CN209344068U - 引线框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种引线框架，其包括芯片焊接区及设置在所述芯片焊接区之外的非焊接区，在所述非焊接区，所述引线框架的边缘设置有至少一个半包围式第一凹槽，所述第一凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。本实用新型的优点在于，在引线框架的边缘设置半包围式凹槽，半包围式凹槽抗应力表现好，有弹簧拉伸效应，具有良好的锁模功效，避免塑封料与引线框架分层；在制作工艺上，由于封闭的孔形蚀刻需要更大的空间才能制作，有制作限制，且封闭的圆形的深度也会比半包围式凹槽更浅，而本实用新型半包围式凹槽设计在金属边缘，需要空间较少，更易制作。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种引线框架。
背景技术
随着当今科技的快速发展，对电子产品性能要求逐步提高的同时，也要求电路元件更小、更薄、更轻。这就意味着需要电子产品具备更小的体积，更大的电流，更小的导通电阻，以及更好的散热。现有的电路芯片封装通常采用传统的打线方式的封装方案，将电路芯片用导电胶贴在金属框架上，然后通过金属导线将芯片焊盘与框架引脚相连，再通过塑封料包封起来。然而这种打线式的封装方案，很难保证通过大的电流，也难以获得小导通电阻，散热特性上也都受到限制。
而另外有一些芯片采用倒装焊的方式，即将芯片焊点植球，然后将芯片翻转安装在框架上，这种倒装焊的方式能有效增大电流，并减小导通电阻，但由于封装体内不做焊线，引线框架相对空白的地方较多，而空白的铜面若不进行一些设计处理，对于要求过MSL1的可靠性要求，容易发生塑封料与引线框架分层的情况，其中，MSL(Moisture SensitivityLevel)是指元器件的湿气敏感性等级，MSL1为最高等级。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种引线框架，其能够提高引线框架的锁模能力。
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种引线框架，包括芯片焊接区及设置在所述芯片焊接区之外的非焊接区，在所述非焊接区，所述引线框架的边缘设置有至少一个半包围式第一凹槽，所述第一凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
在一实施例中，所述第一凹槽的横截面呈U型。
在一实施例中，所述引线框架的边缘设置有多个半包围式第一凹槽，至少一个所述第一凹槽贯穿所述引线框架。
在一实施例中，所述非焊接区包括至少一个引脚，所述引脚的边缘设置有至少一个所述第一凹槽。
在一实施例中，所述芯片焊接区包括至少一基岛，所述基岛能够与至少一芯片焊接，所述基岛的边缘设置有至少一个半包围式第二凹槽，所述第二凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
在一实施例中，所述基岛具有一斜边，所述第二凹槽设置在所述斜边上。
在一实施例中，所述第二凹槽的横截面呈U型。
在一实施例中，所述基岛的边缘设置有多个半包围式第二凹槽，至少一个所述第二凹槽贯穿所述基岛。
在一实施例中，所述非焊接区包括至少一个引脚，至少一个所述基岛与所述引脚连接，在所述基岛与所述引脚的连接处设置有至少一个半包围式第三凹槽，所述第三凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
在一实施例中，所述第三凹槽贯穿所述连接处。
本实用新型的优点在于，在引线框架的边缘设置半包围式凹槽，半包围式凹槽抗应力表现好，有弹簧拉伸效应，具有良好的锁模功效，在形成封装体后，能够避免塑封料与引线框架分层；在制作工艺上，由于封闭的孔形蚀刻需要更大的空间才能制作，有制作限制，且封闭的圆形的深度也会比半包围式凹槽更浅，而本实用新型半包围式凹槽设计在金属边缘，需要空间较少，更易制作。
附图说明
图1是本实用新型引线框架的结构示意图；
图2是芯片倒装焊接在本实用新型引线框架上的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的引线框架的具体实施方式做详细说明。
图1是本实用新型引线框架的结构示意图，图2是芯片倒装焊接在本实用新型引线框架上的结构示意图。请参阅图1及图2，本实用新型引线框架10包括芯片焊接区A及设置在所述芯片焊接区A之外的非焊接区B。所述芯片焊接区A指的是用于焊接芯片20的区域。所述非焊接区B指的是未用于焊接芯片20的区域。请参阅图2，未被所述芯片20遮挡的区域即为所述非焊接区B。
在所述非焊接区B，所述引线框架10的边缘设置有至少一个半包围式第一凹槽11，所述第一凹槽11朝向所述引线框架10的底部的方向凹陷。所述引线框架10的边缘指的是所述引线框架10内部镂空区与实体区的交界处。所述半包围式指的是所述第一凹槽11的侧面具有缺口，未形成闭合结构。例如，在本实施例中，所述第一凹槽11的横截面呈U型。
其中，所述引线框架10的边缘设置有多个半包围式第一凹槽11，至少一个所述第一凹槽11贯穿所述引线框架10。具体地说，在引线框架10的全金属结构的边缘，所述第一凹槽11为上表面半蚀刻结构，即不贯穿所述引线框架10，以避免影响引线框架10外观；在所述引线框架10的下表面半蚀刻结构的边缘，所述第一凹槽11贯穿所述引线框架10。
本实用新型所述引线框架10的边缘设置有至少一个半包围式第一凹槽11，其优点在于，半包围式凹槽起到锁模的作用，抗应力表现好，有弹簧拉伸效应，在形成封装体后，能够防止塑封料与引线框架分层；在制作工艺上，封闭的孔形蚀刻需要更大的空间才能制作，有制作限制，且封闭的圆形的深度也会比半包围式凹槽的形状更浅，而本实用新型半包围式凹槽设计在金属边缘，需要空间较少，更易制作。
在本实施例中，所述非焊接区B包括至少一个引脚12，所述引脚12的边缘设置有至少一个所述第一凹槽11。在图1中示意性地绘示两个引脚12，每一引脚12的边缘设置有一个所述第一凹槽11。
进一步，所述芯片焊接区A包括至少一基岛13。所述基岛13能够与至少一芯片20焊接。在本实施例中，示意性绘示一个基岛13及一个芯片20。所述基岛13的边缘设置有至少一个半包围式第二凹槽14，所述第二凹槽14朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。所述基岛13的边缘指的是所述基岛13的内部镂空区与实体区的交界处。所述半包围式指的是所述第二凹槽14的侧面具有缺口，未形成闭合结构。例如，在本实施例中，所述第二凹槽14的横截面呈U型。其中，所述基岛13具有一斜边，所述第二凹槽14设置在所述斜边上。在本实施例中，所述基岛13的两侧均具有一斜边，在每一斜边上均设置有一第二凹槽14。
其中，所述基岛13的边缘设置有多个半包围式第二凹槽14，至少一个所述第二凹槽14贯穿所述基岛13。具体地说，在所述基岛13的全金属结构的边缘，所述第二凹槽14为上表面半蚀刻结构，即不贯穿所述基岛13，以避免影响所述基岛13外观；在所述基岛13的下表面半蚀刻结构的边缘，所述第二凹槽14贯穿所述基岛13。所述第二凹槽14进一步起到锁模的作用，进一步防止塑封料与引线框架分层。
进一步，至少一个所述基岛13与所述引脚12连接，在所述基岛13与所述引脚12的连接处设置有至少一个半包围式第三凹槽15，所述第三凹槽15朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。具体地说，在本实施例中，所述基岛13与两个引脚12连接，形成一T字形的连接处，在所述连接处，所述第三凹槽15朝向所述引线框架的底部的方向凹陷，且所述第三凹槽15贯穿所述连接处。具体地说，若所述连接处为全金属结构，则所述第三凹槽15为上表面半蚀刻结构，即不贯穿所述连接处，以避免影响所述引线框架10的外观；若所述连接处为下表面半蚀刻结构的边缘，则所述第三凹槽15贯穿所述连接处。所述第三凹槽15进一步起到锁模的作用，进一步防止塑封料与引线框架分层。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种引线框架，包括芯片焊接区及设置在所述芯片焊接区之外的非焊接区，其特征在于，在所述非焊接区，所述引线框架的边缘设置有至少一个半包围式第一凹槽，所述第一凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述第一凹槽的横截面呈U型。
3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引线框架的边缘设置有多个半包围式第一凹槽，至少一个所述第一凹槽贯穿所述引线框架。
4.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述非焊接区包括至少一个引脚，所述引脚的边缘设置有至少一个所述第一凹槽。
5.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述芯片焊接区包括至少一基岛，所述基岛能够与至少一芯片焊接，所述基岛的边缘设置有至少一个半包围式第二凹槽，所述第二凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
6.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，所述基岛具有一斜边，所述第二凹槽设置在所述斜边上。
7.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，所述第二凹槽的横截面呈U型。
8.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，所述基岛的边缘设置有多个半包围式第二凹槽，至少一个所述第二凹槽贯穿所述基岛。
9.根据权利要求5所述的引线框架，其特征在于，所述非焊接区包括至少一个引脚，至少一个所述基岛与所述引脚连接，在所述基岛与所述引脚的连接处设置有至少一个半包围式第三凹槽，所述第三凹槽朝向所述引线框架的底部的方向凹陷。
10.根据权利要求9所述的引线框架，其特征在于，所述第三凹槽贯穿所述连接处。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822151241.2U CN209344068U (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 引线框架 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201822151241.2U CN209344068U (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 引线框架 |
Publications (1)
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| CN209344068U true CN209344068U (zh) | 2019-09-03 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN201822151241.2U Active CN209344068U (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 引线框架 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN209344068U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023024700A1 (zh) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 上海凯虹科技电子有限公司 | 封装体、引线框架及其粗化方法 |
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2018
- 2018-12-20 CN CN201822151241.2U patent/CN209344068U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023024700A1 (zh) * | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 上海凯虹科技电子有限公司 | 封装体、引线框架及其粗化方法 |
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