CN210253175U - 记忆体晶片超频测试装置 - Google Patents
记忆体晶片超频测试装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210253175U CN210253175U CN201921253975.XU CN201921253975U CN210253175U CN 210253175 U CN210253175 U CN 210253175U CN 201921253975 U CN201921253975 U CN 201921253975U CN 210253175 U CN210253175 U CN 210253175U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test
- memory chip
- memory
- tray
- temporary storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本实用新型为一种记忆体晶片超频测试装置,应用在两阶段的记忆体晶片测试制程中,筛检不同速度的记忆体晶片,包含第一测试盘、第二测试盘、第三测试盘、第四测试盘、定位暂存盘、至少一预测试机台、多个测试机台以及机械手臂,机械手臂电性连接所述测试盘、定位暂存盘、预测试机台以及测试机台,预测试机台设置在定位暂存盘及测试机台的中间,对记忆体做第一阶段的测试及筛选,经过第一阶段预测试机台筛选通过的记忆体,将在测试机台进行完整的记忆体晶片测试。提高效率、准确度及减少误判。
Description
技术领域
本实用新型有关于一种记忆体晶片超频测试装置,尤其是透过预测试机台对记忆体晶片做初步筛检,达到多速度分类的工程。
背景技术
目前随着科技日新月异,各种记忆体也以不同形式应用于日常生活中,以使各种电子设备具备更多功能和操作性。例如个人电脑(PC)内常用的随机存取记忆体(RandomAccess Memory,RAM),具备随时读写及高速度的特性,故常被做为作业系统或其他正在执行中的程式的临时资料之储存媒介。又可细分为,动态随机存取记忆体(Dynamic RandomAccess Memory,DRAM)以及静态随机存取记忆体(Static Random Access Memory,SRAM)。
且在电竞产业近年来成长速度之快,其首要配备就是利用高阶电子设备,如:主机板、记忆体…等,作为获胜的标准配备,再搭配选手的智力、技巧的展现,而电竞选手在硬体配备选择上首重记忆体速度,因此,为制造出高速度记忆体,其需要提高对制程上的需求,也就是从颗粒测试着手,因为颗粒即为制造记忆体的重要原物料之一。
在传统上,记忆体制程及测试的方法,采用大量的人力进行颗粒的速度分类,且必须由低速开始筛检,若要检测出超频的记忆体,为了避免机台故障而造成的后续维修成本,采用大量人力的同时也代表耗费大量时间以及管理成本,而且人员的眼力及体力所造成的疲劳及误判也随之提升,都是需要突破及改进的地方。
实用新型内容
由于上述的问题,对于检测出超频记忆体,本实用新型的主要目的在于提供一种记忆体晶片超频测试装置,应用于筛检不同速度的记忆体晶片,记忆体晶片超频测试装置包含第一测试盘、第二测试盘、第三测试盘、第四测试盘、定位暂存盘、至少一预测试机台、多个测试机台以及机械手臂,机械手臂电性连接第一测试盘、第二测试盘、第三测试盘、第四测试盘、定位暂存盘、预测试机台以及测试机台。
较佳而言,第一测试盘放置等待测试的记忆体晶片,第二测试盘放置等待二次测试(降阶再测试)的记忆体晶片,第三测试盘放置欲淘汰的记忆体晶片,第四测试盘放置测试完成分类的记忆体晶片。
较佳而言,定位暂存盘可以分为两个区域,一部分为定位区,另一部分为暂存区,定位区设置的目的在于确保每一个被抓取的待测试记忆体排列整齐,透过定位区的特殊设计,使机械手臂再次抓取记忆体时可以准确定位在记忆体中间,而暂存区则用以存放准备进行下一阶段测试的记忆体。
预测试机台设置在定位暂存盘及测试机台的中间,对记忆体做第一阶段的测试及筛选,预测试机台内包含一微处理器(CPU),直接控制预测试机台对记忆体做直流参数测试和交流参数测试,经过第一阶段预测试机台筛选通过的记忆体,将在测试机台进行完整的记忆体晶片测试。
本实用新型藉由改善传统技术带来的高人力成本及时间成本,取而代之的是透过自动化设备提高效率及减少误判,同时创新加入预测试机台的两阶段筛检,达到一次性分类多种速度的功效,甚至有别于传统的技术,可以进行反向测试。
附图说明
图1为本实用新型记忆体晶片超频测试装置的示意图;
图2A为本实用新型定位暂存盘的详细示意图;
图2B为本实用新型定位暂存盘中定位区的详细示意图;以及
图3为本实用新型记忆体晶片超频测试装置的实施例示意图。
其中,附图标记说明如下:
11 第一测试盘
12 第二测试盘
13 第三测试盘
14 第四测试盘
20 定位暂存盘
21 定位区
22 暂存区
30 预测试机台
40 测试机台
50 机械手臂
C 记忆体晶片
具体实施方式
以下配合图示及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明,使本领域技术人员在研读本说明书后能据以实施。
本实用新型为一种记忆体晶片超频测试装置,其中,记忆体晶片超频测试装置较佳实施例请参阅图1,图1为本实用新型记忆体晶片超频测试装置的示意图,包含记忆体晶片C、第一测试盘11、第二测试盘12、第三测试盘13、第四测试盘14、定位暂存盘20、预测试机台30、测试机台40以及机械手臂50,主要是用于两阶段测试记忆体速度以进行筛选及分类。
机械手臂50分别与第一测试盘11、第二测试盘12、第三测试盘13、定位暂存盘20、预测试机台30及测试机台40电性连接,机械手臂50抓取记忆体晶片C在记忆体晶片超频测试装置中移动。
第一测试盘11放置等待测试的记忆体晶片C,第二测试盘12放置等待二次测试(降阶再测试)的记忆体晶片C,第三测试盘13放置欲淘汰的记忆体晶片C,第四测试盘14放置测试完成分类的记忆体晶片C。
定位暂存盘20可以分为两个区域,一部分为定位区21,另一部分为暂存区22,如图2A所示,定位区21设置的目的在于确保每一个被抓取的待测试记忆体排列整齐,因为机械手臂50从第一测试盘11抓取记忆体晶片C的位置并不一定每一个都是在记忆体晶片C中间,因此需透过定位区21的特殊凹槽设计,如图2B所示,使放在定位区21上的记忆体晶片C可以整齐排列,使机械手臂50再次抓取时可以准确抓取在记忆体晶片C的中间,而暂存区22则用以存放已经预测试结束准备进行下一阶段测试的记忆体晶片C。
预测试机台30设置在定位暂存盘20及测试机台40的中间,对记忆体晶片C做第一阶段的测试及筛选,预测试机台30内包含一微处理器(CPU),直接控制预测试机台30对记忆体晶片C做快速直流参数测试和交流参数测试,因是由CPU控制所以不需要开机,能缩短预测试的时间,经过第一阶段预测试机台30筛选通过的记忆体晶片C,将在测试机台40进行完整的记忆体晶片测试。
具体而言,机械手臂50抓取第一测试盘11上的其中一排记忆体晶片C,并放置在定位暂存盘20上的定位区21,使记忆体晶片C的排列更整齐一致,再经由机械手臂50移动到预测试机台30进行第一阶段的测试,在此第一阶段的测试主要是测记忆体晶片C的速度、开路/短路测试、直流参数测试和交流参数测试,第一阶段测试后将通过测试(筛选)的记忆体晶片C藉由机械手臂50移往测试机台40,未通过的记忆体晶片C则分为两类,其中属于等待二次测试(降阶再测试)的记忆体晶片C,移往第二测试盘12,属于短路欲淘汰的记忆体晶片C移往第三测试盘13,而最终通过测试机台40完整的晶片测试之记忆体晶片C,则会存放于第四测试盘14。
本实用新型其中一实施例可以参考图3所示,记忆体晶片超频测试装置包含记忆体晶片C、两个第一测试盘11、两个第二测试盘12、两个第三测试盘13、两个第四测试盘14、一个定位暂存盘20、一个预测试机台30、多个测试机台40以及机械手臂50,本实施例并非限定本实用新型装置所包含的元件或机台数量,此实施例仅是说明多种情形之一,其中,而定位暂存盘20包含定位区21以及暂存区22。
在进行第一次测试(第一次筛选)之前,待测试的记忆体晶片C放置在第一测试盘11,并且设定预测试机台30的第一阶段测试(预测试)参数,此参数可以依照欲筛选出多少速度的记忆体而决定,假设欲筛选出速度高于3200MHz的记忆体,则设定的参数需比欲筛选出的速度高一些,例如3333MHz,藉以筛选出特定速度的记忆体,提升效率。
机械手臂50与第一测试盘11、第二测试盘12、第三测试盘13、第四测试盘14、定位暂存盘20、预测试机台30以及测试机台40电性连接,其中机械手臂50较佳而言是设置在第一测试盘11、第二测试盘12、第三测试盘13、第四测试盘14、定位暂存盘20、预测试机台30以及测试机台40的上方,除了节省空间外也增加移动灵活性。
第一阶段测试(预测试)参数设定完成后,机械手臂50抓取第一测试盘11中的一排待测试的记忆体晶片C到定位区21,调整排列后移动到预测试机台30,预测试机台30内包含一微处理器(CPU),直接控制预测试机台30对记忆体晶片C做快速直流参数测试和交流参数测试,因直接由CPU控制,不需要开机,所以只需大约8-10秒即可完成,第一阶段测试(预测试)结束后,通过测试的记忆体晶片C亦即速度高于参数的记忆体晶片C将移动到测试机台40,进行第二阶段测试亦即完整的记忆体晶片测试,也就是所谓的Burn in test烧机测试,此第二阶段测试需费时较长时间,大约需花费300秒,而未通过测试的记忆体晶片C可能包含速度未达设定的参数或晶片开路/短路,分别移动至第二测试盘12及第三测试盘13。
其中记忆体晶片C是否通过预测试机台30的筛检,可以透过通讯装置的显示介面,让机械手臂50分辨记忆体晶片是否通过预测试的筛检。
经过测试机台40完整的记忆体晶片测试后,遂可对记忆体晶片C的速度做分类,筛选出特定速度的记忆体晶片C,在所有第一测试盘11的记忆体晶片C都完成后,接着可以重新设定预测试参数,且第二测试盘12的记忆体晶片C会移动到第一测试盘11,再进行一次两阶段测试,藉此分类及筛选出特定速度的记忆体晶片C。
较佳而言,本实用新型的第一测试盘11、第二测试盘12、第三测试盘13、第四测试盘14、定位暂存盘20、预测试机台30以及测试机台40,其设计上记忆体晶片C的排列方式皆为一排摆放8颗,因此,同理可知机械手臂50也是一排8个抓取点。
本实用新型的主要功效在于,改善传统的晶片测试需采用大量的人力进行速度的分类,而本实用新型利用自动化的设备及机械手臂缩减人员管理的成本,以及减少人员眼力、体力疲劳所产生的误判,提高准确度及效率。
本实用新型另一功效在于,改善传统晶片测试制程必须从低速开始筛检耗费大量时间,本实用新型利用新的两阶段测试分类筛选装置,达到一次性分类多种速度,并且还可指定特定速度进行筛检,有别于传统,从高速开始反向测试,同时也确保测试机台的稳定性,减少机台故障或烧掉的机率。
以上所述仅为用以解释本实用新型的较佳实施例,并非企图据以对本实用新型做任何形式上的限制,因此,凡有在相同的创作精神下所作有关本实用新型的任何修饰或变更,皆仍应包括在本实用新型意图保护的范畴。
Claims (5)
1.一种记忆体晶片超频测试装置,其特征在于,应用在筛检不同速度的记忆体晶片,包含:
至少一第一测试盘,放置待测试的记忆体晶片;
至少一第二测试盘,放置等待降阶再测试的记忆体晶片;
至少一第三测试盘,放置欲淘汰的记忆体晶片;
至少一第四测试盘,放置测试完成分类的记忆体晶片;
一定位暂存盘,该定位暂存盘分为一定位区以及一暂存区,该定位区用以调整记忆体晶片的排列;
至少一预测试机台,且该预测试机台内设定有一预测试参数;
多个测试机台;以及
一机械手臂,该机械手臂用以抓取记忆体晶片,且该机械手臂电性连接该至少一第一测试盘、该至少一第二测试盘、该至少一第三测试盘、该至少一第四测试盘、该定位暂存盘、该至少一预测试机台以及所述测试机台;
其中该机械手臂从该第一测试盘抓取记忆体晶片至该定位暂存盘的该定位区,使记忆体晶片排列一致,再次抓取记忆体晶片移动至该至少一预测试机台,藉由该至少一预测试机台依据该预测试参数对记忆体晶片进行第一阶段筛检,通过第一阶段筛检的记忆体晶片由该机械手臂移动到该测试机台,对记忆体晶片进行完整晶片测试,该暂存区存放等待进行完整晶片测试的记忆体晶片,未通过第一阶段筛检的记忆体晶片则由该机械手臂移至该第二测试盘或该第三测试盘,经过该测试机台完整晶片测试的记忆体晶片,藉由该机械手臂移至该第四测试盘完成分类。
2.根据权利要求1所述的记忆体晶片超频测试装置,其特征在于,该至少一第一测试盘、该至少一第二测试盘、该至少一第三测试盘、该至少一第四测试盘、该定位暂存盘、该至少一预测试机台以及所述测试机台皆是设计为记忆体晶片的排列方式为一排摆放8颗。
3.根据权利要求1所述的记忆体晶片超频测试装置,其特征在于,该预测试参数,依据使用者欲筛选出特定速度的记忆体晶片做设定,该预测试参数需比欲筛选出的特定速度高。
4.根据权利要求1所述的记忆体晶片超频测试装置,其特征在于,记忆体晶片是否通过该预测试机台的筛检,系透过一通讯装置的显示界面,让该机械手臂分辨记忆体晶片是否通过预测试的筛检。
5.根据权利要求1所述的记忆体晶片超频测试装置,其特征在于,该预测试机台进行的第一阶段筛检进一步包含直流参数测试和交流参数测试。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921253975.XU CN210253175U (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | 记忆体晶片超频测试装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921253975.XU CN210253175U (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | 记忆体晶片超频测试装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN210253175U true CN210253175U (zh) | 2020-04-07 |
Family
ID=70016034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201921253975.XU Active CN210253175U (zh) | 2019-08-05 | 2019-08-05 | 记忆体晶片超频测试装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN210253175U (zh) |
-
2019
- 2019-08-05 CN CN201921253975.XU patent/CN210253175U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9551740B2 (en) | Parallel concurrent test system and method | |
US6437271B1 (en) | Method for sorting integrated circuit devices | |
JP3009743B2 (ja) | 半導体デバイス搬送処理装置 | |
CN111209152B (zh) | Dram芯片老化测试设备、方法、计算机设备及存储介质 | |
JPH11202023A (ja) | テスト−バーンイン装置、それを用いたインラインシステム及びそのインラインシステムを用いたテスト方法 | |
TW201518743A (zh) | 半導體晶片重測系統及其重測方法 | |
JP6815251B2 (ja) | 検査システム、ウエハマップ表示器、ウエハマップ表示方法、およびコンピュータプログラム | |
CN210253175U (zh) | 记忆体晶片超频测试装置 | |
CN1474272A (zh) | 通过jtag对单板进行测试的方法以及设备 | |
TWI686810B (zh) | 記憶體晶片超頻測試方法 | |
CN112309492A (zh) | 内存芯片超频测试模块及其方法 | |
CN209947446U (zh) | 内存芯片超频测试模块 | |
US20150066414A1 (en) | Automatic retest method for system-level ic test equipment and ic test equipment using same | |
CN112317352B (zh) | 记忆体晶片超频测试方法 | |
JP2001356145A (ja) | 試験済み電子部品の分類制御方法 | |
TWI708252B (zh) | 記憶體晶片超頻測試模組及其方法 | |
JP4515815B2 (ja) | 半導体素子の検査方法 | |
US20090024324A1 (en) | Method and System for GRR Testing | |
KR100630701B1 (ko) | 변형된 입출력용 인쇄회로패턴을 갖는 반도체 소자검사장치의 검사보오드 및 이를 이용한 검사방법 | |
TWM585964U (zh) | 記憶體晶片超頻測試裝置 | |
TWM585963U (zh) | 記憶體晶片超頻測試模組 | |
CN104599998B (zh) | 一种对失效芯片进行电性失效分析的方法 | |
JP4490168B2 (ja) | 不良デバイス解析方法 | |
KR100408984B1 (ko) | 번인과 pc 실장 테스트 겸용 테스트 기판 | |
KR20010049215A (ko) | 모듈램 실장 테스트 핸들러 및 이를 이용한 모듈램 테스트방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |