CN209709024U - 一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池 - Google Patents

一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，包括P型晶体硅基底；正面膜；隧穿复合层；中间电极；电子传输层；钙钛矿层；空穴传输层；空穴缓冲层；透明导电膜；正电极；N型层；背面膜；以及背面电极。本实用新型采的P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池结构结合了P型晶体硅双面电池技术和钙钛矿太阳电池技术两种电池的优点，利用了差异化的结构带隙，将晶硅电池同钙钛矿电池级联起来；相较于传统晶体硅太阳电池，叠层太阳电池的开路电压获得较大幅度的增益；同时，作为基底的晶硅太阳电池背面可以吸收额外的散射光，对叠层器件的整体性能有一定的提升。

Description

一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池
技术领域
本实用新型涉及一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
P型晶体硅电池由于生产工艺成熟、制造成本低，在目前及今后相当长的一段时间内仍占据绝大部分市场份额。PERC技术的改进，将原有的背表面全铝层用细铝栅线代替，使得电池具有双面发电的功能，极大的提升了电池背面性能，电池双面率可达85％以上；但由于普通PERC太阳电池中p-n结只能吸收能量高于其带隙的光波，波长过长，入射光能量难以转化为电子-空穴对；波长过短，多余能量又被转化为晶格热振动损失而被浪费。为了解决上述问题，一方面是可以通过设计减反、陷光结构来减少光学损失，另一方面可以通过构建多能带子结构叠层电池实现太阳光谱的分光吸收。
P型晶体硅基底/钙钛矿叠层双面电池的制备，就是将现阶段产业化的晶硅PERC电池与时下“明星”太阳电池钙钛矿太阳电池进行有机的结合，构建起双子能带结构的叠层太阳电池，通过中间复合层的桥连使串联子电池之间电流互相导通。不同带隙材料的叠加使用，进一步提高了太阳光全光谱吸收利用率。
选择合适的钙钛矿成膜工艺和材料，调节单结子电池电流达到匹配后，可获得较高开压的高效低成本的叠层太阳电池。有机—无机杂化钙钛矿太阳能电池因具有低成本、易制备和带隙可调范围大等优异的光电转化性能等优点而在国际上备受关注，并且发展迅速，电池转化效率已从2009年的3.8％提升到2016年的22.1％，钙钛矿材料也被认为是下一代低成本太阳能电池的光吸收材料。由于钙钛矿和硅具有不同的带隙，为了充分利用太阳光谱，钙钛矿太阳能电池作为顶电池与硅电池形成叠层太阳能电池，即钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池。这种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池既拓宽了电池的光谱响应范围，提高了太阳能电池效率，又降低了制备成本。香港理工大学研发的钙钛矿/单晶硅叠层太阳能电池，不仅在成本上比单结硅基太阳能电池低，成本可由时下的硅基太阳能电池3.9港元/瓦降至2.73港元/瓦，而且效率提升至25.5％。据预测，钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的效率可超过35％，远远超过硅太阳能电池的理论效率，对于太阳能电池的能量转换来说是一个大的飞跃，极大地提高了太阳能电池的发展前景。
因此，设计一种在P型晶体硅双面PERC电池上叠层钙钛矿的制作方法，来提升太阳电池的开路电压，获得更高的短路电流，进而得到更高的电池光电转换效率。
实用新型内容
本实用新型主要是克服现有技术中的不足之处，提出一种可以获得较高光电转换效率的双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池。
本实用新型解决上述技术问题所提供的技术方案是：一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，包括
P型晶体硅基底；
正面膜，所述正面膜形成在所述P型晶体硅基底的上侧表面上；
隧穿复合层，所述隧穿复合层形成在所述正面膜的表面上；
中间电极，所述中间电极形成在所述正面膜内，其两端分别与所述P型晶体硅基、所述隧穿复合层形成欧姆接触；
电子传输层，所述电子传输层形成在所述隧穿复合层的表面上；
钙钛矿层，所述钙钛矿层形成在所述电子传输层的表面上；
空穴传输层，所述空穴传输层形成在所述钙钛矿层的表面上；
空穴缓冲层，所述空穴缓冲层形成在所述空穴传输层的表面上；
透明导电膜，所述透明导电薄膜形成在所述空穴缓冲层的表面上；
正电极，所述正电极形成在所述透明导电膜的表面上；
N型层，所述N型层形成在所述P型晶体硅基底的下侧表面上；
背面膜，所述背面膜形成在所述N型层的表面上；以及
背面电极，所述背面电极形成在所述背面膜表面上并与所述N型层的表面接触。
进一步的技术方案是，所述P型晶体硅基底为单晶或多晶硅片。
进一步的技术方案是，所述背面电极的材质为导电银浆。
进一步的技术方案是，所述隧穿复合层为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的任意一种，其厚度为1nm-10nm。
进一步的技术方案是，所述空穴传输层的材料为有机物或无机物。
进一步的技术方案是，所述空穴传输层的材料为Spiro-OMeTAD、PTAA或PEDOT-PSS中的任意一种。
进一步的技术方案是，所述空穴传输层的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、MoO2、Cr2O3或含Cu的化合物中的任意一种。
进一步的技术方案是，所述空穴缓冲层的材料为MoOx、V2O5、WO3中的任意一种。
进一步的技术方案是，所述透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，其厚度为5nm-200nm，起到横向收集载流子的作用。
P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池结构的制法，包括如下步骤：
步骤一，将P型晶体硅片进行表面织构化处理；
步骤二，在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层；
步骤三，刻蚀去掉P型晶体硅片正面的磷硅玻璃和背结；
步骤四，双面SiNx膜沉积；
步骤五，激光开槽打孔；
步骤六，丝网印刷正铝，使正面铝浆与P型基体硅接触；
步骤五，丝网印刷背银，并进行热退火处理，使金属电极与基底材料形成良好的欧姆接触；
步骤六，在P型晶体硅片表面生长一层ITO，或IWO薄膜，AZO薄膜、GZO薄膜，FTO薄膜或石墨烯薄膜中的一种，其厚度为1nm-10nm作为隧穿复合层；
步骤七，在复合层的正面制备电子传输层；
步骤八，在电子传输层的正面制备钙钛矿层；
步骤九，在钙钛矿层正面制备空穴传输层；
步骤十，在空穴传输层上制备空穴缓冲层；
步骤十一，在空穴缓冲层上制备透明导电膜；
步骤十二，通过掩模，在透明导电薄膜上制备金属电极栅线，充分吸收光生载流子；
所述步骤一中，p型晶体硅厚度为150±10um，反射率<15％；
所述步骤二中，在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层后，方阻为80±5Ω/□；
所述步骤三中，正面SiNx厚80±5nm，背面SiNx厚150±5nm；
所述步骤五中，热处理方式为在链式烧结炉中烧结热处理，烧结温度为180℃～380℃。
本实用新型具有以下优点：本实用新型采的P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池结构结合了P型晶体硅双面电池技术和钙钛矿太阳电池技术两种电池的优点，利用了差异化的结构带隙，将晶硅电池同钙钛矿电池级联起来，相较于传统晶体硅太阳电池，叠层太阳电池的开路电压获得较大幅度的增益。
叠层电池器件结构下层采用P型晶体硅，晶体硅为间接带隙材料，带隙为1.12eV；上层采用直接带隙的钙钛矿钙钛矿材料，卤素钙钛矿材料带隙可根据卤素成分及比例进行调节，如:CH3NH3PbI3带隙约为1.5eV。而叠层电池的开路电压可以达到1.2-2.0V，远高于常规晶体硅电池的约0.7V。通过双面受光的结构，提升了叠层电池的短路电流，电流密度可以达到40-50mA/cm2，高于常规晶体硅电池约37mA/cm2的电流密度。
该叠层电池的光电转换效率可达到28％以上。同时，采用的双面PERC电池工艺已在产线得到规模化应用，卤素钙钛矿太阳电池制备工艺也已趋于成熟，两者可以较好的结合现有基础工艺，制备出高效低成本的P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池。
附图说明
图1为现有本实用新型的基本结构图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型做更进一步的说明。
如图1所示，本实用新型的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，采用双结叠层电池结构，其底电池为P型硅太阳电池，顶电池为倒置结构钙钛矿顶电池；
所述P型硅太阳电池包括从下到上依次层叠的背面电极12、背面膜11、N型层10、P型晶体硅基底9、正面膜8、中间电极13，所述倒置钙钛矿顶电池包括从上到下依次层叠的正电极1、透明导电膜2、空穴缓冲层3、空穴传输层4、钙钛矿层5、电子传输层6、隧穿复合层7。
本实用新型采的P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池结构结合了P型晶体硅双面电池技术和钙钛矿太阳电池技术两种电池的优点，利用了差异化的结构带隙，将晶硅电池同钙钛矿电池级联起来；相较于传统晶体硅太阳电池，叠层太阳电池的开路电压获得较大幅度的增益；同时，作为基底的晶硅太阳电池背面可以吸收额外的散射光，对叠层器件的整体性能有一定的提升。
上述实施例的制备方法包括以下步骤，在P型硅片上依次经过清洗、制绒、扩散掺杂、刻蚀、镀膜、激光开槽打孔、印刷电极、制备隧穿复合层、制作电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、透明导电膜、正面金属电极，制成P型晶体硅基底钙钛矿叠层双面电池；
其具体步骤如下：
(1)采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、金属催化或激光刻蚀将P型晶体硅基底9进行表面织构化处理，P型晶体硅基底9为单晶或多晶硅片；
(2)进行磷掺杂处理，在P型晶体硅基底9的背面形成N型层10，掺杂的方法采用激光掺杂、低压扩散、常压扩散、离子注入或杂质浆料涂敷加热处理，掺杂剂为POCl3、PH3或其他含磷浆料，掺杂后的方阻为80±5Ω/□；
(3)刻蚀去掉P型晶体硅基底9正面的磷硅玻璃和背结，刻蚀的方法采用湿法刻蚀或干法刻蚀；
(4)采用丝网印刷的方法在P型晶体硅基底9正面制作中间电极13，中间电极13使用的浆料为铝浆，之后烘干；
(5)丝网印刷背银，在300℃～800℃下在链式烧结炉中进行链式烧结热处理，使背面电极12与P型晶体硅基底9形成良好的欧姆接触；
(6)通过磁控溅射的方式在硅片表面生长一层1nm-10nm的ITO作为隧穿复合层7；
(7)在隧穿复合层7的正面采用溶液旋涂法制备电子传输层6，材料选择为TiO2、SnO2或PCBM等富勒烯衍生物。
(8)通过溶液法、共蒸法或气相辅助液相法在空穴传输层正面生长钙钛矿层5；
(9)制作10nm-100nm的空穴传输层4，空穴传输层4的材料为有机物或无机物；
无机物为含Cu的化合物，例如CuI，CuSCN，或者为其它材料，例如：GaP，NiO，CoO，FeO，MoO2或Cr2O3用来做无机的HTL；有机物为Spiro-MeTAD，PTAA或PEDOT-PSS。无机材料通过溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺来制备，有机材料通过旋涂的方式制作；
(10)热蒸发蒸镀MoOx、V2O5、WO3中的一种作为空穴缓冲层3；
(11)通过溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺的方式在钙钛矿层正面生长透明导电膜2，透明导电膜2的厚度控制在50nm～500nm；
透明导电膜2为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成；
(12)通过掩模，在透明导电薄膜2上制备金属电极栅线，充分吸收光生载流子。
以上所述，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已通过上述实施例揭示，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些变动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (9)

1.一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，包括
P型晶体硅基底；
正面膜，所述正面膜形成在所述P型晶体硅基底的上侧表面上；
隧穿复合层，所述隧穿复合层形成在所述正面膜的表面上；
中间电极，所述中间电极形成在所述正面膜内，其两端分别与所述P型晶体硅基、所述隧穿复合层形成欧姆接触；
电子传输层，所述电子传输层形成在所述隧穿复合层的表面上；
钙钛矿层，所述钙钛矿层形成在所述电子传输层的表面上；
空穴传输层，所述空穴传输层形成在所述钙钛矿层的表面上；
空穴缓冲层，所述空穴缓冲层形成在所述空穴传输层的表面上；
透明导电膜，所述透明导电薄膜形成在所述空穴缓冲层的表面上；
正电极，所述正电极形成在所述透明导电膜的表面上；
N型层，所述N型层形成在所述P型晶体硅基底的下侧表面上；
背面膜，所述背面膜形成在所述N型层的表面上；以及
背面电极，所述背面电极形成在所述背面膜表面上并与所述N型层的表面接触。
2.根据权利要求1所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述P型晶体硅基底为单晶或多晶硅片。
3.根据权利要求1或2所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述背面电极的材质为导电银浆。
4.根据权利要求1所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述隧穿复合层为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的任意一种，起到横向收集载流子并调控叠层子电池的光吸收，达到电流匹配作用，其厚度为1nm-10nm。
5.根据权利要求1所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述空穴传输层的材料为有机物或无机物。
6.根据权利要求5所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述有机空穴传输层的材料为spiro-OMeTAD、PTAA或PEDOT-PSS中的任意一种。
7.根据权利要求5所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述无机空穴传输层的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、MoOx、Cr2O3或含Cu的化合物中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述空穴缓冲层的材料为MoOx、V2O5、WO3中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，其特征在于，所述透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成，其厚度为5nm-200nm，起到横向收集载流子的作用。
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Cited By (7)

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Cited By (9)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111554763A (zh) * 2020-04-01 2020-08-18 南开大学 一种高开压高效钙钛矿/晶硅叠层电池
CN111540803A (zh) * 2020-05-06 2020-08-14 通威太阳能(眉山)有限公司 一种太阳能电池组件及其制作方法
CN113745366A (zh) * 2020-05-14 2021-12-03 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池及其制备方法
CN113745366B (zh) * 2020-05-14 2024-03-12 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿与晶硅的三结叠层太阳能电池及其制备方法
CN111739962A (zh) * 2020-06-19 2020-10-02 西南石油大学 基于迷宫型CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法及太阳能电池
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