CN208636360U - 一种电流传感器封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种电流传感器封装结构，它包括引线框架(1)和磁传感器芯片(2)，所述引线框架(1)包括复数个第一引脚(3)、复数个第二引脚(4)和弧形导线(5)，所述弧形导线(5)两端分别与第二引脚(4)相连，所述第一引脚(3)设置于弧形导线(5)周围，所述磁传感器芯片(2)通过倒装凸块与第一引脚(3)电性连接，当所述弧形导线(5)中通过电流时，能够在所述弧形导线(5)圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域，所述磁传感器芯片(2)位于该区域上方，所述弧形导线(5)朝向芯片(2)的表面设置有一层绝缘层(6)，所述磁传感器芯片(2)、绝缘层(6)外包覆有塑封料(7)。本实用新型一种电流传感器封装结构，它能够解决现有半导体封装的绝缘性能要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电流传感器封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术
电流传感器的基本原理是利用电磁感应现象，通过一颗磁传感器芯片来检测流过导线的电流大小。现有的霍尔电流传感器的制造，多数采用的是倒装芯片(Flip chip)技术，其引线框架包括一段弧形导线，待测电流通常是在弧形导线上流过，当所述弧形导线中通过电流时，弧形导线能够在圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域，而磁传感器芯片就倒装设置于弧形导线上方，磁传感器芯片通过感应该区域的磁场强度来检测通过导线的电流大小。
现有技术的缺陷在于，被检测的电流通常会是大电流，而磁传感器芯片与弧形导线之间仅仅靠塑封料进行绝缘。由于塑封料绝缘性能有限，弧形导线与磁传感器芯片之间容易发生漏电。
为了防止弧形导线与磁传感器芯片之间的高压漏电，现有的做法是把弧形导线设计成下凹结构，以此来增加弧形导线与磁传感器芯片之间的间距，从而来降低高压漏电的概率，但是随着其间距的增加，电流传感器的灵敏度也会随着降低,同时封装的厚度也会随之增加。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种电流传感器封装结构，它能够解决现有电流传感器绝缘性能差的问题。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种电流传感器封装结构，它包括引线框架和磁传感器芯片，所述引线框架包括复数个第一引脚、复数个第二引脚和弧形导线，所述弧形导线两端分别与第二引脚相连，所述第一引脚设置于弧形导线周围，所述磁传感器芯片通过倒装凸块与第一引脚电性连接，当所述弧形导线中通过电流时，能够在所述弧形导线圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域，所述磁传感器芯片位于该区域上方，所述弧形导线朝向芯片的表面设置有一层绝缘层。所述磁传感器芯片、绝缘层外包覆有塑封料；
所述绝缘层可通过引线框架局部贴绝缘膜或局部涂覆绝缘材料制得。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
1、本实用新型的一种电流传感器封装结构仅需要通过引线框架局部小尺寸范围内绝缘即可避免磁传感器芯片与弧形导线之间发生高压放电，绝缘层所需要的面积小，工艺简单，成本低；
2、本实用新型的一种电流传感器封装结构在保证封装厚度的同时，同样可以达到高电压需求。
3、本实用新型的一种电流传感器封装结构可以满足小型封装高密度高精度要求；
附图说明
图1为本实用新型的一种电流传感器封装结构的结构示意图。
图2为图1的剖视图。
图3为图1中弧形导线的局部放大图。
其中：
引线框架1
磁传感器芯片2
第一引脚3
第二引脚4
弧形导线5
绝缘层6
塑封料7。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1～图3所示，本实施例中的一种电流传感器封装结构，它包括引线框架1和磁传感器芯片2，所述引线框架1包括复数个第一引脚3、复数个第二引脚4和弧形导线5，所述弧形导线5两端分别与第二引脚4相连，所述第一引脚3设置于弧形导线5周围，所述磁传感器芯片2通过倒装凸块与第一引脚3电性连接，当所述弧形导线5中通过电流时，能够在所述弧形导线5圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域，所述磁传感器芯片2位于该区域上方，所述弧形导线5朝向芯片2的表面设置有一层绝缘层6。所述磁传感器芯片2、绝缘层6外包覆有塑封料7；
所述绝缘层6可通过引线框架局部贴绝缘膜或局部涂覆绝缘材料制得。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种电流传感器封装结构，其特征在于：它包括引线框架（1）和磁传感器芯片（2），所述引线框架（1）包括复数个第一引脚（3）、复数个第二引脚（4）和弧形导线（5），所述弧形导线（5）两端分别与第二引脚（4）相连，所述第一引脚（3）设置于弧形导线（5）周围，所述磁传感器芯片（2）通过倒装凸块与第一引脚（3）电性连接，当所述弧形导线（5）中通过电流时，能够在所述弧形导线（5）圆弧的中心处形成一耦合磁场的增强区域，所述磁传感器芯片（2）位于该区域上方，所述弧形导线（5）朝向磁传感器芯片（2）的表面设置有一层绝缘层（6），所述磁传感器芯片（2）、绝缘层（6）外包覆有塑封料（7）。
2.根据权利要求1所述的一种电流传感器封装结构，其特征在于：所述绝缘层（6）通过引线框架（1）局部贴膜或局部涂覆绝缘材料制得。
Priority Applications (1)
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| CN201820602191.2U CN208636360U (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 一种电流传感器封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN201820602191.2U CN208636360U (zh) | 2018-04-25 | 2018-04-25 | 一种电流传感器封装结构 |
Publications (1)
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| CN208636360U true CN208636360U (zh) | 2019-03-22 |
Family
ID=65732754
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN208636360U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111370572A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 |
| CN113866475A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-31 | 意瑞半导体（上海）有限公司 | 电流传感器的引线框架及电流传感器 |
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2018
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Cited By (3)
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| CN111370572A (zh) * | 2020-02-28 | 2020-07-03 | 浙江长兴电子厂有限公司 | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 |
| CN111370572B (zh) * | 2020-02-28 | 2023-11-10 | 浙江东瓷科技有限公司 | 一种气密性电流传感器倒扣焊封装结构 |
| CN113866475A (zh) * | 2021-09-30 | 2021-12-31 | 意瑞半导体（上海）有限公司 | 电流传感器的引线框架及电流传感器 |
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