CN208240630U - 刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，包括机架以及设于机架上的多个输送组件，多个输送组件沿硅片输送方向依次设置，输送组件包括第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮，第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮均与机架转动连接，第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮上传动连接有电机，第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮轴线平行，第一滚轮和第三滚轮高度相同，第二滚轮设于第一滚轮和第三滚轮之间且第二滚轮略高于所述第一滚轮和第三滚轮。本实用新型提供的一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，在进槽端水膜处采用“爬坡式”滚轮结构，同时减少水膜的出水量，使水膜铺满硅片扩散面上的同时，药液被水稀释的非常少且避免过刻产生，降低药液耗用。

Description

刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构。

背景技术

把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金属薄膜(如铝及其合金)上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。

太阳能电池硅片刻蚀时，需要先在硅片上覆盖一层水膜，然后输送进刻蚀槽内使用刻蚀药液对硅片进行刻蚀，现有技术中，硅片平整进入刻蚀槽内，硅片上的水膜较厚，对刻蚀药液稀释过多，增加药液耗用，产生废酸，同时还会产生过刻。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：为了克服现有技术中的不足，本实用新型提供一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构。

本实用新型解决其技术问题所要采用的技术方案是：一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，包括机架以及设于机架上的多个输送组件，多个所述输送组件沿硅片输送方向依次设置，所述输送组件包括第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮，所述第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮均与所述机架转动连接，所述第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮上传动连接有电机，所述第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮轴线平行，所述第一滚轮和第三滚轮高度相同，所述第二滚轮设于所述第一滚轮和第三滚轮之间且所述第二滚轮略高于所述第一滚轮和第三滚轮。

调整进槽端水膜处滚轮，使原先平整的入槽方式调整为多个中间高两边低的“爬坡式”结构，即第二滚轮高于第一滚轮和第三滚轮，将硅片设于第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮上，第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮转动对硅片进行输送，第二滚轮略高于第一滚轮和第三滚轮的意义在于，当硅片处于第一滚轮和第二辊上之间或处于第二滚轮和第三滚轮之间时，此时硅片处于倾斜状态，倾斜状态下的硅片上表面的水不会堆积造成水量过多，同时硅片上的水也不会全部流失，以硅片上的水可以在硅片上形成一层薄薄的水膜为佳，硅片在第一滚轮和第二滚轮上时，硅片向一侧倾斜，将硅片扩散面上多余的水向一侧倾斜流出，硅片在第二滚轮和第三滚轮上时，硅片向另一侧倾斜，将硅片扩散面上多余的水向另一侧倾斜流出，硅片两边摇摆可以使水膜铺满硅片扩散面上，同时将多余的水流出，可以防止硅片刻蚀时刻蚀药水被水过度稀释消耗，节约药水的同时，又可以达到工艺要求。

进一步，为了防止硅片从第一滚轮和第二滚轮之间的间隙掉落，所述第一滚轮与第二滚轮之间设有多个支撑辊，所述支撑辊与所述支架转动连接，所述支撑辊轴线与所述第一滚轮和第二滚轮轴线在同一平面上。

进一步，为了防止硅片从第二滚轮和第三滚轮之间的间隙掉落，所述第二滚轮与第三滚轮之间设有多个支撑辊，所述支撑辊与所述支架转动连接，所述支撑辊轴线与所述第二滚轮和第三滚轮轴线在同一平面上。

进一步，为了防止硅片在第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮输送时发生偏移，所述第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮上间隔设置有多个限位环，所述第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮结构相同。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供的一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，在进槽端水膜处采用“爬坡式”滚轮结构，同时减少水膜的出水量，使水膜铺满硅片扩散面上的同时，药液被水稀释的非常少且避免过刻产生，降低药液耗用。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型最佳实施例的结构示意图；

图2是本实用新型最佳实施例的结构示意图。

图中：1、机架，2、第一滚轮，3、第二滚轮，4、第三滚轮，5、支撑辊，6、限位环，7、硅片。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作详细的说明。此图为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1-2所示，本实用新型的一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，包括机架1以及设于机架1上的两个输送组件，两个所述输送组件沿硅片输送方向依次设置，所述输送组件包括第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4，所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4均与所述机架1转动连接，所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4上传动连接有电机，具体为所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4上固定有链轮，通过链轮与链条的配合使第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4同步转动，所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4轴线平行，所述第一滚轮2和第三滚轮4高度相同，所述第二滚轮3设于所述第一滚轮2和第三滚轮4之间且所述第二滚轮3略高于所述第一滚轮2和第三滚轮4。

所述第一滚轮2与第二滚轮3之间均匀设有两个支撑辊5，所述支撑辊5与所述支架转动连接，所述支撑辊5轴线与所述第一滚轮2和第二滚轮3轴线在同一平面上。

所述第二滚轮3与第三滚轮4之间均匀设有两个支撑辊5，所述支撑辊5与所述支架转动连接，所述支撑辊5轴线与所述第二滚轮3和第三滚轮4轴线在同一平面上。

所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4上间隔设置有多个限位环6，所述第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4结构相同。

图1中箭头表示硅片输送方向。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关的工作人员完全可以在不偏离本实用新型的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (4)

1.一种刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：包括机架(1)以及设于机架(1)上的多个输送组件，多个所述输送组件沿硅片输送方向依次设置，所述输送组件包括第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)均与所述机架(1)转动连接，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)上传动连接有电机，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)轴线平行，所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)高度相同，所述第二滚轮(3)设于所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)之间且所述第二滚轮(3)略高于所述第一滚轮(2)和第三滚轮(4)。

2.如权利要求1所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第一滚轮(2)与第二滚轮(3)之间设有多个支撑辊(5)，所述支撑辊(5)与支架转动连接，所述支撑辊(5)轴线与所述第一滚轮(2)和第二滚轮(3)轴线在同一平面上。

3.如权利要求1所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第二滚轮(3)与第三滚轮(4)之间设有多个支撑辊(5)，所述支撑辊(5)与支架转动连接，所述支撑辊(5)轴线与所述第二滚轮(3)和第三滚轮(4)轴线在同一平面上。

4.如权利要求1-3任一项所述的刻蚀槽进槽端水膜处爬坡式滚轮结构，其特征在于：所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)上间隔设置有多个限位环(6)，所述第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)结构相同。