CN202297848U - 双上炉体硅单晶炉 - Google Patents

双上炉体硅单晶炉 Download PDF

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杨永录
葛亮
赖章田
贺贤汉
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Shanghai Hanhong Precision Machinery Co Ltd
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Shanghai Hanhong Precision Machinery Co Ltd
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Abstract

本实用新型双上炉体硅单晶炉，包括主机架预计设置在所述主机架上的下炉体；上炉体组件，所述上炉体包括：上炉筒；籽晶头单元，所述左籽晶头单元设置在所述左上炉筒的一端；上炉体晶棒定位装置，所述上炉体晶棒定位装置设置在所述上炉筒的外侧；上炉隔离阀，所述左上炉隔离阀设置在所述上炉筒的另外一端。本实用新型双上炉体硅单晶炉可以实现在不更换石英坩埚及不开炉的情况下进行二次连续加料及硅单晶棒的拉制，从而从节能、节约坩埚、及节约时间上降低硅单晶棒的生产成本。

Description

双上炉体硅单晶炉
技术领域
本实用新型涉及CZ法拉制单晶棒设备部件，特别是一种双上炉体硅单晶炉。
背景技术
硅单晶炉是运用CZ法拉制硅单晶棒的一种重要设备，几乎所有硅单晶硅棒都是硅单晶炉生产出来的。硅棒拉制完毕后必须在炉内冷却至300℃以下才能出炉，这个过程需要大致6个小时左右。在晶棒冷却的过程中，炉内温度降低导致石英坩埚不可避免的出现破裂。坩埚的更换及二次加料必须在中炉筒内温度冷却至200以下时进行。开发一种可以实现一只石英坩埚被连续使用两次以上，不打开上炉盖即可实现二次加料的新型硅单晶炉就成为急需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种石英坩埚可续使用两次以上，并且在不打开上炉盖的情况下即可实现二次加料的双上炉体硅单晶炉。
本实用新型双上炉体硅单晶炉，包括主机架预计设置在所述主机架上的下炉体；上炉体组件，所述上炉体包括：上炉筒；籽晶头单元，所述左籽晶头单元设置在所述左上炉筒的一端；上炉体晶棒定位装置，所述上炉体晶棒定位装置设置在所述上炉筒的外侧；上炉隔离阀，所述左上炉隔离阀设置在所述上炉筒的另外一端。
所述上炉体组件及下炉体分别通过上炉体提升装置及下炉体提升装置与所述主机架连接。
所述下炉体包括：下炉筒，所述下炉筒与所述主机架连接；下炉盖，所述下炉盖设置在所述下炉筒的上端；竖直隔离阀，所述竖直隔离阀设置在所述下炉筒的上端，所述下炉筒及所述左上炉筒通过所述竖直隔离阀及所述左上炉隔离阀连接；连续加料装置接口，所述连续加料装置接口与所述下炉盖连接。
所述上炉体组件包括两个分立、对称设计设置的左上炉体及右上炉体。所述双上炉体硅单晶炉还进一步包括设置在所述上炉体组件后端的气体装置。
本实用新型双上炉体硅单晶炉可以实现在不更换石英坩埚及不开炉的情况下进行二次连续加料及硅单晶棒的拉制，从而从节能、节约坩埚、及节约时间上降低硅单晶棒的生产成本。
附图说明
图1为本实用新型双上炉体硅单晶炉结构示意图；
图2为本实用新型双上炉体硅单晶炉结构侧示图；
本实用新型双上炉体硅单晶炉附图中附图标记说明：
1-左籽晶头单元                2-右籽晶头单元
3-左上炉筒                    4-右上炉筒
5-左上炉体晶棒定位装置           6-右上炉体晶棒定位装置
7-左上炉隔离阀                   8-右上炉隔离阀
9-竖直隔离阀                     10-左上炉体提升装置
11-右上炉体提升装置              12-连续加料装置接口
13-上炉盖                        14-下炉筒
15-下炉体提升装置                16-下炉体真空单元
17-主机架                        18-炉体升降单元
19-左上炉体真空单元              20-右上炉体真空单元
21-氩气单元                      22-水冷单元
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型双上炉体硅单晶炉作进一步详细说明。
如图1、图2所示，本实用新型双上炉体硅单晶炉，左籽晶头单元1、左上炉筒3、左上炉体晶棒定位装置5，左上炉隔离阀7共同组成左上炉筒体系统；右籽晶头单元2、上炉筒4、右上炉体晶棒定位装置6，右上炉隔离阀8共同组成右上炉筒体系统；上炉盖13、下炉筒14等部件共同组成下炉体系统；左、右上炉筒体系统分别有独自的提升、旋转装置，即左上炉体提升装置10和右上炉体提升装置11；两套上炉筒体系统分别可以和竖直隔离阀9对接；左上炉隔离阀7、右上炉隔离阀8，竖直隔离阀9分别有各自的自动开启的阀板，以竖直隔离阀9为分界的上部系统和下部系统对接时，左上炉体提升装置10和右上炉体提升装置11可以翻转到竖直隔离阀9内，从而节省高度上的空间；左上炉体提升装置10和右上炉体提升装置11分别有各自独立的左上炉体真空单元19和左上炉体真空单元20；下炉体系统的提升及旋转由下炉体提升装置15完成；下炉体真空单元16实现对下炉体系统抽真空；氩气单元21可以分别为左、右上炉筒体系统、下炉体系统三套独立腔体提供氩气；连续加料装置接口12连接连续加料系统可以对下炉体系统内坩埚进行二次连续可控缓慢加料；冷却水单元22对所有系统进行冷却降温。所有的组件都安装在主机架17上，通过炉体升降单元18来操控。
以上已对本实用新型创造的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请的范围内。

Claims (5)

1.双上炉体硅单晶炉，其特征在于，包括主机架预计设置在所述主机架上的下炉体；
上炉体组件，所述上炉体包括：
上炉筒；
籽晶头单元，所述左籽晶头单元设置在所述左上炉筒的一端；
上炉体晶棒定位装置，所述上炉体晶棒定位装置设置在所述上炉筒的外侧；
上炉隔离阀，所述左上炉隔离阀设置在所述上炉筒的另外一端。
2.根据权利要求1所述的双上炉体硅单晶炉，其特征在于，所述上炉体组件及下炉体分别通过上炉体提升装置及下炉体提升装置与所述主机架连接。
3.根据权利要求1所述的双上炉体硅单晶炉，其特征在于，所述下炉体包括：
下炉筒，所述下炉筒与所述主机架连接；
下炉盖，所述下炉盖设置在所述下炉筒的上端；
竖直隔离阀，所述竖直隔离阀设置在所述下炉筒的上端，所述下炉筒及所述左上炉筒通过所述竖直隔离阀及所述左上炉隔离阀连接；
连续加料装置接口，所述连续加料装置接口与所述下炉盖连接。
4.根据权利要求1所述的双上炉体硅单晶炉，其特征在于，所述上炉体组件包括两个分立、对称设计设置的左上炉体及右上炉体。
5.根据权利要求1所述的双上炉体硅单晶炉，其特征在于，所述双上炉体硅单晶炉还进一步包括设置在所述上炉体组件后端的气体装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104532348A (zh) * 2014-11-17 2015-04-22 上海朗兆机电设备有限公司 蓝宝石单晶生长炉机架
CN105525341A (zh) * 2014-10-21 2016-04-27 镇江大成新能源有限公司 节电型双炉筒
CN105648530A (zh) * 2016-04-19 2016-06-08 黄山市东晶光电科技有限公司 一种可在线更换籽晶的泡生法蓝宝石晶体生长炉
CN105862121A (zh) * 2016-04-19 2016-08-17 黄山市东晶光电科技有限公司 一种可在线更换籽晶的方法
CN107541787A (zh) * 2017-07-07 2018-01-05 上海汉虹精密机械有限公司 一种单晶硅生长炉气缸锁紧机构

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105525341A (zh) * 2014-10-21 2016-04-27 镇江大成新能源有限公司 节电型双炉筒
CN104532348A (zh) * 2014-11-17 2015-04-22 上海朗兆机电设备有限公司 蓝宝石单晶生长炉机架
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