CN208444807U - 等离子体刻蚀机 - Google Patents
等离子体刻蚀机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208444807U CN208444807U CN201821227670.7U CN201821227670U CN208444807U CN 208444807 U CN208444807 U CN 208444807U CN 201821227670 U CN201821227670 U CN 201821227670U CN 208444807 U CN208444807 U CN 208444807U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sample
- cabin
- observation window
- reaction cabin
- plasma etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种等离子体刻蚀机。该等离子体刻蚀机包括：反应舱、观察窗、显微镜。该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内。观察窗被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品的进行观察。所述等离子体刻蚀机在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。
Description
技术领域
本实用新型是关于芯片失效分析领域，特别是关于一种等离子体刻蚀机。
背景技术
芯片是由多层的金属布线结构与介质通孔层结构构成，而金属布线层为若干层相似结构，介质与通孔位于每相邻两层金属之间。介质作为金属层间的绝缘介质，不同层金属通过金属钨做的通孔实现连接。顶层的介质层无通孔且厚度相对其它层较厚，被称作钝化层。当芯片内部失效时，需要定位失效关键位置，对芯片逐层去层，分析失效原因；而进行芯片电路细节分析时，同样需要对芯片逐层去层以观察芯片内部结构。
芯片去层是指将芯片的金属层及金属层上的介质通孔层(或钝化层)平整的移除。图1示出了现有技术的一种等离子体刻蚀机。观察窗10设置在反应舱11的舱体侧面，刻蚀芯片时，样品水平放置在反应舱11内，通过舱体侧面的观察窗10进行观测实验进程，在刻蚀之前通过真空系统12对反应舱进行抽真空。
现有的等离子体刻蚀机有如下缺点：
1.现有的等离子体刻蚀机观察窗10设置在反应舱11前侧，样品水平放置在反应舱内。实验过程中只能从侧面观察芯片。由于芯片线宽通常小于几十微米，实验过程中肉眼通过观察窗直接观察芯片样品无法看清芯片上细节图案，判断刻蚀厚度，只能等实验完成后将样品取出反应舱放到显微镜下观察，根据刻蚀前后形貌变化重新估计剩余通孔介质层所需刻蚀时间，将样品放入等离子体刻蚀机内再次刻蚀。刻蚀与观察交替进行，多次试验才能完整地去除一层介质层，实验效率非常低。
2.由于现有设备在刻蚀过程中不能实时观察刻蚀进度，预设的刻蚀时间往往不够准确，容易出现刻蚀不到位，甚至出现过刻蚀现象。刻蚀不到位可以再进行一次刻蚀来完成实验。过刻蚀现象会对样品芯片造成不可逆的损伤，尤其在失效分析领域，失效样品数量有限，过刻蚀现象给失效分析带来很大损失。
3.现有设备每次观察刻蚀结果时均需取出芯片，容易造成样品沾污，影响去层结果。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本实用新型的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种等离子体刻蚀机，在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，通过一次实验就可完成一层介质层的去除，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机，其具有反应舱，该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内。该等离子体刻蚀机还具有观察窗和显微镜。观察窗被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品进行观察。
在一优选的实施方式中，所述等离子体刻蚀机还包括真空系统。其与所述反应舱相耦合，用于对所述反应舱抽真空。
与现有技术相比，根据本实用新型的等离子体刻蚀机具有以下优点：将观察窗设置在反应舱的正上方，将显微镜物镜设置在观察窗的正上方，在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜实时观察样品的细微结构，通过一次实验可完成一层介质层的去除，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。通过显微镜透过观察窗实时观察刻蚀过程，还可以有效地避免刻蚀不到位和过刻蚀现象。并且该样品在整个实验过程中始终置于反应舱中，避免了沾污损伤。
附图说明
图1是根据现有技术的一种等离子体刻蚀机；
图2是根据本实用新型一实施方式的等离子体刻蚀机。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本实用新型的保护范围并不受具体实施方式的限制。
除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机，其能够在对芯片刻蚀实验过程中通过正上方的观察窗实时观察样品，通过一次实验可完成一层介质层的去除，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。
图2是根据本实用新型一实施方式的等离子体刻蚀机。
该等离子体刻蚀机包括：反应舱20、观察窗21、显微镜物镜22。可选地，该等离子刻蚀机还包括：真空系统23。
所述反应舱20通过采用等离子体技术进行刻蚀样品。
所述观察窗21被配置于所述反应舱的舱体上表面，用于从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。这样在每次进行刻蚀样品实验时，可以从上方直接透过观察窗就可以大致观察到被刻蚀样品的刻蚀过程。
所述显微镜物镜22位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗观察所述反应舱内的被刻蚀样品的内部细节结构，从而控制刻蚀进度，避免过度刻蚀或刻蚀不到位。
可选地，该等离子体刻蚀机还包括真空系统23，其用于对所述反应舱进行抽真空。该等离子体刻蚀机还包括控制系统，用于在刻蚀进程中进行程序控制。
综上，所述本实用新型的等离子体刻蚀机将观察窗设置在反应舱的正上方，将显微镜物镜设置在观察窗的正上方，在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，通过一次实验可完成一层介质层的去除，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。通过显微镜透过观察窗实时观察刻蚀过程，还可以有效地避免刻蚀不到位和过刻蚀现象。并且该样品在整个实验过程中始终置于反应舱中，避免了沾污损伤。
前述对本实用新型的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本实用新型限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本实用新型的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本实用新型的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本实用新型的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
Claims (2)
1.一种等离子体刻蚀机，其具有反应舱，该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内，其特征在于，该等离子体刻蚀机包括：
观察窗，被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品；以及
显微镜，所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品进行观察。
2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，所述等离子体刻蚀机还包括：
真空系统，与所述反应舱相耦合，用于对所述反应舱抽真空。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821227670.7U CN208444807U (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 等离子体刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821227670.7U CN208444807U (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 等离子体刻蚀机 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208444807U true CN208444807U (zh) | 2019-01-29 |
Family
ID=65086096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821227670.7U Active CN208444807U (zh) | 2018-08-01 | 2018-08-01 | 等离子体刻蚀机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208444807U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148316A (zh) * | 2018-09-07 | 2019-01-04 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法 |
| CN115128788A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 与观测物平行的水平放置显微装置 |
-
2018
- 2018-08-01 CN CN201821227670.7U patent/CN208444807U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148316A (zh) * | 2018-09-07 | 2019-01-04 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 用于精确判定等离子体刻蚀机刻蚀芯片终点的监测方法 |
| CN115128788A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-30 | 中国人民解放军国防科技大学 | 与观测物平行的水平放置显微装置 |
| CN115128788B (zh) * | 2022-05-30 | 2023-11-28 | 中国人民解放军国防科技大学 | 与观测物平行的水平放置显微装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN208444807U (zh) | 等离子体刻蚀机 | |
| DE102016100056B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Fertigen von dieser | |
| CN102646566B (zh) | 用于在线sem观察的sem样品夹具及sem样品观察方法 | |
| CN100446175C (zh) | 精确定位聚焦离子束修补位置的方法 | |
| CN104078343A (zh) | 一种栅氧化层缺陷原貌的失效分析方法 | |
| CN104851820B (zh) | 半导体器件的针孔类缺陷检测方法 | |
| US20200307993A1 (en) | Semiconductor arrangement and formation thereof | |
| CN110071083B (zh) | 用于形成晶圆密封环的方法 | |
| CN104792585B (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| EP3234992A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herauslösen eines mikro-chips aus einem wafer und aufbringen des mikro-chips auf ein substrat | |
| CN106706386A (zh) | 透射电镜样品的制备方法及观测方法 | |
| Agarwal et al. | Fabrication of vertical mirrors using plasma etch and KOH: IPA polishing | |
| CN104458371A (zh) | 一种tem样品的制备方法 | |
| JP2008198642A (ja) | シリコン基板の貫通加工方法、インクジェットヘッド及び検査装置 | |
| EP1760040A3 (de) | Mikromechanisches Bauelement mit anodisch gebondeter Kappe und Herstellungsverfahren | |
| CN106783651A (zh) | 一种确定半导体器件失效位置的方法 | |
| CN102315088A (zh) | 一种倒装芯片封装产品染色方法 | |
| DE102016114935A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
| DE19743349C2 (de) | Verfahren zum Trennen von Halbleiterchips und Verwendung dieses Verfahrens | |
| Rahiminejad et al. | A four level silicon microstructure fabrication by DRIE | |
| CN105845590A (zh) | 一种检测金属缺陷的方法 | |
| CN104909331B (zh) | 一种晶圆选择性键合方法 | |
| CN104362082B (zh) | 根据特殊电路结构脱落缺陷确定可疑工艺步骤的方法 | |
| Heusinger-Jonda et al. | Enabling True Root Cause Failure Analysis Using an Atmospheric Oxygen-Only Plasma for Decapsulation of Advanced Packages | |
| CN115656331B (zh) | 一种芯片开裂的失效根因溯源的分析方法及设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201230 Address after: 100192 building 3, A District, Dongsheng science and Technology Park, Zhongguancun, 66 Haidian District West Road, Beijing. Patentee after: BEIJING SMARTCHIP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: Beijing core Kejian Technology Co.,Ltd. Patentee after: STATE GRID INFORMATION A TELECOMMUNICATION GROUP Co.,Ltd. Address before: 100192 building 3, A District, Dongsheng science and Technology Park, Zhongguancun, 66 Haidian District West Road, Beijing. Patentee before: BEIJING SMARTCHIP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee before: STATE GRID INFORMATION A TELECOMMUNICATION GROUP Co.,Ltd. |