
在图1、图2和图3中：1是绝缘基板，如氧化铝、石英等；201是圆形导电膜；202是环形导电膜；3是贯穿孔；4是贯穿孔中的导电材料。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明
一种基于导电膜，导电膜具有标准开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成；所述标准开尔芬保护环结构的导电膜2 由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜201和表面完整的环形导电膜202组成；所述表面完整的圆形导电膜201与一个填充有导电材料4的贯穿孔301相连；所述表面完整的环形导电膜202与另一个填充有导电材料4的贯穿孔302相连。
导电膜包括采用罐装工艺在绝缘基板上的两个贯穿孔中填充导电材料；采用丝网印刷或薄膜沉积工艺在绝缘基板表面制作具有标准开尔芬保护环结构的导电膜；其中所述标准开尔芬保护环结构的导电膜由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜201和表面完整的环形导电膜组成；所述表面完整的圆形导电膜与一个填充有导电材料的贯穿孔相连；所述表面完整的环形导电膜与另一个填充有导电材料的贯穿孔相连。
具体制备工艺如下：
步骤1：以带有两个贯穿孔的绝缘材料为绝缘基板，采用灌装工艺向贯穿孔中填充导电浆料；
步骤2：在温度为50～200℃条件下，将灌入贯穿孔的导电浆料的烘干；
步骤3：在温度为100～900℃条件下，将烘干之后的导电浆料进行烧结处理，得到导电材料；
步骤4：反复进行步骤1、步骤2和步骤3，直至绝缘基板的贯穿孔中完全被导电材料填充。
步骤5：对贯穿孔中填充了导电材料的绝缘基板的一个表面进行打磨抛光；
步骤6：采用丝网印刷或薄膜沉积工艺，在贯穿孔中填充了导电材料的绝缘基板的打磨抛光的一面上制作标准开尔芬保护环结构的导电膜。
所述标准开尔芬保护环结构的导电膜由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成。
所述表面完整的圆形导电膜与一个填充有导电材料的贯穿孔相连。
所述表面完整的环形导电膜与另一个填充有导电材料的贯穿孔相连。
所述向绝缘基板的贯穿孔中填充导电材料的灌装工艺步骤如下：
(a1)先将导电浆料灌入贯穿孔；
(a2)在温度为50～200℃条件下，将灌入贯穿孔的导电浆料的烘干；
(a3)在温度为100～900℃条件下，将烘干之后的导电浆料进行烧结处理，得到导电材料；
(a4)反复进行步骤(a1)、(a2)和(a3)，直至绝缘基板的贯穿孔中完全被导电材料填充。
所述绝缘基板材质为氧化铝、氧化锆、氮化硅或他们复合物种中的任意一种或玻璃或石英或带有氧化硅层的硅。
所述导电浆料的导电组分为金、银、铂、钯、钨、铜、镍或碳粉及他们复合物种中的任意一种。
所述丝网印刷工艺具体如下：
(c1)以具有标准开尔芬保护环结构图形的丝网为掩模网版，将导电浆料转移到贯穿孔中填充有导电材料的绝缘基板的抛光表面上；
(c2)在温度为50～200℃条件下，将绝缘基板的抛光表面上的导电浆料的烘干；
(c3)在温度为100～850℃条件下，将烘干之后的导电浆料进行烧结处理，在绝缘基板的抛光表面上的得到具有标准开尔芬结构的导电膜。
所述薄膜沉积工艺为离子镀膜、或溅射镀膜、或蒸发镀膜。
采用薄膜沉积工艺时，所述导电膜组分为导电金属，或碳、或其组合。
实施例1
步骤110、以带有两个贯穿孔的圆形氧化铝陶瓷材料为绝缘基板1，采用灌装工艺向贯穿孔3中填充钯银复合导电浆料401；
步骤120、在温度为100℃条件下，将灌入贯穿孔的钯-银复合导电浆料401的烘干；
步骤130、在温度为600℃条件下，将贯穿孔中烘干之后的钯-银复合导电浆料401进行烧结处理，得到导电材料4；
步骤140、反复进行步骤110、步骤120和步骤130，直至绝缘基板1的贯穿孔3中完全被导电材料4填充；
步骤150、对贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的一个表面5进行打磨抛光；
步骤160、采用丝网印刷工艺，在贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的打磨抛光的一表面5上制作标准开尔芬保护环结构的钯-银复合导电膜2。
实施例2
步骤110、以带有两个贯穿孔的圆形石英材料为绝缘基板1，采用灌装工艺向贯穿孔3 中填充银导电浆料401；
步骤120、在温度为60℃条件下，将灌入贯穿孔的银导电浆料401的烘干；
步骤130、在温度为200℃条件下，将贯穿孔中烘干之后的银导电浆料401进行烧结处理，得到导电材料4；
步骤140、反复进行步骤110、步骤120和步骤130，直至绝缘基板1的贯穿孔3中完全被导电材料4填充；
步骤150、对贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的一个表面5进行打磨抛光；
步骤160、采用溅射镀膜工艺，在贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的打磨抛光的一表面5上制作标准开尔芬保护环结构的铂膜2。
实施例3
步骤110、以带有两个贯穿孔的圆形氧化铝-氧化锆复合材料为绝缘基板1，采用灌装工艺向贯穿孔3中填充铜导电浆料401；
步骤120、在温度为80℃条件下，将灌入贯穿孔的铜导电浆料401的烘干；
步骤130、在温度为300℃条件下，将贯穿孔中烘干之后的铜导电浆料401进行烧结处理，得到导电材料4；
步骤140、反复进行步骤110、步骤120和步骤130，直至绝缘基板1的贯穿孔3中完全被导电材料4填充；
步骤150、对贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的一个表面5进行打磨抛光；
步骤160、采用蒸发镀膜工艺，在贯穿孔3中填充了导电材料4的绝缘基板1的打磨抛光的一表面5上制作标准开尔芬保护环结构的铝膜2。
Claims (1)
1.一种导电膜，其特征在于，导电膜具有开尔芬保护环结构，由绝缘分离的、具有同心的、表面完整的圆形导电膜和表面完整的环形导电膜组成；所述开尔芬保护环结构的导电膜(2)由绝缘分离的具有同心的表面完整的圆形导电膜(201)和表面完整的环形导电膜(202)组成；所述表面完整的圆形导电膜(201)与一个填充有导电材料(4)的贯穿孔相连；所述表面完整的环形导电膜(202)与另一个填充有导电材料(4)的贯穿孔相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920869378.3U CN210374969U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种导电膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920869378.3U CN210374969U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种导电膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210374969U true CN210374969U (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=70264382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920869378.3U Expired - Fee Related CN210374969U (zh) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 一种导电膜 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN210374969U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110186366A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-30 | 中国科学技术大学 | 一种导电膜及其制作方法 |
-
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110186366A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-30 | 中国科学技术大学 | 一种导电膜及其制作方法 |
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