CN209607723U - 基板模块 - Google Patents

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Abstract

提供包含线圈的特性、接地特性的电特性优异且小型的基板模块。铁氧体基板(20)具有磁性体层(21、22)、和夹着磁性体层(21、22)而配置的非磁性体层(24)以及非磁性体层(25),非磁性体层(25)的与磁性体层(22)相反侧的面是铁氧体基板(20)的第二主面(203)。非磁性体层(25)具备第一凹部(211)、第二凹部(212)以及布线导体(421)。第一凹部(211)在第二主面(203)和第一侧面(201)开口,在俯视时具有非直线状的内壁面(221)。布线导体(421)在第一凹部(211)的内壁面(221)露出。外面导体(60)形成于第一凹部(211)的内壁面(221),并与布线导体(421)连接。

Description

基板模块
技术领域
本实用新型涉及包括内部形成有线圈导体的层叠基板、和被安装于该层叠基板的第一主面上的安装型电子部件的基板模块。
背景技术
以往,提出各种具有基板和安装型电子部件的模块。例如,专利文献 1所记载的模块具备电介质基板和安装型电子部件。安装型电子部件被安装于电介质基板的表面。在电介质基板的表面侧被密封部件覆盖。电介质基板的侧面、密封部件的侧面以及表面(与电介质基板相反侧的面)被金属膜覆盖。电介质基板具备从侧面露出的多个电极。这些电极与金属膜连接。
另外,专利文献2所记载的部件内置模块具备层叠体、内置型电子部件以及安装型电子部件。内置型部件被内置在层叠体中。安装型电子部件被安装于层叠体的表面。层叠体的表面侧被密封部件覆盖。层叠体的侧面、密封部件的侧面以及表面(与层叠体相反侧的面)被金属膜覆盖。在层叠体形成有在侧面露出的电极、以及俯视时为半圆状的内导通孔。在这些侧面露出的电极以及半圆状的内导通孔与金属膜连接。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第5402482号说明书
专利文献2:日本特开2009-4584号公报
然而,在将专利文献1所记载的结构应用于铁氧体基板的情况下,将从侧面露出与金属膜连接的电极图案形成在铁氧体基板内。该情况下,在金属膜与基准电位(接地电位)之间产生由该电极图案引起的寄生电感,导致金属膜无法获得稳定的基准电位(接地电位)。
另外,将专利文献2所记载的结构应用于铁氧体基板,铁氧体基板中的内导通孔的厚度方向的位置和线圈导体图案的厚度方向的位置重叠的情况下,产生如下的问题。
在不增大层叠体的形状而使小型化优先的情况下,必须减小线圈导体图案的宽度,或者减小由线圈导体图案形成的螺旋形的线圈的开口面积。由此,线圈的特性会降低。另一方面,在使线圈的特性优先的情况下,层叠体的平面面积变大相当于形成内导通孔的区域的部分,导致层叠体大型化。
实用新型内容
因此,本实用新型的目的在于提供包括线圈的特性、接地特性的电特性优异且小型的铁氧体基板模块。
本实用新型的铁氧体基板模块具备铁氧体基板、安装型电子部件以及外面导体。铁氧体基板具有相互对置的第一主面以及第二主面、和将第一主面和第二主面连接的侧面,并具备第一主面,在第二主面具备端子导体。安装型电子部件被安装在部件安装用焊盘导体。外面导体覆盖铁氧体基板的第一主面侧以及侧面。
铁氧体基板具备形成有线圈的磁性体层、和夹着该磁性体层而配置的第一非磁性体层以及第二非磁性体层。第一非磁性体层的与磁性体层相反侧的面是铁氧体基板的第一主面,第二非磁性体层的与磁性体层相反侧的面是铁氧体基板的第二主面。
并且,铁氧体基板具备第二主面侧凹部以及第二主面侧布线导体。第二主面侧凹部在第二主面和侧面开口,并在与第二主面正交的方向上观察时具有非直线状的内壁面。第二主面侧布线导体被设置于第二非磁性体层。第二主面侧布线导体与端子导体连接,并在第二主面侧凹部的内壁面露出。外面导体形成在第二主面侧凹部的内壁面,并与第二主面侧布线导体连接。
在该结构中,第二主面侧布线导体和外面导体的连接面积变大,通过第二主面侧布线导体连接的端子导体与外面导体之间的连接电阻变低。因此,例如,在与外面导体连接的端子导体构成基准电位的情况下,由外面导体构成的基准电位(例如,接地电位)稳定。即,相对于安装在铁氧体基板的第一主面侧的安装型电子部件的基准电位稳定。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。
并且,铁氧体基板具备第一主面侧凹部以及第一主面侧布线导体。第一主面侧凹部在第一主面和侧面开口,并在与第一主面正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面。第一主面侧布线导体被设置于第一非磁性体层。第一主面侧布线导体与部件安装用焊盘导体连接,并在第一主面侧凹部的内壁面露出。外面导体形成于第一主面侧凹部的内壁面,并与第一主面侧布线导体连接。
在该结构中,第一主面侧布线导体和外面导体的连接面积变大,相对于安装在铁氧体基板的第一主面侧的安装型电子部件的基准电位进一步稳定。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第二非磁性体层的线膨胀系数小于磁性体层的线膨胀系数。
在该结构中,铁氧体基板的抗弯强度得以提高。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第二主面侧布线导体被配置在第二非磁性体层和磁性体层的界面。
在该结构中,通过第二主面侧布线导体的延展性缓和由磁性体层的线膨胀系数与第二非磁性体层的线膨胀系数之差所造成的应力,抑制裂缝。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选具备布线辅助导体,该布线辅助导体与第二主面侧布线导体中的向内壁面露出的端部连接,并在铁氧体基板的厚度方向上具有规定的长度。
在该结构中,内壁面中的铁氧体基板内的导体图案和外面导体的连接面积变大。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第二主面侧布线导体具有包括与端子导体连接的一侧的端部的第一部分;以及在第二主面侧凹部的内壁面露出的第二部分。第二部分的延展性低于第一部分的延展性。
在该结构中,分割将多个铁氧体基板模块一体形成的母层叠体,对各铁氧体基板模块进行单片化时,分割性得以提高。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,也可以第一部分是以Ag 为主成分的材料,第二部分是在以Ag为主成分的材料中添加添加物而成的材料。
在该结构中,示出第二主面侧布线导体的材料的具体例,通过使第一部分以及第二部分成为该结构,从而容易实现上述的第二主面侧布线导体的延展性和分割性。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选添加物的线膨胀系数等于或小于构成铁氧体基板的材料的线膨胀系数。
在该结构中,更有效地抑制上述的裂缝。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选添加物的熔点高于 Ag的熔点。
在该结构中,容易实现上述的分割性。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,也可以是如下的结构。铁氧体基板模块具备上述的构成的铁氧体基板、安装型电子部件以及外面导体。铁氧体基板模块具备第一主面侧凹部以及第一主面侧布线导体。第一主面侧凹部在铁氧体基板的第一主面和侧面开口,在与第一主面正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面。第一主面侧布线导体被设置在第一非磁性体层,并与部件安装用焊盘导体连接,且在第一主面侧凹部的内壁面露出。外面导体形成在第一主面侧凹部的内壁面,并与第一主面侧布线导体连接。
在该结构中,第一主面侧布线导体和外面导体的连接面积变大,相对于安装在铁氧体基板的第一主面侧的安装型电子部件的基准电位稳定。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第一非磁性体层的线膨胀系数小于磁性体层的线膨胀系数。
在该结构中,铁氧体基板的抗弯强度得以提高。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第一主面侧布线导体被配置在第一非磁性体层和磁性体层的界面。
在该结构中,通过第一主面侧布线导体的延展性抑制因磁性体层的线膨胀系数与第一非磁性体层的线膨胀系数之差所造成的裂缝。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选具备布线辅助导体,布线辅助导体与第一主面侧布线导体中的向内壁面露出的端部连接,并在铁氧体基板的厚度方向上具有规定的长度。
在该结构中,内壁面中的铁氧体基板内的导体图案和外面导体的连接面积变大。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选是如下的结构。第一主面侧布线导体具有包括与部件安装用焊盘导体连接的一侧的端部的第三部分、和在第一主面侧凹部的内壁面露出的第四部分。第四部分的延展性低于第三部分的延展性。
在该结构中,分割将多个铁氧体基板模块一体形成的母层叠体,对各铁氧体基板模块进行单片化时,分割性得以提高。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,也可以第三部分是以Ag 为主成分的材料,第四部分是在以Ag为主成分的材料中添加添加物而成的材料。
在该结构中,示出第一主面侧布线导体的材料的具体例,通过使第三部分以及第四部分成为该结构,从而容易实现上述的第一主面侧布线导体的延展性和分割性。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选添加物的线膨胀系数等于或小于构成铁氧体基板的材料的线膨胀系数。
在该结构中,更有效地抑制上述的裂缝。
另外,在该实用新型的铁氧体基板模块中,优选添加物的熔点高于 Ag的熔点。
在该结构中,容易实现上述的分割性。
实用新型效果
根据该实用新型,能够实现电特性优异且小型的铁氧体基板模块。
附图说明
图1是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
图2是本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的凹部的放大立体图。
图3是表示应用本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的电源电路例的示意电路图。
图4是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的制造方法的流程图。
图5的(A)、(B)、(C)是表示制造过程的构成的侧面剖视图。
图6的(A)、(B)是表示制造过程的构成的侧面剖视图,(C)、(D) 是将母层叠体状态下的凹部放大的平面剖视图。
图7是本实用新型的铁氧体基板模块的第二形态的凹部的放大立体图。
图8是本实用新型的铁氧体基板模块的第三形态的凹部的放大立体图。
图9是本实用新型的铁氧体基板模块的第四形态的凹部的放大立体图。
图10是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
图11是本实用新型的第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块的凹部的放大立体图。
图12的(A)、(B)、(C)是表示制造过程的构成的侧面剖视图,(D) 是将母层叠体状态下的凹部放大的平面剖视图。
图13是表示本实用新型的第三实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
图14是表示本实用新型的第四实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
图15的(A)、(B)是表示制造过程的构成的侧面剖视图。
具体实施方式
参照附图,对本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块进行说明。图1是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。图2是本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的凹部的放大立体图。图2是在图1中的粗箭头的方向上观察到的放大立体图。图3是表示应用本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的电源电路例的示意电路图。
如图1所示,铁氧体基板模块10具备铁氧体基板20、密封树脂30、安装型电子部件51、52以及外面导体60。
在俯视时,铁氧体基板20为矩形,即立方体形状。换言之,铁氧体基板20具备相互对置的第一主面203、第二主面204,还具有将使第一主面203和第二主面204连接的第一侧面201以及第二侧面202。
铁氧体基板20具备磁性体层21、22、非磁性体层23、24、25。非磁性体层23也能够省略,但通过设置非磁性体层23能够提高线圈的直流叠加特性。
磁性体层21、22与本实用新型的“磁性体层”对应,非磁性体层24 与本实用新型的“第一非磁性体层”对应,非磁性体层25与本实用新型的“第二非磁性体层”对应。
磁性体层21和磁性体层22夹着非磁性体层23而层叠。非磁性体层 24抵接在磁性体层21中的与和非磁性体层23的抵接面相反侧的面。非磁性体层25抵接在磁性体层22中的与和非磁性体层23的抵接面相反侧的面。换言之,铁氧体基板20沿着厚度方向依次层叠有非磁性体层24、磁性体层21、非磁性体层23、磁性体层22以及非磁性体层25。
在该结构中,铁氧体基板20中的非磁性体层24侧的外面(与厚度方向正交的面)是铁氧体基板20的第一主面203,铁氧体基板20中的非磁性体层25侧的外面(与厚度方向正交的面)是铁氧体基板20的第二主面 204。
在铁氧体基板20上设置有第一凹部211和第二凹部212。第一凹部 211和第二凹部212与本实用新型的“第二主面侧凹部”对应。
如图1、图2所示,第一凹部211是从铁氧体基板20中的第二主面 204和第一侧面201双方凹陷的形状,且是铁氧体基板20中的第二主面 204和第一侧面201连接的棱CR21的一部分缺失的形状。如图2所示,第一凹部211是在厚度方向上贯通铁氧体基板20中的非磁性体层25且从磁性体层22中的非磁性体层25侧的面使磁性体层22凹陷规定深度的形状。并且,如图2所示,第一凹部211中的与第二主面204正交的内壁面 221是非直线状。即,第一凹部211在铁氧体基板20的第二主面204和第一侧面201开口,在与第二主面204正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面221。具体地在图2的方式中,内壁面221是具有规定的直径的曲面。
第二凹部212是从铁氧体基板20中的第二主面204和第二侧面202 双方凹陷的形状,且是铁氧体基板20中的第二主面204和第二侧面202 交叉的棱CR22的一部分缺失的形状。第二凹部212的形状与第一凹部211 相同,是在厚度方向上贯通铁氧体基板20中的非磁性体层25且从磁性体层22中的非磁性体层25侧的面使磁性体层22凹陷规定深度的形状。并且,第二凹部212中的与第二主面204正交的内壁面222是非直线状。即,第二凹部212在铁氧体基板20的第二主面204和第二侧面202开口,在与第二主面204正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面222。具体而言,内壁面222是具有规定的直径的曲面。
在由磁性体层21、22以及非磁性体层23构成的层叠部中形成有线圈 401。线圈401具备多个线圈导体和多个层间连接导体。线圈导体是卷绕形,即切去周上的一部分的环状。多个线圈导体形成在铁氧体基板20的磁性体层21、22中的厚度方向的不同的位置上,这些多个线圈导体通过形成在磁性体层21、22以及非磁性体层23的层间连接导体(省略图示。)而连接成一个导体。根据该结构,在俯视铁氧体基板20时,线圈401在中央具有开口部,被实现为以厚度方向作为轴方向的螺旋形的导体。
在非磁性体层24中形成有部件安装用焊盘(land)导体441、442、布线导体451、452以及层间连接导体461、462。布线导体451、452与本实用新型的“第一主面侧布线导体”对应。
部件安装用焊盘导体441、442形成在非磁性体层24中的与和磁性体层21的抵接面相反侧的面上。即,部件安装用焊盘导体441、442形成于铁氧体基板20的第一主面203。在部件安装用焊盘导体441安装有安装型电子部件51。在部件安装用焊盘导体442安装有安装型电子部件52。
布线导体451形成于非磁性体层24和磁性体层21的界面。布线导体 451的一端附近经由层间连接导体461与部件安装用焊盘导体441连接。布线导体451的另一端在铁氧体基板20的第一侧面201露出。换言之,布线导体451的另一端的端面与铁氧体基板20的第一侧面201成为同一平面。
布线导体452形成于非磁性体层24和磁性体层21的界面。布线导体 452的一端附近经由层间连接导体462与部件安装用焊盘导体442连接。布线导体452的另一端在铁氧体基板20的第二侧面202露出。换言之,布线导体452的另一端的端面与铁氧体基板20的第二侧面202成为同一平面。
在非磁性体层25中形成有端子导体411、412、布线导体421、422 以及层间连接导体431、432。布线导体421、422与本实用新型的“第二主面侧布线导体”对应。
端子导体411、412形成在非磁性体层25中的与和磁性体层22的抵接面相反侧的面。即,端子导体411、412形成于铁氧体基板20的第二主面204。端子导体411、412是基准电位用的端子导体,例如接地(ground) 用的端子导体。
布线导体421形成于非磁性体层25和磁性体层22的界面。布线导体 421的一端附近经由层间连接导体431与端子导体411连接。布线导体421 的另一端在凹部211的内壁面221的曲面露出。换言之,布线导体421的另一端的端面成为沿着曲面的形状。通过成为这样的结构,同布线导体 421的端面与第一侧面201成为同一平面的方式相比较,布线导体421的另一端的端面的面积变大。
布线导体422形成于非磁性体层25和磁性体层22的界面。布线导体 422的一端附近经由层间连接导体432与端子导体412连接。布线导体422 的另一端在凹部212的内壁面222的曲面露出。换言之,布线导体422的另一端的端面成为沿着曲面的形状。通过成为这样的结构,同布线导体 422的端面与第二侧面202成为同一平面的方式相比较,布线导体422的另一端的端面的面积变大。
密封树脂30覆盖铁氧体基板20的第一主面203和安装型电子部件 51、52。
外面导体60覆盖密封树脂30中的与和铁氧体基板20抵接的面相反侧的面(作为铁氧体基板模块10的表面)、密封树脂30的侧面、包括铁氧体基板20的第一侧面201和第二侧面202的侧面。此时,外面导体60 覆盖第一凹部211的内壁面221以及第二凹部212的内壁面222。
根据该结构,布线导体421、422和布线导体451、452与外面导体 60连接。而且,如上述那样,通过在铁氧体基板20具备第一凹部211和第二凹部212,从而外面导体60和布线导体421的连接面积、以及外面导体60和布线导体422的连接面积分别变大。因此,在通过端子导体411、 412实现安装型电子部件51、52的接地的情况下,作为屏蔽的外面导体 60和作为接地的端子导体411、412的连接的稳定性得以提高。另外,能够实现相对于安装型电子部件51、52稳定的接地。
并且,在上述的结构中,由于将用于布线到接地以及外面导体的导体,即,布线导体421、422、451、452没有配置在磁性体层21、22内,所以不会产生寄生电感,接地稳定。
另外,如图1所示,在铁氧体基板20的厚度方向上,第一凹部211 以及第二凹部212以不与构成线圈401的卷绕形的线圈导体重叠的深度形成。由此,能够抑制线圈401的中央的开口部变小,并能够抑制线圈导体的宽度变窄。因此,能够抑制线圈401的特性的降低。即,能够在小型的铁氧体基板20中实现优异的线圈特性。
这样,通过使用本实施方式的结构,由于安装型电子部件51、52的接地稳定且线圈401的特性没有降低,所以铁氧体基板模块10能够实现小型、且优异的电特性。
此外,优选布线导体421、422、451、452以Ag为主成分。由此,布线导体421、422、451、452的导电率提高,能够使接地更稳定。
另外,优选磁性体层21、22的线膨胀系数α1大于非磁性体层24、 25的线膨胀系数α2(α1>α2)。由此,铁氧体基板20能够实现高的抗弯强度,可靠性提高。
另外,在布线导体421、422、451、452中,也可以对作为主成分的 Ag添加调整布线导体421、422、451、452的线膨胀系数的添加物。例如,作为添加物而添加铁氧体粉。由此,能够使布线导体421、422、451、452 的线膨胀系数接近磁性体层21、22的线膨胀系数α1以及非磁性体层24、 25的线膨胀系数α2。结果能够抑制布线导体421、422、451、452的附近中的磁性体层21、22或者非磁性体层24、25的裂缝,铁氧体基板20的可靠性得以提高。此外,如果调整该线膨胀系数的添加物至少被添加到布线导体421、422、451、452在凹部或者侧面露出的端部,则至少获得该效果。另外,由于Ag的线膨胀系数大于磁性体层21、22的线膨胀系数α1以及非磁性体层24、25的线膨胀系数α2,所以调整该线膨胀系数的添加物可以是等于或低于磁性体层21、22的线膨胀系数α1以及非磁性体层 24、25的线膨胀系数α2的线膨胀系数的材料。
这样的结构的铁氧体基板模块10被应用于图3所示那样的电路。如图3所示,铁氧体基板模块10具备输入端子PIN、输出端子POUT、接地端子PGND、控制IC91、输入电容器92、电感器(扼流圈)93以及输出电容器94。
在输入端子PIN连接有控制IC91的输入端。在输入端子PIN与接地端子PGND之间连接有输入电容器92。在控制IC91的输出端连接有电感器93,该电感器93与输出端子POUT连接。在输出端子POUT与接地端子PGND之间连接有输出电容器94。接地端子PGND与作为基准电位的外部的接地(接地电位)连接。
根据该结构,铁氧体基板模块10使用控制IC91的转换控制,将赋予输入端子PIN的输入电压Vin作为输出电压Vout从输出端子POUT输出。即,铁氧体基板模块10作为降压型的DCDC转换器发挥作用。
而且,在铁氧体基板模块10中应用图1、图2所示的结构。
该情况下,通过图1的安装型电子部件51来实现图3的控制IC91,通过图1的安装型电子部件52来实现图3的输入电容器92以及输出电容器94,通过图1的线圈401来实现图3的电感器93。而且,通过提高屏蔽它们的外面导体60和接地端子PGND的连接的稳定性,能够构成抑制噪声的DCDC转换器。
另外,由于未将布线导体421、422、451、452配置在磁性体层21、 22内,所以不会产生寄生电感,接地稳定。结果是控制IC91的动作稳定,输入电容器92以及输出电容器94的接地稳定,抑制线圈401的特性的降低。因此,铁氧体基板模块10能够实现稳定的接地(接地电位),能够实现具有所希望的输出特性的电源电路。
此外,在本实施方式中,作为铁氧体基板模块10而示出降压型的 DCDC转换器的例子,但也可以应用于至少具备电感器93和控制IC91的升压型的DCDC转换器或者升降压型的DCDC转换器。另外,铁氧体基板模块10也可以应用于至少具备电感器93和控制IC91的其它电子电路。例如也可以应用于具备滤波电路(LC电路)的通信电路等。
通过如下所示的方法来制造具有这样的结构的铁氧体基板模块10。图4是表示本实用新型的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块的制造方法的流程图。图5的(A)、图5的(B)、图5的(C)、图6的(A)、图6的(B)是表示制造过程的构成的侧面剖视图。图6的(C)、图6的(D)是将母层叠体状态下的凹部放大的平面剖视图。以下,按照图4的流程图,参照图5的(A)、图5的(B)、图5的(C)、图6的(A)、图 6的(B)、图6的(C)、图6的(D)进行说明。
首先,如图5的(A)所示,在构成磁性体层21M、22M的多个磁性体片材以及构成非磁性体层24M、25M的多个非磁性体片材上分别形成导体图案(S101)。构成磁性体层21M、22M的多个磁性体片材、以及构成非磁性体层24M、25M的多个非磁性体片材是能够一并形成多个铁氧体基板20的大小的片材(母片材)。导体图案形成为相对于该母片材排列多个铁氧体基板作为最终形状。
在构成磁性体层21M、22M的多个磁性体片材上形成构成线圈401 的线圈导体以及层间连接导体。在构成非磁性体层24M的多个非磁性体片材上形成部件安装用焊盘导体441、442、布线导体450、层间连接导体 461、462。在构成非磁性体层25M的多个非磁性体片材上形成部件安装用焊盘导体441、442、布线导体420、层间连接导体431、432。布线导体420、450是横跨多个元件部的形状。此外,元件部表示最终成为一个铁氧体基板模块10(铁氧体基板20)的部分。
接下来,如图5的(A)所示,将构成磁性体层21M、22M的多个磁性体片材、构成非磁性体层24M、25M的多个非磁性体片材以及构成非磁性体层23M的非磁性体片材层叠,形成母层叠体(S102)。
接下来,如图5的(B)所示,形成从母层叠体20M的非磁性体层 25M侧的面(第二主面)使各元件部的侧面凹陷的形状的凹部210(S103)。例如,将圆筒形的凹部210形成为以母层叠体20M中的相邻的线圈401 的大致中心位置为圆筒形的中心。通过钻孔机等形成凹部210。
凹部210形成为贯通非磁性体层25M以及布线导体420,并在未到达磁性体层22M中的线圈导体图案的深度配置底面。此时,如图6的(C) 所示,凹部210形成为分断布线导体420。由此,布线导体421、422在凹部210的内壁面露出。
接下来,烧制母层叠体20M(S104)。接下来,如图5的(C)所示,在烧制后的母层叠体20M的第一主面203安装安装型电子部件51、52。安装型电子部件51被安装于部件安装用焊盘导体441,安装型电子部件 52被安装于部件安装用焊盘导体442。
接下来,如图6的(A)所示,在母层叠体20M的第一主面203侧形成密封树脂30(S106)。
接下来,如图6的(B)所示,形成对母层叠体20M分断为元件部单位的槽GR,从母层叠体20M单片化为多个元件部(此处,未形成铁氧体基板模块10中的外面导体60)(S107)。由此,形成每个铁氧体基板模块 10的凹部211、212。
接下来,针对多个元件部形成外面导体60(S108)。此时,也在凹部 211、212的内壁面221、222形成外面导体60。外面导体60的形成例如通过溅射法等来实现。
通过使用这样的制造方法,能够制造上述的构成的铁氧体基板模块 10。
此外,凹部210并不限于圆筒形,如图6的(D)所示,也可以是多个圆筒形连接的槽210G。该情况下,通过使相邻的圆筒形的中心间距离大于圆筒形的半径,槽210G的内壁面变为非直线状。由此,获得与凹部 210相同的作用效果,能够实现接地的稳定化。
另外,凹部和布线电极也可以是如下的形状以及关系。图7是本实用新型的铁氧体基板模块的第二形态的凹部的放大立体图。图8是本实用新型的铁氧体基板模块的第三形态的凹部的放大立体图。图9是本实用新型的铁氧体基板模块的第三形态的凹部的放大立体图。图7、图8、图9仅示出第一凹部,但第二凹部也是与第一凹部相同的结构。因此,仅对第一凹部进行说明。
在图7所示的第二形态中,布线导体421的宽度长于第一凹部211的直径。因此,布线导体421的端面在第一凹部211的内壁面221和铁氧体基板20的第一侧面201露出。即使是这样的结构,也能够增加布线导体 421和外面导体60(省略图示)的连接面积。
在图8所示的第三形态中,第一凹部211A是圆锥形的孔。该情况下,通过激光的照射等来形成第一凹部211A。即使是这样的结构,也能够增加布线导体421和外面导体60(省略图示)的连接面积。此外,在图8 中,布线导体421的端面在第一凹部211A的内壁面221和铁氧体基板20 的第一侧面201露出,但也可以仅在第一凹部211A的内壁面221露出。
在图9所示的第四形态中,布线导体421具备第一部分4211和第二部分4212。第一部分4211和第二部分4212连接,布线导体421的延伸方向的一端侧是第一部分4211,另一端侧是第二部分4212。第一部分4211 经由层间连接导体431(参照图1)与端子导体411(参照图1)连接。第二部分4212在第一凹部211的内壁面221露出。
第一部分4211和第二部分4212的材料的组成不同。具体而言,第一部分4211以Ag为主成分,没有追加如第二部分4212那样的添加物。第二部分4212在作为主成分的Ag中添加添加物。该添加物使第二部分4212 的延展性相对于第一部分4211降低,例如,是使Ag延迟烧结的材料(熔点高于Ag的材料),作为一个例子,是Al2O3
通过成为这样的结构,第二部分4212与第一部分4211相比较,能够抑制缩颈。因此,能够提高形成第一凹部211时的布线导体421的切断性,并能够提高从母层叠体分割各元件部时的分割性。
此外,图7、图8、图9各自的凹部的形状和布线导体的形状也可以通过分别组合而应用。另外,凹部的内壁面并不限于在俯视时弯曲的形状,也可以是在俯视时弯折的形状(多边形的边状)。
接下来,参照附图,对本实用新型的第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块进行说明。图10是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。图11是表示本实用新型的第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块的凹部的放大立体图。
第二实施方式所涉及的铁氧体基板模块10A在相对于第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10追加布线辅助导体471、472这一点上不同。铁氧体基板模块10A的其它结构与铁氧体基板模块10相同,同样的位置的说明省略。
布线辅助导体471形成在布线导体421中的在第一凹部211露出的一侧的端部,并与布线导体421连接。布线辅助导体471是在厚度方向上具有长度的柱状。布线辅助导体471向第一凹部211的露出面在俯视时为非直线状的面(弯曲面)。
根据这样的结构,形成在第一凹部211的内壁面221的外面导体60 与布线导体421和布线辅助导体471连接。由此,同仅布线导体421与外面导体60连接相比,内壁面221的位置中的与外面导体60的连接面积变大,能够使接地更加稳定。
布线辅助导体472形成在布线导体422中的在第二凹部212露出的一侧的端部,并与布线导体422连接。布线辅助导体472是在厚度方向上具有长度的柱状。布线辅助导体472向第二凹部212的露出面在俯视时为非直线状的面(弯曲面)。
根据这样的结构,形成在第二凹部212的内壁面222的外面导体60 与布线导体422和布线辅助导体472连接。由此,同仅布线导体422与外面导体60连接相比,内壁面222的位置中的与外面导体60的连接面积变大,能够使接地更加稳定。
另外,在铁氧体基板20的厚度方向上,布线辅助导体471中的与和布线导体421抵接的端面相反侧的端面被配置在比形成线圈401的多个线圈导体中的与非磁性体层25最近的线圈导体的非磁性体层25侧的面更靠非磁性体层25侧。同样地,在铁氧体基板20的厚度方向上,布线辅助导体472中的与和布线导体422抵接的端面相反侧的端面被配置在比形成线圈401的多个线圈导体中的与非磁性体层25最近的线圈导体的非磁性体层25侧的面更靠非磁性体层25侧。即,图10所示的Gap大于0。
根据该结构,能够增大构成线圈401的线圈导体的中央的开口部,并能够提高线圈特性。换言之,能够抑制因形成布线辅助导体471、472而造成的线圈401的特性降低。
此外,优选布线辅助导体471、472以Ag为主成分。而且,更优选布线辅助导体471、472以Ag为主成分并添加使布线辅助导体471、472 的延展性降低的添加物。由此,接地更加稳定,并且布线辅助导体471、 472的切断性以及分割性得以提高。
通过如下所示的方法来制造具有这样的结构的铁氧体基板模块10A。图12的(A)、图12的(B)、图12的(C)是表示制造过程的构成的侧面剖视图。图12的(D)是将母层叠体状态下的凹部放大的平面剖视图。此外,铁氧体基板模块10A的基本的制造流程与第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10的制造流程相同,同样的位置的说明省略。
如图12的(A)所示,在构成磁性体层22M的多个磁性体片材上形成布线辅助导体470。布线辅助导体470形成在距磁性体层22M中的与非磁性体层25M的抵接面规定的深度。布线辅助导体470是横跨相邻的元件部的形状。
如图12的(B)所示,形成从母层叠体20M的非磁性体层25M侧的面(第二主面)使各元件部的侧面凹陷的形状的凹部210。凹部210形成为贯通非磁性体层25M、布线导体410以及布线辅助导体470并在未到达磁性体层22M中的线圈导体图案的深度配置底面。此时,如图12的(D) 所示,凹部210形成为分断布线导体410以及布线辅助导体470。由此,布线导体421、422、和布线辅助导体471、472在凹部210的内壁面露出。
接下来,如图12的(C)所示,形成针对母层叠体20M分断为元件部单位的槽GR,并从母层叠体20M单片化为多个元件部。
通过使用这样的制造方法,能够制造上述的结构的铁氧体基板模块10A。
接下来,参照附图,对本实用新型的第三实施方式所涉及的铁氧体基板模块进行说明。图13是表示本实用新型的第三实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
如图13所示,第三实施方式所涉及的铁氧体基板模块10B相对于第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10,布线导体421以及布线导体451 的配置不同。铁氧体基板模块10B的其它结构与铁氧体基板模块10相同,同样的位置的说明省略。
布线导体421被配置在非磁性体层25的厚度方向的中途位置。布线导体451被配置在非磁性体层24的厚度方向的中途位置。即使是这样的结构,也能够实现接地的稳定化。
此外,也可以将布线导体422配置在非磁性体层25的厚度方向的中途位置,也可以将布线导体452配置在非磁性体层24的厚度方向的中途位置。但是,优选如上述的第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10那样将各布线导体配置在非磁性体层和磁性体层的界面。根据该结构,非磁性体层和磁性体层的线膨胀系数之差所引起的应力被布线导体的延展性缓和。由此,抑制非磁性体层的裂缝。
接下来,参照附图,对本实用新型的第四实施方式所涉及的铁氧体基板模块进行说明。图14是表示本实用新型的第四实施方式所涉及的铁氧体基板模块的示意结构的侧面剖视图。
如图14所示,第四实施方式所涉及的铁氧体基板模块10C相对于第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10,也在非磁性体层24侧设置凹部的点不同。铁氧体基板模块10C的其它结构与铁氧体基板模块10相同,同样的位置的说明省略。
在铁氧体基板20以及密封树脂30设置有第三凹部213和第四凹部 214。第三凹部213和第四凹部214与本实用新型的“第一主面侧凹部”对应。
如图14所示,第三凹部213是从密封树脂30的侧面(与第一侧面201为同一平面的面)、和铁氧体基板20中的第一侧面201凹陷的形状。第三凹部213是从密封树脂30的顶面(与和铁氧体基板20抵接的面相反侧的面)在厚度方向上贯通密封树脂30,并从铁氧体基板20的第一主面 203(部件安装用焊盘导体441、442的形成面)以规定深度凹陷的形状。更具体而言,第三凹部213在厚度方向上也贯通非磁性体层24,与厚度方向正交的底面到达到磁性体层21。
第三凹部213中的与第一主面203正交的内壁面223是非直线状。即第三凹部213在铁氧体基板20的第一主面203和第一侧面201开口,在与第一主面正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面223。具体而言,与第一凹部211的内壁面221同样地,内壁面223是具有规定的直径的曲面。
第四凹部214是从密封树脂30的侧面(与第二侧面202为同一平面的面)、和铁氧体基板20中的第二侧面202凹陷的形状。第四凹部214的形状是与第三凹部213相同的形状。
第四凹部214中的与第一主面203正交的内壁面223是非直线状。即第四凹部214在铁氧体基板20的第一主面203和第一侧面201开口,在与第一主面正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面223。具体而言,与第二凹部212的内壁面222同样地,内壁面223是具有规定的直径的曲面。
此外,在厚度方向上,与第三凹部213以及第四凹部214的厚度方向正交的底面的位置优选是与距形成线圈401的非磁性体层24最近的线圈导体的非磁性体层24侧的面相比距非磁性体层24较近的位置。根据该结构,能够增大构成线圈401的线圈导体的中央的开口部,并能够提高线圈特性。
通过成为这样的结构,能够增大布线导体451和外面导体60的连接面积、以及布线导体452和外面导体60的连接面积,能够相对于使安装型电子部件51、52的接地更加稳定。
此外,布线导体451、452也与上述的布线导体421、422同样地,能够由组成不同的两个部分构成。布线导体451具有与层间连接导体461连接的一侧的第三部分、和在第三凹部213露出的一侧的第四部分。同样地,布线导体452具有与层间连接导体462连接的一侧的第三部分、和在第四凹部214露出的一侧的第四部分。而且,第三部分是与上述的第一部分相同的组成,第四部分是与上述的第二部分相同的组成。由此,铁氧体基板 20中的非磁性体层24侧的分割性也能够提高。
另外,与有关布线导体421、422的布线辅助导体471、472同样地,也可以针对布线导体451、452配置布线辅助导体。
通过如下所示的方法来制造具有这样的结构的铁氧体基板模块10B。图15的(A)、图15的(B)是表示制造过程的构成的侧面剖视图。此外,到形成铁氧体基板模块10B的密封树脂30M为止的制造流程与第一实施方式所涉及的铁氧体基板模块10的制造流程相同,同样的位置的说明省略。
如图15的(A)所示,形成从母层叠体20M的非磁性体层25M侧的面(第二主面)使各元件部的侧面凹陷的形状的凹部210。凹部210形成为贯通非磁性体层25M以及布线导体420(参照图5),并在未到达磁性体层22M中的线圈导体图案的深度配置底面。
另外,如图15的(A)所示,形成从密封树脂30M中的与和母层叠体20M抵接的面相反侧的面使各元件部的侧面凹陷的形状的凹部260。凹部260形成为贯通密封树脂30M、非磁性体层24M、布线导体450(参照图5),并在未达到磁性体层21M中的线圈导体图案的深度配置底面。
接下来,如图15的(B)所示,形成针对形成密封树脂30M后的母层叠体20M分断为元件部单位的槽GR,并从形成密封树脂30M后的母层叠体20M单片化为多个元件部。之后,将外面导体60形成为包括第一凹部211的内壁面221、第二凹部212的内壁面222、第三凹部213的内壁面223、第四凹部214的内壁面224。
通过使用这样的制造方法,能够制造上述的结构的铁氧体基板模块 10B。
附图标记说明
10、10A、10B、10C:铁氧体基板模块
20:铁氧体基板
20M:母层叠体
21、21M、22、22M:磁性体层
23、23M、24、24M、25、25M:非磁性体层
30、30M:密封树脂
51、52:安装型电子部件
60:外面导体
91:控制IC
92:输入电容器
93:电感器
94:输出电容器
201:第一侧面
202:第二侧面
203:第一主面
204:第二主面
210:凹部
210G:槽
211、211A:第一凹部
212:第二凹部
213:第三凹部
214:第四凹部
221、222、223、224:内壁面
260:凹部
401:线圈
411、412:端子导体
420、421、422、450、451、452:布线导体
431、432:层间连接导体
441、442:部件安装用焊盘导体
461、462:层间连接导体
470、471、472:布线辅助导体
4211:第一部分
4212:第二部分
CR21、CR22:棱
GR:槽。

Claims (17)

1.一种基板模块,其特征在于,具备:
层叠基板,具有相互对置的第一主面及第二主面、以及将所述第一主面和所述第二主面连接的侧面,所述层叠基板在所述第一主面具备部件安装用焊盘导体,且在所述第二主面具备端子导体;
安装型电子部件,被安装于所述部件安装用焊盘导体;以及
外面导体,覆盖所述层叠基板的所述第一主面侧以及所述侧面,
所述层叠基板具备:
磁性体层,形成有线圈;以及
第一非磁性体层及第二非磁性体层,所述第一非磁性体层及所述第二非磁性体层夹着该磁性体层而配置,
所述第一非磁性体层的与所述磁性体层相反侧的面是所述第一主面,所述第二非磁性体层的与所述磁性体层相反侧的面是所述第二主面,
所述层叠基板具备:
第二主面侧凹部,在所述层叠基板的所述第二主面和所述侧面开口,并在与所述第二主面正交的方向观察时,具有非直线状的内壁面;以及
第二主面侧布线导体,被设置为与所述第二非磁性体层相接,与所述端子导体连接,且在所述第二主面侧凹部的内壁面露出,
所述外面导体形成在所述第二主面侧凹部的内壁面,并与所述第二主面侧布线导体连接。
2.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于,
所述基板模块还具备:
第一主面侧凹部,在所述层叠基板的所述第一主面和所述侧面开口,并在与所述第一主面正交的方向上观察时,具有非直线状的内壁面;以及
第一主面侧布线导体,被设置为与所述第一非磁性体层相接,与所述部件安装用焊盘导体连接,且在所述第一主面侧凹部的内壁面露出,
所述外面导体形成于所述第一主面侧凹部的内壁面,并与所述第一主面侧布线导体连接。
3.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于,
所述第二非磁性体层的线膨胀系数小于所述磁性体层的线膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于,
所述第二主面侧布线导体被配置在所述第二非磁性体层和所述磁性体层的界面。
5.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于,
所述基板模块具备布线辅助导体,所述布线辅助导体与所述第二主面侧布线导体中的向所述内壁面露出的端部连接,并在所述层叠基板的厚度方向上具有规定的长度。
6.根据权利要求1所述的基板模块,其特征在于,
所述第二主面侧布线导体具有:
第一部分,包括与所述端子导体连接的一侧的端部;以及
第二部分,所述第二部分在所述第二主面侧凹部的内壁面露出,
所述第二部分的延展性低于所述第一部分的延展性。
7.根据权利要求6所述的基板模块,其特征在于,
所述第一部分是以Ag为主成分的材料,
所述第二部分是在以Ag为主成分的材料中添加添加物而成的材料。
8.根据权利要求7所述的基板模块,其特征在于,
所述添加物的线膨胀系数等于或小于构成所述层叠基板的材料的线膨胀系数。
9.根据权利要求7所述的基板模块,其特征在于,
所述添加物的熔点高于所述Ag的熔点。
10.一种基板模块,其特征在于,具备:
层叠基板,具有相互对置的第一主面以及第二主面、以及将所述第一主面和所述第二主面连接的侧面,所述层叠基板在所述第一主面具备部件安装用焊盘导体,且在所述第二主面具备端子导体;
安装型电子部件,被安装于所述部件安装用焊盘导体;以及
外面导体,覆盖所述层叠基板的所述第一主面侧以及所述侧面,
所述层叠基板具备:
磁性体层,形成有线圈;以及
第一非磁性体层及第二非磁性体层,所述第一非磁性体层及所述第二非磁性体层夹着该磁性体层而配置,
所述第一非磁性体层的与所述磁性体层相反侧的面是所述第一主面,所述第二非磁性体层的与所述磁性体层相反侧的面是所述第二主面,
所述层叠基板还具备:
第一主面侧凹部,在所述层叠基板的所述第一主面和所述侧面开口,并在与所述第一主面正交的方向观察时,具有非直线状的内壁面;以及
第一主面侧布线导体,被设置为与所述第一非磁性体层相接,与所述部件安装用焊盘导体连接,且在所述第一主面侧凹部的内壁面露出,
所述外面导体形成于所述第一主面侧凹部的内壁面,并与所述第一主面侧布线导体连接。
11.根据权利要求10所述的基板模块,其特征在于,
所述第一非磁性体层的线膨胀系数小于所述磁性体层的线膨胀系数。
12.根据权利要求10所述的基板模块,其特征在于,
所述第一主面侧布线导体被配置在所述第一非磁性体层和所述磁性体层的界面。
13.根据权利要求10所述的基板模块,其特征在于,
所述基板模块具备布线辅助导体,所述布线辅助导体与所述第一主面侧布线导体中的向所述内壁面露出的端部连接,并在所述层叠基板的厚度方向上具有规定的长度。
14.根据权利要求10所述的基板模块,其特征在于,
所述第一主面侧布线导体具有:
第三部分,包括与所述部件安装用焊盘导体连接的一侧的端部;以及
第四部分,在所述第一主面侧凹部的内壁面露出,
所述第四部分的延展性低于所述第三部分的延展性。
15.根据权利要求14所述的基板模块,其特征在于,
所述第三部分是以Ag为主成分的材料,
所述第四部分是在以Ag为主成分的材料中添加添加物而成的材料。
16.根据权利要求15所述的基板模块,其特征在于,
所述添加物的线膨胀系数等于或小于构成所述层叠基板的材料的线膨胀系数。
17.根据权利要求15所述的基板模块,其特征在于,
所述添加物的熔点高于所述Ag的熔点。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE212019000233U1 (de) * 2018-06-25 2020-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Kommunikationsmodul und elektronisches Gerät
WO2021049399A1 (ja) * 2019-09-09 2021-03-18 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
FR3127841A1 (fr) * 2021-10-01 2023-04-07 Stmicroelectronics (Tours) Sas Transformateur dans un substrat de boitier

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4818198B2 (ja) * 2007-03-15 2011-11-16 京セラ株式会社 コイル内蔵基板
JP5391747B2 (ja) * 2009-03-10 2014-01-15 パナソニック株式会社 モジュール部品とモジュール部品の製造方法と、これを用いた電子機器
KR101171512B1 (ko) * 2010-06-08 2012-08-06 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
EP2698798B1 (en) * 2011-04-11 2018-04-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Laminated inductor element and method of manufacturing same
JP5480923B2 (ja) * 2011-05-13 2014-04-23 シャープ株式会社 半導体モジュールの製造方法及び半導体モジュール
WO2014030471A1 (ja) * 2012-08-21 2014-02-27 株式会社村田製作所 積層基板およびその製造方法
JP2015115552A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
WO2016121491A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 株式会社村田製作所 電子回路モジュール

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