CN207068372U - 下压平台及邦定组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种下压平台及邦定组件，属于显示技术领域，其可解决现有的芯片与柔性显示面板直接邦定时易造成短路的问题。本实用新型的下压平台，用于将芯片按压至待邦定器件上进行邦定工艺，该下压平台具有用于容纳芯片的开口部，开口部在其设置面上的形状与芯片相适配，且开口部的深度不大于芯片的厚度。

Description

下压平台及邦定组件

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种下压平台及邦定组件。

背景技术

柔性显示面板需要与IC(驱动芯片)邦定，现有技术中，一般采用COF(Chip onfilm)的方式，COF为软性材质，在与柔性显示面板压接时，不会造成柔性显示面板中的线路断裂。但是COF成本较高，且线路不能做太细，因此不能对应高分辨率产品。

现有技术中，还可以利用下压平台吸附IC，按压至柔性显示面板的对应邦定区域，通过加压加热将IC直接邦定在柔性显示面板上。但由于IC硬度高，直接压接易使柔性显示面板与IC邦定的区域下陷，造成柔性显示面板中的线路断裂，出现断路情况，且加热加压会使柔性显示面板的下陷区域周围凸起，造成邦定区域的ACF材料(异方性导电胶膜)中的导电粒子聚集，出现短路现象。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以避免柔性显示面板在与芯片直接邦定时发生短路的下压平台。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种下压平台，用于将芯片按压至待邦定器件上进行邦定工艺，所述下压平台具有用于容纳所述芯片的开口部，所述开口部在其设置面上的形状与所述芯片相适配，且所述开口部的深度不大于所述芯片的厚度。

优选的，所述开口部的深度与所述芯片的厚度相同。

优选的，所述下压平台用于与所述芯片接触的部分的热传导系数与所述芯片的热传导系数相同。

解决本实用新型技术问题所采用的另一技术方案是一种邦定组件，上述任意一种下压平台。

优选的，所述邦定组件还包括：

容纳于所述开口部中的芯片。

进一步优选的，所述芯片上设有用于与待邦定器件中的电路电连接的导电凸块；

所述导电凸块设置面上还设有支撑凸块；

所述支撑凸块与所述导电凸块相互隔开，和/或，所述支撑凸块由绝缘材料构成；

所述支撑凸块的高度不大于所述导电凸块的高度。

进一步优选的，所述支撑凸块的高度与所述导电凸块的高度相同。

优选的，所述芯片的导电凸块设置面分为第一导电区、第二导电区和空白区，所述空白区位于所述第一导电区和第二导电区之间，所述导电凸块设于所述第一导电区和第二导电区之中，所述支撑凸块设于所述空白区中。

优选的，所述芯片上设有多个所述支撑凸块，各所述支撑凸块在平行于其设置面的任意方向上的尺寸为5-10微米。

优选的，所述邦定组件还包括：

邦定平台，用于承载待邦定器件。

本实用新型的下压平台具有与待邦定的芯片形状相适配的开口部。在进行邦定工艺时，芯片内嵌于下压平台中，且开口部可与芯片在下压平台的下压面上无缝隙接合，下压平台与待邦定器件之间的距离会小于芯片的厚度，从而可以有效限制待邦定器件的邦定区周围的凸起情况，进而减缓邦定区周围导电粒子聚集的现象，避免出现短路情况。

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的邦定平台的结构示意图；

图2和3为本实用新型的实施例2的邦定组件的结构示意图；

其中附图标记为：1、下压平台；11、开口部；2、芯片；21、第一导电区；22、第二导电区；23、第三导电区；3、导电凸块；4、支撑凸块。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例1：

如图1所示，本实施例提供一种下压平台1，用于将芯片2按压至待邦定器件上进行邦定工艺，该下压平台1具有可容纳芯片2的开口部11，开口部11在其设置面上的形状与芯片2相适配，且开口部11的深度不大于芯片2的厚度。

其中，芯片2指待进行邦定工艺的芯片2，待邦定器件指需要与芯片2邦定的器件，例如显示面板。优选的，待邦定器件为柔性显示面板，下面以待邦定器件为柔性显示面板为例，对本实施例进行说明。

具体的，下压平台1具有用于在将芯片2压接至柔性显示面板的过程中朝向柔性显示面板的下压面，在该下压面上，设有开口部11，该开口部11可容纳待邦定的芯片2，且其在下压面上的形状与芯片2相适配，也即，开口部11在下压面上的形状、尺寸与芯片2相同，从而使得芯片2的至少一部分可内嵌于下压平台1中，且开口部11可与芯片2在下压面上无缝隙接合。同时，开口部11的深度不能大于芯片2的厚度，以防止芯片2整体在下压平台1中处于凹陷状态，从而导致芯片2无法与柔性显示面板完成邦定。

由于开口部11与芯片2在下压面上无缝隙接合，且芯片2部分内嵌于下压平台1中，故在进行邦定工艺时，下压平台1与柔性显示面板之间的距离变小(会小于芯片2的厚度)，从而可以有效限制柔性显示面板的邦定区周围的凸起，进而减缓邦定区周围导电粒子聚集的现象，避免出现短路情况。

当然，在实际情况中，由于制备工艺的限制，开口部11的尺寸与芯片2尺寸可能会有偏差，但是偏差值不应超过0.05mm，以防止开口部11过大造成开口部11与芯片2间间隙过大，而导致达不到防止柔性显示面板凸起的效果，或者出现开口部11过小导致芯片2无法容纳于其中的情况。

优选的，开口部11的深度与芯片2的厚度相同。

具体的，开口部11将芯片2恰好容纳于其中，使芯片2在容纳于开口部11中时，芯片2的邦定面(芯片2直接与柔性显示面板邦定的一面)与下压平台1的下压面处于同一平面中。从而在邦定工艺中，除芯片2外，下压平台1也会与柔性显示面板接触(其中，芯片2与柔性显示面板的邦定区接触，下压平台1与柔性显示面板的邦定区周围部分接触)，进而增大了对柔性显示面板的按压面积，这样，柔性显示面板的邦定区周围部分因被下压平台1按压，故不会发生凸起，故而不会对邦定区的ACF胶中的导电粒子造成挤压，避免了短路现象的发生。

优选的，下压平台1用于与芯片2接触的部分的热传导系数与芯片2的热传导系数相同。

由于邦定工艺中需要加热，而加热会增大柔性显示面板中的压敏胶的流动性，使柔性显示面板容易发生形变(尤其指因压敏胶流动造成柔性显示面板厚度上的变化)，故本实施例中，优选采用与芯片2的热传导系数相同或者接近的材料至少形成下压平台1中与芯片2接触的部分(也即开口部11)，从而尽量避免柔性显示面板发生形变。

在此可以理解的是，本实施例中，可以仅是下压平台1的开口部11，也可以是整个下压平台1全部由与芯片2的热传导系数相同或者接近的材料形成。其中，具体的形成材料可根据实际使用过程中芯片2的材质确定，在此不做具体限制。

本实施例提供一种下压平台1，该下压平台1具有与待邦定的芯片2形状相适配的开口部11。在进行邦定工艺时，芯片2内嵌于下压平台1中，且开口部11可与芯片2在下压平台1的下压面上无缝隙接合，下压平台1与柔性显示面板件之间的距离会小于芯片2的厚度，从而可以有效限制柔性显示面板的邦定区周围的凸起情况，进而减缓邦定区周围导电粒子聚集的现象，避免出现短路情况。

实施例2：

如图1至3所示，本实施例提供一种可对芯片2和待邦定显示器件进行邦定的邦定组件，其包括实施例1中提供的下压平台1。

其中，待邦定器件指需要与芯片2邦定的器件，例如显示面板。优选的，待邦定器件为柔性显示面板，下面以待邦定器件为柔性显示面板为例，对本实施例进行说明。

该邦定组件在进行邦定工艺时，将芯片2置于开口部11中，并将芯片2按压至柔性显示面板的邦定区域，如图2和3所示，由于芯片2内嵌于下压平台1中，且开口部11可与芯片2在下压平台1的下压面上无缝隙接合，下压平台1与柔性显示面板之间的距离会小于芯片2的厚度，从而可以有效限制柔性显示面板的邦定区周围的凸起情况，进而减缓邦定区周围导电粒子聚集的现象，避免出现短路情况。

优选的，邦定组件还包括容纳于开口部11中的芯片2。

可以理解的是，该芯片2与开口部11是可分离的，当邦定工艺完成之后，芯片2邦定于柔性显示面板上，与开口部11分离。

优选的，芯片2上设有用于与待邦定器件(柔性显示面板)中的电路电连接的导电凸块3；导电凸块设置面上还设有支撑凸块4；支撑凸块4与导电凸块3相互隔开，和/或，支撑凸块4由绝缘材料构成；支撑凸块4的高度不大于导电凸块3的高度。

其中，芯片2中设有电路结构(例如柔性显示面板的控制电路、驱动电路等)和与该电路结构电连接的导电凸块3。柔性显示面板上也设有电路结构(例如显示电路)和与该电路结构电连接的金手指。通过导电凸块3与金手指的邦定，可以实现芯片2中的电路结构与柔性显示面板中的电路结构的电连接。

本实施例中，芯片2的导电凸块设置面上还设有支撑凸块4，以在邦定工艺时支撑芯片2的空白区23与柔性显示面板之间的空隙，从而限制柔性显示面板的邦定区凸起变形。同时，支撑凸块4的高度应不大于导电凸块3的高度，避免因支撑凸块4过高造成导电凸块3与柔性显示面板的金手指邦定不良。并且，支撑凸块4与导电凸块3相互隔开，和/或，支撑凸块4由绝缘材料构成，从而避免支撑凸块4与导电凸块3之间电连接而造成短路。

可以理解的是，当支撑凸块4与导电凸块3相互隔开设置时，其可与导电凸块3采用同种材料同步形成，以简化制作工艺。

优选的，支撑凸块4的高度与导电凸块3的高度相同。

具体的，支撑凸块4与导电凸块3处于同一平面上，且二者高度相同，那么，支撑凸块4与导电凸块3分别远离芯片2的一面也处于同一平面上，这样可以在不影响邦定效果的情况下最大限度地避免柔性显示面板的凸起现象。

优选的，如图3所示，芯片2的导电凸块设置面分为第一导电区21、第二导电区22和空白区23，空白区23位于第一导电区21和第二导电区22之间，导电凸块3设于第一导电区21和第二导电区22之中，支撑凸块4设于空白区23中。

其中，空白区23指无需设置导电凸块3的区域。

具体的，第一导电区21和第二导电区22可分别为输入区和输出区，相应地，导电凸块3分别为输入导电凸块和输出导电凸块。当然，可以理解的是，第一导电区21和第二导电区22具体哪个为输入区和输出区可以根据实际情况限定，在此不做限制。

优选的，芯片2上设有多个支撑凸块4，各支撑凸块4在平行于其设置面的任意方向上的尺寸为5-10微米。

具体的，支撑凸块4可以为任意形状，其在平行于其设置面的任意方向上的尺寸为5-10微米。多个支撑凸块4之间存在一定间隔，可以设置为一排或者多排，具体设置形式及数量可以根据实际情况(例如芯片2的尺寸)进行调整。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种下压平台，用于将芯片按压至待邦定器件上进行邦定工艺，其特征在于，

所述下压平台具有用于容纳所述芯片的开口部，所述开口部在其设置面上的形状与所述芯片相适配，且所述开口部的深度不大于所述芯片的厚度。

2.根据权利要求1所述的下压平台，其特征在于，

所述开口部的深度与所述芯片的厚度相同。

3.根据权利要求1所述的下压平台，其特征在于，

所述下压平台用于与所述芯片接触的部分的热传导系数与所述芯片的热传导系数相同。

4.一种邦定组件，其特征在于，包括权利要求1至3中任意一项所述的下压平台。

5.根据权利要求4所述的邦定组件，其特征在于，还包括：

容纳于所述开口部中的芯片。

6.根据权利要求5所述的邦定组件，其特征在于，

所述芯片上设有用于与待邦定器件中的电路电连接的导电凸块；

所述导电凸块设置面上还设有支撑凸块；

所述支撑凸块与所述导电凸块相互隔开，和/或，所述支撑凸块由绝缘材料构成；

所述支撑凸块的高度不大于所述导电凸块的高度。

7.根据权利要求6所述的邦定组件，其特征在于，

所述支撑凸块的高度与所述导电凸块的高度相同。

8.根据权利要求6所述的邦定组件，其特征在于，

所述芯片的导电凸块设置面分为第一导电区、第二导电区和空白区，所述空白区位于所述第一导电区和第二导电区之间，所述导电凸块设于所述第一导电区和第二导电区之中，所述支撑凸块设于所述空白区中。

9.根据权利要求6所述的邦定组件，其特征在于，

所述芯片上设有多个所述支撑凸块，各所述支撑凸块在平行于其设置面的任意方向上的尺寸为5-10微米。

10.根据权利要求4所述的邦定组件，其特征在于，还包括：

邦定平台，用于承载待邦定器件。