TWM585964U - 記憶體晶片超頻測試裝置 - Google Patents

Abstract

本創作為一種記憶體晶片超頻測試裝置，應用在兩階段的記憶體晶片測試製程中，篩檢不同速度的記憶體晶片，包含第一測試盤、第二測試盤、第三測試盤、第四測試盤、定位暫存盤、至少一預測試機台、多個測試機台以及機械手臂，機械手臂電性連接該等測試盤、定位暫存盤、預測試機台以及測試機台，預測試機台設置在定位暫存盤及測試機台的中間，對記憶體做第一階段的測試及篩選，經過第一階段預測試機台篩選通過的記憶體，將在測試機台進行完整的記憶體晶片測試。提高效率、準確度及減少誤判。

Description

記憶體晶片超頻測試裝置

本創作係有關於一種記憶體晶片超頻測試裝置，尤其是透過預測試機台對記憶體晶片做初步篩檢，達到多速度分類的工程。

目前 隨著科技日新月異，各種記憶體也以不同形式應用於日常生活中，以使各種電子設備具備更多功能和操作性。例如個人電腦(PC)內常用的隨機存取記憶體(Random Access Memory，RAM)，具備隨時讀寫及高速度的特性，故常被做為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料之儲存媒介。又可細分為，動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)以及靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory，SRAM)。

且在電競產業近年來成長速度之快，其首要配備就是利用高階電子設備，如：主機板、記憶體…等，作為獲勝的標準配備，再搭配選手的智力、技巧的展現，而電競選手在硬體配備選擇上首重記憶體速度，因此，為製造出高速度記憶體，其需要提高對製程上的需求，也就是從顆粒測試著手，因為顆粒即為製造記憶體的重要原物料之一。

在傳統上，記憶體製程及測試的方法，採用大量的人力進行顆粒的速度分類，且必須由低速開始篩檢，若要檢測出超頻的記憶體，為了避免機台故障而造成的後續維修成本，採用大量人力的同時也代表耗費大量時間以及管理成本，而且人員的眼力及體力所造成的疲勞及誤判也隨之提升，都是需要突破及改進的地方。

由於上述的問題，對於檢測出超頻記憶體，本創作之主要目的在於提供一種記憶體晶片超頻測試裝置，應用於篩檢不同速度的記憶體晶片，記憶體晶片超頻測試裝置包含第一測試盤、第二測試盤、第三測試盤、第四測試盤、定位暫存盤、至少一預測試機台、多個測試機台以及機械手臂，機械手臂電性連接第一測試盤、第二測試盤、第三測試盤、第四測試盤、定位暫存盤、預測試機台以及測試機台。

較佳而言，第一測試盤放置等待測試的記憶體晶片，第二測試盤放置等待二次測試(降階再測試)的記憶體晶片，第三測試盤放置欲淘汰的記憶體晶片，第四測試盤放置測試完成分類的記憶體晶片。

較佳而言，定位暫存盤可以分為兩個區域，一部分為定位區，另一部分為暫存區，定位區設置的目的在於確保每一個被抓取的待測試記憶體排列整齊，透過定位區的特殊設計，使機械手臂再次抓取記憶體時可以準確定位在記憶體中間，而暫存區則用以存放準備進行下一階段測試的記憶體。

預測試機台設置在定位暫存盤及測試機台的中間，對記憶體做第一階段的測試及篩選，預測試機台內包含一微處理器(CPU)，直接控制預測試機台對記憶體做直流參數測試和交流參數測試，經過第一階段預測試機台篩選通過的記憶體，將在測試機台進行完整的記憶體晶片測試。

本創作藉由改善傳統技術帶來的高人力成本及時間成本，取而代之的是透過自動化設備提高效率及減少誤判，同時創新加入預測試機台的兩階段篩檢，達到一次性分類多種速度的功效，甚至有別於傳統的技術，可以進行反向測試。

以下配合圖示及元件符號對本創作之實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

本創作為一種記憶體晶片超頻測試裝置，其中，記憶體晶片超頻測試裝置較佳實施例請參閱圖1，圖1為本創作記憶體晶片超頻測試裝置的示意圖，包含記憶體晶片C、第一測試盤11、第二測試盤12、第三測試盤13、第四測試盤14、定位暫存盤20、預測試機台30、測試機台40以及機械手臂50，主要是用於兩階段測試記憶體速度以進行篩選及分類。

機械手臂50分別與第一測試盤11、第二測試盤12、第三測試盤13、定位暫存盤20、預測試機台30及測試機台40電性連接，機械手臂50抓取記憶體晶片C在記憶體晶片超頻測試裝置中移動。

第一測試盤11放置等待測試的記憶體晶片C，第二測試盤12放置等待二次測試(降階再測試)的記憶體晶片C，第三測試盤13放置欲淘汰的記憶體晶片C，第四測試盤14放置測試完成分類的記憶體晶片C。

定位暫存盤20可以分為兩個區域，一部分為定位區21，另一部分為暫存區22，如圖2A所示，定位區21設置的目的在於確保每一個被抓取的待測試記憶體排列整齊，因為機械手臂50從第一測試盤11抓取記憶體晶片C的位置並不一定每一個都是在記憶體晶片C中間，因此需透過定位區21的特殊凹槽設計，如圖2B所示，使放在定位區21上的記憶體晶片C可以整齊排列，使機械手臂50再次抓取時可以準確抓取在記憶體晶片C的中間，而暫存區22則用以存放已經預測試結束準備進行下一階段測試的記憶體晶片C。

預測試機台30設置在定位暫存盤20及測試機台40的中間，對記憶體晶片C做第一階段的測試及篩選，預測試機台30內包含一微處理器(CPU)，直接控制預測試機台30對記憶體晶片C做快速直流參數測試和交流參數測試，因是由CPU控制所以不需要開機，能縮短預測試的時間，經過第一階段預測試機台30篩選通過的記憶體晶片C，將在測試機台40進行完整的記憶體晶片測試。

具體而言，機械手臂50抓取第一測試盤11上的其中一排記憶體晶片C，並放置在定位暫存盤20上的定位區21，使記憶體晶片C的排列更整齊一致，再經由機械手臂50移動到預測試機台30進行第一階段的測試，在此第一階段的測試主要是測記憶體晶片C的速度、開路/短路測試、直流參數測試和交流參數測試，第一階段測試後將通過測試(篩選)的記憶體晶片C藉由機械手臂50移往測試機台40，未通過的記憶體晶片C則分為兩類，其中屬於等待二次測試(降階再測試)的記憶體晶片C，移往第二測試盤12，屬於短路欲淘汰的記憶體晶片C移往第三測試盤13，而最終通過測試機台40完整的晶片測試之記憶體晶片C，則會存放於第四測試盤14。

本創作其中一實施例可以參考圖3所示，記憶體晶片超頻測試裝置包含記憶體晶片C、兩個第一測試盤11、兩個第二測試盤12、兩個第三測試盤13、兩個第四測試盤14、一個定位暫存盤20、一個預測試機台30、多個測試機台40以及機械手臂50，本實施例並非限定本創作裝置所包含的元件或機台數量，此實施例僅是說明多種情形之一，其中，而定位暫存盤20包含定位區21以及暫存區22。

在進行第一次測試(第一次篩選)之前，待測試的記憶體晶片C放置在第一測試盤11，並且設定預測試機台30的第一階段測試(預測試)參數，此參數可以依照欲篩選出多少速度的記憶體而決定，假設欲篩選出速度高於3200MHz的記憶體，則設定的參數需比欲篩選出的速度高一些，例如3333MHz，藉以篩選出特定速度的記憶體，提升效率。

機械手臂50與第一測試盤11、第二測試盤12、第三測試盤13、第四測試盤14、定位暫存盤20、預測試機台30以及測試機台40電性連接，其中機械手臂50較佳而言是設置在第一測試盤11、第二測試盤12、第三測試盤13、第四測試盤14、定位暫存盤20、預測試機台30以及測試機台40的上方，除了節省空間外也增加移動靈活性。

第一階段測試(預測試)參數設定完成後，機械手臂50抓取第一測試盤11中的一排待測試的記憶體晶片C到定位區21，調整排列後移動到預測試機台30，預測試機台30內包含一微處理器(CPU)，直接控制預測試機台30對記憶體晶片C做快速直流參數測試和交流參數測試，因直接由CPU控制，不需要開機，所以只需大約8-10秒即可完成，第一階段測試(預測試)結束後，通過測試的記憶體晶片C亦即速度高於參數的記憶體晶片C將移動到測試機台40，進行第二階段測試亦即完整的記憶體晶片測試，也就是所謂的Burn in test燒機測試，此第二階段測試需費時較長時間，大約需花費300秒，而未通過測試的記憶體晶片C可能包含速度未達設定的參數或晶片開路/短路，分別移動至第二測試盤12及第三測試盤13。

其中記憶體晶片C是否通過預測試機台30的篩檢，可以透過通訊裝置的顯示介面，讓機械手臂50分辨記憶體晶片是否通過預測試的篩檢。

經過測試機台40完整的記憶體晶片測試後，遂可對記憶體晶片C的速度做分類，篩選出特定速度的記憶體晶片C，在所有第一測試盤11的記憶體晶片C都完成後，接著可以重新設定預測試參數，且第二測試盤12的記憶體晶片C會移動到第一測試盤11，再進行一次兩階段測試，藉此分類及篩選出特定速度的記憶體晶片C。

較佳而言，本創作的第一測試盤11、第二測試盤12、第三測試盤13、第四測試盤14、定位暫存盤20、預測試機台30以及測試機台40，其設計上記憶體晶片C的排列方式皆為一排擺放8顆，因此，同理可知機械手臂50也是一排8個抓取點。

本創作的主要功效在於，改善傳統的晶片測試需採用大量的人力進行速度的分類，而本創作利用自動化的設備及機械手臂縮減人員管理的成本，以及減少人員眼力、體力疲勞所產生的誤判，提高準確度及效率。

本創作另一功效在於，改善傳統晶片測試製程必須從低速開始篩檢耗費大量時間，本創作利用新的兩階段測試分類篩選裝置，達到一次性分類多種速度，並且還可指定特定速度進行篩檢，有別於傳統，從高速開始反向測試，同時也確保測試機台的穩定性，減少機台故障或燒掉的機率。

以上所述者僅為用以解釋本創作之較佳實施例，並非企圖據以對本創作做任何形式上之限制，是以，凡有在相同之創作精神下所作有關本創作之任何修飾或變更，皆仍應包括在本創作意圖保護之範疇。

11‧‧‧第一測試盤
12‧‧‧第二測試盤
13‧‧‧第三測試盤
14‧‧‧第四測試盤
20‧‧‧定位暫存盤
21‧‧‧定位區
22‧‧‧暫存區
30‧‧‧預測試機台
40‧‧‧測試機台
50‧‧‧機械手臂
C‧‧‧記憶體晶片

圖1為本創作記憶體晶片超頻測試裝置的示意圖；
圖2A為本創作定位暫存盤的詳細示意圖；
圖2B為本創作定位暫存盤中定位區的詳細示意圖；以及
圖3為本創作記憶體晶片超頻測試裝置的實施例示意圖。

Claims (5)

1. 一種記憶體晶片超頻測試裝置，應用在篩檢不同速度的記憶體晶片，包含：
   至少一第一測試盤，放置待測試的記憶體晶片；
   至少一第二測試盤，放置等待降階再測試的記憶體晶片；
   至少一第三測試盤，放置欲淘汰的記憶體晶片；
   至少一第四測試盤，放置測試完成分類的記憶體晶片；
   一定位暫存盤，該定位暫存盤分為一定位區以及一暫存區，該定位區用以調整記憶體晶片之排列；
   至少一預測試機台，且該預測試機台內設定有一預測試參數；
   多個測試機台；以及
   一機械手臂，該機械手臂用以抓取記憶體晶片，且該機械手臂電性連接該至少一第一測試盤、該至少一第二測試盤、該至少一第三測試盤、該至少一第四測試盤、該定位暫存盤、該至少一預測試機台以及該等測試機台；
   其中該機械手臂從該第一測試盤抓取記憶體晶片至該定位暫存盤的該定位區，使記憶體晶片排列一致，再次抓取記憶體晶片移動至該至少一預測試機台，藉由該至少一預測試機台依據該預測試參數對記憶體晶片進行第一階段篩檢，通過第一階段篩檢的記憶體晶片由該機械手臂移動到該測試機台，對記憶體晶片進行完整晶片測試，該暫存區存放等待進行完整晶片測試之記憶體晶片，未通過第一階段篩檢的記憶體晶片則由該機械手臂移至該第二測試盤或該第三測試盤，經過該測試機台完整晶片測試之記憶體晶片，藉由該機械手臂移至該第四測試盤完成分類。
2. 依據申請專利範圍第1項所述之記憶體晶片超頻測試裝置，其中該至少一第一測試盤、該至少一第二測試盤、該至少一第三測試盤、該至少一第四測試盤、該定位暫存盤、該至少一預測試機台以及該等測試機台皆是設計為記憶體晶片的排列方式為一排擺放8顆。
3. 依據申請專利範圍第1項所述之記憶體晶片超頻測試裝置，其中該預測試參數，依據使用者欲篩選出特定速度的記憶體晶片做設定，該預測試參數需比欲篩選出的特定速度高。
4. 依據申請專利範圍第1項所述之記憶體晶片超頻測試裝置，其中記憶體晶片是否通過該預測試機台的篩檢，係透過一通訊裝置的顯示介面，讓該機械手臂分辨記憶體晶片是否通過預測試的篩檢。
5. 依據申請專利範圍第1項所述之記憶體晶片超頻測試裝置，其中該預測試機台進行的第一階段篩檢進一步包含直流參數測試和交流參數測試。