CN208478318U - 一种大功率固态继电器封装结构 - Google Patents
一种大功率固态继电器封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208478318U CN208478318U CN201821100722.4U CN201821100722U CN208478318U CN 208478318 U CN208478318 U CN 208478318U CN 201821100722 U CN201821100722 U CN 201821100722U CN 208478318 U CN208478318 U CN 208478318U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- island
- slide glass
- chip
- glass island
- state relay
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种大功率固态继电器封装结构,包括引线框架,引线框架外侧包裹塑封体,引线框架包括第一、第二、第三载片岛和输出打线岛,第一载片岛连接第一外引线脚,第三载片岛连接第四外引线脚,输出打线岛连接第二引线脚,第一载片岛上安装输出芯片,且第一载片岛面积较大,第二载片岛上安装光电转换芯片,第三载片岛安装光控芯片,第二载片岛和第三载片岛相邻设置,光电转换芯片键合输出芯片,光控芯片键合第三外引线脚,输出芯片与输出打线岛键合,第一、第二引线脚为输出开关的两个端子,所述第三、第四外引线脚为控制端的两个端子,所述大功率固态继电器封装结构,能够使转换芯片有效接收光源,转换芯片快速响应,且不会出现分层。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件和集成电路封装领域,尤其涉及一种大功率固态继电器封装结构。
背景技术
传统继电器为触点继电器,产品工作过程中触点容易打火花,使用寿命比较短,存在安全隐患,另外,继电器响应时间较慢,输入和输出之间容易产生干扰,本发明采用半导体封装技术实现的大功率固态继电器,可以有效解决这些问题。
在半导体封装技术中,为了防止空气中的杂质或湿气对芯片电路的腐蚀而影响性能,需要对芯片进行封装;另一方面,封装后的芯片也更便于安装和运输。
现有技术中,多芯片封装以及封装后产品的散热存在问题,塑封体和铜基岛之间结合强度不够容易导致塑封体和铜基岛之间分层,光源在塑封体内部无法进行传输等技术难点。
实用新型内容
本申请人针对以上缺点,进行了研究改进,提供一种大功率固态继电器封装结构。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种大功率固态继电器封装结构,包括塑封体和引线框架,所述塑封体包裹在引线框架外侧,所述引线框架包括第一、第二、第三载片岛和输出打线岛,所述第一载片岛连接第一外引线脚,第三载片岛连接第四外引线脚,所述输出打线岛连接第二引线脚,所述第一载片岛上安装输出芯片,且第一载片岛面积较大,所述第二载片岛上安装光电转换芯片,所述第三载片岛安装光控芯片,所述第二载片岛和第三载片岛相邻设置,光电转换芯片键合输出芯片,光控芯片键合第三外引线脚,所述输出芯片与输出打线岛键合,所述第一、第二引线脚为输出开关的两个端子,所述第三、第四外引线脚为控制端的两个端子。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述第一、第二、第三载片岛以及输出打线岛上均开设通孔,所述第一载片岛和输出打线岛上的通孔为方形孔,所述第二、第三载片岛上的通孔为圆形孔。
所述输出打线岛设置有较大面积的键合区域。
所述光控芯片和光电转换芯片外侧包裹有透明胶。
所述塑封体两侧设置半圆形定位孔。
本实用新型的有益效果如下:
1、控制芯片、信号转换芯片、输出芯片的装片设计在同一层上,可以实现框架的一次性冲制;封装时装片、键合可以一次性完成,大大提升生产效率;
2、控制芯片、信号转换芯片装片时距离较近,能够使转换芯片有效接收光源,保证转换芯片快速响应;
3、第一、第二、第三载片岛以及输出打线岛上均开设通孔,可以增强塑封体和引线框架的结合强度;
4、输出芯片装片区域设置面积较大,可以实现可控硅和MOS管多芯片装片,同时面积大散热量大,满足产品大功率输出要求;
5、输出打线岛区域设置面积较大,可以实现多根铜线、金线、铝线键合,同时也能满足铝带和铜带键合,满足产品大功率输出要求;
6、塑封体两侧设置半圆形定位孔,可将塑封好的最终产准确定位到散热片上。
附图说明
图1为本实用新型的大功率固态继电器封装结构的正视图。
图2为本实用新型的大功率固态继电器封装结构的结构视图。
图中:1、塑封体;11、半圆形定位孔;2、引线框架;21、第一载片岛;22、第二载片岛;23、第三载片岛;24、输出打线岛;25、第一外引线脚;26、第二外引线脚;27、第三外引线脚;28、第四引线脚;3、输出芯片;4、光电转换芯片;5、光控芯片;6、方形孔;7、圆形孔。
具体实施方式
下面结合附图,说明本实施例的具体实施方式
如图1、图2所示,本实施例的大功率固态继电器封装结构,包括塑封体1和引线框架2,塑封体1包裹在引线框架2外侧,塑封体1两侧设置半圆形定位孔11,半圆形定位孔11用于将产品固定在散热片上,引线框架2包括第一、第二、第三载片岛21、22、23和输出打线岛24,第一载片岛21连接第一外引线脚25,第三载片岛23,连接第四外引线脚28,输出打线岛24连接第二引线脚26,第一载片岛21上安装输出芯片3,且第一载片岛21面积较大,可以实现可控硅和MOS管多芯片装片,同时面积大散热量大,满足产品大功率输出要求,第二载片岛22上安装光电转换芯片4,第三载片岛23安装光控芯片5,且光控芯片5键合第三外引线脚27,第二载片岛22和第三载片岛23相邻设置,光电转换芯片4和光控芯片5外侧包裹有用于保护的透明胶,光电转换芯片4和光控芯片5之间形成一个光通道,便于光的传输,光电转换芯片4键合输出芯片3,输出芯片3与输出打线岛24键合,输出打线岛24设置有较大面积的键合区域,可以实现多根铜线、金线、铝线键合,同时也能满足铝带和铜带键合,满足产品大功率输出要求,第一、第二引线脚25、26为输出开关的两个端子,第三、第四外引线脚27、28为控制端的两个端子。
第一、第二、第三载片岛21、22、23以及输出打线岛24上均开设通孔,第一载片岛21和输出打线岛24上的通孔为方形孔6,第二、第三载片岛22、23上的通孔为圆形孔7,第三外引线脚27上也开设圆形孔7,可增强塑封体1与引线框架2的结合强度,不会出现分层现象。
所述大功率固态继电器封装结构使用时第三、第四外引线脚27、28输入控制信号,控制光控芯片5点亮或关闭,光电转换芯片4将光控芯片5点亮或关闭信号转为电信号,传输至输出芯片3,控制输出芯片3导通或关闭,并通过第一、第二引线脚25、26即可将输出芯片3导通或关闭信号输出。
以上描述是对本实用新型的解释,不是对实用新型的限定,本实用新型所限定的范围参见权利要求,在不违背本实用新型的基本结构的情况下,本实用新型可以作任何形式的修改。
Claims (5)
1.一种大功率固态继电器封装结构,其特征在于:包括塑封体(1)和引线框架(2),所述塑封体(1)包裹在引线框架(2)外侧,所述引线框架(2)包括第一、第二、第三载片岛(21、22、23)和输出打线岛(24),所述第一载片岛(21)连接第一外引线脚(25),第三载片岛(23)连接第四外引线脚(28),所述输出打线岛(24)连接第二引线脚(26),所述第一载片岛(21)上安装输出芯片(3),且第一载片岛(21)面积较大,所述第二载片岛(22)上安装光电转换芯片(4),所述第三载片岛(23)安装光控芯片(5),所述第二载片岛(22)和第三载片岛(23)相邻设置,光电转换芯片(4)键合输出芯片(3),光控芯片(5)键合第三外引线脚(27),所述输出芯片(3)与输出打线岛(24)键合,所述第一、第二引线脚(25、26)为输出开关的两个端子,所述第三、第四外引线脚(27、28)为控制端的两个端子。
2.根据权利要求1所述的大功率固态继电器封装结构,其特征在于:所述第一、第二、第三载片岛(21、22、23)以及输出打线岛(24)上均开设通孔,所述第一载片岛(21)和输出打线岛(24)上的通孔为方形孔(6),所述第二、第三载片岛(22、23)上的通孔为圆形孔(7)。
3.根据权利要求1所述的大功率固态继电器封装结构,其特征在于:所述输出打线岛(24)设置有较大面积的键合区域。
4.根据权利要求1所述的大功率固态继电器封装结构,其特征在于:所述光控芯片(5)和光电转换芯片(4)外侧包裹有透明胶。
5.根据权利要求1所述的大功率固态继电器封装结构,其特征在于:所述塑封体(1)两侧设置半圆形定位孔(11)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821100722.4U CN208478318U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821100722.4U CN208478318U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN208478318U true CN208478318U (zh) | 2019-02-05 |
Family
ID=65210210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201821100722.4U Expired - Fee Related CN208478318U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN208478318U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108682657A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-10-19 | 无锡市宏湖微电子有限公司 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
-
2018
- 2018-07-12 CN CN201821100722.4U patent/CN208478318U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108682657A (zh) * | 2018-07-12 | 2018-10-19 | 无锡市宏湖微电子有限公司 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
CN108682657B (zh) * | 2018-07-12 | 2024-04-09 | 无锡市宏湖微电子有限公司 | 一种大功率固态继电器封装结构 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20050269591A1 (en) | Low thermal resistance light emitting diode | |
CN102072422A (zh) | 大功率led光源模块封装结构 | |
CN102983114B (zh) | 具有超薄封装的高性能功率晶体管 | |
US9640520B2 (en) | Photocoupler package | |
CN208478318U (zh) | 一种大功率固态继电器封装结构 | |
CN101958387A (zh) | 新型led光源模组封装结构 | |
CN202534686U (zh) | Cob封装led光源模块 | |
US9379088B2 (en) | Stacked package of voltage regulator and method for fabricating the same | |
CN205488145U (zh) | 一种光电耦合器 | |
CN117080182A (zh) | GaN合封器件 | |
CN108682657A (zh) | 一种大功率固态继电器封装结构 | |
CN208478332U (zh) | 一种大功率固态继电器引线框架 | |
CN110676237A (zh) | 基于微小级别ssop封装的散热智能功率半导体模块及其制备方法与应用 | |
CN203746908U (zh) | 一种圆片级led芯片封装结构 | |
CN107154389B (zh) | 一种高散热能力的小型贴片固态继电器及其制造方法 | |
CN105845813B (zh) | 一种led发光器件及led光源 | |
CN104681517A (zh) | 一种适合于led照明应用的多芯片qfn封装 | |
KR20200134465A (ko) | 발광소자 패키지, 광원장치 및 발광소자 패키지 제조방법 | |
CN212136431U (zh) | 一种小功率单控单通道固态继电器封装结构 | |
CN214705939U (zh) | 一种单通道lcc4双发光管光电耦合器封装结构 | |
CN103560196A (zh) | 倒装led芯片结构及倒装led芯片封装结构 | |
CN110277983B (zh) | 一种表贴多通道小腔体封装的光电隔离开关 | |
CN208385390U (zh) | 一种带内引焊盘的管壳 | |
CN210349815U (zh) | 基于微小级别ssop封装的散热型智能功率控制结构 | |
CN206584929U (zh) | 半导体封装组件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190205 Termination date: 20190712 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |