CN209804622U - 一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及集成电路装备制造技术造领域，尤其涉及一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线。本实用新型提供的交接装置包括本体以及片叉，本体能带动片叉运动，且片叉能相对本体转动。如果待处理面朝下放置，通过片叉的转动，也能够将待处理面朝上放置于待放置工位。本实用新型中的半导体设备和半导体生产线无需额外设置翻转装置，使得半导体设备或者半导体生产线中的装置较少，节省空间，且操作简单。

Description

一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线

技术领域

本实用新型涉及集成电路装备制造技术造领域，尤其涉及一种交接装置、半导体设备以及半导体生产线。

背景技术

半导体器件通过激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，激光退火相对于传统退火具有激活率高、对器件损伤小等优点。一种常用的半导体器件为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)模块，IGBT模块的前道硅片需要进行激光退火，硅片的正面含金属层，硅片的背面作离子注入或其它掺杂操作等，硅片的背面需要退火，因此，提供给半导体生产线的硅片需要背面朝上放置。

为了实现硅片在不同工位间的传输，通常设置交接装置。交接装置将位于片盒中的硅片传输到退火工位处进行退火工艺，现有交接装置的片叉只能吸附片盒中硅片朝上的一面，交接装置再将吸附的硅片放置到退火工位，退火工位对硅片朝上的一面进行退火工艺。如果片盒提供的硅片的正面朝上，仅利用交接装置，只能实现将硅片以其正面朝上的状态放置到退火工位上，无法实现对硅片背面的退火。如果想要实现硅片背面的退火，需要增加单独的翻转装置，交接装置从片盒中取拿正面朝上的硅片后，将正面朝上的硅片传输到翻转装置处，翻转装置对硅片进行翻转，使硅片的背面朝上，交接装置再将背面朝上的硅片传输到退火工位，导致半导体生产线中设备较多，占地较大，且操作复杂。

实用新型内容

本实用新型的第一个目的是提出一种交接装置，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

本实用新型的第二个目的是提出一种半导体设备，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

本实用新型的第三个目的是提出一种半导体生产线，无需额外单独设置翻转装置便能实现硅片的传输和翻转，操作简单，生产线上设备少，占地小。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种交接装置，包括本体以及片叉，所述本体能带动所述片叉运动，所述片叉被配置为吸附工件，所述片叉能相对所述本体转动。

可选地，所述片叉的转轴与待放置工位的上表面平行。

可选地，所述片叉上设置有吸附组件，所述吸附组件被配置为吸附所述工件，所述吸附组件的吸附面与所述工件的表面相贴合。

一种半导体设备，包括如上所述交接装置。

可选地，所述工件包括沿竖直方向设置的键合层和硅片层，至少部分所述硅片层从所述键合层的一侧伸出，所述半导体设备还包括：

旋转台，被配置为放置所述工件；以及

检测装置，设置于所述旋转台的上方，且被配置为采集所述硅片层的边缘信息。

一种半导体生产线，包括如上所述的半导体设备。

一种交接方法，应用于如上所述的交接装置，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：所述片叉旋转至所述工件的待处理面的一侧，并吸附所述待处理面；

步骤2：所述本体带动所述片叉运动，使所述待处理面朝上放置于待放置工位。

可选地，所述待放置工位为工件台、预对准台或片盒。

可选地，所述工件收纳于片盒内水平设置的放置槽中，所述步骤1包括：

步骤11：所述本体运动到所述放置槽的接近位；

步骤12：所述片叉运动到所述放置槽的交接高位；

步骤13：所述片叉降低到所述放置槽的交接位，并吸附所述工件。

可选地，所述步骤1之前还包括：

步骤A：预先获取所述工件的待处理面的朝向，若向上，则用步骤11～步骤13的方式拾取所述工件。

可选地，所述步骤2包括：

步骤21：所述片叉带所述工件升高到所述放置槽的交接高位；

步骤22：所述本体带所述工件退回到所述放置槽的接近位；

步骤23：所述本体将所述工件交接到所述待放置工位。

可选地，所述工件收纳于片盒内的放置槽中，所述放置槽水平设置，所述步骤1包括：

步骤11＇：所述本体运动到所述放置槽的接近位；

步骤12＇：所述片叉运动到所述放置槽的交接低位；

步骤13＇：所述片叉升高到所述放置槽的交接位，并吸附所述工件。

可选地，所述步骤1之前还包括：

步骤B：预先获取所述工件的待处理面的朝向，若向下，则用步骤11＇～步骤13＇的方式拾取所述工件。

可选地，所述步骤2包括：

步骤21＇：所述片叉带所述工件升高到所述放置槽的交接高位；

步骤22＇：所述片叉带所述工件退回到所述放置槽的接近位；

步骤23＇：所述片叉带所述工件翻转180°；

步骤24＇：所述片叉将所述工件交接到所述待放置工位。

可选地，所述步骤2之后还包括：

步骤3：所述交接装置将加工完待处理面的所述工件以初始方向放置到所述片盒中。

可选地，所述步骤3之后还包括：

步骤4：所述片叉旋转至所述待处理面的相反面的一侧，并吸附所述待处理面的相反面；

步骤5：所述本体带动所述片叉运动，使所述待处理面的相反面朝上放置于所述待放置工位。

可选地，所述工件包括沿竖直方向设置的键合层和硅片层，至少部分所述硅片层从所述键合层的一侧伸出，所述待放置工位为预对准台，所述预对准台包括旋转台，所述旋转台的上方设置有检测装置，所述步骤5之后还包括：

步骤6：控制所述旋转台旋转一周；

步骤7：所述检测装置采集所述硅片层的边缘信息，若所述检测装置无法获得所述硅片层的完整边缘信息，控制所述交接装置将所述工件翻转180°后放置到所述旋转台上。

可选地，所述待放置工位为预对准台，所述预对准台包括检测装置，所述待处理面上设置有标记，预先获取所述工件的待处理面的朝向，控制所述交接装置带所述工件运动，使所述标记暴露在所述检测装置的识别区内。

可选地，所述待放置工位为工件台，预先获取所述工件在所述预对准台的待处理面的朝向，控制所述交接装置带所述工件运动，使所述工件以在所述工件台的待处理面朝上的朝向放置在所述工作台上。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型提供的交接装置包括本体以及片叉，本体能带动片叉运动，片叉用于吸附硅片，且片叉能相对本体转动。通过将片叉旋转至待处理面的一侧，将片叉吸附待处理面，本体带动片叉运动，如果待处理面朝下放置，通过片叉的转动，能使待处理面朝上放置于待放置工位。本实用新型中的半导体设备和半导体生产线无需额外设置翻转装置，使得半导体设备或者半导体生产线中的装置较少，节省空间，且操作简单。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。

图1是实施例一提供的曝光设备的结构示意图；

图2是实施例一提供的片盒的结构示意图；

图3是实施例一提供的曝光装置的结构示意图；

图4是实施例一提供的硅片处于第一种状态的结构示意图；

图5是实施例一提供的硅片处于第二种状态的结构示意图；

图6是片叉处于第一种状态的结构示意图；

图7是片叉处于第二种状态的结构示意图；

图8是片叉处于第三种状态的结构示意图；

图9是实施例二提供的交接方法的流程图；

图10是实施例二提供的第一种硅片的交接方式的流程图；

图11是实施例三提供的硅片处于第一面朝下时的结构示意图；

图12是实施例三提供的第二种硅片的交接方式的流程图；

图13是实施例四提供的交接方法的流程图；

图14是实施例五提供的交接方法的流程图。

图中标记如下：

100-交接装置；200-硅片；300-旋转台；400-检测装置；500-曝光装置；600-片盒；

201-第一面；202-第二面；203-键合层；204-硅片层；501-曝光平台；502-曝光镜头；601-放置槽；602-侧壁；603-支撑底板；

1-本体；2-片叉。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实施例的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化操作，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

实施例一

本实施例提供一种曝光生产线，用于对半导体器件中的硅片200(工件)进行曝光工艺，可以对硅片200中的晶格结构进行有效的修复。该曝光生产线包括一种曝光设备，通过曝光设备对硅片200进行激光曝光工艺，相对于传统曝光工艺，具有激活效率高、对器件损伤小等优点。如图1所示，曝光设备包括交接装置100以及待放置工位，待放置工位包括片盒600以及曝光装置500。其中，如图2所示，片盒600包括多层放置槽601，每层放置槽601放置一片硅片200。如图3所示，曝光装置500包括曝光平台501和设置在曝光平台501上方的曝光镜头502。交接装置100用于将放置槽601中的硅片200取出后放置到曝光平台501上，曝光镜头502对曝光平台501上的硅片200进行曝光，从而实现对硅片200的激光曝光。

在其他实施例中，本实施例的交接装置100还可以用在退火设备等半导体设备中，还以应用在退火生产线等半导体生产线中，本实施例仅以曝光设备和曝光生产线进行说明。

此外，待放置工位还包括预对准台，交接装置100将从片盒600中取出的硅片200首先放到预对准台上进行初步位置预对准，交接装置100再将对准好的硅片200传输到曝光平台501上，通过设置预对准台，提高了硅片200放置到曝光平台501位置的准确性。预对准台中，与预对准相关的结构属于本领域比较成熟的技术，本申请中不进行详细描述。

如图4和图5所示，本实施例提供的硅片200为键合片，键合片包括沿竖直方向设置的键合层203和硅片层204，键合层203和硅片层204通过胶相粘接，至少部分硅片层204从键合层203的一侧伸出。由于硅片层204需要进行曝光，放置到曝光平台501上的键合片需要将硅片层204朝上设置，才能实现硅片层204的曝光。而现有的曝光设备在对硅片200进行曝光时，经常会出现硅片层204朝下的情况，导致硅片层204无法进行曝光，使半导体器件报废。基于此，本实施例的曝光设备还包括旋转台300和检测装置400，其中，旋转台300用于放置硅片200并带动硅片200做旋转运动，检测装置400设置于旋转台300的上方，且能够采集硅片层204的图像边缘信息。

如图4所示，若硅片层204位于键合层203的下方，则硅片200沿竖直方向放反，硅片层204的外边缘被键合层203遮挡，旋转台300旋转一周后，检测装置400无法获得硅片层204的完整边缘信息(完整的圆形边缘信息)，需要控制交接装置100将硅片200翻转180°后放置到旋转台300上，使硅片层204以如图5所示的状态朝上设置，交接装置100将翻转后的硅片200取走并放置到曝光平台501上，即可保证曝光镜头502对硅片层204的正常曝光。

如图5所示，若硅片层204位于键合层203的上方，硅片层204的外边缘不会被键合层203遮挡，旋转台300旋转一周后，检测装置400能够获得硅片层204的完整的边缘信息(完整的圆形边缘信息)，则无需将硅片200进行翻转，交接装置100直接将旋转台300上的硅片200取走，并放置到曝光平台501上，即可保证曝光镜头502对硅片层204的正常曝光。

具体而言，本实施例中的检测装置400为电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)相机，CCD相机上的镜头对准旋转台300上的键合片进行图像识别。CCD相机能够将光线变为电荷并将电荷存储及转移，也可将存储之电荷取出使电压发生变化，CCD相机具有体积小、重量轻、不受磁场影响、具有抗震动和撞击之特性而被广泛应用。具体而言，旋转台300可以通过如旋转气缸等以带动硅片200做旋转运动。

结合图6～图8对交接装置100进行介绍，交接装置100包括本体1以及片叉2，本体1能带动片叉2运动，片叉2用于吸附硅片200，且片叉2能相对本体1转动。通过将片叉2旋转至第一面201(待曝光面)的一侧，将片叉2吸附第一面201，本体1带动片叉2运动，如果第一面201朝下放置，通过片叉2的转动，能使第一面201朝上放置于曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面(待放置工位)。本实施例中的曝光设备或者曝光生产线无需额外设置翻转装置，使得曝光设备或者曝光生产线中的装置较少，节省空间，且操作简单。

本实施例中的本体1能够带动片叉2在水平面内转动，以实现将片叉2传递至不同的工位，本体1与交接装置100的机架可以通过旋转气缸等旋转驱动机构相连接。此外，本体1还能带动片叉2沿竖直方向运动，可以在本体1与交接装置100的机架之间设置如直线驱动气缸的直线驱动装置，从而可以调整片叉2在竖直方向的位置，以便获取位于不同放置槽601中的硅片200。

此外，片叉2的转轴与曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面平行设置，能够使硅片200放置到曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面更平稳，避免硅片200与曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面发生较大的磕碰，防止硅片200发生破损。

此外，为了实现片叉2对硅片200较好的吸附效果，片叉2上设置有吸附组件，吸附组件的吸附面与硅片200的表面相贴合，吸附组件能够吸附工件。由于吸附组件的吸附面与硅片200的表面相贴合，硅片200的吸附效果好，可有效防止硅片200从吸附组件上掉落。具体而言，吸附组件包括吸真空装置、连通管以及开设有通孔的吸附头，连通管的一端连接有吸真空装置，另一端连通通孔，吸真空装置可以营造出负压环境，从而使硅片200较牢固地吸附在吸附头的吸附面上，避免硅片200的掉落。

实施例二

本实施例提供一种交接方法，应用如实施例一所示的交接装置100，如图9所示，该交接方法包括以下步骤：

步骤1：片叉2旋转至硅片200的第一面201的一侧，并吸附第一面201；

步骤2：本体1带动片叉2运动，使第一面201朝上放置于所述待放置工位。

通过将片叉2旋转至第一面201(待曝光面)的一侧，使片叉2吸附第一面201，本体1带动片叉2运动，如果第一面201朝下放置，通过片叉2的转动，能使第一面201朝上放置于曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面(待放置工位)，也能够将第一面201朝上放置于曝光平台501或者旋转台300上。本实施例中的曝光设备或者曝光生产线无需额外设置翻转装置，使得曝光设备或者曝光生产线中的装置较少，节省空间，且操作简单。

结合图2介绍一种交接装置100的第一种硅片200的交接方式。本实施例中，片盒600沿竖直方向设置多层放置槽601，每层放置槽601呈水平状设置，每层放置槽601中容纳有一片硅片200，片盒600的两相对的侧壁602分别向内延伸有支撑底板603，两个支撑底板603在水平方向上间隔设置，且两个支撑底板603在水平方向上的间距不小于片叉2的宽度，可以允许片叉2沿竖直方向通过两个相对支撑底板603之间的空间。

在步骤1之前，还包括：预先获取硅片200的待处理面的朝向，根据待处理面的不同朝向，选择硅片200的不同的拾取放置。其中，获取硅片200的待处理面的朝向，可以通过探测器进行采集，也可以通过流片记录查询确认。

具体为步骤A：预先获取硅片200的待处理面的朝向，若硅片200的待处理面朝上，则采用第一种硅片200的交接方式，如图10所示，第一种硅片200的交接方式具体包括：

步骤11：本体1运动到放置槽601的接近位(片盒600的外侧)；

步骤12：片叉2运动到放置槽601的交接高位；

步骤13：片叉2降低到放置槽601的交接位，并吸附硅片200；

步骤21：片叉2带硅片200升高到放置槽601的交接高位；

步骤22：本体1带硅片200退回到放置槽601的接近位；

步骤23：本体1将硅片200交接到待放置工位的上表面。

此时，片叉2无需转动就能够实现将第一面201朝上放置于曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面的效果。

此外，在其他实施例中，放置槽601还可以不局限于水平放置，当放置槽601处于竖直放置状态，第一面201背离其相对应的支撑底板603设置在放置槽601且朝向左侧时，交接装置100可以采用类似第一种交接方式。硅片200的交接方式具体包括：

步骤11＇＇：本体1运动到放置槽601的接近位；

步骤12＇＇：片叉2运动到放置槽601的交接左位；

步骤13＇＇：片叉2降低到放置槽601的交接位，并吸附硅片200；

步骤21＇＇：片叉2带硅片200升高到放置槽601的交接左位；

步骤22＇＇：本体1带硅片200退回到放置槽601的接近位；

步骤23＇＇：片叉2带硅片200顺时针旋转90°使硅片200的第一面201朝上；

步骤24＇＇：本体1将硅片200交接到待放置工位的上表面。

实施例三

本实施例提供的交接方法与实施例二大致相同，与实施例二的主要区别在于：交接装置100采用了第二种硅片200的交接方式，该交接方式主要针对于硅片200的第一面201在盒体600中装反，即第一面201朝下设置的情况。

在步骤1之前，还包括：预先获取硅片200的待处理面的朝向，根据待处理面的不同朝向，选择硅片200的不同的拾取放置。其中，获取硅片200的待处理面的朝向，可以通过探测器进行采集，也可以通过流片记录查询确认。

具体为步骤B：预先获取硅片200的待处理面的朝向，若硅片200的待处理面如图11所示朝下时，则采用第二种硅片200的交接方式。如图12所示，本实施例通过采用第二种硅片200的交接方式实现硅片200朝上放置到于曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面，第二种硅片200的交接方式具体包括：

步骤11＇：本体1运动到放置槽601的接近位；

步骤12＇：片叉2运动到放置槽601的交接低位；

步骤13＇：片叉2升高到放置槽601的交接位，并吸附工件；

步骤21＇：片叉2带工件升高到放置槽601的交接高位；

步骤22＇：片叉2带工件退回到放置槽601的接近位；

步骤23＇：片叉2带工件翻转180°；

步骤24＇：片叉2将工件交接到待放置工位。

采用上述交接方式，如果硅片200的第一面201在盒体600朝下放置，能够通过片叉2的转动将第一面201转至朝上的位置，并将第一面201朝上放置到曝光平台501的上表面或旋转台300的上表面，操作简单方便，无需额外设置缓存设备，减少了交接片时间，提高了硅片200的流转速度，提升曝光生产线的生产效率。

实施例四

本实施例提供的交接方法与实施例二大致相同，与实施例二的主要区别在于，如图13所示，步骤2之后还包括：

步骤3：交接装置100将加工完第一面201的硅片200以初始方向放置到片盒600中；

步骤4：片叉2旋转至硅片200的第二面202的一侧，并吸附第二面202；

步骤5：本体1带动片叉2运动并配合片叉2的转动，使硅片200的第二面202朝上放置于待放置工位的上表面。

其中，步骤3中的初始方向是指，交接装置100从盒体600中取出硅片200之前，硅片200的放置状态。

传统的曝光设备由于其上的交接装置100只能实现硅片200的传输，而无法实现硅片200的翻转，所以传统的曝光设备只能完成硅片200的单面曝光。随着科技的进步，硅片200的双面曝光已成为未来激光曝光的发展新趋势，通过步骤3～步骤5，可以通过交接装置100将硅片200分别以第一面201朝上或第二面202朝上放置到曝光平台501的上表面，以分别对第一面201或第二面202进行曝光，实现硅片200的双面曝光。

传统的曝光生产线如果想实现硅片200的双面曝光，需要在曝光生产线中增加缓存设备，硅片200进行一面曝光之后需要放置到缓存设备中，并在缓存设备中进行翻转，翻转后的硅片200被交接装置100取走后放置到曝光平台501的上表面，再对硅片200的第二面202进行曝光，传统的曝光生产线需要设置较多的设备才能实现硅片200的双面曝光，操作步骤繁琐，导致整个曝光生产线的生产效率低。

在本实施例中，为了实现硅片200的双面曝光，仅需要利用曝光生产线中的片盒600，以及片叉2的旋转，无需额外的暂存装置，整个曝光生产线中的设备少、占地面积小、操作简单。此外，减少了交接片时间，提高了硅片200的流转速度，提升曝光生产线的生产效率。

实施例五

本实施例提供的交接方法与实施例四大致相同，与实施例四的主要区别在于，硅片200包括沿竖直方向设置的键合层203和硅片层204，至少部分硅片层204从键合层203的一侧伸出，待放置工位为旋转台300，旋转台300的上方设置有检测装置400，如图14所示，步骤5之后还包括：

步骤6：控制旋转台300旋转一周；

步骤7：检测装置400采集硅片200的图像信息，若检测装置400无法获得硅片层204的完整边缘信息，控制交接装置100将硅片200翻转180°后放置到旋转台300上。

如图4所示，若硅片层204位于键合层203的下方，则硅片200沿竖直方向放反，硅片层204的外边缘被键合层203遮挡。如图14所示，旋转台300旋转一周后，检测装置400采集硅片200的图像信息，若检测装置400无法获得硅片层204的完整边缘信息，需要控制交接装置100将硅片200翻转180°后放置到旋转台300上，以使硅片层204朝上设置，保证后续硅片层204朝上，实现硅片层204在曝光平台501的正常曝光。

如图5所示，若硅片层204位于键合层203的上方，硅片层204的外边缘不会被键合层203遮挡，旋转台300旋转一周后，检测装置400能够获得硅片层204的完整的边缘信息(圆形边缘)，则无需将硅片200进行翻转，交接装置100直接将旋转台300上的硅片200取走并放置到曝光平台501上即可。

实施例六

本实施例提供的交接方法是实施例二中交接方法的细化方案：待放置工位为预对准台，本步骤主要针对硅片200从片盒600拾取到预对准台的步骤的细化。其中，预对准台包括检测装置400，硅片200在预对准台的待处理面上设置有标记，预先获取硅片200的待处理面的朝向，控制交接装置100带动硅片200运动，使标记暴露在所述检测装置400的识别区内，预对准台进而可以对硅片200进行预对准动作。

与实施例五提供的方案相比，应用本实施例提供的交接方法可以在将硅片200放置到预对准台之前便能实现对放反的硅片200进行翻转，交接装置100再将正确朝向的硅片200放置到对准台上，可以减少硅片200放置到不同承载物中的次数，减少硅片200的磕碰，提高硅片200的使用寿命。

其中，标记可以是指硅片200的缺口，预对准台还包括旋转台300和预对准驱动件，旋转台300旋转360°后，检测装置400通过识别硅片200上的缺口，能够计算出硅片200的圆心位置，通过分析硅片200的圆心与旋转台300的转轴的相对位置关系，控制预对准驱动件将硅片200移动至其圆心穿过旋转台300的轴线位置，从而实现预对准步骤，方便交接装置100将硅片200以正确的位置放置到下一工序的工位上。

具体而言，本实施例中的预对准驱动件可以是现有的机械手，能够实现硅片200的移动即可，由于机械手为现有较成熟的技术，本实施例不再进行具体介绍。

其中，获取硅片200的待处理面的朝向，可以通过探测器进行采集，也可以通过流片记录查询确认。

为了方便理解，现将实施例六的具体操作结合场景进行说明：

通过探测器预先获取硅片200的待处理面的朝向，若硅片200的缺口设置在第一面201上，而第一面201以图2的放置状态放置在片盒600中。则交接装置100从交接高位伸入片盒600中，片叉2从第一面201将硅片200吸附，交接装置100带硅片200运动到接近位，交接装置100将硅片200以缺口朝上的状态放置到对准台上。

通过探测器预先获取硅片200的待处理面的朝向，若硅片200的缺口设置在第一面201上，而第一面201以图11的放置状态放置在片盒600中。则交接装置100从交接低位伸入片盒600中，片叉2从第一面201将硅片200吸附，交接装置100带硅片200运动到接近位，片叉2相对本体1旋转180°后，交接装置100将硅片200以缺口朝上的状态放置到对准台上。

实施例七

本实施例提供的交接方法是实施例六中交接方法的进一步的细化方案：待放置工位为工件台，本步骤主要针对硅片200从预对准台传输到工件台的步骤的细化。预先获取所述硅片200在预对准台的待处理面的朝向，控制交接装置100带动硅片200运动，使硅片200以在工件台的待处理面朝上的朝向放置在工作台上。

其中，使硅片200以在工件台的待处理面朝上的朝向放置在工作台上，具体为：

若硅片200在工件台的待处理面与硅片200在预对准台的待处理面相同，控制片叉2吸附硅片200在预对准台的待处理面，控制交接装置将硅片200直接放置到工作台的上表面即可，此时硅片200在工作台的待处理面朝上设置，工作台的其他装置可以对硅片200在工作台的待处理面进行处理，比如曝光或退火等。

若硅片200在工作台的待处理面与硅片200在预对准台的待处理面不同，比如，硅片200在预对准台的待处理面为第一面201，而硅片200在工作台的待处理面为第二面202，则需要将硅片200进行翻面后，再将硅片200以第二面202朝上的状态放置到工作台的上表面上。

其中，将硅片200进行翻面具体可以为：控制交接装置100移动到硅片200的上方，片叉2吸附第一面201将硅片200移动到放置槽601的接近位，将硅片200进行180°的旋转后，控制交接装置100将硅片200伸入放置槽601的交接高位，本体1位于放置槽601的交接低位，控制交接装置100下降使硅片200以第一面201朝下的状态放置于放置槽601的交接位。片叉2从硅片200的第一面201脱开，交接装置100退回到放置槽601的接近位，片叉2旋转180°，交接装置100带动片叉2移动到放置槽601的交接高位，片叉2吸附第二面202，交接装置100带动硅片200从放置槽601移动到放置槽601的接近位，交接装置100带动将硅片200以第二面202朝上的状态放置到工件台上。

通过上述方法，即便硅片200在工作台的待处理面与硅片200在预对准台的待处理面不同，也能够使硅片200以在工作台的待处理面朝上的状态放置到工作台上。

注意，以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施方式的限制，上述实施方式和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内，本实用新型的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (6)

1.一种交接装置，包括本体(1)以及片叉(2)，所述本体(1)能带动所述片叉(2)运动，所述片叉(2)被配置为吸附工件，其特征在于，所述片叉(2)能相对所述本体(1)转动。

2.根据权利要求1所述的交接装置，其特征在于，所述片叉(2)的转轴与待放置工位的上表面平行。

3.根据权利要求1所述的交接装置，其特征在于，所述片叉(2)上设置有吸附组件，所述吸附组件被配置为吸附所述工件，所述吸附组件的吸附面与所述工件的表面相贴合。

4.一种半导体设备，其特征在于，包括如权利要求1所述交接装置(100)。

5.根据权利要求4所述的半导体设备，其特征在于，所述工件包括沿竖直方向设置的键合层(203)和硅片层(204)，至少部分所述硅片层(204)从所述键合层(203)的一侧伸出，所述半导体设备还包括：

旋转台(300)，被配置为放置所述工件；以及

检测装置(400)，设置于所述旋转台(300)的上方，且被配置为采集所述硅片层(204)的边缘信息。

6.一种半导体生产线，其特征在于，包括如权利要求4或5所述的半导体设备。