CN207021264U - 扇出型封装结构、终端设备 - Google Patents

扇出型封装结构、终端设备 Download PDF

Info

Publication number
CN207021264U
CN207021264U CN201720525826.9U CN201720525826U CN207021264U CN 207021264 U CN207021264 U CN 207021264U CN 201720525826 U CN201720525826 U CN 201720525826U CN 207021264 U CN207021264 U CN 207021264U
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring layer
layer
fan
utility
model
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201720525826.9U
Other languages
English (en)
Inventor
王家恒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN201720525826.9U priority Critical patent/CN207021264U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207021264U publication Critical patent/CN207021264U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型提出了扇出型封装结构、终端设备。该扇出型封装结构包括:重新布线层;第一器件,该第一器件固定于重新布线层的一侧,且与重新布线层电相连;塑封层,该塑封层形成在第一器件远离重新布线层的一侧;第二器件,该第二器件为电池单元;以及凸点金属化层,该凸点金属化层形成在重新布线层远离塑封层的一侧,且与重新布线层电相连。本实用新型所提出的扇出型封装结构,通过扇出成型的垂直几何打造出的含有多层电路系统的重新布线层,将电池单元和其他单元集成化,并显著地压缩了体积空间,从而实现了体积小、密度高、高集成度的电池封装结构,进而满足移动设备轻薄化的市场需求。

Description

扇出型封装结构、终端设备
技术领域
本实用新型涉及封装技术领域,具体的,本实用新型涉及扇出型封装结构、终端设备。
背景技术
随着市场的发展和产品性能的需求,移动设备如何通过技术的发展和进步而变得越来越薄,这是行业内必须考虑和解决的问题。
目前在结构设计中,多数采用水平几何的堆叠设计,如此设计就决定了器件及终端产品的大体积,无法满足越来越追求的轻薄的需求。
因此,现阶段的电池封装结构的设计仍有待改进。
发明内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本实用新型是基于发明人的下列发现而完成的:
本实用新型的发明人在研究过程中发现,可以采用扇出成型工艺将电池与电路板等电子元器件形成集成化结构,并且通过垂直几何的设计方案打造出含有多层电路系统的重新布线层,不仅起到对元器件的输入输出口进行重新设计的作用,并进一步替代传统技术的圆晶或印刷电路板(PCB)的基板作用,从而可以实现体积更小、密度更高、高集成度的电池封装结构,进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
有鉴于此,本实用新型的一个目的在于提出一种体积小、密度高、高度集成或者轻薄化的扇出型封装结构。
在本实用新型的第一方面,本实用新型提出了一种扇出型封装结构。
根据本实用新型的实施例,所述扇出型封装结构包括:重新布线层;第一器件,所述第一器件固定于所述重新布线层的一侧,且与所述重新布线层电相连;塑封层,所述塑封层形成在所述第一器件远离所述重新布线层的一侧;第二器件,所述第二器件为电池单元;以及凸点金属化层,所述凸点金属化层形成在所述重新布线层远离所述塑封层的一侧,且与所述重新布线层电相连。
发明人经过长期研究发现,本实用新型实施例的扇出型封装结构,通过扇出成型封装的垂直几何打造出的含有多层电路系统的重新布线层,将电池单元和其他单元集成化,不仅起到对元器件的输入输出口进行重新设计的作用,且进一步替代传统技术的圆晶或印刷电路板的基板作用,并显著地压缩了体积空间,从而实现了体积小、密度高、高集成度的电池封装结构,进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
另外,根据本实用新型上述实施例的扇出型封装结构,还可以具有如下附加的技术特征:
根据本实用新型的实施例,所述第一器件包括选自芯片、电阻、电容、摄像头、基带处理单元、应用处理器和麦克风的至少一种。
根据本实用新型的实施例,所述第二器件固定于所述重新布线层,且与所述重新布线层电相连。
根据本实用新型的实施例,所述扇出型封装结构包括多个所述第一器件和多个所述第二器件,多个所述第二器件设置在所述多个第一器件的周边区域,且所述多个第二器件采用串联连接关系。
根据本实用新型的实施例,所述第二器件固定于所述塑封层远离所述第一器件的一侧;所述塑封层进一步包括过孔,所述过孔形成在所述第二器件靠近所述凸点金属化层的一侧,且贯穿所述塑封层和所述重新布线层;所述扇出型封装结构进一步包括金属层,所述金属层设置在所述过孔内,且分别与所述第二器件、所述凸点金属化层电相连。
根据本实用新型的实施例,所述重新布线层由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的;其中,所述导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种;所述纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。
在本实用新型的第二方面,本实用新型提出了一种终端设备。
根据本实用新型的实施例,所述终端设备包括上述的扇出型封装结构。
发明人经过长期研究发现,本实用新型实施例的终端设备,其扇出型封装结构高度集成了电池和其他单元,从而使终端设备的体积更小、密度更高,进而满足了市场对该移动设备轻薄化的需求。本领域技术人员能够理解的是,前面针对扇出型封装结构所描述的特征和优点,仍适用于该终端设备,在此不再赘述。
本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本实用新型一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图2是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图3是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图4是本实用新型一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图5是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图6是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的结构示意图;
图7是本实用新型一个实施例的扇出型封装结构的制作方法流程示意图;
图8是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的制作方法流程示意图;
图9是本实用新型另一个实施例的扇出型封装结构的制作方法流程示意图;
图10是本实用新型一个实施例的制作方法步骤S200获得的产品的结构示意图;
图11是本实用新型一个实施例的制作方法步骤S300获得的产品的结构示意图;
图12是本实用新型一个实施例的制作方法步骤S610获得的产品的结构示意图;
图13是本实用新型一个实施例的制作方法步骤S400获得的产品的结构示意图;
图14是本实用新型一个实施例的制作方法步骤S500获得的产品的结构示意图。
附图标记
100 重新布线层
110 介质亚层
120 金属布线亚层
200 第一器件
300 第二器件
400 塑封层
500 凸点金属化层
600 金属层
700 载体基板
800 剥离层
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,本技术领域人员会理解,下面实施例旨在用于解释本实用新型,而不应视为对本实用新型的限制。除非特别说明,在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的,本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可通过市购到的常规产品。
在本实用新型的一个方面,本实用新型提出了一种扇出型封装结构。参照图1~6,对本实用新型的扇出型封装结构进行详细的描述。
根据本实用新型的实施例,参考图1,该扇出型封装结构包括:重新布线层100、第一器件200、第二器件300、塑封层400以及凸点金属化层500。其中,第一器件200固定于重新布线层100的一侧,且与重新布线层100电相连;第二器件300为电池单元;塑封层 400形成在第一器件200远离重新布线层100的一侧;而凸点金属化层500形成在重新布线层100远离塑封层400的一侧,且与重新布线层100电相连。
根据本实用新型的实施例,第一器件200的具体种类不受特别的限制,本领域内常用的能与电池单元300集成的单元结构均可,本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,第一器件200可以包括选自芯片等有源电子元器件、电容、电阻等被动电子元器件、摄像头(Camera)、基带处理(BasebandProcess, BP)单元、应用处理器(Application Processor,AP)和麦克风的至少一种。如此,将上述有源电子器件、被动型电子元器件、功能型电子元器件等的第一器件200与电池单元300 集成的封装结构,能实现多功能化。
根据本实用新型的实施例,第二器件300的具体设置方式不受特别的限制,只要设置在该位置的第二器件300能与重新布线层100电相连即可,本领域技术人员可根据封装结构的具体使用要求进行设计。
在本实用新型的一些实施例中,参考图1,第二器件300可以固定于重新布线层100,且与第一器件200形成在重新布线层100的同侧,还与重新布线层100是电相连的。如此,可将第一器件200与电池单元300直接集成化形成封装结构,再通过扇出成型工艺对重新布线层100进行垂直几何的布线设计,从而可获得高集成度的封装结构。在一些具体示例中,参考图2,该扇出型封装结构还可包括多个第一器件200和多个第二器件300,其中,多个第二器件300是设置在多个第一器件200的周边区域,且多个第二器件300之间采用串联连接关系。如此设计,可充分利用电子元器件(主要由第一器件组成)的周边位置,从而利用有效的使用空间,进而实现封装结构的体积更小、密度更高、集成度更高的设计效果,更满足移动设备轻薄化的市场需求。需要说明的是,本文中的“多个”是指两个或两个以上。
在本实用新型的另一些实施例中,参考图3,第二器件300可以固定于塑封层400远离第一器件200的一侧;而塑封层400可以进一步包括过孔,该过孔形成在第二器件300 靠近凸点金属化层500的一侧,且贯穿塑封层400和重新布线层100;且该扇出型封装结构可以进一步包括金属化层600,该金属化层600设置在过孔内,且分别与第二器件300、凸点金属化层500电相连。如此设计,不仅能使获得将第一器件200与电池单元300直接集成化的高集成度的封装结构,还可增加电池单元的面积,从而进一步提升该封装结构组成的终端产品的续航能力。
根据本实用新型的实施例,重新布线层100的具体结构不受特别的限制,只要该结构的重新布线层100能实现第一器件200、第二器件300与凸点金属化层500的电连接即可,本领域技术人员可根据该封装结构的实际使用要求进行设计。在本实用新型的一些实施例中,重新布线层100可以包括介质亚层110和金属布线亚层120,并可设计出多层电路系统,如此,可实现第一器件200、第二器件300与凸点金属化层500在垂直几何方向上的电连接。
在本实用新型的一些具体示例中,参考图4,重新布线层100(图中未标出)可包括垂直几何设计的金属布线亚层120和填充其间的介质亚层110。如此,不同区域的金属布线亚层120,可将第一器件200、第二器件300分别与凸点金属化层500在垂直几何方向上实现电连接,从而设计出更高集成度的扇出型封装结构。
在本实用新型的另一些具体示例中,参考图5,重新布线层100(图中未标出)可包括垂直几何设计的金属布线亚层120和填充其间的介质亚层110。如此,在电子元器件区域中多个第一器件200分别与凸点金属化层500在垂直几何方向上电连接,而在周边区域中多个第二器件300分别与凸点金属化层500电连接从而形成串联连接关系,从而实现封装结构的体积更小、密度更高、集成度更高的设计效果,更能满足移动设备轻薄化的市场需求。
在本实用新型的又一些具体示例中,参考图6,重新布线层100(图中未标出)可包括垂直几何设计的金属布线亚层120和填充其间的介质亚层110。如此,可实现多个第一器件200与凸点金属化层500在垂直几何方向上的电连接,而第二器件300与凸点金属化层500通过金属层600实现在垂直几何方向上的电连接,进而增加电池单元的面积,从而进一步提升该封装结构组成的终端产品的续航能力。
根据本实用新型的实施例,重新布线层100的具体材料不受特别的限制,只要该材料组成的重新布线层100能有效地将第一器件200、第二器件300分别与凸点金属化层500在垂直几何方向上的电连接即可,本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。
在本实用新型的一些实施例中,重新布线层100中,金属布线亚层120可以是由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的。其中,导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种;而纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。如此,采用上述材料组成的重新布线层100的柔韧性更好,从而可实现柔性终端设备的设计。
在本实用新型的一些实施例中,重新布线层100中,介质亚层110的具体材料不受特别的限制,只要该材料组成的介质亚层110能有效地填充在金属布线亚层120之间起到绝缘作用即可,本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。在本实用新型的一些实施例中,介质亚层110可以由树脂材料形成。如此,采用树脂材料的介质亚层110不仅能更好地起到填充和绝缘的效果,还可进一步具有柔韧性,从而实现柔性终端设备的设计。
根据本实用新型的实施例,凸点金属化层600的具体材料不受特别的限制,只要该材料组成的凸点金属化层600能具有导电功能即可,本领域技术人员可根据与该封装结构电连接的其他结构进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,凸点金属化层600可以是由树脂材料形成。如此,采用导电树脂材料形成的凸点金属化层600,具有重新布局输出输入端口的导电功能的同时,还可进一步具有柔韧性,从而实现柔性终端设备的设计。
根据本实用新型的实施例,电池单元300的具体材料不受特别的限制,只要该材料组成的电池单元300具有供电功能即可,本领域技术人员可根据该封装结构组成的终端设备的具体类型进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,电池单元300可以是柔性单元。如此,采用柔性材料组成的电池单元300,具有良好的柔韧性,从而实现柔性终端设备的设计。
根据本实用新型的实施例,塑封层400的具体材料不受特别的限制,只要该材料组成的塑封层400能有效地封装第一器件200并起保护作用即可,本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择。在本实用新型的一些实施例中,塑封层400可以由树脂材料形成,该树脂材料可包括选自环氧树脂和酚醛树脂的至少一种。如此,采用上述种类的树脂材料的塑封层400,不仅能更有效地起到封装和保护作用,还可进一步具有柔韧性,从而实现柔性终端设备的设计。在本实用新型的另一些实施例中,塑封层400还可以由电磁屏蔽(EMC)材料形成,如此,采用EMC材料的塑封层400不仅能更有效地起到封装和保护作用,还可进一步具有电磁屏蔽效果,从而能使终端设备具有抗电磁干扰的性能。
综上所述,根据本实用新型的实施例,本实用新型提出了一种扇出型封装结构,通过扇出成型的垂直几何打造出的含有多层电路系统的重新布线层,将电池单元和其他单元集成化,不仅起到对元器件的输入输出口进行重新设计的作用,且进一步替代传统技术的圆晶或印刷电路板的基板作用,并显著地压缩了体积空间,从而实现了体积小、密度高、高集成度的电池封装结构,进而满足移动设备轻薄化的市场需求。
在本实用新型的另一个方面,参照图7~14,本实用新型提出了一种制作上述的扇出型封装结构的方法,可作为对本实用新型的扇出型封装结构的进行进一步说明。根据本实用新型的实施例,参考图7,该制作方法包括:
S100:在载体基板上形成剥离层。
在该步骤中,参考图10,提供洁净的载体基板700,并在载体基板700的一侧形成剥离层800,用于作为衬底结构承载后续的层结构(包括重新布线层、第一器件、第二器件和塑封层),且形成好后续的层结构后通过剥离层800能够剥离。
根据本实用新型的实施例,载体基板700的具体材料不受特别的限制,本领域内电池外封装常用的衬底材料即可,只要该材料组成的载体基板700能承载后续的层结构即可,本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择,在此不再赘述。
根据本实用新型的实施例,提供洁净的载体基板700的具体方法不受特别的限制,具体例如清洗载体基板700的表面等,只要该载体基板700的一侧可形成剥离层800即可,本领域技术人员可根据载体基板700的具体种类和结构进行选择,在此不再赘述。
根据本实用新型的实施例,剥离层800的具体材料不受特别的限制,本领域内常用的剥离材料均可,只要该材料组成的剥离层800具有可剥离性即可,本领域技术人员可根据该封装结构的表面性能进行选择,在此不再赘述。
根据本实用新型的实施例,在载体基板700的一侧形成剥离层800的具体方法不受特别的限制,具体例如胶粘贴附、静电吸附或固化成型等方法,只要能在上述材料的载体基板700表面形成平整的剥离层800即可,本领域技术人员可根据载体基板700的具体种类和重新布线层100的表面性能进行选择,在此不再赘述。
S200:在剥离层远离载体基板的一侧通过扇出工艺形成重新布线层。
在该步骤中,参考图10,在剥离层800远离载体基板700的一侧,通过扇出成型工艺形成重新布线层100(图中未标出)。其中,重新布线层100中的金属布线亚层120可预先根据该封装结构的第一器件200和第二器件300的位置设计进行多层电路系统的垂直几何设计。如此,将预先设计好的金属布线亚层120和介质亚层110形成到剥离层800远离载体基板700的一侧,从而可直接与后续的第一器件200和第二器件300电相连。
根据本实用新型的实施例,形成重新布线层100的具体方法不受特别的限制,具体例如预先制备成型后再贴附到剥离层800远离载体基板700的一侧,或者在剥离层800远离载体基板700的一侧逐分层地形成金属布线亚层120和介质亚层110,等等,本领域技术人员可根据实际的制造情况进行选择,在此不再赘述。
S300:在重新布线层远离载体基板的一侧固定第一器件,且该第一器件与重新布线层电连接。
在该步骤中,参考图11.a,在重新布线层100(图中未标出)远离载体基板700的一侧的特定位置,将第一器件200与重新布线层110固定并实现电连接。如此,可通过垂直几何的电路设计对第一器件200的输入输出口进行重新设计。
根据本实用新型的实施例,第一器件200的具体种类不受特别的限制,本领域内常用的能与电池单元300集成的单元结构均可,本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,第一器件200可以包括选自芯片等有源电子原器件、电阻、电容等被动电子元器件、摄像头(Camera)、BP、AP和麦克风的至少一种。如此,将上述类型的第一器件200与电池单元300集成的封装结构,能实现多功能化。
根据本实用新型的实施例,第一器件200的具体个数也不限,本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,参考图11.b和图 11.c,在重新布线层100远离载体基板700的一侧形成多个第一器件200,且多个第一器件 200分别独立地与重新布线层100电连接。如此,将多个第一器件200与电池单元300集成,可实现该封装结构更多的功能化,且集成度更高。
根据本实用新型的实施例,参考图8,该制作方法可进一步包括:
S610:在重新布线层固定有第一器件的同侧,固定第二器件,且该第二器件与重新布线层电相连。
在该步骤中,参考图12.a,在重新布线层100(图中未标出)固定有第一器件200的同侧,进一步固定上第二器件300,从而实现第二器件300与重新布线层100的电连接。如此,可通过垂直几何的电路设计对第二器件300的输入输出口进行重新布局。
根据本实用新型的实施例,第二器件300的具体个数也不限,本领域技术人员可根据该封装结构的使用要求进行选择和设计。在本实用新型的一些实施例中,参考图12.b,在多个第一器件200的周边区域可以固定上多个第二器件300,且多个第二器件300之间采用串联连接关系。如此,将多个第一器件200与多个电池单元300集成,可实现该封装结构更多的功能化,并且充分利用电子元器件(主要由第一器件组成)的周边位置,从而利用有效的使用空间,进而实现封装结构的集成度更高,更满足移动设备轻薄化的市场需求。
S400:在第一器件远离载体基板的一侧形成塑封层。
在该步骤中,参考图13,在第一器件200远离载体基板700的一侧形成塑封层400。如此,塑封层400可对第一器件200起到固定和保护的作用。
在本实用新型的一些实施例中,参考图13.a,塑封层400覆盖了第一器件200和第二器件300,如此,塑封层400可对第一器件200和第二器件300起到封装固定和保护的作用。在本实用新型的另一些实施例中,参考图13.b,塑封层400覆盖了多个第一器件200 和第二器件300,如此,塑封层400可对多个第一器件200和第二器件300起到封装固定和保护的作用。
在本实用新型的又一些实施例中,参考图13.c,塑封层400覆盖了多个第一器件200,如此,塑封层400可对多个第一器件200起到封装固定和保护的作用。
根据本实用新型的实施例,参考图9,该制作方法可进一步包括:
S620:在塑封层远离第一器件的一侧固定第二器件。
在该步骤中,参考图14,在本实用新型的一些实施例中,在塑封层400远离第一器件 200的一侧可以进一步固定上第二器件300。其中,还可先在塑封层400和重新布线层100中形成过孔,且在过孔中进一步形成有金属层600,该金属层600用于实现第二器件300 和凸点金属化层500的电连接,然后再在塑封层400远离第一器件200的一侧可以固定上第二器件300。
根据本实用新型的实施例,形成过孔的具体方法不受特别的限制,只要该方法形成的过孔能填充金属层即可,本领域技术人员可根据塑封层400和重新布线层100的具体材料进行选择,在此不再赘述。
根据本实用新型的实施例,金属层600的具体材料不受特别的限制,只要该材料形成的金属层600能有效地将第二器件300和凸点金属化层500的电连接即可,本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择,在此不再赘述。
根据本实用新型的实施例,形成金属层600的具体方法也不受特别的限制,只要该方法形成的金属层600有效地将第二器件300和凸点金属化层500的电连接即可,本领域技术人员可根据该封装结构的具体使用要求进行选择,在此不再赘述。
S500:剥离剥离层及载体基板,并在重新布线层远离塑封层的一侧形成凸点金属化层,且该凸点金属化层与重新布线层电相连。
在该步骤中,将剥离层800和载体基板700从重新布线层100的下表面剥离后,再根据重新布线层100的下表面设计的输出输入线端的位置形成凸点金属化层500,该步骤获得的最终产品的结构示意图请参考图4~6。如此,可对该封装结构的第一器件200和第二器件300的输入输出端口进行重新分布。
根据本实用新型的实施例,形成凸点金属化层500的具体方法不受特别的限制,本领域技术人员可根据凸点金属化层500的具体树脂材料的种类进行选择,在此不再赘述。
综上所述,根据本实用新型的实施例,本实用新型提出了一种制作方法,通过扇出成型工艺可制造出高集成度的电池封装结构,并且取消了PCB板(印刷电路板),且省去了SMT(表面组装技术)工艺。本领域技术人员能够理解的是,前面针对扇出型封装结构所描述的特征和优点,仍适用于该制作折射层封装结构的方法,在此不再赘述。
在本实用新型的另一个方面,本实用新型提出了一种终端设备。
根据本实用新型的实施例,该终端设备包括上述的扇出型封装结构。
综上所述,根据本实用新型的实施例,本实用新型提出了一种终端设备,其扇出型封装结构高度集成了电池和其他单元,从而使终端设备的体积更小、密度更高,进而满足了市场对该移动设备轻薄化的需求。本领域技术人员能够理解的是,前面针对扇出型封装结构所描述的特征和优点,仍适用于该终端设备,在此不再赘述。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本实用新型的限制,本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (7)

1.一种扇出型封装结构,其特征在于,包括:
重新布线层;
第一器件,所述第一器件固定于所述重新布线层的一侧,且与所述重新布线层电相连;
塑封层,所述塑封层形成在所述第一器件远离所述重新布线层的一侧;
第二器件,所述第二器件为电池单元;以及
凸点金属化层,所述凸点金属化层形成在所述重新布线层远离所述塑封层的一侧,且与所述重新布线层电相连。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第一器件包括选自芯片、电阻、电容、摄像头、基带处理单元、应用处理器和麦克风的至少一种。
3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述第二器件固定于所述重新布线层,且与所述重新布线层电相连。
4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构,其特征在于,包括多个所述第一器件和多个所述第二器件,多个所述第二器件设置在所述多个第一器件的周边区域,且所述多个第二器件采用串联连接关系。
5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构,其特征在于,
所述第二器件固定于所述塑封层远离所述第一器件的一侧;
所述塑封层进一步包括过孔,所述过孔形成在所述第二器件靠近所述凸点金属化层的一侧,且贯穿所述塑封层和所述重新布线层;
所述扇出型封装结构进一步包括金属层,所述金属层设置在所述过孔内,且分别与所述第二器件、所述凸点金属化层电相连。
6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构,其特征在于,所述重新布线层由选自导电聚合物和纳米导电材料的至少之一形成的;
其中,所述导电聚合物包括选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙炔、聚双炔中的至少一种;
所述纳米导电材料包括选自纳米银、石墨烯、磷烯、纳米金球中的至少一种。
7.一种终端设备,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的扇出型封装结构。
CN201720525826.9U 2017-05-11 2017-05-11 扇出型封装结构、终端设备 Expired - Fee Related CN207021264U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720525826.9U CN207021264U (zh) 2017-05-11 2017-05-11 扇出型封装结构、终端设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720525826.9U CN207021264U (zh) 2017-05-11 2017-05-11 扇出型封装结构、终端设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207021264U true CN207021264U (zh) 2018-02-16

Family

ID=61476496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720525826.9U Expired - Fee Related CN207021264U (zh) 2017-05-11 2017-05-11 扇出型封装结构、终端设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207021264U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI307534B (en) Package structure, fabrication method thereof and method of electrically connecting a plurality of semiconductor chips in a vertical stack
US7327006B2 (en) Semiconductor package
CN208722864U (zh) 多层芯片基板及多功能芯片晶圆
JP2011176279A5 (zh)
CN108155178A (zh) 集成扇出型封装
CN107667427A (zh) 用于将器件嵌入面朝上的工件中的系统、装置和方法
CN106992170A (zh) 具有嵌入式电子装置的多个平面的封装装置
TW200805590A (en) Semiconductor package and fabrication method thereof
JP2012054264A5 (zh)
CN102768959A (zh) 具有绕线电路引线阵列的集成电路封装系统及其制造方法
CN104299919B (zh) 无芯层封装结构及其制造方法
CN105762131A (zh) 封装结构及其制法
CN209419992U (zh) 电路板及其电子装置
CN207021264U (zh) 扇出型封装结构、终端设备
CN103889165B (zh) 具有内埋元件的电路板及其制作方法
JP2021044530A (ja) 埋め込み部品のパッケージ構造及びその製造方法
CN201994278U (zh) 具电感的芯片封装用积层式基板
CN104795388B (zh) 智能功率模块及其制造方法
US8624390B2 (en) Packaging an electronic device
CN206650056U (zh) 双面载放零件的电子芯片模块
CN107180766A (zh) 扇出型封装结构及其制作方法、终端设备
CN102944709A (zh) 多芯片系统级封装技术实现的电表模块结构及其封装方法
CN203871315U (zh) 电子设备
CN100446230C (zh) 半导体封装结构及其制法
CN104576566B (zh) 模块集成电路封装结构及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180216

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee