CN208351242U - 掩膜板、阵列基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种掩膜板、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。所述掩膜板包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。本实用新型提供的掩膜板用于制作膜层。

Description

掩膜板、阵列基板、显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示器件的种类越来越多，其中有源矩阵有机发光二极体(英文：Active-matrix organic light emitting diode，以下简称：AMOLED)显示器件以其自发光、反应快、视角广、亮度高等优点受到了人们的广泛关注。

AMOLED显示器件主要包括发光单元部分和背板电路部分，且这两部分均包括层叠设置的多层膜层。目前，现有技术在制作AMOLED显示器件中的各膜层时，一般利用掩膜板结合构图工艺来制作，但是制作出的膜层坡度角较大，导致在制作后续的膜层时，后续的膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂，导致产品良率降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种掩膜板、阵列基板、显示装置，用于解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本实用新型的第一方面提供一种掩膜板，包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

进一步地，所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形，所述第一部分透光图形的透过率大于所述第二部分透光图形的透过率，所述第二部分透光图形的透过率大于所述第三部分透光图形的透过率；

所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形中的至少一个在所述透光基底上限定出开口区，且所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形沿靠近所述开口区至远离所述开口区的方向依次排列。

进一步地，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的材料相同，且所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度，所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。

进一步地，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的制备材料均包括氧化铬。

进一步地，所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度为所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度与所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。

进一步地，所述第一部分透光图形的透过率在40％～60％之间，所述第二部分透光图形的透过率在3％～7％之间，所述第三部分透光图形的透过率为所述第一部分透光图形的透过率与所述第二部分透光图形的透过率的乘积。

基于上述掩膜板的技术方案，本实用新型的第二方面提供一种阵列基板，所述阵列基板上形成有具有至少三种不同的厚度的膜层，所述膜层利用上述掩膜板制作。

进一步地，所述具有不同厚度的膜层包括像素界定层，所述像素界定层限定出至少一个像素区域，从靠近所述像素区域到远离所述像素区域的方向上，所述像素界定层的厚度逐渐增加。

基于上述阵列基板的技术方案，本实用新型的第三方面提供一种显示装置，包括上述阵列基板。

本实用新型提供的技术方案中，掩膜板包括设置在透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，且该至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。在利用本实用新型提供的掩膜板制作膜层时，所制作的膜层能够包括至少三种厚度，且膜层中厚度不同的各部分呈阶梯状排列，因此，采用本实用新型提供的掩膜板制作膜层时，能够在膜层中形成较小的坡度角，从而很好的避免了在该膜层上制作其它膜层时，其它膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂的问题，更好的保证了产品的生产良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例提供的掩膜板的第一示意图；

图2为本实用新型实施例提供的利用掩膜板制作膜层的示意图；

图3为本实用新型实施例提供的掩膜板的第二示意图；

图4a-图4h为本实用新型实施例提供的掩膜板的制作流程示意图；

图5为本实用新型实施例提供的掩膜板的第三示意图；

图6为本实用新型实施例提供的采用掩膜板制作PDL和PS的第一示意图；

图7为本实用新型实施例提供的采用掩膜板制作PDL和PS的第二示意图；

图8为本实用新型实施例提供的PDL和PS的分布示意图；

图9为本实用新型实施例提供的掩膜板的第四示意图；

图10为本实用新型实施例提供的掩膜板的第五示意图。

附图标记：

1-掩膜板， 10透光基底，

11-第一部分透光图形， 12-第二部分透光图形，

13-第三部分透光图形， 110-第一子图形，

111-第二部分透光材料， 120-第二子图形，

121-第一部分透光材料， 130-第三子图形，

140-光刻胶， 2-膜层，

PDL-像素界定层， PS-隔垫物层，

3-像素区域， 4-基板，

5-开口区。

具体实施方式

为了进一步说明本实用新型实施例提供的掩膜板、阵列基板、显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

请参阅图1，本实用新型实施例提供一种掩膜板1，包括透光基底10和设置在透光基底10上的至少三种不同透过率的部分透光图形，至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

具体地，上述掩膜板1中包括的部分透光图形的透过率可根据实际需要设置，当设置部分透光图形的透过率较大时，通过该部分透光图形对材料层进行曝光的强度较大，当设置部分透光图形的透过率较小时，通过该部分透光图形对材料层进行曝光的强度较小。

如图2所示，当利用上述掩膜板1制作膜层2时，先在相应的基板4上制作材料层(如感光树脂材料)，然后将掩膜板1与形成有材料层的基板4进行对位，接着通过该掩膜板1对材料层进行曝光(图2中宽箭头方向代表光照方向)，由于掩膜板1上包括至少三种不同透过率的部分透光图形，且至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列，因此，材料层在通过掩膜板1曝光后，形成至少三个曝光程度不同的区域，且至少三个曝光程度不同的区域按照曝光程度的大小依次排列。在进行曝光工艺后，利用显影液对曝光后的材料层进行清洗，从而形成具有至少三种厚度的膜层2。

根据上述掩膜板1的具体结构，以及利用该掩膜板1制作膜层2的具体过程可知，由于本实用新型实施例提供的掩膜板1中，包括设置在透光基底10上的至少三种不同透过率的部分透光图形，且该至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列，使得在利用本实用新型实施例提供的掩膜板1制作膜层2时，所制作的膜层2能够包括至少三种厚度，且膜层2中厚度不同的各部分呈阶梯状排列，因此，采用本实用新型实施例提供的掩膜板1制作膜层2时，能够在膜层2中形成较小的坡度角，从而很好的避免了在该膜层2上制作其它膜层2时，其它膜层2在坡度角处连接困难，容易发生断裂的问题，更好的保证了产品的生产良率。

值得注意，上述掩膜板1中包括的具有不同透过率的部分透光图形的数量可以根据实际需要设置，示例性的，上述掩膜板1上可设置三种不同透过率的部分透光图形(如图1所示)，即第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13，下面以掩膜板1上设置三种不同透过率的部分透光图形为例，对掩膜板1的具体结构进行说明。

进一步地，上述掩膜板1中包括的至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13，第一部分透光图形11的透过率大于第二部分透光图形12的透过率，第二部分透光图形12的透过率大于第三部分透光图形13的透过率；第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13中的至少一个在透光基底10上限定出开口区5，且第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13沿靠近开口区5至远离开口区5的方向依次排列。

具体地，上述三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列时，包括多种具体分布方式，下面列举两种具体的分布方式，但不仅限于此。

第一种方式，如图1所示，第一部分透光图形11为能够在透光基底10上限定出开口区5的封闭图形，第二部分透光图形12包围第一部分透光图形11，第三部分透光图形13包围第二部分透光图形12，且第二部分透光图形12与第一部分透光图形11接触，第三部分透光图形13与第二部分透光图形12接触。

第二种方式，如图9所示，第一部分透光图形11为能够在透光基底10上限定出开口区5的封闭图形，第二部分透光图形12包围第一部分透光图形11，第三部分透光图形13设置在第二部分透光图形12远离第一部分透光图形11的一侧，且第三部分透光图形13不包围第二部分透光图形12。

第三种方式，如图3所示，第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13共同限定出开口区5，且第一部分透光图形11位于开口区和所述第二部分透光图形12之间，第一部分透光图形11和第二部分透光图形12不能够单独限定出开口区5。

第四种方式，如图10所示，第一部分透光图形11为能够在透光基底10上限定出开口区5的封闭图形，第二部分透光图形12不包围第一部分透光图形11，第三部分透光图形13设置在第二部分透光图形12远离第一部分透光图形11的一侧，且第三部分透光图形13不包围第二部分透光图形12。

对于上述多种方式，如图2所示，在基板4上形成了与开口区5对应的第一区域6，位于该第一区域6周边的膜层2的厚度延远离第一区域6的方向呈上升的阶梯状，从而更好的减小了位于第一区域6周边的膜层2的坡度角，使得后续形成的覆盖膜层2的其它膜层能够在坡度角处更好的连接，从而保证了产品的生产良率。

进一步地，上述第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13的材料相同，且第一部分透光图形11在垂直于透光基底10的方向上的厚度小于第二部分透光图形12在垂直于透光基底10的方向上的厚度，第二部分透光图形12在垂直于透光基底10的方向上的厚度小于第三部分透光图形13在垂直于透光基底10的方向上的厚度。

具体地，在制作上述掩膜板1时，可采用相同的材料制作掩膜板1上的部分透光图形，并通过设置各部分透光图形的厚度不同，来限定各自的透过率。更详细地说，当采用相同的材料制作第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13时，可设置第一部分透光图形11的厚度小于第二部分透光图形12的厚度，第二部分透光图形12的厚度小于第三部分透光图形13的厚度，从而满足第一部分透光图形11的透过率大于第二部分透光图形12的透过率，第二部分透光图形12的透过率大于第三部分透光图形13的透过率。

采用相同的材料制作掩膜板1中的部分透光图形，能够使得掩膜板1的制作过程更加简单，从而更好的节约掩膜板1的制作成本。

进一步地，上述部分透光图形的制作材料多种多样，示例性的，采用氧化铬(CrO_x)制作掩膜板1上的各部分透光图形。更详细地说，当上述掩膜板1包括第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13时，第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13的制备材料均包括氧化铬，即第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13均为氧化铬图形。

值得注意，利用氧化铬制作部分透光图形时，制作的部分透光图形的厚度为左右时，对应的部分透光图形的透过率在50％左右，制作的部分透光图形的厚度为左右时，对应的部分透光图形的透过率在5％左右。

进一步地，可设置第三部分透光图形13在垂直于透光基底10的方向上的厚度为：第一部分透光图形11在垂直于透光基底10的方向上的厚度与第二部分透光图形12在垂直于所述透光基底10的方向上的厚度的和；这样当第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13均采用相同的材料制作时，第三部分透光图形13的透过率为第一部分透光图形11的透过率与第二部分透光图形12的透过率的乘积。

更详细地说，上述掩膜板1中包括的各部分透光图形的透过率可根据实际需要设置，示例性的，当上述掩膜板1包括第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13时，可设置第一部分透光图形11的透过率在40％～60％之间，第二部分透光图形12的透过率在3％～7％之间，第三部分透光图形13的透过率为第一部分透光图形11的透过率与第二部分透光图形12的透过率的乘积。

具体地，设置掩膜板1中第一部分透光图形11的透过率在40％～60％之间，第二部分透光图形12的透过率在3％～7％之间，第三部分透光图形13的透过率为第一部分透光图形11的透过率与第二部分透光图形12的透过率的乘积，能够使得利用该掩膜板1制作的膜层2具有更小的坡度角，更有利于产品的生产良率。

在制作上述实施例提供的掩膜板时，制作方法具体包括：

在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

具体地，在透光基底上制作的部分透光图形的透过率可根据实际需要设置，当设置部分透光图形的透过率较大时，通过该部分透光图形对材料层进行曝光的强度较大，当设置部分透光图形的透过率较小时，通过该部分透光图形对材料层进行曝光的强度较小。

当利用上述制作方法制作的掩膜板1制作膜层2时，先在相应的基板上制作材料层(如感光树脂材料)，然后将掩膜板1与形成有材料层的基板进行对位，接着通过该掩膜板对材料层进行曝光，由于掩膜板上包括至少三种不同透过率的部分透光图形，且至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列，因此，材料层在通过掩膜板1曝光后，形成至少三个曝光程度不同的区域，且至少三个曝光程度不同的区域按照曝光程度的大小依次排列。在进行曝光工艺后，利用显影液对曝光后的材料层进行清洗，从而形成具有至少三种厚度的膜层，且膜层中厚度不同的各部分呈阶梯状排列。

因此，利用上述制作方法制作的掩膜板制作膜层时，能够在膜层中形成较小的坡度角，从而很好的避免了在该膜层上制作其它膜层时，其它膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂的问题，更好的保证了产品的生产良率。

进一步地，可以通过多种方法在透光基底上形成部分透光图形，下面以在透光基底上制作第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形为例，给出两种具体的制作部分透光图形的方法。

第一种方法，如图1所示，在透光基底10上形成至少三种不同透过率的部分透光图形的步骤具体包括：

在透光基底10上沉积部分透光材料；

对部分透光材料进行图案化处理，获得第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13，第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13按照厚度大小依次排列。

具体地，先在透光基底10上沉积用于制作部分透光图形的部分透光材料，然后对沉积的部分透光材料进行图案化，形成第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13，其中第一部分透光图形11的厚度小于第二部分透光图形12的厚度，第二部分透光图形12的厚度小于第三部分透光图形13的厚度，且第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13按照厚度大小依次排列。

第二种方法，如图5和图6所示，在透光基底10上形成至少三种不同透过率的部分透光图形的步骤具体包括：

在透光基底10上沉积第一部分透光材料；

对第一部分透光材料进行构图，形成第二子图形120；

沉积第二部分透光材料，第二部分透光材料覆盖第二子图形120和透光基底10中未被第二子图形120覆盖的部分；

对第二部分透光材料进行构图，形成第一子图形110和第三子图形130，其中第一子图形110位于透光基底10的表面，且与第二子图形120邻接，第三子图形130位于第二子图形120背向透光基底10的一面，且第三子图形130在透光基底10上的正投影与第一子图形110在透光基底10上的正投影之间具有预设距离(如图5中的H)；

第一部分透光图形11包括第一子图形110，第二部分透光图形12包括第二子图形120中未被第三子图形130覆盖的部分；第三部分透光图形13包括第三子图形130和第二子图形120中被第三子图形130覆盖的部分。

具体地，如图4a所示，先在透光基底10上沉积第一部分透光材料121，如图4b所示，在第一部分透光材料121上形成光刻胶140，如图4c所示，对光刻胶140进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶保留区域对应第二子图形120所在区域，光刻胶去除区域对应除第二子图形120之外的区域，如图4d所示，利用刻蚀工艺将位于光刻胶去除区域的第一部分透光材料121去除，然后再将光刻胶保留区域的光刻胶140剥离，形成第二子图形120。

如图4e所示，沉积第二部分透光材料111，第二部分透光材料111覆盖第二子图形120和透光基底10中未被第二子图形120覆盖的部分；如图4f所示，在第二部分透光材料111上形成光刻胶140，如图4g所示，对光刻胶140进行曝光、显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，其中光刻胶保留区域对应第一子图形110和第三子图形130，光刻胶去除区域对应除第一子图形110和第三子图形130之外的区域，如图4h所示，利用刻蚀工艺将位于光刻胶去除区域的第二部分透光材料111去除，然后再将光刻胶保留区域的光刻胶140剥离，形成第一子图形110和第三子图形130。值得注意的是，采用上述第二种方法制作掩膜板时，掩膜板的结构也可如图5所示。

可见，如图4h和图5所示，采用上述第二种方法制作的掩膜板1中，当上述第一部分透光图形11的透过率为T1，第二部分透光图形12的透过率为T2时，第三部分透光图形13的透过率为T1×T2，而且由第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13限定的开口区5的透过率接近100％，因此，掩膜板1能够实现四种透过率。

如图6、图7和图8所示所示，利用该掩膜板1制作像素界定层PDL和隔垫物层PS时，开口区5对应由像素界定层PDL限定出的像素区域3(用于形成阳极和发光材料层)，第一部分透光图形11和第二部分透光图形12对应像素界定层PDL(包括PDL1和PDL2)，第三部分透光图形13对应隔垫物层PS。因此，利用上述掩膜板1制作的像素界定层PDL具有两种厚度，从而更好的降低了像素界定层PDL在像素区域3周边的坡度角。

值得注意，由于第三部分透光图形13的透过率为T1×T2，因此，隔垫物层PS也需要通过显影工艺才能够形成，因此，沉积用于制作像素界定层PDL和隔垫物层PS的材料时，可相应增加材料的沉积厚度。此外，上述像素区域3实际包括的区域范围是由像素界定层PDL中厚度最厚的部分限定的区域，即上述像素区域3还包括PDL1上方的区域。

在利用上述实施例提供的掩膜板制作阵列基板中的膜层时，所述膜层能够具有至少三种不同厚度，

具体地，如图2所示，利用上述实施例提供的掩膜板1制作阵列基板中的膜层2时，可先在相应的基板上制作材料层(如感光树脂材料)，然后将掩膜板1与形成有材料层的基板进行对位，接着通过该掩膜板1对材料层进行曝光，由于掩膜板1上包括至少三种不同透过率的部分透光图形，且至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列，因此，材料层在通过掩膜板1曝光后，形成至少三个曝光程度不同的区域，且至少三个曝光程度不同的区域按照曝光程度的大小依次排列。在进行曝光工艺后，利用显影液对曝光后的材料层进行清洗，从而形成具有至少三种厚度的膜层2，且膜层2中厚度不同的各部分呈阶梯状排列。

由于上述实施例提供的掩膜板1中，包括设置在透光基底10上的至少三种不同透过率的部分透光图形，且该至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列，使得在利用上述实施例提供的掩膜板1制作阵列基板中的膜层2时，所制作的膜层2能够包括至少三种厚度，且膜层2中厚度不同的各部分呈阶梯状排列，因此，采用上述实施例提供的掩膜板1制作阵列基板中的膜层2的步骤，使得所制作的阵列基板中的膜层2具有不同的厚度，实现了较小的坡度角，从而很好的避免了在该膜层2上制作其它膜层时，其它膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂的问题，更好的保证了所制作的阵列基板的生产良率。

进一步地，如图6-图8所示，上述阵列基板中的膜层可包括像素界定层PDL和隔垫物层PS，当上述掩膜板1包括至少三个部分透光图形时，利用掩膜板1制作像素界定层PDL和隔垫物层PS的步骤具体包括：

利用感光树脂材料形成感光薄膜层；

利用掩膜板1对感光薄膜层进行曝光，形成感光薄膜层去除区域和至少三个感光薄膜层半保留区域；

对曝光后的感光薄膜层进行显影，将位于感光薄膜层去除区域的感光薄膜层完全去除，将位于至少三个感光薄膜层半保留区域的感光薄膜层部分去除，形成至少三个不同厚度的感光图形，其中最厚的感光图形作为隔垫物层PS，除最厚的感光图形之外剩余的感光图形作为像素界定层PDL。

具体地，当利用上述实施例提供的掩膜板1制作阵列基板中的像素界定层PDL和隔垫物层PS时，可先利用感光树脂材料沉积形成感光薄膜层，然后利用上述掩膜板1对形成的感光薄膜层进行曝光，使得感光薄膜层中与掩膜板1上的开口区5对应的部分形成为感光薄膜层去除区域，感光薄膜层中与掩膜板1上的至少三个部分透光图形对应的部分形成为至少三个感光薄膜层半保留区域；然后对曝光后的感光薄膜层进行显影，将位于感光薄膜层去除区域的感光薄膜层完全去除，将位于至少三个感光薄膜层半保留区域的感光薄膜层部分去除，形成至少三个不同厚度的感光图形，其中最厚的感光图形作为隔垫物层PS，除最厚的感光图形之外剩余的感光图形作为像素界定层PDL。

更详细地说，如图4h和图5所示，以掩膜板1上设置有第一部分透光图形11、第二部分透光图形12和第三部分透光图形13为例，如图6和图7所示，在采用该掩膜板1制作的像素界定层PDL具有两种厚度，分别对应于PDL1和PDL2，可见，在PDL2与像素区域3之间增加了过渡的PDL1，从而更好的降低了像素界定层PDL在像素区域3周边的坡度角。

采用上述实施例提供的掩膜板1制作阵列基板中的像素界定层PDL和隔垫物层PS时，能够通过一次构图工艺同时制作像素界定层PDL和隔垫物层PS，更好的简化了阵列基板的制作工艺，节约了制作成本。另外，采用上述实施例提供的掩膜板1制作的像素界定层PDL具有至少两种厚度，从而使得像素界定层PDL的坡度角较小，很好的避免了像素界定层PDL坡度角较大导致的混色、大视角色偏等问题，进一步提升了阵列基板的制作良率。

本实用新型实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板上形成有具有至少三种不同的厚度的膜层，所述膜层利用上述实施例提供的掩膜板制作。

由于本实用新型实施例提供的阵列基板中的膜层是采用上述实施例提供的掩膜板制作，因此，本实用新型实施例提供的阵列基板中包括具有至少三种不同厚度的膜层，且该膜层中厚度不同的各部分呈阶梯状排列。因此，本实用新型实施例提供的阵列基板中的膜层具有不同的厚度，实现了较小的坡度角，从而很好的避免了在该膜层上制作其它膜层时，其它膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂的问题，更好的保证了所制作的阵列基板的生产良率。

进一步地，如图6-图8所示阵列基板上的具有不同厚度的膜层2包括像素界定层PDL，像素界定层PDL限定出至少一个像素区域3，从靠近像素区域3到远离像素区域3的方向上，像素界定层PDL的厚度逐渐增加。

具体地，设置阵列基板中的像素界定层PDL具有不同的厚度，且从靠近像素区域3到远离像素区域3的方向上，像素界定层PDL的厚度逐渐增加，不仅使得像素界定层PDL具有较小的坡度角，很好的避免了像素界定层PDL坡度角较大导致的混色、大视角色偏等问题，而且还保证了后续形成在像素界定层PDL上的其它膜层(例如：阴极层)在坡度角处能够更好的连接，从而更好的保证了阵列基板的生产良率。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的阵列基板。

由于上述施例提供的阵列基板中包括具有不同厚度的膜层，使得阵列基板具有更好的显示效果和生产良率，因此，本实用新型实施例提供的显示装置在包括上述阵列基板时，同样具有上述效果，此处不再赘述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形，所述第一部分透光图形的透过率大于所述第二部分透光图形的透过率，所述第二部分透光图形的透过率大于所述第三部分透光图形的透过率；

所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形中的至少一个在所述透光基底上限定出开口区，且所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形沿靠近所述开口区至远离所述开口区的方向依次排列。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的材料相同，且所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度，所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。

4.根据权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的制备材料均包括氧化铬。

5.根据权利要求3或4所述的掩膜板，其特征在于，所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度为所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度与所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。

6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述第一部分透光图形的透过率在40％～60％之间，所述第二部分透光图形的透过率在3％～7％之间，所述第三部分透光图形的透过率为所述第一部分透光图形的透过率与所述第二部分透光图形的透过率的乘积。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上形成有具有至少三种不同的厚度的膜层，所述膜层利用如权利要求1～6任一项所述的掩膜板制作。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述具有不同厚度的膜层包括像素界定层，所述像素界定层限定出至少一个像素区域，从靠近所述像素区域到远离所述像素区域的方向上，所述像素界定层的厚度逐渐增加。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的阵列基板。