CN208038374U - 双面抗静电单面硅胶保护膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种双面抗静电单面硅胶保护膜，其包括基材层、第一抗静电涂层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层，所述第一抗静电涂层、基材层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层按照从上至下的顺序依次贴合；本实用新型结构设计合理，覆合有基材层，耐磨，抗刮伤，保护效果好，基材层的两面上覆合有第一、第二抗静电涂层，具有优异的抗静电性能，防静电效果好，有效提升模切精度，减少吸附灰尘和杂质，保证产品质量，通过硅胶层贴合在被保护产品上，贴合平整，贴合后无气泡产生，实用性强。

Description

双面抗静电单面硅胶保护膜

技术领域

本实用新型涉及保护膜技术领域，特别涉及一种双面抗静电单面硅胶保护膜。

背景技术

玻璃、金属板材、塑料板材以及电子产品等产品在搬运和使用过程中，其表面容易受到接触性污染或磨痕划伤，通常采用保护膜覆盖在其表面使之免受损伤和污染。保护膜一般由基材层和涂覆在该基材层上的胶粘剂层构成，传统的保护膜，采用普通聚酯薄膜作为基材层，由于聚酯薄膜是高分子聚合物，其介电常数小，属于非导体，绝缘性能较高，因此，静电的产生是不能避免的。当传统的保护膜应用于电子行业时，容易吸附灰尘和杂质，甚至产生静电引起严重损失。并且在模切时防静电效果差，难以保证模切精度和产品质量。

实用新型内容

针对上述不足，本实用新型目的在于提供一种结构设计巧妙、合理，防静电，易于加工的双面抗静电单面硅胶保护膜。

本实用新型为实现上述目的，所提供的技术方案是：一种双面抗静电单面硅胶保护膜，其包括基材层、第一抗静电涂层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层，所述第一抗静电涂层、基材层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层按照从上至下的顺序依次贴合；所述基材层为PET膜、TPU膜、PAR膜、CPP膜、PVC膜、SEPS膜或SEBS膜中的一种；所述基材层的厚度为40～60微米，所述第一抗静电涂层的厚度为4～6微米，所述第二抗静电涂层的厚度为4～6微米。

作为本实用新型的一种改进，所述硅胶层的厚度为10～20微米。硅胶层采用有机硅胶粘剂涂覆而成。

作为本实用新型的一种改进，所述托底层的厚度为40～60微米。

作为本实用新型的一种改进，所述基材层与第一抗静电涂层之间设有电晕处理层，所述基材层与第二抗静电涂层之间设有电晕处理层。所述电晕处理层的厚度为3微米。在基材层的两面上进行电晕处理形成电晕处理层，由光滑平面变为粗糙面，有效增强粘附力，防止第一抗静电涂层和第二抗静电涂层脱落，提高复合材料的结构稳定性。

所述第一抗静电涂层包括环氧丙烯酸乙酯及镶嵌在该环氧丙烯酸乙酯中的石墨烯粉体。石墨烯粉体的直径为1～3微米。在模切时释放静电，无气泡产生，有效保证产品质量和模切精度。第二抗静电涂层的结构与第一抗静电涂层的结构相一致。

本实用新型的有益效果为：本实用新型结构设计合理，覆合有基材层，耐磨，抗刮伤，保护效果好，基材层的两面上覆合有第一、第二抗静电涂层，具有优异的抗静电性能，防静电效果好，有效提升模切精度，减少吸附灰尘和杂质，保证产品质量，通过硅胶层贴合在被保护产品上，贴合平整，贴合后无气泡产生，实用性强。

附图说明

图1是本实用新型的截面结构示意图。

具体实施方式

实施例：参见图1，本实施例提供一种双面抗静电单面硅胶保护膜，其包括基材层1、第一抗静电涂层2、第二抗静电涂层3、硅胶层4和托底层5，托底层5为薄纸、热熔胶薄膜或塑料薄膜。所述第一抗静电涂层2、基材层1、第二抗静电涂层3、硅胶层4和托底层5按照从上至下的顺序依次贴合；所述基材层1优选为PET膜、TPU膜、PAR膜、CPP膜、PVC膜、SEPS膜或SEBS膜中的一种。

较佳的，所述基材层1的厚度为40～60微米，优选为50微米；所述第一抗静电涂层2的厚度为4～6微米，优选为5微米；所述第二抗静电涂层3的厚度为4～6微米，优选为4微米。所述硅胶层4的厚度为10～20微米，优选为15微米；硅胶层4采用有机硅胶粘剂涂覆而成。作为本实用新型的一种改进，所述托底层5的厚度为40～60微米，优选为45微米。

所述基材层1与第一抗静电涂层2之间设有电晕处理层，所述基材层1与第二抗静电涂层3之间设有电晕处理层。所述电晕处理层的厚度为3微米。在基材层1的两面上进行电晕处理形成电晕处理层，由光滑平面变为粗糙面，有效增强粘附力，防止第一抗静电涂层2和第二抗静电涂层3脱落，提高复合材料的结构稳定性。

所述第一抗静电涂层2包括环氧丙烯酸乙酯及镶嵌在该环氧丙烯酸乙酯中的石墨烯粉体。石墨烯粉体的直径为1～3微米。在模切时释放静电，无气泡产生，有效保证产品质量和模切精度。第二抗静电涂层3的结构与第一抗静电涂层2的结构相一致。

使用时，由于本实用新型双面抗静电单面硅胶保护膜的结构中覆合有基材层1，耐磨，抗刮伤，保护效果好，基材层1的两面上覆合有第一抗静电涂层2、第二抗静电涂层3，具有优异的抗静电性能，防静电效果好，有效提升模切精度，减少吸附灰尘和杂质，保证产品质量，通过硅胶层4贴合在被保护产品上，贴合平整，贴合后无气泡产生，实用性强。

根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制，采用与其相同或相似的其它保护膜，均在本实用新型保护范围内。

Claims (5)

1.一种双面抗静电单面硅胶保护膜，其特征在于，其包括基材层、第一抗静电涂层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层，所述第一抗静电涂层、基材层、第二抗静电涂层、硅胶层和托底层按照从上至下的顺序依次贴合；所述基材层为PET膜、TPU膜、PAR膜、CPP膜、PVC膜、SEPS膜或SEBS膜中的一种；所述基材层的厚度为40～60微米，所述第一抗静电涂层的厚度为4～6微米，所述第二抗静电涂层的厚度为4～6微米。

2.根据权利要求1所述的双面抗静电单面硅胶保护膜，其特征在于，所述硅胶层的厚度为10～20微米。

3.根据权利要求1或2所述的双面抗静电单面硅胶保护膜，其特征在于，所述托底层的厚度为40～60微米。

4.根据权利要求1所述的双面抗静电单面硅胶保护膜，其特征在于，所述基材层与第一抗静电涂层之间设有电晕处理层，该电晕处理层的厚度为3微米。

5.根据权利要求1或4所述的双面抗静电单面硅胶保护膜，其特征在于，所述基材层与第二抗静电涂层之间设有电晕处理层，该电晕处理层的厚度为3微米。