CN101698960B - 直拉单晶的补料方法及补料装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 title abstract 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 100
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000006052 feed supplement Substances 0.000 claims description 110
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 30
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 10
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004080 punching Methods 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 abstract 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000027455 binding Effects 0.000 description 1
- 238000009739 binding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种直拉单晶的补料方法，采用棒状原料作为补料材料，将棒状原料夹持在补料器中，合炉后在熔料过程中操纵重锤夹头下降，使棒状原料下降至石英坩埚的上方进行预热，当石英坩埚中的原料熔化完后，操纵重锤夹头继续下降，使得棒状原料下降至熔硅中进行熔化，完成补料。本发明还公开了上述补料方法采用的装置，包括穿孔式补料器或卡环式补料器两种形式，所述穿孔式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与横杆连接；所述卡环式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与卡环连接。本发明的补料方法及装置能够实现棒状原料的补料，降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明属于单晶制造技术领域，涉及一种直拉单晶的补料方法，本发明还涉及实现该方法所使用的补料装置。
背景技术
传统的直拉单晶生产工艺是采用一次装料技术，按照石英坩埚的容量大小将一定量的原料装填到石英坩埚内。由于固体硅的密度较液体的小，而且在装料过程中会留下空隙，在原料熔化完后，石英坩埚将留有较多空余空间，减少了石英坩埚容积的利用率，降低单炉产量；而且由于石英坩埚为一次性消耗品，采用一次装料工艺在一个生产周期内，并不能充分的利用石英坩埚的使用寿命；另外生产一只单晶硅棒需要从冷却到高温再到冷却的循环过程，这其中将消耗大量的能量，并耗费时间。
为克服一次装料工艺的上述弊端，现在已发展了补料技术，即采用补料装置，在保持高温的情况下，通过向石英坩埚内补加原料，实现一炉次拉制一只或多只单晶硅棒的生产技术，该生产工艺能够提高单炉产量，增加石英坩埚利用率，并且节省炉台升温冷却用时间，能显著降低生产成本。但是目前普遍采用的补料技术对所加原料的规格尺寸有严格的要求，必须为小颗粒多晶原料，才能保证原料顺利流入石英坩埚内，而对于现有的棒状多晶余料必须预先进行粉碎处理，在原料循环处理过程中又增加了新的损耗及成本。
发明内容
本发明的目的是提供一种直拉单晶的补料方法，采用棒状原料作为补料的原料来源，扩大了补料的原料来源。
本发明的另一目的是提供一种直拉单晶的补料装置，实现棒状原料在直拉单晶工艺中的补料操作。
本发明所采用的技术方案是，一种直拉单晶的补料方法，采用棒状原料作为补料材料。
本发明的补料方法，其特征还在于：
所述的棒状原料夹持在补料器中，将补料器安装在重锤夹头下端，合炉后在熔料过程中操纵重锤夹头下降，使棒状原料下降至石英坩埚的上方进行预热，当石英坩埚中的原料熔化完后，操纵重锤夹头继续下降，使得棒状原料下降至熔硅中进行熔化，完成补料。
在拉出一只单晶后，将重锤夹头及单晶提升到副炉室中，将主炉室和副炉室隔离，从重锤夹头上取下单晶，在补料器中夹持棒状原料，将补料器与重锤夹头连接，在副炉室抽空净化后，打开隔离阀，操纵重锤夹头下降进入主炉室内，使棒状原料下降至石英坩埚的熔液中进行补料，依次循环，完成多次补料。
所述的棒状原料的横向尺寸为20mm-400mm，长度为30mm-2000mm。
所述的补料器包括穿孔式补料器或卡环式补料器两种形式，所述的穿孔式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与横杆连接，横杆通过通孔与棒状原料连接；所述的卡环式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与卡环连接，卡环与棒状原料连接。
所述的横杆或卡环选用钼或碳碳复合材料制作。
所述的横杆为一字形状、人字形状或十字形状。
所述的卡环为圆形或三角形状，卡环选用硬质卡箍或软质材料。
本发明所采用的另一技术方案是，一种直拉单晶的补料装置，包括穿孔式补料器或卡环式补料器两种形式，所述的穿孔式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与横杆连接；所述的卡环式补料器包括与重锤夹头相连接的连接架，连接架通过吊杆与卡环连接。
本发明的补料装置，其特征还在于：所述的横杆为一字形状、人字形状或十字形状；所述的卡环为圆形或三角形状，卡环选用硬质卡箍或软质材料。
本发明的有益效果是：采用棒状原料作为补料的原料来源，扩大了补料原料来源，特别是利用直拉法自身所产生的多晶作为补料的原料，减少了原料循环处理过程中的原料损耗，降低成本；可选择补料重量及次数，有效增加单炉产量，提高生产效率。
附图说明
图1是本发明的直拉单晶补料方法工作示意图；
图2是本发明方法所用的穿孔式棒状原料示意图；
图3是本发明补料装置的结构示意图；
图4是本发明补料装置中的穿孔式补料器横杆与棒状原料的连接示意图，其中，图a穿有一根棒状原料，图b穿有两根棒状原料，图c穿有三根棒状原料，图d穿有四根棒状原料；
图5是本发明方法中的卡环式补料器与棒状原料的连接示意图，其中，图a夹有一根棒状原料，图b夹有三根棒状原料，图c夹有四根棒状原料。
图中，1.钢丝绳，2.重锤夹头，3.副炉室，4.补料器，5.棒状原料，6.热屏，7.石英坩埚，8.主炉室，9.隔离阀，10.连接架，11.吊杆，12.横杆，13.卡环，14.通孔。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明的直拉单晶补料方法，采用棒状原料作为补料原料，能够增加装料量，不仅提高了生产效率，特别是可以利用直拉法自身产生的多晶余料作原料，减少了原料循环处理过程中的损耗及成本。所用的棒状原料横向尺寸为20mm-400mm，纵向尺寸为30mm-2000mm。棒状原料的来源至少包括以下两种：1)、目前改良西门子法生产的棒状多晶原料，采购方便，经过简单加工(端部钻一个通孔)即可。2)、在直拉单晶拉制过程中，尾部通常会发生“断棱”的现象，即单晶晶棒因为异常原因变为多晶，在剩料不多的情况下，通常采用的方法是保持多晶的状态直到剩余的原料基本从石英坩埚内提出，而这种多晶晶棒在被切下后，通常都要砸碎后作为循环料再次使用。在本发明方法中使用时，切下的棒状多晶不用砸碎，直接作为补料的原料棒，这样不但增加了棒状料的来源，也减少了清洗导致的硅料损耗，节约了生产成本。
如图1，本发明的直拉单晶的补料方法，具体步骤是，副炉室3、主炉室8、钢丝绳1、重锤夹头2为单晶炉的组成部分，在主炉室8内放置有石英坩埚7，将补料器4安装在重锤夹头2下端，补料器4中夹持一根或多根棒状原料5，合炉后在熔料过程中操纵重锤夹头2下降，使棒状原料5下降至石英坩埚7的上方进行预热，当石英坩埚7中的原料熔化完后，操纵重锤夹头2继续下降，使得棒状原料5下降至熔硅中进行熔化，完成补料。
本发明的补料方法可实现多次补料，具体步骤是，在拉出一只单晶后，将重锤夹头2及单晶提升到副炉室3中，将主炉室8和副炉室3隔离，从重锤夹头2上取下单晶拉制装置及单晶，在补料器4中夹持棒状原料5，将补料器4与重锤夹头2连接，在副炉室3抽空净化后，打开隔离阀9，操纵重锤夹头2下降进入主炉室8内，使棒状原料5下降至石英坩埚7的熔液中进行补料，补料结束后将补料器4卸下，在重锤夹头2上安装单晶拉制装置重新进行拉晶操作，依次循环，最大限度提高石英坩埚7的利用率。
参照图1，本发明的补料装置在单晶炉中的安装结构是，包括由现有的主炉室8和副炉室3构成的直拉单晶炉的主体，在主炉室8中设置有石英坩埚7，石英坩埚7的上方对应设置有热屏6；副炉室3中设置有与钢丝绳1相连接的重锤夹头2，重锤夹头2的下端与补料器4连接，补料器4中安装有棒状原料5，棒状原料5向下与石英坩埚7相对，通过控制放下钢丝绳1，棒状原料5就可以伸进石英坩埚7完成补充补料。
如图2，是本发明的补料用穿孔式棒状原料结构示意图，在棒状原料5的一端通过轴心开有一垂直于棒状原料5轴线的通孔14，用来与补料器4相连接。
如图3，为本发明的补料器的结构示意图，分为穿孔式补料器和卡环式补料器两种形式，包括与重锤夹头2相连接的连接架10，连接架10通过吊杆11与横杆12(或卡环13)连接，横杆12(或卡环13)用于与若干数量的棒状原料5连接。穿孔式补料器是利用横杆12穿过打有通孔14的棒状原料5，将棒状原料5悬挂于补料器4的横杆12上；卡环式补料器是利用卡环13将棒状原料5的一端头部卡紧后，悬挂于补料器4上。卡环13既可选用硬质卡箍卡紧棒状原料5，也可使用软质材料如钼丝对棒状原料5捆绑固定。
本发明的补料器4工作时安装于重锤夹头2上，通过钢丝绳的升降即可实现棒状原料的加添，同时考虑到补料器必须具有耐高温特性，因此可优先选用耐高温的金属材料钼或碳碳复合材料，来制作横杆12或卡环13这两个关键的承重部件，以保证在高温下，不会发生棒状原料脱落的情况。针对棒状原料直径与长度尺寸的不同，补料器4可采用单只晶棒或多只晶棒连接形式，同时进行补料。
如图4，本发明的穿孔式补料器的横杆12可以制作成一字形状，如图4a为补料器连接有一根棒状原料，如图4b为补料器连接有两根棒状原料；横杆12也可以制作成人字形状，图4c为补料器连接有三根棒状原料；横杆12还可以制作成十字形状，图4d为补料器连接有四根棒状原料，横杆12还可根据要穿的棒状原料数量及其直径大小，灵活的将横杆12制作成其他形状。
如图5，本发明的卡环式补料器的卡环13可以制作成圆形，如图5a可以夹持一个棒状原料5，如图5c，可以夹持四个棒状原料5；如图5b，卡环13还可以制作成三角形，可以夹持三个棒状原料5。
本发明的直拉单晶补料方法及其直拉单晶补料装置，采用棒状原料作为补料的原料，显著扩大了原料来源，降低了原料成本；能够最大限度的利用石英坩埚的使用寿命，并且大大提高单炉产量，有效的降低了生产成本。
Claims (5)
1.一种直拉单晶的补料方法，采用棒状原料（5）作为补料材料，并按照以下步骤实施：将补料器（4）安装在重锤夹头（2）下端，合炉后在熔料过程中操纵重锤夹头（2）下降，使棒状原料（5）下降至石英坩埚（7）的上方进行预热，当石英坩埚（7）中的原料熔化完后，操纵重锤夹头（2）继续下降，使得棒状原料（5）下降至熔硅中进行熔化，完成补料；在拉出一只单晶后，将重锤夹头（2）及单晶提升到副炉室（3）中，将主炉室（8）和副炉室（3）隔离，从重锤夹头（2）上取下单晶，在补料器（4）中夹持棒状原料（5），将补料器（4）与重锤夹头（2）连接，在副炉室（3）抽空净化后，打开隔离阀（9），操纵重锤夹头（2）下降进入主炉室（8）内，使棒状原料（5）下降至石英坩埚（7）的熔液中进行补料，依次循环，完成多次补料；所述的棒状原料（5）的横向尺寸为20mm-600mm，长度为30mm-2000mm，其特征在于，所述的补料器（4）包括穿孔式补料器或卡环式补料器两种形式，
所述的穿孔式补料器包括与重锤夹头（2）相连接的连接架（10），连接架（10）通过吊杆（11）与横杆（12）连接，棒状原料（5）的一端通过轴心开有一垂直于棒状原料（5）轴线的通孔（14），横杆（12）通过通孔（14）与棒状原料（5）连接；
所述的卡环式补料器包括与重锤夹头（2）相连接的连接架（10），连接架（10）通过吊杆（11）与卡环（13）连接，卡环（13）与棒状原料（5）连接。
2.根据权利要求1所述的补料方法，其特征在于，所述的横杆（12）或卡环（13）选用钼或碳碳复合材料制作；所述的横杆（12）为一字形状、人字形状或十字形状。
3.根据权利要求1所述的补料方法，其特征在于，所述的卡环（13）为圆形或三角形状，卡环选用硬质卡箍或软质材料。
4.一种直拉单晶的补料装置，由主炉室（8）和副炉室（3）构成直拉单晶炉的主体，在主炉室（8）中设置有石英坩埚（7），石英坩埚（7）的上方对应设置有热屏（6）；副炉室（3）中设置有与钢丝绳（1）相连接的重锤夹头（2），重锤夹头（2）的下端与补料器（4）连接，补料器（4）中安装有棒状原料（5），棒状原料（5）向下与石英坩埚（7）相对，其特征在于，所述补料器（4）分为穿孔式补料器和卡环式补料器两种形式，
穿孔式补料器包括与重锤夹头（2）相连接的连接架（10），连接架（10）通过吊杆（11）与横杆（12）连接；穿孔式补料器是利用横杆（12）穿过打有通孔（14）的棒状原料（5），将棒状原料（5）悬挂于补料器（4）的横杆（12）上；
卡环式补料器包括与重锤夹头（2）相连接的连接架（10），连接架（10）通过吊杆（11）与卡环（13）连接，是利用卡环（13）将棒状原料（5）的一端头部卡紧后，悬挂于补料器（4）上。
5.根据权利要求4所述的补料装置，其特征在于，所述的横杆（12）为一字形状、人字形状或十字形状；所述的卡环（13）为圆形或三角形状，卡环（13）选用硬质卡箍或软质材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910309466 CN101698960B (zh) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 直拉单晶的补料方法及补料装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200910309466 CN101698960B (zh) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 直拉单晶的补料方法及补料装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101698960A CN101698960A (zh) | 2010-04-28 |
| CN101698960B true CN101698960B (zh) | 2012-11-21 |
Family
ID=42147426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200910309466 Expired - Fee Related CN101698960B (zh) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | 直拉单晶的补料方法及补料装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101698960B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103320849B (zh) * | 2013-05-30 | 2015-06-24 | 英利能源（中国）有限公司 | 二次加料装置及其加料方法 |
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-
2009
- 2009-11-09 CN CN 200910309466 patent/CN101698960B/zh not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| CN101698960A (zh) | 2010-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: NINGXIA LONGI SILICON MATERIAL CO.,LTD. Free format text: FORMER OWNER: XI'AN LONGJI-SILICON CO., LTD. Effective date: 20140829 Free format text: FORMER OWNER: XIAN LONGI SILICON MATERIALS CORP. NINGXIA LONGI SILICON MATERIAL CO.,LTD. XI'AN XIMEI MONOCRYSTALLINE SILICON CO., LTD. Effective date: 20140829 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 710100 XI'AN, SHAANXI PROVINCE TO: 755100 ZHONGWEI, NINGXIA HUI AUTONOMOUS REGION |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140829 Address after: The new town in the county the Ningxia Hui Autonomous Region city centre 755100 unity Road Patentee after: Ningxia LONGi Silicon Material Co.,Ltd. Address before: 710100 Changan District, Shaanxi Province, aerospace Road, No. 388, No. Patentee before: Xi'an Longji-Silicon Co., LTD. Patentee before: Xian Longi Silicon Materials Corp. Patentee before: Ningxia LONGi Silicon Material Co.,Ltd. Patentee before: Xi'an Ximei Monocrystalline Silicon Co., Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20121121 Termination date: 20201109 |
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