CN210168020U - 一种高压直流端口电磁干扰抑制装置及电动汽车 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种高压直流端口电磁干扰抑制装置及电动汽车，涉及高压直流端口电磁干扰抑制领域。该高压直流端口电磁干扰抑制装置包括：封装外壳；叠层母排；纳米晶磁环，与所述叠层母排连接；电容电路，与所述纳米晶磁环连接；铜排，一端与所述电容电路连接，另一端接地。本实用新型的方案避免了电磁干扰EMI抑制模块体积庞大以及集成式电力电子单元PEU电磁干扰EMI发射严重，导致电动汽车的整车可靠性低，有效抑制高压直流端口EMI的同时优化空间利用率、保证了PEU的轻量化。

Description

一种高压直流端口电磁干扰抑制装置及电动汽车

技术领域

本实用新型涉及电磁干扰抑制领域，特别涉及一种高压直流端口电磁干扰抑制装置及电动汽车。

背景技术

随着以石油为代表的不可再生资源的大量消耗，导致能源问题日益严重，于是具有零排放污染的电动汽车得到了高度重视。

电动汽车的动力系统是电动汽车的核心部分，其包含的主要零部件也比较多，且由于电动汽车的动力蓄电池体积比较庞大，在布置上占据较大空间，使得其他部件的布置空间就比较紧张，存在着布置困难的问题。并且如此多的零部件导致整车结构复杂，且线束繁多复杂，电磁干扰严重，特别是集成式电力电子单元PEU电磁干扰EMI发射严重，影响整车EMC公告测试，甚至造成整车功能失效的危险。现在的产品虽然也可以过滤部分EMI，但抑制的电磁波频段较窄，导致PEU仍存在大部分EMI。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种高压直流端口电磁干扰抑制装置及电动汽车，用于解决现有技术中EMI抑制模块体积庞大以及PEU电磁干扰EMI发射严重，导致电动汽车的整车可靠性低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型的实施例提供一种高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，包括：

封装外壳；

叠层母排；

纳米晶磁环，与所述叠层母排连接；

电容电路，与所述纳米晶磁环连接；

铜排，一端与所述电容电路连接，另一端接地。

进一步地，所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，还包括：绝缘垫片，沿高度方向环绕包括纳米晶磁环、电容电路、纳米晶磁环连接以及铜排。

进一步地，所述高压直流端口电磁干扰抑制装置，还包括：至少一级滤波电路，与所述纳米晶磁环以及电容电路连接。

进一步地，所述封装外壳的内部灌入的导热硅胶。

进一步地，所述封装外壳内表面喷涂导电涂层。

进一步地，所述纳米晶磁环为带气隙的纳米晶磁环。

进一步地，所述电容电路，包括：

第一Y电容和第二Y电容，所述第一Y电容与所述第二Y电容并联连接。

进一步地，所述铜排为低感铜排。

本实用新型的实施例还提供一种电动汽车，包括如上述的高压直流端口电磁干扰抑制装置。

本实用新型的有益效果是：

采用相对磁导率较高，磁滞回线面积小，同感量的条件下体积小、损耗低的纳米晶磁环，同时采用开气隙的设计方式可以防止磁环在大电流工况下饱和；采用具有重量轻、杂散参数小的叠层母排，可以抑制额外的噪声及震荡；采用低感量接地铜排保证了滤波效果；采用封装外壳，保证了模块的屏蔽效果。有效抑制高压直流端口EMI的同时优化空间利用率、保证了PEU的轻量化，同时还保证了良好的电路拓展性。

附图说明

图1表示本实用新型的高压直流端口电磁干扰抑制装置内部结构的示意图；

图2表示本实用新型的高压直流端口电磁干扰抑制装置的示意图；

图3表示本实用新型的高压直流端口电磁干扰抑制装置的原理示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。

本实用新型针对现有技术中EMI抑制模块体积庞大以及PEU电磁干扰EMI发射严重，导致电动汽车的整车可靠性低的问题，提供一种本实用新型的实施例提供一种高压直流端口电磁干扰抑制装置。

如图1、图2以及图3所示，本实施例提供一种高压直流端口电磁干扰抑制装置，包括：

封装外壳1；

其中，封装外壳优选PVC封装外壳，PVC与常规金属封装相比具有成本低、重量轻的优点，同时为了保证模块的屏蔽效能。

叠层母排2；

其中，作为功率流动的主要通路，叠层母排具有重量轻、杂散参数小的优点，可以有效抑制额外的噪声及震荡；

纳米晶磁环3，与所述叠层母排2连接，用于抑制共膜电磁波干扰；

与铁氧体相比，纳米晶磁环3的相对磁导率较高，磁滞回线面积小，在相同电感量的条件下体积小、损耗低；

电容电路4，与所述纳米晶磁环3连接，用于抑制共膜电磁干扰波；

铜排5，一端与所述电容电路4连接，另一端接地；

其中，接地的铜排5为流过Y电容的干扰电流提供一个低阻抗接地回路，保证滤波效果。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，还包括：绝缘垫片6，沿高度方向环绕包括纳米晶磁环3、电容电路4、纳米晶磁环3连接以及铜排5。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，还包括：至少一级滤波电路7，与所述纳米晶磁环3以及电容电路4连接；

其中，滤波电路的级数根据实际需要调整。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述封装外壳1的内部灌入的导热硅胶，极大提高了PEU的导热性能。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述封装外壳1内表面喷涂导电涂层；

其中，涂层厚度优选微米级。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述纳米晶磁环3为带气隙的纳米晶磁环；

这里，采用开气隙的设计方式以防止磁环在大电流工况下饱和。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述电容电路4，包括：

第一Y电容Y1和第二Y电容Y2，所述第一Y电容Y1与所述第二Y电容Y2并联连接；

所述第一Y电容Y1和所述第二Y电容Y2用于抑制共膜电磁波的噪声和干扰。

本实用新型实施例的一可选实施例中，所述铜排5为低感铜排，优选无感铜排。

采用相对磁导率较高，磁滞回线面积小，同感量的条件下体积小、损耗低的纳米晶磁环，同时采用开气隙的设计方式可以防止磁环在大电流工况下饱和；采用具有重量轻、杂散参数小的叠层母排，可以抑制额外的噪声及震荡；采用低感量接地铜排保证了滤波效果；采用封装外壳，保证了模块的屏蔽效果。有效抑制高压直流端口EMI的同时优化空间利用率、保证了PEU的轻量化，同时还保证了良好的电路拓展性。

本实用新型的实施例还提供一种电动汽车，包括上述的高压直流端口电磁干扰抑制装置。

以上所述的是本实用新型的优选实施方式，应当指出对于本技术领域的普通人员来说，在不脱离本实用新型所述的原理前提下还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也在本实用新型的保护范围内。

Claims (9)

1.一种高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，包括：

封装外壳(1)；

叠层母排(2)；

纳米晶磁环(3)，与所述叠层母排(2)连接；

电容电路(4)，与所述纳米晶磁环(3)连接；

铜排(5)，一端与所述电容电路(4)连接，另一端接地。

2.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，还包括：绝缘垫片(6)，沿高度方向环绕包括纳米晶磁环(3)、电容电路(4)、纳米晶磁环(3)连接以及铜排(5)。

3.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，还包括：至少一级滤波电路(7)，与所述纳米晶磁环(3)以及电容电路(4)连接。

4.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，所述封装外壳(1)的内部灌入的导热硅胶。

5.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，所述封装外壳(1)内表面喷涂导电涂层。

6.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，所述纳米晶磁环(3)为带气隙的纳米晶磁环。

7.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，所述电容电路(4)，包括：

第一Y电容(Y1)和第二Y电容(Y2)，所述第一Y电容(Y1)与所述第二Y电容(Y2)并联连接。

8.根据权利要求1所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置，其特征在于，所述铜排(5)为低感铜排。

9.一种电动汽车，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的高压直流端口电磁干扰抑制装置。

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