CN208667896U - 单晶硅炉用碳碳分体导流筒 - Google Patents

单晶硅炉用碳碳分体导流筒 Download PDF

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CN208667896U CN201821407034.2U CN201821407034U CN208667896U CN 208667896 U CN208667896 U CN 208667896U CN 201821407034 U CN201821407034 U CN 201821407034U CN 208667896 U CN208667896 U CN 208667896U
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王金铎
啜艳明
郭宾
胡士伟
周倩
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Abstract

本实用新型公开了一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒,包括筒体,筒体由上筒体和下筒体组成,下筒体和上筒体设置为分体式结构,上筒体设置为圆柱形结构,且上筒体的底部设置有外凹槽;下筒体设置为圆弧形结构,且下筒体的上端设置有与外凹槽相适应的内凹槽,内凹槽的宽度和外凹槽的宽度之和与上筒体的壁厚相同;内凹槽与外凹槽连接部位的中间处设置有若干个连接孔,若干个述连接孔均匀等距设置;下筒体的底部中心处设置有锥孔,锥孔上设置有凸台;上筒体的上端边缘设置有外沿,外沿上设置有若干个沉孔。本实用新型设置为分体结构就可以实现多次更换R角部分,节约了成本、延长了导流筒的使用寿命。

Description

单晶硅炉用碳碳分体导流筒
技术领域
本实用新型涉及导流筒技术领域,尤其是涉及一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒。
背景技术
太阳能光伏行业的快速发展,对单晶电池片的质量要求越来越高,企业需要不断的进行技术创新,去提高单晶质量及产量,降低单晶拉制的生产成本才能给企业带来最大的经济收益。碳碳导流筒在单晶拉晶热场中用于控制热场温度梯度及引导氩气流;在拉晶过程中导流筒由于受硅蒸汽腐蚀,下部R角处易形成碳化硅,而碳纤维不被硅化,碳化硅在导流筒表面附着力小容易掉落到石英坩埚融化硅料中,使硅棒碳含量高甚至出现长晶成多晶硅的情况,为保证拉晶纯度及成晶率,导流筒腐蚀后就需要整体报废。而且目前国内单晶硅炉采用碳碳导流筒实现控制热场温度梯度及引导保护气体氩气流向作用,导流筒结构及装配位置决定生产过程中R角处极易腐蚀(C+Si→SiC)而报废,平均报废时间4-8个月,但R角以上部分使用寿命达到平均60个月以上,R角处报废后导致整理导流筒报废,增加了更换成本。鉴于以上原因,设计一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒是很有必要的。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒,设置为分体结构就可以实现多次更换R角部分,节约了成本、延长了导流筒的使用寿命。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒,包括筒体,所述筒体由上筒体和下筒体组成,所述下筒体和所述上筒体设置为分体式结构,所述上筒体设置为圆柱形结构,且所述上筒体的底部设置有外凹槽;
所述下筒体设置为圆弧形结构,且所述下筒体的上端设置有与所述外凹槽相适应的内凹槽,所述内凹槽的宽度和所述外凹槽的宽度之和与所述上筒体的壁厚相同;
所述内凹槽与所述外凹槽连接部位的中间处设置有若干个连接孔,若干个所述连接孔均匀等距设置;
所述下筒体的底部中心处设置有锥孔,所述锥孔上设置有凸台;
所述上筒体的上端边缘设置有外沿,所述外沿上设置有若干个沉孔。
优选的,所述外凹槽的宽度和所述内凹槽的宽度相同,均为所述上筒体壁厚的二分之一,且所述外凹槽与所述内凹槽的高度为25毫米。
优选的,所述外凹槽和所述内凹槽均设置为L型结构,所述内凹槽和所述外凹槽均与所述上筒体相垂直,且所述连接孔设置为十个,所述连接孔内穿设有m5螺栓。
优选的,所述外沿的厚度大于所述上筒体的壁厚,所述沉孔设置为四个,且均匀等距设置。
优选的,所述凸台设置为圆形结构。
因此,本实用新型采用上述结构的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,设置为分体结构就可以实现多次更换R角部分,节约了成本、延长了导流筒的使用寿命。
下面通过附图和实施例,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本实用新型一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒实施例的结构示意图;
图2为本实用新型一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒实施例的局部示意图。
具体实施方式
实施例
图1为本实用新型一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒实施例的结构示意图,图2为本实用新型一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒实施例的局部示意图。如图所示,本实用新型提供了一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒,包括筒体1,筒体1由上筒体11和下筒体12组成,下筒体12和上筒体11设置为分体式结构,上筒体11设置为圆柱形结构,且上筒体11的底部设置有外凹槽2;下筒体12设置为圆弧形结构,且下筒体12的上端设置有与外凹槽2相适应的内凹槽3,内凹槽3的宽度和外凹槽2的宽度之和与上筒体11的壁厚相同;内凹槽3与外凹槽2连接部位的中间处设置有若干个连接孔4,若干个连接孔4均匀等距设置;下筒体12的底部中心处设置有锥孔5,锥孔5上设置有凸台6,凸台6设置为圆形结构;上筒体11的上端边缘设置有外沿7,外沿7上设置有若干个沉孔8,7外沿的厚度大于上筒体11的壁厚,沉孔8设置为四个,且均匀等距设置,本实用新型将筒体设置为分体式结构,便于更换下筒体,下筒体的R角部位易腐蚀,上筒体为直筒,且不易腐蚀,碳碳导流筒自R角圆弧与直筒连接以上25毫米处作为第一次分体拼接位置,即外凹槽与内凹槽构成连接部位,此连接部位以1/2壁厚作为贴合部分,在圆周方向、结合部分12.5毫米处均匀分布有10个连接孔,通过10条m5螺栓固定住分体结构,在更换导流筒R角处腐蚀部分(下筒体)时,连接部位依次上移25毫米,将原有连接部位及R角部分全部更换,目前国内单晶炉用碳碳导流筒直筒部分高度为400毫米,可至少实现16次更换,节约了成本。
外凹槽2的宽度和内凹槽3的宽度相同,均为上筒体11壁厚的二分之一,且外凹槽2与内凹槽3的高度为25毫米,外凹槽2和内凹槽3均设置为L型结构,内凹槽3和外凹槽2均与上筒体11相垂直,且连接孔4设置为十个,连接孔4内穿设有m5螺栓。
因此,本实用新型采用上述结构的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,设置为分体结构就可以实现多次更换R角部分,节约了成本、延长了导流筒的使用寿命。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。

Claims (5)

1.一种单晶硅炉用碳碳分体导流筒,包括筒体,其特征在于:
所述筒体由上筒体和下筒体组成,所述下筒体和所述上筒体设置为分体式结构,所述上筒体设置为圆柱形结构,且所述上筒体的底部设置有外凹槽;
所述下筒体设置为圆弧形结构,且所述下筒体的上端设置有与所述外凹槽相适应的内凹槽,所述内凹槽的宽度和所述外凹槽的宽度之和与所述上筒体的壁厚相同;
所述内凹槽与所述外凹槽连接部位的中间处设置有若干个连接孔,若干个所述连接孔均匀等距设置;
所述下筒体的底部中心处设置有锥孔,所述锥孔上设置有凸台;
所述上筒体的上端边缘设置有外沿,所述外沿上设置有若干个沉孔。
2.根据权利要求1所述的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,其特征在于:所述外凹槽的宽度和所述内凹槽的宽度相同,均为所述上筒体壁厚的二分之一,且所述外凹槽与所述内凹槽的高度为25毫米。
3.根据权利要求2所述的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,其特征在于:所述外凹槽和所述内凹槽均设置为L型结构,所述内凹槽和所述外凹槽均与所述上筒体相垂直,且所述连接孔设置为十个,所述连接孔内穿设有m5螺栓。
4.根据权利要求3所述的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,其特征在于:所述外沿的厚度大于所述上筒体的壁厚,所述沉孔设置为四个,且均匀等距设置。
5.根据权利要求4所述的单晶硅炉用碳碳分体导流筒,其特征在于:所述凸台设置为圆形结构。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110438559A (zh) * 2019-08-28 2019-11-12 包头美科硅能源有限公司 一种单晶炉用可变径导流筒
CN110757835A (zh) * 2019-10-09 2020-02-07 保山隆基硅材料有限公司 一种热场用导流筒制造方法和导流筒
CN111321457A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 上海新昇半导体科技有限公司 分体式导流筒

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