CN207432525U - 一种多晶硅切割冷却喷头 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种多晶硅切割冷却喷头，属于多晶硅加工设备领域，包括设备支撑板所述设备支撑板上方设有喷头装置固定架，所述喷头装置固定架上装有切割液输送管，所述切割液输送管下端设有输送管分支，所述输送管分支下端设有喷头固定架，所述喷头固定架上装有冷却喷头，所述冷却喷头的喷嘴对准切割线滚轮上切割线切割多晶硅硅块的位置。本实用新型结构简单，提供一种多晶硅切割冷却喷头，能够均匀的将切割液喷洒在硅块上，及时将切割热及破碎颗粒及时带出切割体系，保证切割出的硅片的质量，实用性很强。

Description

一种多晶硅切割冷却喷头

技术领域

本实用新型属于多晶硅加工设备领域，主要涉及一种多晶硅切割冷却喷头。

技术背景

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。

目前，多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成SiHCl3，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。

多晶硅片的具体生产流程主要包括：多晶硅原料的清洗、检测—坩埚喷涂—多晶铸锭—硅锭剖方—硅锭检验—去头尾—磨面、倒角—粘胶—切片—硅片脱胶—硅片清洗—硅片检验—硅片包装、入库。其中，硅锭切片的机理为机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将切割液和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区，在钢线的高速运转中与压在线网上的工件通过连续摩擦完成切割的过程。

使用碳化硅微粉作为研磨介质切割硅片的过程中，碳化硅微粉颗粒持续快速冲击硅料表面，这一过程会释放出大量摩擦热量，同时碳化硅颗粒与硅棒之间的碰撞和摩擦而产生的破碎碳化硅颗粒、晶硅颗粒以及钢线上金属屑也将混入切割体系中。为了避免被切割开的硅片受切割体系温度升高的影响而发生翘曲和其表面被细碎颗粒过度研磨而影响其光洁度，必须设法将切割热及破碎颗粒及时带出切割体系，因此切割液的主要作用是使混有碳化硅的砂浆保持良好的流动性，均匀稳定的分散碳化硅颗粒，在钢线的高速运动中均匀平稳的作用于硅料表面，同时及时带走热量和杂质颗粒，保证切割出的硅片的质量。

由于聚乙二醇为主要成份的化合物具有浸润性好，排屑能力强的特点，且对碳化硅类磨料具有高悬浮、高润滑、高分散的特性，能够满足整个切割过程对切割液的质量要求和技术标准，对硅片的加工过程起着无可替代的作用。多晶硅切削液是以聚乙二醇为主体，添加多种助剂复配而成，具有适宜的粘度指标，有良好的流动性和热传导性，对碳化硅微粉具有良好的分散稳定性和悬浮作用。

为了保证切割出的硅片的质量，需要设计一种有效的对晶硅切割冷却喷头，将切割液均匀的喷洒在硅块上。

发明内容

为了将切割热及破碎颗粒及时带出切割体系，保证切割出的硅片的质量，本实用新型提供一种多晶硅切割冷却喷头，能够均匀的将切割液喷洒在硅块上，及时带走热量和杂质颗粒，实用性很强。

本实用新型所采用的设计方案是：一种多晶硅切割冷却喷头，一种多晶硅切割冷却喷头，包括设备支撑板1所述设备支撑板1上方设有喷头装置固定架2，所述喷头装置固定架2上装有切割液输送管3，所述切割液输送管3下端设有输送管分支4，所述输送管分支4下端设有喷头固定架5，所述喷头固定架5上装有冷却喷头6，所述冷却喷头6的喷嘴对准切割线滚轮7上切割线8切割多晶硅硅块的位置。

本实用新型提供的设计方案中，所述喷头装置固定架2为倒置的“V”形，两下端分为固定在两块设备支撑板1的上表面。

本实用新型提供的设计方案中，所述切割液输送管3、输送管分支4以及喷头固定架5为连通结构，将切割液输送到冷却喷头6。

本实用新型提供的设计方案中，所述输送管分支4为倒置的“V”形，每个输送管分支4分别装有一个喷头固定架5，两喷头固定架5之间相互平行，且均与切割线8垂直分布。

本实用新型提供的设计方案中，所述冷却喷头6有两组，分别位于两喷头固定架5上，每组至少有8个，与水平面呈45度向下，且两组冷却喷头6喷嘴方向相对。

本实用新型具有以下优点：

本实用新型结构简单，提供一种多晶硅切割冷却喷头，能够均匀的将切割液喷洒在硅块上，及时将切割热及破碎颗粒及时带出切割体系，保证切割出的硅片的质量，实用性很强。

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为多晶硅切割冷却喷头的三维结构图。1-设备支撑板，2-喷头装置固定架，3-切割液输送管，4-输送管分支，5-喷头固定架，6-冷却喷头，7-切割线滚轮，8-切割线。

具体实施方式

下面将结合本实用新型附图和具体设计方案，对本实用新型实施例中的设计方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型专利中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利保护的范围。

实施例1

如图1多晶硅切割冷却喷头结构图所示，包括设备支撑板1所述设备支撑板1上方设有喷头装置固定架2，所述喷头装置固定架2上装有切割液输送管3，所述切割液输送管3下端设有输送管分支4，所述输送管分支4下端设有喷头固定架5，所述喷头固定架5上装有冷却喷头6，所述冷却喷头6的喷嘴对准切割线滚轮7上切割线8切割多晶硅硅块的位置。

所述喷头装置固定架2为倒置的“V”形，两下端分为固定在两块设备支撑板1的上表面。

所述切割液输送管3、输送管分支4以及喷头固定架5为连通结构，将切割液输送到冷却喷头6。

所述输送管分支4为倒置的“V”形，每个输送管分支4分别装有一个喷头固定架5，两喷头固定架5之间相互平行，且均与切割线8垂直分布。

所述冷却喷头6有两组，分别位于两喷头固定架5上，每组至少有8个，与水平面呈45度向下，且两组冷却喷头6喷嘴方向相对。

本实用新型结构简单，提供一种多晶硅切割冷却喷头，能够均匀的将切割液喷洒在硅块上，及时将切割热及破碎颗粒及时带出切割体系，保证切割出的硅片的质量，实用性很强。

各位技术人员须知：虽然本实用新型已按照上述具体实施方式做了描述，但是本实用新型的发明思想并不仅限于此专利，任何运用本实用新型思想的改装，都将纳入本专利专利权保护范围内。

Claims (5)

1.一种多晶硅切割冷却喷头，其特征在于，包括设备支撑板(1)所述设备支撑板(1)上方设有喷头装置固定架(2)，所述喷头装置固定架(2)上装有切割液输送管(3)，所述切割液输送管(3)下端设有输送管分支(4)，所述输送管分支(4)下端设有喷头固定架(5)，所述喷头固定架(5)上装有冷却喷头(6)，所述冷却喷头(6)的喷嘴对准切割线滚轮(7)上切割线(8)切割多晶硅硅块的位置。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅切割冷却喷头，其特征在于，所述喷头装置固定架(2)为倒置的“V”形，两下端分为固定在两块设备支撑板(1)的上表面。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅切割冷却喷头，其特征在于，所述切割液输送管(3)、输送管分支(4)以及喷头固定架(5)为连通结构，将切割液输送到冷却喷头(6)。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅切割冷却喷头，其特征在于，所述输送管分支(4)为倒置的“V”形，每个输送管分支(4)分别装有一个喷头固定架(5)，两喷头固定架(5)之间相互平行，且均与切割线(8)垂直分布。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅切割冷却喷头，其特征在于，所述冷却喷头(6)有两组，分别位于两喷头固定架(5)上，每组至少有8个，与水平面呈45度向下，且两组冷却喷头(6)喷嘴方向相对。