CN207409496U - 一种逆阻型igbt - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于功率半导体技术领域,涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的器件,在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区,且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时,浮空的P1可辅助耗尽N1,降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值,避免集电结发生提前击穿,最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止;对器件施加正向阻断电压时,浮空的P1和漂移区被N1阻隔,高浓度的N1使正向电场被截止,耗尽区无法扩展到P1,正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构,可缩短漂移区厚度,实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
Description
技术领域
本实用新型属于功率半导体技术领域,涉及一种逆阻型IGBT(Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)。
背景技术
2001年,由富士电机研发出真正适用于交流变频应用的600V级垂直结构的逆阻型IGBT器件。该结构通过在P+衬底上外延100um厚的N型漂移区,形成NPT型IGBT实现正向和反向耐压。直至2014年,逆阻型IGTB对结构上的改进主要体现在终端区的设计,旨在器件承受反向耐压时,降低由耗尽线扩展至划片区引起的泄露电流,而器件的元胞区仍为NPT结构。
逆阻型IGBT因具有正反对称的阻断能力,在基于矩阵变换器交流-交流(AC-AC)应用领域备受亲睐。作为交流-交流(AC-AC)矩阵逆变器中的核心元件,逆阻型IGBT解决了常规IGBT无法承受高的反向电压的困扰,不需要外串联高压二极管来承受外部的反向电压,减小了矩阵逆变器中所需的元器件数量,同时减小了因外串联二极管带来的额外导通能力损耗。
常规FS型IGBT在正向耐压时,高浓度的FS层可有效截止正向耐压电场,但在反向阻断状态下,底部较高浓度的FS层和高浓度的P+集电极之间会形成高电场峰值,在漂移区还未耗尽条件下,FS层和P+集电区之间的反偏结发生提前击穿,无法满足双向耐压的应用场合。NPT型IGBT可实现双向耐压,但需要较大厚度的漂移区,引起正向导通压降增大;同时,在关断状态下,由于厚的漂移区不能被全耗尽,非耗尽区内的载流子需要通过自身复合,产生较大的拖尾电流,同时器件的关断能量损耗增大,导致器件的导通压降和关断损耗折中性能退化。
实用新型内容:
本实用新型所要解决的,是针对上述问题提出一种逆阻型IGBT。
本实用新型的技术方案是:一种逆阻型IGBT,包括N型高阻区,其特征在于,在N型高阻区上表面中部具有第二N型区6,位于第二N型区6上表面的P阱1,并列位于P阱1上表面的N型发射区2和P型接触区3;其中N型发射区2和P型接触区3相互独立,其共同引出端为发射极;N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽,与N型发射区2接触的沟槽为槽栅4,槽栅4包含位于槽内壁的第一绝缘介质层41和由第一绝缘介质层41包围的第一导电材料42,由槽栅4中的第一导电材料42引出栅电极;与P型接触区3接触的沟槽为槽结构5,槽结构5包含位于槽内壁的第二绝缘介质层51和由第二绝缘介质层51包围的第二导电材料52;
在N型高阻区下表面具有第一N型层7,所述第一N型层7的下层具有多个不连续的P+集电区8,P+集电区8的掺杂浓度高于N型高阻区的掺杂浓度,P+集电区8的引出端为集电极;在相邻的2个P+集电区8之间的第一N型层7中,具有P型层9。
本实用新型的有益效果为,可实现正向同等的耐压能力,避免了FS型IGBT反向阻断耐压情况下提前击穿的缺陷,同时能在更薄的漂移区下获得双向耐压,相对于NPT型IGBT结构,有更好的导通压降和关断损耗的折中性能。
附图说明
图1是实施例1的结构示意图;
具体实施方式
下面结合附图和实施例,详细描述本实用新型的技术方案:
实施例1,如图1所示,本例为一种逆阻型IGBT,包括N型高阻区,在N型高阻区上表面中部具有第二N型区6,位于第二N型区6上表面的P阱1,并列位于P阱1上表面的N型发射区2和P型接触区3;其中N型发射区2和P型接触区3相互独立,其共同引出端为发射极;N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽,与N型发射区2接触的沟槽为槽栅4,槽栅4包含位于槽内壁的第一绝缘介质层41和由第一绝缘介质层41包围的第一导电材料42,由槽栅4中的第一导电材料42引出栅电极;与P型接触区3接触的沟槽为槽结构5,槽结构5包含位于槽内壁的第二绝缘介质层51和由第二绝缘介质层51包围的第二导电材料52;
在N型高阻区下表面具有第一N型层7,所述第一N型层7的下层具有多个不连续的P+集电区8,P+集电区8的掺杂浓度高于N型高阻区的掺杂浓度,P+集电区8的引出端为集电极;在相邻的2个P+集电区8之间的第一N型层7中,具有P型层9。
本例的工作原理为:
对新结构施加反向阻断电压时,浮空的P1可辅助耗尽N1,降低高浓度P+集电区/N1结面处高电场峰值,避免集电结发生提前击穿,最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止;对器件施加正向阻断电压时,浮空的P1和漂移区被N1阻隔,高浓度的N1使正向电场被截止,耗尽区无法扩展到P1,正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构,在N1、N2以及槽结构共同作用下,可缩短漂移区厚度,实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
Claims (1)
1.一种逆阻型IGBT,包括N型高阻区,其特征在于,在N型高阻区上表面中部具有第二N型区(6),位于第二N型区(6)上表面的P阱(1),并列位于P阱(1)上表面的N型发射区(2)和P型接触区(3);其中N型发射区(2)和P型接触区(3)相互独立,其共同引出端为发射极;N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽,与N型发射区(2)接触的沟槽为槽栅(4),槽栅(4)包含位于槽内壁的第一绝缘介质层(41)和由第一绝缘介质层(41)包围的第一导电材料(42),由槽栅(4)中的第一导电材料(42)引出栅电极;与P型接触区(3)接触的沟槽为槽结构(5),槽结构(5)包含位于槽内壁的第二绝缘介质层(51)和由第二绝缘介质层(51)包围的第二导电材料(52);
在N型高阻区下表面具有第一N型层(7),所述第一N型层(7)的下层具有多个不连续的P+集电区(8),P+集电区(8)的掺杂浓度高于N型高阻区的掺杂浓度,P+集电区(8)的引出端为集电极;在相邻的2个P+集电区(8)之间的第一N型层(7)中,具有P型层(9)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201721552279.XU CN207409496U (zh) | 2017-11-20 | 2017-11-20 | 一种逆阻型igbt |
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CN201721552279.XU CN207409496U (zh) | 2017-11-20 | 2017-11-20 | 一种逆阻型igbt |
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CN207409496U true CN207409496U (zh) | 2018-05-25 |
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ID=62316840
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
CN201721552279.XU Expired - Fee Related CN207409496U (zh) | 2017-11-20 | 2017-11-20 | 一种逆阻型igbt |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107731901A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 电子科技大学 | 一种逆阻型igbt |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107731901A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-02-23 | 电子科技大学 | 一种逆阻型igbt |
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