CN107146846A - P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法 - Google Patents
P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法 Download PDFInfo
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 77
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 77
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003475 lamination Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 25
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical group ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 18
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 6
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 5
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 5
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000032953 Device battery issue Diseases 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229940037003 alum Drugs 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法,本发明的叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、复合层、N型层、P型基体、背面钝化膜和背面电极;本发明制备的电池结合了P型晶体硅背钝化双面和钙钛矿电池技术两种电池的优点,产生的协同效应远大于单个技术,很好的解决了在单独采用背景技术中所述两项技术时产生的诸多问题,如晶体硅效率低,钙钛矿稳定性差等。
Description
【技术领域】
本发明属于太阳能电池技术领域,特别涉及P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法。
【背景技术】
自1954年第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来,晶体硅太阳能电池得到了广泛的应用,转换效率不断提升,生产成本持续下降。目前,晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的90%以上,晶体硅电池片的产线转换效率目前已突破21%,全球年新增装机容量约70GW且增速明显,与火力发电的度电成本不断缩小,在未来几年有望与之持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁能源在改变能源结构、缓解环境压力等方面的重要作用日益凸显。
P型晶体硅电池由于生产工艺成熟、制造成本低,在目前及今后相当长的一段时间内仍占据绝大部分市场份额。P型晶体硅太阳能电池要想继续保持竞争力、获得更大的发展与应用,必须进一步提高转换效率,同时降低生产成本。
PERC技术着眼于电池的背面,在通过钝化降低了背面复合速度的同时,增加了对红外光的反射,从而吸收更广的光谱范围,该技术近年来在P型晶体硅电池中逐步得到大规模应用,使多晶和单晶电池的效率分别提升0.5%和1%以上。作为对P型晶体硅PERC电池的改进,目前有将背面的全铝层用细铝栅线代替,使电池具有双面发电的功能。虽然PERC技术极大的提高了电池的背面性能,但是对电池的正面无显著改善,尤其是电池的正面电极,目前主要采用丝网印刷的方式形成近百条细栅和若干条主栅,此工序造成电池片表面5%~7%的面积形成对光的遮挡,使P型PERC双面电池的效率优势未能充分发挥。
此外,常规的晶体硅电池在材料本身和工艺上都有一些限制。晶体硅的禁带宽度为1.12eV,且为间接带隙。此外,常规晶体硅太阳能电池在扩散和烧结过程中需要高温,扩散和烧结的峰值温度都在800℃以上,这些高温过程都加剧了少子复合。在热扩散工艺中,发射极属于重掺杂,俄歇复合的影响显著。这些都导致晶体硅电池的开路电压的极限值在750mV左右。
近年来,钙钛矿太阳能电池引起了人们的广泛关注。1991年Gratzel研究小组发明了DSSCs,但其染色剂不能吸收所有的光,因此降低了电池的效率。为了做得更好,Miyasaka将注意力转向钙钛矿。他们使用了一层薄薄的吸光钙钛矿层,能效达3.8%。但不幸的是,这种电池也包含液体电解质,会很快溶解钙钛矿,以致电池失效。该研究也开启了钙钛矿太阳能电池研究的先河。2013年被《科学》杂志评为年度10大突破,2016世界经济论坛将钙钛矿技术列为10大新兴技术。仅仅4年时间,钙钛矿太阳能电池效率就从3.8%提升到22%。CH3NH3PbX3(X=Br,I)是一类具有钙钛矿晶体结构类型的有机-无机杂合(organic–inorganic hybrid)半导体材料,具有较大的电子-空穴扩散长度和原好于晶体硅的光吸收系数。其中CH3NH3PbI3具有1.50~1.55eV的直接带隙,能吸收波长小于800nm的光子,对应AM1.5G光谱中的可见光部分。CH3NH3PbI3薄膜在可见光部分的吸收系数达到104~105cm-1,与无机半导体材料GaAs、CdTe和CIGS相近。而且CH3NH3PbI3薄膜具有成本低廉、载流子迁移率高、扩散长度大、晶体缺陷少等优点,能够很好的互补晶体硅太阳能电池的短板,是制备硅基叠层太阳电池的理想材料。
因此急需一种在P型晶体硅双面PERC电池上叠层钙钛矿的制作方法,来提升叠层电池的开路电压,得到更高的短路电流,进而得到更高的电池效率。
【发明内容】
为解决现有技术中存在的问题,本发明的目的是提供P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法,该电池结合了P型晶体硅背钝化双面和钙钛矿电池技术两种电池的优点,产生的协同效应远大于单个技术,很好的解决了在单独采用背景技术中所述两项技术时产生的诸多问题,如晶体硅效率低,钙钛矿稳定性差等。
本发明的目的通过如下技术方案实现:
P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、复合层、N型层、P型基体、背面钝化膜和背面电极。
所述P型基体为单晶或多晶硅片,N型层的掺杂剂含磷浆料。
所述含磷浆料为POCl3、PH3中的至少一种。
所述背面电极的材质为银浆或银/铝浆,复合层为本征非晶硅,其厚度为1-10nm。
所述空穴传输层的材料为有机物或无机物,当为有机物时,空穴传输层为spiro-MeTAD、PTAA或PEDOT-PSS。
所述空穴传输层为无机物时,空穴传输层的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、B12O3、M0O2、Cr203或含Cu(l)的化合物。
所述透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成,透明导电膜1的厚度为50~500nm,透明导电膜的材料为TiO2、SiO2、ZrO2、Al2O3或ZnO。
P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法,包括如下步骤:
步骤一,将P型晶体硅片进行表面织构化处理;
步骤二,在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层;
步骤三,刻蚀去掉P型晶体硅片正面的磷硅玻璃和背结;
步骤四,在P型晶体硅片的背面制作背面电极;
步骤五,进行热处理,使背面电极的栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触;
步骤六,在P型晶体硅片表面生长一层本征非晶硅作为复合层;
步骤七,在复合层的正面制作空穴传输层;
步骤八,在空穴传输层的正面生长钙钛矿层;
步骤九,在钙钛矿层正面生长透明导电膜。
所述步骤二中,在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层后,方阻为40~100Ω/□。
所述步骤五中,热处理方式为在链式烧结炉中烧结热处理,烧结温度为300~900℃。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构结合了P型晶体硅背钝化双面和钙钛矿电池技术两种电池的优点,利用了差异化的带隙结构,通过钙钛矿叠层,极大提升了传统晶体硅电池的开路电压,叠层的下层采用P型晶体硅,晶体硅具有1.12eV的间接带隙;上层采用钙钛矿,CH3NH3PbI3具有1.50~1.55eV的直接带隙,叠层电池的开路电压可以达到1.2-2.0V,远高于常规晶体硅电池的约0.7V。通过双面受光的结构,提升了叠层电池的短路电流,电流密度可以达到40-50mA/cm2,高于常规晶体硅电池的约37mA/cm2。从而极大提升了该叠层电池的效率,电池光电转换效率为达到28%以上。同时解决了在单独采用背景技术中所述两项技术时产生的诸多问题,如晶体硅效率低,钙钛矿稳定性差等。
【附图说明】
图1是本发明的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的局部剖面示意图;
图2是P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构背面外观示意图。
其中,1-透明导电膜,2-电子传输层,3-钙钛矿层,4-空穴传输层,5-复合层,6-N型层,7-P型基体,8-钝化膜,9-背面电极,10-背面细栅线,11-背面主栅线。
【具体实施方式】
下面结合附图和实施例来对本发明作进一步的说明。
如图1和图2所示,本发明提供的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,从叠层电池从正面至背面包括:透明导电膜1、电子传输层2、钙钛矿层3、空穴传输层4、复合层5、N型层6、P型基体7、背面钝化膜8、背面电极9。
本发明提供的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池的制作方法,包括以下步骤,在P型硅片上依次经过制绒、扩散、清洗、印刷、烧结、镀膜、制作空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电膜,制成P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池,具体步骤如下:
(1)采用化学药液腐蚀、等离子刻蚀、金属催化或激光刻蚀将P型晶体硅片进行表面织构化处理,P型晶体硅片为单晶或多晶硅片;
(2)进行磷掺杂处理,在P型晶体硅片的正面形成N型层,掺杂的方法采用激光掺杂、低压扩散、常压扩散、离子注入或杂质浆料涂敷加热处理,掺杂剂为POCl3、PH3或其他含磷浆料,掺杂后的方阻为40~100Ω/□;
(3)刻蚀去掉P型晶体硅片正面的磷硅玻璃和背结,刻蚀的方法采用湿法刻蚀或干法刻蚀;
(4)采用丝网印刷、电镀等方法在P型晶体硅片背面制作栅线电极,栅线电极使用的浆料为银浆或银/铝浆,之后烘干;
(5)在300~900℃下在链式烧结炉中进行链式烧结热处理,使背面电极栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触;
(6)通过化学气相沉积的方式在硅片表面生长一层1-10nm的本征非晶硅作为复合层;
(7)在复合层的正面制作10-100nm的空穴传输层,空穴传输层的材料为有机物或无机物,无机物为含Cu(l)的化合物,例如Cul,CuSCN,或者为其它材料,例如:GaP,NiO,CoO,FeO,B12O3,M0O2或Cr203用来做无机的HTL;有机物为spiro-MeTAD,PTAA或PEDOT-PSS,无机材料通过溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺来制作,有机材料通过旋涂的方式制作;
(8)通过溶液法、共蒸法或气象溶液辅助法在空穴传输层正面生长钙钛矿层;
(9)通过溅射、气相沉积、3D打印、印刷、喷涂工艺的方式在钙钛矿层正面生长透明导电膜,透明导电膜的厚度控制在50~500nm,透明导电膜为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成,透明导电膜的材料是:TiO2,SiO2,ZrO2,Al2O3或ZnO,透明导电膜层同时起到电子传输层(electron transport layer)的作用。
实施例1
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□;
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行链式烧结热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过化学气相沉积的方式在硅片表面生长一层1.0nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在复合层正面通过溅射的方法沉积10nm的CuI作为空穴传输层;
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
实施例2
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□;
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行链式烧结热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过化学气相沉积的方式在硅片表面生长一层2.0nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在复合层正面通过溅射的方法沉积30nm的CuI作为空穴传输层;
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
实施例3
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□;
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行链式烧结热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过化学气相沉积的方式在硅片表面生长一层5.0nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在复合层正面通过溅射的方法沉积50nm的CuI作为空穴传输层;
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
实例1,2,3制成的太阳能叠层电池的开路电压1.6-1.8V,短路电流39-45mA/cm2,光电转换效率为25-27%。
实施例4
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□。
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行链式烧结热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过LPCVD的方法在硅片正表面生长一层1.0nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在正面复合层之上通过旋涂的方法沉积50nm的spiro-MeTAD作为空穴传输层。
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
实施例5
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□。
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行链式烧结热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过LPCVD的方法在硅片正表面生长一层1.5nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在正面复合层之上通过旋涂的方法沉积70nm的spiro-MeTAD作为空穴传输层。
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
实施例6
本实施例的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结通过如下步骤制作:
(1)将P型单晶硅片在80-90℃的KOH溶液中异向腐蚀,获得表面金字塔结构;
(2)在800~900℃下以POCl3为掺杂剂进行低压扩散,在P型单晶硅片的正面上形成N型层,掺杂后的方阻为70Ω/□。
(3)采用湿法刻蚀去掉P型单晶硅片正面的磷硅玻璃及背结;
(4)在P型单晶硅片背面的钝化膜上按特定图形采用进行开膜,开膜图形为5组相互平行的线段状,长度为155mm,宽度为100um,相邻两个线段之间的间距为1.3mm;
(5)采用丝网印刷的方法在P型单晶硅片背面按激光开膜图案制作背面正极细铝栅线,背面铝栅线图形和上一步中开膜图形一致,之后烘干;
(6)在300~900℃下进行热处理,使背面正极铝细栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触,同时与背面正极银主栅线熔接在一起,构成电池的正极;
(7)通过LPCVD的方法在硅片正表面生长一层5.0nm的本征非晶硅作为复合层;
(8)在正面复合层之上通过旋涂的方法沉积100nm的spiro-MeTAD作为空穴传输层;
(9)在空穴传输层之上通过共蒸法,在真空条件下,将PbI2与CH3NH3I气相共蒸发沉积,沉积生成200nm的CH3NH3PbI3,作为钙钛矿层;
(10)在钙钛矿层上采用溅射法制作厚度为150nm的ITO透明导电膜,作为电子传输层,同时起到透明导电薄膜。
本实例制成的太阳能叠层电池的开路电压1.7-2.0V,短路电流39-45mA/cm2,光电转换效率为26-28%。
Claims (10)
1.P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜(1)、电子传输层(2)、钙钛矿层(3)、空穴传输层(4)、复合层(5)、N型层(6)、P型基体(7)、背面钝化膜(8)和背面电极(9)。
2.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述P型基体(7)为单晶或多晶硅片,N型层(6)的掺杂剂含磷浆料。
3.根据权利要求2所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述含磷浆料为POCl3、PH3中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述背面电极(9)的材质为银浆或银/铝浆,复合层(5)为本征非晶硅,其厚度为1-10nm。
5.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述空穴传输层(4)的材料为有机物或无机物,当为有机物时,空穴传输层(4)为spiro-MeTAD、PTAA或PEDOT-PSS。
6.根据权利要求5所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述空穴传输层(4)为无机物时,空穴传输层(4)的材料为GaP、NiO、CoO、FeO、B12O3、M0O2、Cr203或含Cu(l)的化合物。
7.根据权利要求1所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构,其特征在于,所述透明导电膜(1)为ITO薄膜、AZO薄膜、GZO薄膜、FTO薄膜、IWO薄膜和石墨烯薄膜中的一种或多种叠层构成,透明导电膜(1)的厚度为50~500nm,透明导电膜(1)的材料为TiO2、SiO2、ZrO2、Al2O3或ZnO。
8.P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,将P型晶体硅片进行表面织构化处理;
步骤二,在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层;
步骤三,刻蚀去掉P型晶体硅片正面的磷硅玻璃和背结;
步骤四,在P型晶体硅片的背面制作背面电极;
步骤五,进行热处理,使背面电极的栅线与P型硅基体形成良好的欧姆接触;
步骤六,在P型晶体硅片表面生长一层本征非晶硅作为复合层;
步骤七,在复合层的正面制作空穴传输层;
步骤八,在空穴传输层的正面生长钙钛矿层;
步骤九,在钙钛矿层正面生长透明导电膜。
9.根据权利要求8所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法,其特征在于,所述步骤二中,在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂处理形成N型层后,方阻为40~100Ω/□。
10.根据权利要求8所述的P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构的制法,其特征在于,所述步骤五中,热处理方式为在链式烧结炉中烧结热处理,烧结温度为300~900℃。
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Family
ID=59775011
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400331A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-08-14 | 超威电源有限公司 | 二次电池 |
CN109841742A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-04 | 信阳师范学院 | 一种用石墨烯作为导电电极的高稳定性钙钛矿太阳能电池 |
CN109888034A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-14 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池 |
CN110076456A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏焊接装置、光伏组件制造设备及太阳能电池 |
CN110943103A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-03-31 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种硅基钙钛矿双二极管双面太阳电池及其制备方法 |
CN111244278A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 非掺杂晶硅异质结钙钛矿叠层太阳电池结构及制备方法 |
CN113594372A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104979421A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种叠层太阳能电池 |
CN105493304A (zh) * | 2013-08-06 | 2016-04-13 | 新南创新私人有限公司 | 高效堆叠的太阳能电池 |
CN105932161A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-09-07 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 叠层太阳能电池及其制备方法 |
WO2016198889A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Oxford Photovoltaics Limited | Photovoltaic device |
-
2017
- 2017-04-26 CN CN201710283902.4A patent/CN107146846A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105493304A (zh) * | 2013-08-06 | 2016-04-13 | 新南创新私人有限公司 | 高效堆叠的太阳能电池 |
CN104979421A (zh) * | 2014-04-11 | 2015-10-14 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种叠层太阳能电池 |
WO2016198889A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Oxford Photovoltaics Limited | Photovoltaic device |
CN105932161A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-09-07 | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司 | 叠层太阳能电池及其制备方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108400331A (zh) * | 2018-02-05 | 2018-08-14 | 超威电源有限公司 | 二次电池 |
CN108400331B (zh) * | 2018-02-05 | 2021-07-16 | 超威电源集团有限公司 | 二次电池 |
CN111244278A (zh) * | 2018-11-29 | 2020-06-05 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 非掺杂晶硅异质结钙钛矿叠层太阳电池结构及制备方法 |
CN109841742A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-06-04 | 信阳师范学院 | 一种用石墨烯作为导电电极的高稳定性钙钛矿太阳能电池 |
CN109888034A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-14 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池 |
CN110076456A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种光伏焊接装置、光伏组件制造设备及太阳能电池 |
CN110943103A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-03-31 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种硅基钙钛矿双二极管双面太阳电池及其制备方法 |
CN113594372A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 硅/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法 |
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