CN208938931U - 基板液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供基板液处理装置。防止从内槽内的处理液表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备：内槽，其能积存处理液并具有上部开口；外槽，其设置于内槽的外侧并供处理液从内槽流入；第1盖体，其能在覆盖内槽的上部开口的第1区域的封闭位置与使上部开口的第1区域开放的开放位置间移动；及第2盖体，其能在覆盖内槽的上部开口的第2区域的封闭位置与使上部开口的第2区域开放的开放位置间移动。第1盖体具有底壁和从底壁向上方延伸的侧壁，第2盖体具有底壁和从底壁向上方延伸的侧壁。在第1盖体和第2盖体位于封闭位置时，第1盖体的侧壁与第2盖体的侧壁接近而面对，在这些侧壁之间形成具有高度的间隙。

Description

基板液处理装置
技术领域
本实用新型涉及使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中包括氮化硅膜蚀刻工序，在该氮化硅膜蚀刻工序中，使半导体晶圆等基板浸渍于积存到处理槽的磷酸水溶液中，对在基板的表面形成的氮化硅膜进行湿蚀刻。
这样的湿蚀刻所使用的液处理装置例如具有：内槽，其积存处理液(磷酸水溶液)；外槽，其接受从内槽溢流出来的处理液；以及循环管线和循环泵，其使从外槽排出来的处理液以返回内槽的方式循环。
位于内槽内的磷酸水溶液被维持在沸腾状态。因此，由于沸腾而产生的气泡每次到达液面都产生磷酸水溶液的飞沫，并向内槽的周围飞散。若该飞沫向外槽的外侧飞散，则处理槽的周围的环境有可能被污染，另外，由于处理液流出到循环系统之外，有可能难以进行处理液的成分管理。
在专利文献1、2中记载有如下内容：为了防止磷酸水溶液向处理槽的周围飞散，设置有仅在基板的输入和输出时打开的一对盖体(在专利文献1、2中被称为“自动盖”)。在专利文献1、2中并未记载盖体的具体的结构，仅概略地示作长方体形状的物体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平09-181041号公报
专利文献2：日本特开2006-041253号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型的目的在于提供一种具备能够防止或大幅度地抑制沸腾了的处理液的飞沫从处理槽飞出而附着于盖体之上、或者向盖体的外方飞散的盖体结构的基板液处理装置。
用于解决问题的方案
根据本实用新型的一技术方案，提供一种基板液处理装置，该基板液处理装置具备：内槽，其能够积存处理液，并具有上部开口；外槽，其设置于所述内槽的外侧，所述处理液从所述内槽流入该外槽；第1盖体，其能够在覆盖所述内槽的所述上部开口的第1部分的封闭位置与使所述上部开口的第1部分开放的开放位置之间移动；以及第2盖体，其能够在覆盖所述内槽的所述上部开口的第2部分的封闭位置与使所述上部开口的第2部分开放的开放位置之间移动，所述第1盖体具有底壁和从所述底壁向上方延伸的侧壁，所述第2盖体具有底壁和从所述底壁向上方延伸的侧壁，在所述第1盖体和所述第2盖体位于封闭位置时，所述第1盖体的所述侧壁与所述第2盖体的所述侧壁接近而面对，在这些侧壁之间形成有具有高度的间隙。
近年来，申请人对如下内容进行了研究：通过使盖体与处理槽内的磷酸水溶液接触，使处理槽内的处理液的温度和沸腾状态的控制性提高。若使盖体与液体接触，则即使在处理槽设置有盖体，磷酸水溶液的飞沫从处理槽与盖体之间的微小的间隙飞出的可能性也较高。根据上述本实用新型的实施方式，在盖体设置到处理槽时，不仅在使盖体不接触液体的情况下，即使在使盖体接触了液体的情况下，也能够抑制磷酸水溶液的飞沫向盖体的外方飞散。
也可以是，在所述第1盖体的上表面和所述第2盖体的上表面分别形成有凹陷，所述第1盖体的所述底壁和所述侧壁划分形成所述第1盖体的凹陷的至少一部分，所述第2盖体的所述底壁和所述侧壁划分形成所述第2盖体的凹陷的至少一部分。
也可以是，所述第1盖体的所述底壁以随着远离所述第1盖体的所述侧壁而变高的方式倾斜，所述第2盖体的所述底壁以随着远离所述第2盖体的所述侧壁而变高的方式倾斜。
也可以是，在所述第1盖体和所述第2盖体中的至少一者，设置从上方覆盖所述第1盖体的侧壁的上部与所述第2盖体的侧壁的上部之间的间隙的覆盖件。
也可以是，在所述第1盖体和所述第2盖体中的设置有所述覆盖件的盖体的上表面安装有板状体，所述板状体越过所述侧壁而向所述间隙的上方伸出而构成所述覆盖件。
也可以是，在所述第1盖体和所述第2盖体中的至少一者，设置对所述第1盖体的侧壁的上部和所述第2盖体的侧壁的上部之间的间隙进行密封的密封件。
也可以是，构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料的耐化学溶液性比构成所述密封件的材料的耐化学溶液性高，构成所述密封件的材料的柔软性比构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料的柔软性高。
也可以是，构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料是石英，构成所述密封件的材料是氟系树脂。
也可以是，在所述第1盖体和所述第2盖体中的设置有所述密封件的盖体的上表面安装有板状体，所述板状体从所述侧壁向所述间隙的上方伸出而构成所述密封件。
也可以是，在所述第1盖体和所述第2盖体位于所述封闭位置时，所述第1盖体的所述底壁的底面和所述第2盖体的所述底壁的底面与从所述内槽向所述外槽溢流时的所述处理液的所述内槽内的液面接触。
实用新型的效果
根据上述本实用新型的技术方案，能够防止、或者能够大幅度地抑制处理液从第1盖体与第2盖体之间的间隙飞出。
附图说明
图1是表示基板液处理系统的整体结构的概略俯视图。
图2是表示被装入到基板液处理系统的蚀刻装置的结构的系统图。
图3是蚀刻装置的处理槽的概略横断方向纵剖视图。
图4是处理槽的概略长度方向纵剖视图。
图5是处理槽的概略俯视图。
图6是仅将位于封闭位置的盖体及其周边的构件取出而详细地表示的处理槽的横断方向纵剖视图。
图7是盖体的立体图。
图8是表示从图6所示的封闭位置移动到开放位置的盖体的横断方向纵剖视图。
附图标记说明
34A、内槽；34B、外槽；71、第1盖体；72、第2盖体；711R、721R、底壁；712R、722R、侧壁；71R、72R、凹陷；73、覆盖件、密封件；73P、板状体；H、高度；G、间隙。
具体实施方式
以下，参照附图对本实用新型的实施方式进行说明。首先，对装入有本实用新型的一实施方式的基板液处理装置1的基板液处理系统1A整体进行说明。
如图1所示，基板液处理系统1A具有承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、以及控制部7。
其中的承载件输入输出部2进行承载件9的输入和输出，该承载件9以水平姿势沿着上下排列地收容有多张(例如25张)基板(硅晶圆)8。
在该承载件输入输出部2中设置有：承载件载置部10，其载置多个承载件9；承载件输送机构11，其进行承载件9的输送；承载件存放部12、13，其暂时保管承载件9；以及承载件载置台14，其载置承载件9。在此，承载件存放部12在利用批次处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存放部13在利用批次处理部6对要成为产品的基板8进行了处理之后暂时保管该基板8。
并且，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将从外部输入到承载件载置部10的承载件9向承载件存放部12、承载件载置台14输送。另外，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将载置到承载件载置台14的承载件9向承载件存放部13、承载件载置部10输送。输送到承载件载置部10的承载件9被向外部输出。
批次形成部3形成批次，该批次由将收容到1个或多个承载件9的基板8组合而同时被处理的多张(例如50张)基板8构成。此外，在形成批次时，也可以以相邻的各两张基板8的形成有图案的表面彼此相对的方式形成批次，另外，也可以以基板8的形成有图案的表面全部朝向相同的方向的方式形成批次。
在该批次形成部3中设置有输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势和从垂直姿势变更成水平姿势。
并且，批次形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置到承载件载置台14的承载件9向批次载置部4输送，将形成批次的基板8向批次载置部4载置。另外，批次形成部3利用基板输送机构15将载置到批次载置部4的批次向载置到承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有如下两种基板支承部作为用于支承多张基板8的基板支承部：处理前基板支承部，其支承处理前(由批次输送部5输送之前)的基板8；以及处理后基板支承部，其支承处理后(由批次输送部5输送了之后)的基板8。由此，防止附着到处理前的基板8等的微粒等向处理后的基板8等转移。
批次载置部4利用批次载置台16暂时载置(待机)被批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次。
在该批次载置部4设置有：输入侧批次载置台17，其载置处理前(由批次输送部5输送之前)的批次；以及输出侧批次载置台18，其载置处理后(由批次输送部5输送了之后)的批次。1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18。
并且，在批次载置部4中，由批次形成部3形成后的批次被载置于输入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5向批次处理部6输入。另外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5输出来的批次被载置于输出侧批次载置台18，该批次被向批次形成部3输送。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部间进行批次的输送。
在该批次输送部5设置有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19包括：轨道20，其沿着批次载置部4和批次处理部6配置；以及移动体21，其一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动。保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22进退自由地设置于移动体21。
并且，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被载置到输入侧批次载置台17的批次，将该批次向批次处理部6交接。另外，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被批次处理部6处理后的批次，将该批次向输出侧批次载置台18交接。而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部中进行批次的输送。
批次处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1批次来进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该批次处理部6中排列设置有：干燥处理装置23，其进行基板8的干燥处理；基板保持体清洗处理装置24，其进行基板保持体22的清洗处理；清洗处理装置25，其进行基板8的清洗处理；以及两台本实用新型的蚀刻处理装置(基板液处理装置)1，其进行基板8的蚀刻处理。
干燥处理装置23具有处理槽27和升降自由地设置到处理槽27的基板升降机构28。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被向处理槽27供给。1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列并被保持在基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构28使该批次升降，从而利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23从基板升降机构28向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在将清洗用的处理液供给到批次输送机构19的基板保持体22之后，通过供给干燥气体，进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31内升降自由地设置有基板升降机构32、33。在清洗用的处理槽30积存有清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31积存有冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35内升降自由地设置有基板升降机构36、37。在蚀刻用的处理槽34积存有蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35积存有冲洗用的处理液(纯水等)。如上述那样，蚀刻处理装置1成为本实用新型的基板液处理装置。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1成为同样的结构。对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1进行说明，1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列而被保持在基板升降机构36。在蚀刻处理装置1中，利用基板升降机构36从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构36使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽34的蚀刻用的处理液而进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1从基板升降机构36向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。另外，利用基板升降机构37从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构37使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽35的冲洗用的处理液而进行基板8的冲洗处理。之后，从基板升降机构37向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
控制部7对基板液处理系统1A的各部(承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、蚀刻处理装置1)的动作进行控制。
该控制部7由例如计算机构成，具有利用计算机能够读取的存储介质38。在存储介质38储存有控制要在基板液处理装置1中执行的各种的处理的程序。控制部7通过读出被存储到存储介质38的程序而执行该程序，来对基板液处理装置1的动作进行控制。此外，程序是存储于能够由计算机读取的存储介质38的程序，也可以是从其他存储介质安装到控制部7的存储介质38的程序。作为能够由计算机读取的存储介质38，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如上述那样，在蚀刻处理装置1的处理槽34中，将预定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)用作处理液(蚀刻液)来对基板8实施液处理(蚀刻处理)。
接着，参照图2对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1的概略结构和配管系统进行说明。
蚀刻处理装置1具有积存预定浓度的磷酸水溶液作为处理液的前述的处理槽34。处理槽34具有内槽34A和外槽34B。从内槽34A溢流出来的磷酸水溶液流入外槽34B。外槽34B的液位被维持得比内槽34A的液位低。
在外槽34B的底部连接有循环管线50的上游端。循环管线50的下游端与设置到内槽34A内的处理液供给喷嘴49连接。在循环管线50上从上游侧起依次夹设有泵51、加热器52以及过滤器53。通过使泵51驱动，形成如下磷酸水溶液的循环流：从外槽34B经由循环管线50和处理液供给喷嘴49而向内槽34A内输送，之后再次从内槽34A向外槽34B流出。
液处理部39由处理槽34、循环管线50以及循环管线50内的设备(51、52、53等)形成。另外，循环系统由处理槽34和循环管线50构成。
在内槽34A内的处理液供给喷嘴49的下方设置有用于向处于内槽34A内的磷酸水溶液中喷出非活性气体例如氮气的气泡的(用于进行发泡的)气体喷嘴60。非活性气体例如氮气被从气体供给源60B经由由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成的流量调节器60C向气体喷嘴60供给。
在处理槽34附设有前述的基板升降机构36。基板升降机构36能够在将多个基板8以垂直地立起的姿势沿着水平方向隔开间隔地排列的状态下保持多个基板8，另外，能够以该状态进行升降。
蚀刻处理装置1具有：磷酸水溶液供给部40，其向液处理部39供给磷酸水溶液；纯水供给部41，其向液处理部39供给纯水；硅供给部42，其向液处理部39供给硅溶液；以及磷酸水溶液排出部43，其将磷酸水溶液从液处理部39排出。
磷酸水溶液供给部40向由处理槽34和循环管线50构成的循环系统内、即液处理部39内的任一个部位、优选如图示那样向外槽34B供给预定浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给部40具有：磷酸水溶液供给源40A，其由积存磷酸水溶液的罐构成；磷酸水溶液供给管线40B，其将磷酸水溶液供给源40A和外槽34B连接；以及流量计40C、流量控制阀40D和开闭阀40E，其从上游侧依次夹设于磷酸水溶液供给管线40B。磷酸水溶液供给部40能够以借助流量计40C和流量控制阀40D控制后的流量将磷酸水溶液向外槽34B供给。
纯水供给部41为了补充由于对磷酸水溶液进行加热而蒸发了的水分而供给纯水。该纯水供给部41包括供给预定温度的纯水的纯水供给源41A，该纯水供给源41A经由流量调节器41B与外槽34B连接。流量调节器41B能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部42具有：硅供给源42A，其由积存含硅化合物溶液例如使胶体硅飞散而成的液的罐构成；以及流量调节器42B。流量调节器42B能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
磷酸水溶液排出部43是为了将位于由液处理部39和循环管线50构成的循环系统内、即液处理部39内的磷酸水溶液排出而设置的。磷酸水溶液排出部43具有：排出管线43A，其从循环管线50分支；流量计43B、流量控制阀43C、开闭阀43D和冷却罐43E，其从上游侧依次设置到排出管线43A。磷酸水溶液排出部43能够以经由流量计43B和流量控制阀43C控制后的流量将磷酸水溶液排出。
冷却罐43E暂时积存在排出管线43A流动来的磷酸水溶液，并且进行冷却。从冷却罐43E流出来的磷酸水溶液(参照附图标记43F)既可以向工厂废液系统(未图示)废弃，也可以在利用再生装置(未图示)将该磷酸水溶液中所含有的硅去除了之后，向磷酸水溶液供给源40A输送而再利用。
在图示例中，排出管线43A与循环管线50(图中，排放过滤器的位置)连接，但并不限定于此，也可以与循环系统内的其他部位、例如内槽34A的底部连接。
在排出管线43A设置有对磷酸水溶液中的硅浓度进行测定的硅浓度计43G。另外，在从循环管线50分支而与外槽34B连接起来的分支管线55A夹设有对磷酸水溶液中的磷酸浓度进行测定的磷酸浓度计55B。在外槽34B设置有对外槽34B内的液位进行检测的液位计44。
接着，参照图3～图7详细地说明蚀刻处理装置1的处理槽34的结构。为了说明的便利，设定XYZ正交坐标系，根据需要加以参照。此外，也有时将X负方向称为“前侧”或“前方”，将X正方向称为“后侧”或“后方”，将Y负方向称为“右侧”或“右方”，将Y正方向称为“左侧”或“左方”。
如前所述，处理槽34具有使上部开放的内槽34A和使上部开放的外槽34B。内槽34A被收容于外槽34B的内部。从内槽34A溢流出来的磷酸水溶液流入外槽34B。在液处理被执行着的期间内，内槽34A的包括底部在内的大部分被浸渍于外槽34B内的磷酸水溶液中。
外槽34B被收容于液体承接容器(水槽)80的内部，在外槽34B与液体承接容器80之间形成有排放空间81。在排放空间81的底部连接有排放管线82。
处理液供给喷嘴49由在内槽34A内沿着X方向(水平方向)延伸的筒状体构成。处理液供给喷嘴49从在其周面贯穿设置的多个喷出口49D(参照图3和图4)朝向被保持到基板升降机构36的基板8喷出处理液。在图中，设置有两个处理液供给喷嘴49，但也可以设置3个以上的处理液供给喷嘴49。处理液(磷酸水溶液)被从沿着铅垂方向延伸的配管49A向处理液供给喷嘴49供给。
气体喷嘴60由在内槽34A内的比处理液供给喷嘴49低的高度位置沿着X方向(水平方向)延伸的筒状体构成。气体喷嘴60从在其周面贯穿设置的多个喷出口60D(参照图3和图4)喷出非活性气体(例如氮气)的气泡。由于非活性气体的发泡，能够使内槽34A内的磷酸水溶液的沸腾状态稳定化。非活性气体被从沿着铅垂方向延伸的配管60A向气体喷嘴60供给。
基板升降机构36具有：支承板36A，其利用未图示的升降机构升降，并沿着铅垂方向(Z方向)延伸；以及一对基板支承构件36B，其一端被支承板36A支承，并沿着水平方向(X方向)延伸。各基板支承构件36B具有沿着水平方向(X方向)隔开间隔地排列的多个(例如50个～52个)基板支承槽(未图示)。基板8的周缘部被插入基板支承槽。基板升降机构36能够将多张(例如50张～52张)基板8以铅垂姿势在沿着水平方向(X方向)隔开间隔的状态下保持。这样的基板升降机构36在该技术领域中是众所周知的，省略详细的构造的图示和说明。
在处理槽34设置有用于对内槽34A的上部开口进行开闭的第1盖体71和第2盖体72。第1盖体71和第2盖体72分别与沿着水平方向(X方向)延伸的旋转轴71S、72S结合。旋转轴71S、72S与固定到液体承接容器80的轴承83和旋转致动器84(参照图4、图5)连结。通过使旋转致动器84动作，第1盖体71和第2盖体72能够以沿着水平方向(X方向)延伸的各自的旋转轴线为中心在分别覆盖内槽34A的上部开口的第1区域(左半部)和第2区域(右半部)的封闭位置(图3和图6所示的位置)与成为大致直立状态而使内槽34A的上部开口的第1区域和第2区域开放的开放位置(图8所示的位置)之间旋转(回转)(参照图3中的箭头SW1、SW2)。
第1盖体71和第2盖体72未覆盖内槽34A的上部开口的、设置有支承板36A、配管49A、60A的区域。
在蚀刻处理装置1的通常运转中，第1盖体71和第2盖体72除了在进行被基板升降机构36保持的基板8相对于内槽34A的输入/输出时以外位于封闭位置，防止位于内槽34A内的磷酸水溶液的温度降低，并且抑制从沸腾的磷酸水溶液产生的水蒸气向处理槽34的外部释放。
第1盖体71具有：从正上方看来呈大致矩形的主体部71A；沿着X方向延伸的第1飞沫遮蔽部71B、第2飞沫遮蔽部71C以及封闭部71D；以及沿着Y方向延伸的第3飞沫遮蔽部71E。同样地，第2盖体72具有：大致矩形的主体部72A；沿着X方向延伸的第1飞沫遮蔽部72B、第2飞沫遮蔽部72C以及封闭部72D；以及沿着Y方向延伸的第3飞沫遮蔽部72E。
在主体部71A的上表面形成有较大的矩形的凹陷71R。凹陷71R由底壁711R和4个侧壁712R、713R、714R、715R划分形成。
在第1盖体71位于封闭位置时，以不阻碍磷酸水溶液从内槽34A向外槽34B溢流(参照图6的箭头OF)的方式在内槽34A的侧壁与侧壁712R、713R之间设置有间隙，该侧壁713R与该内槽34A的侧壁接近而面对。此外，虽未图示，但在内槽34A的4个侧壁的上端隔开间隔地形成有多个V字形的缺口，以便顺利地进行溢流。
第1盖体71的底壁711R以随着沿Y方向远离第2盖体72(随着沿Y方向靠近内槽34A的侧壁)而变高的方式倾斜。由于其倾斜，上述的溢流被顺利地进行。
内槽34A内的磷酸水溶液处于沸腾状态，因此，磷酸水溶液的飞沫也与从内槽34A向外槽34B溢流的磷酸水溶液一起从内槽34A飞出。该飞出来的飞沫与位于封闭位置的第1盖体71的第1飞沫遮蔽部71B碰撞，落向内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间，不向外槽34B的外侧飞散。优选位于封闭位置的第1盖体71的第1飞沫遮蔽部71B的下端位于比所接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。
第2飞沫遮蔽部71C在第1盖体71位于开放位置时起到与第1盖体71位于封闭位置时的第1飞沫遮蔽部71B同样的作用。优选位于开放位置的第1盖体71的第1飞沫遮蔽部71C的下端位于比所接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。
封闭部71D在第1盖体71位于开放位置时(参照图8)覆盖内槽34A的侧壁的上端与外槽34B的侧壁的上端之间的间隙中的、从旋转轴71S到外槽34B的侧壁的区域的上方。封闭部71D将在第1盖体71位于封闭位置时附着到主体部71A的上表面的液体(例如、润湿的基板经过了处理槽34的上方时从该基板落下来的液体)在第1盖体71位于开放位置时向外槽34B与液体承接容器80之间的排放空间81引导，防止该液体流入外槽34B内。进入到排放空间81的液体被从排放管线82废弃。
第3飞沫遮蔽部71E以在距基板升降机构36较远的一侧在内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间的上方延伸的方式设置。第3飞沫遮蔽部71E沿着第1盖体71的端缘在该端缘的全长上从旋转轴71S沿着Y方向延伸。第3飞沫遮蔽部71E在第1盖体71位于封闭位置时起到与第1飞沫遮蔽部71B同样的作用。优选位于封闭位置的第1盖体71的第3飞沫遮蔽部71E的下端位于比所接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。
也可以在靠近基板升降机构36的一侧不设置沿着第1盖体71的在Y方向上延伸的端缘延伸的飞沫遮蔽部。其原因在于，向X正方向飞散的磷酸水溶液与基板升降机构36的支承板36A、配管49A、60A等碰撞，因此，几乎不到达外槽34B。
第2盖体72形成为相对于第1盖体71实质上呈镜面对称，第1盖体71和第2盖体72的构造实质上彼此相同。因而，关于第1盖体71的结构和作用的说明能够引用于关于第2盖体72的结构和作用的说明。第1盖体71和第2盖体72的相互对应的构件(位于对称位置的构件、具有相同的功能的构件)的参照附图标记的末尾带有相同的字母，仅参照附图标记的头二位不同，是“71”或是“72”。
如图6所示，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，从第1盖体71的底壁711R向上方延伸的侧壁712R与从第2盖体72的底壁721R向上方延伸的侧壁722R相互面对，在两侧壁之间形成有高度H的间隙G。通过设置凹陷71R、72R，能够抑制因设置高度H的间隙而产生的第1盖体71和第2盖体72的重量的增大。
在如图6所示那样位于封闭位置的第1盖体71的主体部71A的下表面(底壁711R的下表面)和第2盖体72的主体部72A的下表面(底壁721R的下表面)与内槽34A内的处理液的液面接触的情况下，沸腾了的磷酸水溶液有时从第1盖体71与第2盖体之间的间隙向上方飞出，并向周围飞散。然而，通过如上述那样设置高度H的间隙G，沸腾了的处理液难以从间隙G向外方飞出。为了实现该效果，高度H能够设为例如约5cm以上。
在内槽34A内的处理液是处于沸腾状态的磷酸水溶液的情况下，第1盖体71和第2盖体72中的至少主体部71A、72A由不会被处理液损害的、例如石英等材料形成。在主体部71A、72A由石英形成的情况下，石英有可能彼此碰撞而产生裂纹、碎片，为了防止该情况，期望的是在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时以主体部71A、72A彼此不接触的方式在两者之间设置间隙。在主体部71A、72A彼此之间设置间隙的情况下，处理槽34内、特别是内槽34A内的磷酸水溶液有可能经由该间隙向外方飞散。然而，通过设置上述那样的高度H的间隙G，能够至少大幅度地抑制来自间隙G的磷酸水溶液的飞散。
另外，为了使溢流顺利，如前述那样在使底壁711R(721R)带有倾斜、且使底壁711R(721R)与内槽34A内的磷酸水溶液接触的情况下，在没有从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)的情况下，底壁711R(721R)的顶端没入磷酸水溶液中。然而，通过如上述那样设置从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)，能够使磷酸水溶液的液面的高度位置比侧壁712R(722R)的上端低。
如图6所示，优选的是，在第1盖体71的主体部71A和第2盖体72的主体部72A中的任一者(在此为主体部71A)设置覆盖到另一者(在此为主体部72A)的顶端的上方或者在上方越过而延伸且从上方覆盖间隙G的覆盖件73。通过设置覆盖件73，能够防止处理液从间隙G向上方飞出。此外，在图3～图5中，为了防止附图的烦杂化，要注意未记载覆盖件73(和板状体73P)。
此外，间隙G具有高度H，因此，从内槽34A内的磷酸水溶液的液面飞散来的处理液的液滴的势头在与覆盖件73碰撞之前减弱。因此，碰撞到覆盖件73的处理液不会向侧方飞出。
例如，如图6所示，覆盖件73能够通过将具有与第1盖体71的凹陷71R的轮廓相应的大致矩形的切除部73Q的板状体73P安装固定于第1盖体71的主体部71A的上表面来设置。在该情况下，覆盖件73由板状体73P的端缘部构成。
如图6所示，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，也可以在覆盖件73与第2盖体72之间设置有间隙。取而代之，也可以在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时覆盖件73与第2盖体72接触。在该情况下，覆盖件73起到作为封堵间隙G的上端部的密封件的作用。
在使覆盖件73与第2盖体72接触的情况下，优选由树脂材料例如PTFE、PFA等氟系树脂材料形成覆盖件73，该树脂材料具有即使与石英碰撞也不必担心产生损伤、且也不会使石英损伤的程度的柔软性，且具有比较高的耐腐蚀性。
也可以将覆盖件73与第1盖体71形成为一体。另外，也可以不设置覆盖件73。在不设置覆盖件73的情况下，与设置的情况相比，优选使上述高度H更高。
另外，也可以在第1盖体71的主体部71A和第2盖体72的主体部72A中的任一者(在此为第2盖体72的主体部72A的顶端部)设置基板按压件74。在基板按压件74的下表面，沿着基板8的排列方向(X方向)形成有以与基板支承构件36B的基板支承槽(未图示)相同的间距配置到相同的X方向位置的多个基板保持槽74G。在各基板保持槽74G收容有1张基板8的周缘部。此外，在图7中，要注意的是，在基板按压件74的下端部可以看到形成有基板保持槽74G的部分，但实际上该部分被凹陷72R的底壁721R遮挡而看不见。
在图示的实施方式中，基板按压件74由与第2盖体72独立地形成的细长的板状体构成，利用螺纹固定而固定于第2盖体72的主体部72A。取而代之，也可以将基板按压件74与第2盖体72形成为一体。在任一情况下，基板按压件74都构成第2盖体72的主体部72A的侧壁722R的一部分。
在基板8被处理着时，设置到位于封闭位置的第2盖体72的基板按压件74与被基板支承构件36B支承着的基板8卡合而防止或抑制该基板8向上方的位移。因此，即使从处理液供给喷嘴49以大流量喷出来处理液，或者即使内槽34A内的处理液的沸腾水平变高，或者即使剧烈地进行氮气发泡，也不必担心基板8从基板支承构件36B脱落。
接着，对上述蚀刻处理装置1的作用进行说明。首先，磷酸水溶液供给部40将磷酸水溶液向液处理部39的外槽34B供给。若在磷酸水溶液的供给开始后经过预定时间，则循环管线50的泵51工作，形成在上述的循环系统内循环的循环流。
而且，循环管线50的加热器52工作而对磷酸水溶液进行加热，以使内槽34A内的磷酸水溶液成为预定温度(例如160℃)。最晚也在由加热器52进行的加热开始时间点使第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置。160℃的磷酸水溶液成为沸腾状态。在由于由沸腾导致的水分的蒸发而磷酸浓度超过了预先确定好的管理上限值的情况被磷酸浓度计55B检测到的情况下，纯水被从纯水供给部41供给。
在将1个批次的基板8向内槽34A内的磷酸水溶液中投入之前，进行在循环系统(包括内槽34A、外槽34B以及循环管线50)内存在的磷酸水溶液中的硅浓度(这对氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比造成影响)的调整。通过将仿真基板浸渍于内槽34A内的磷酸水溶液中，或者从硅供给部42向外槽34B供给含硅化合物溶液，能够进行硅浓度的调节。为了确认在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度处于预先确定好的范围内，也可以使磷酸水溶液向排出管线43A流动，利用硅浓度计43G对硅浓度进行测定。
在硅浓度调整的结束后，使第1盖体71和第2盖体72向开放位置移动，使被保持到基板升降机构36的多张、即形成1个批次(也被称为处理批次或分批)的多个例如50张基板8浸渍于内槽34A内的磷酸水溶液中。之后，第1盖体71和第2盖体72被立即返回封闭位置。通过将基板8浸渍于磷酸水溶液预定时间，对基板8实施湿蚀刻处理(液处理)。
通过在基板8的蚀刻处理中使第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置，内槽34A内的磷酸水溶液的液面附近的温度降低被抑制，由此，能够将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。另外，内槽34A浸渍于外槽34B内的磷酸水溶液中，因此，由来自内槽34A的壁体的散热导致的内槽34A内的磷酸水溶液的温度降低被抑制，另外，能够将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。因而，能够将基板8的蚀刻量的面内均匀性和面间均匀性维持得较高。
在1个批次的基板8的处理中，使硅从基板8溶出，因此，存在于循环系统内的磷酸水溶液中的硅浓度上升。在1个批次的基板8的处理中，为了维持在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度，或者有意地使该硅浓度变化，能够一边利用磷酸水溶液排出部43将位于循环系统内的磷酸水溶液排出，一边利用磷酸水溶液供给部40供给磷酸水溶液。
如上述那样，一个批次的基板8的处理一结束，使第1盖体71和第2盖体72向开放位置移动，将基板8从内槽34A输出。
之后，再次使第1盖体71和第2盖体72向封闭位置移动，在进行了位于循环系统内的磷酸水溶液的温度、磷酸浓度、硅浓度的调节之后，与上述同样地进行别的批次的基板8的处理。
在上述实施方式中，处理液是磷酸水溶液，但并不限定于此，例如，也可以使用向SC1、磷酸水溶液混合醋酸等添加物而成的处理液。另外，在上述实施方式中，要蚀刻的膜设为氮化硅膜，但并不限于此，也可以是其他的成为蚀刻对象的膜。另外，要在处理槽内对基板实施的处理既可以不包括蚀刻工序，也可以仅包括清洗工序。即、在处理槽中，在以从处理液的液面产生飞沫这样的条件进行处理的情况下，适用本实用新型。基板并不限定于半导体晶圆，也可以是由玻璃、陶瓷等其他材料形成的基板。

Claims (10)

1.一种基板液处理装置，其特征在于，其具备：
内槽，其能够积存处理液，并具有上部开口；
外槽，其设置于所述内槽的外侧，所述处理液从所述内槽流入该外槽；
第1盖体，其能够在覆盖所述内槽的所述上部开口的第1区域的封闭位置与使所述上部开口的第1区域开放的开放位置之间移动；以及
第2盖体，其能够在覆盖所述内槽的所述上部开口的第2区域的封闭位置与使所述上部开口的第2区域开放的开放位置之间移动，
所述第1盖体具有底壁和从所述底壁向上方延伸的侧壁，
所述第2盖体具有底壁和从所述底壁向上方延伸的侧壁，
在所述第1盖体和所述第2盖体位于封闭位置时，所述第1盖体的所述侧壁与所述第2盖体的所述侧壁接近而面对，在这些侧壁之间形成有具有高度的间隙。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体的上表面和所述第2盖体的上表面分别形成有凹陷，所述第1盖体的所述底壁和所述侧壁划分形成所述第1盖体的凹陷的至少一部分，所述第2盖体的所述底壁和所述侧壁划分形成所述第2盖体的凹陷的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述第1盖体的所述底壁以随着远离所述第1盖体的所述侧壁而变高的方式倾斜，所述第2盖体的所述底壁以随着远离所述第2盖体的所述侧壁而变高的方式倾斜。
4.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体和所述第2盖体中的至少一者，设置从上方覆盖所述第1盖体的侧壁的上部与所述第2盖体的侧壁的上部之间的间隙的覆盖件。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体和所述第2盖体中的设置有所述覆盖件的盖体的上表面安装有板状体，所述板状体越过所述侧壁而向所述间隙的上方伸出而构成所述覆盖件。
6.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体和所述第2盖体中的至少一者，设置对所述第1盖体的侧壁的上部和所述第2盖体的侧壁的上部之间的间隙进行密封的密封件。
7.根据权利要求6所述的基板液处理装置，其特征在于，
构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料的耐化学溶液性比构成所述密封件的材料的耐化学溶液性高，构成所述密封件的材料的柔软性比构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料的柔软性高。
8.根据权利要求7所述的基板液处理装置，其特征在于，
构成所述第1盖体和所述第2盖体的材料是石英，构成所述密封件的材料是氟系树脂。
9.根据权利要求6所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体和所述第2盖体中的设置有所述密封件的盖体的上表面安装有板状体，所述板状体从所述侧壁向所述间隙的上方伸出而构成所述密封件。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述第1盖体和所述第2盖体位于所述封闭位置时，所述第1盖体的所述底壁的底面和所述第2盖体的所述底壁的底面与从所述内槽向所述外槽溢流时的所述处理液的所述内槽内的液面接触。
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