CN206931093U - 光学图像识别芯片及终端设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种光学图像识别芯片及终端设备，芯片包括：基底、电路功能区和光线采集功能区；其中，基底包括绝缘层、生长在绝缘层的第一表面的第一半导体层、生长在绝缘层的第二表面的第二半导体层；光线采集功能区形成于第一半导体层上；电路功能区形成于第二半导体层内；光线采集功能区，用于通过光采集通路将光信号传输至电路功能区；所述电路功能区，用于根据光信号进行图像识别。本实用新型实现了进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，能够避免贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。

Description

光学图像识别芯片及终端设备

技术领域

本实用新型涉及芯片技术领域，尤其涉及一种光学图像识别芯片及终端设备。

背景技术

在现有终端设备中，时常使用光学图像识别芯片来完成指纹识别等功能。光学图像识别芯片主要包括两部分：用于进行图像识别的电路功能区和用于将光传输至电路功能区的光线采集功能区。具体的，光线通过光线采集功能区进入到电路功能区中进行图像识别。

图1为现有的一种光学图像识别芯片的结构示意图，如图1所示，该芯片主要包括：图像识别器件101、光采集通路盖板103和粘贴层106。其中，光采集通路盖板103通过粘贴层106贴合在图像识别器件101的表面上，图像识别器件101包括衬底，衬底中制备有电路功能区，该电路功能区包括识别电路(图中未示出)和光感应区105；焊盘102嵌设于衬底表面，粘贴层106和光采集通路盖板103不覆盖焊盘102。光采集通路盖板103内部制作有光线采集功能区，光线采集功能区包括通孔104，通孔104负责把光传输进入到器件101内部的光感应区105。这种芯片在具体制备时，先分别单独制备图像识别器件101和光采集通路盖板103，然后将整个光采集通路盖板103通过粘贴层106贴合在器件101表面上。在使用时，光通过光采集通路盖板103中的通孔104传输到图像识别器件101内部的光感应区105，光感应区105将感应到的光信号传输给识别电路进行图像识别。

现有的光学图像识别芯片，其光采集通路盖板103与器件101之间的贴合位置经常发生误差，且粘结层106的材料也时常发生变形，这无可避免地会对芯片的可靠性产生影响，并且制备的工艺也比较繁琐。

实用新型内容

本实用新型提供一种光学图像识别芯片及终端设备，用于解决现有的光学图像识别芯片因贴合导致的可靠性不高、工艺繁琐的问题。

本实用新型的第一个方面是提供一种光学图像识别芯片，包括：基底、电路功能区和光线采集功能区；其中，所述基底，包括绝缘层，生长在所述绝缘层的第一表面的第一半导体层、生长在所述绝缘层的第二表面的第二半导体层；所述光线采集功能区形成于所述第一半导体层上；所述电路功能区形成于所述第二半导体层内；所述光线采集功能区，用于通过光采集通路将光信号传输至所述电路功能区；所述电路功能区，用于根据光信号进行图像识别。

本实用新型的另一个方面是提供一种终端设备，包括：电源以及如前所述的光学图像识别芯片；所述光学图像识别芯片的电路功能区与所述电源电连接。

本实用新型提供的光学图像识别芯片及终端设备中，芯片的基底包括绝缘层以及分别生长在绝缘层两面的第一半导体层和第二半导体层，光线采集功能区与电路功能区分别集成在第一半导体层和第二半导体层，相较于现有方案中将光线采集功能区与电路功能区分别单独制作成独立部件，再将其贴合在一起来说，本方案能够进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，光采集通路集成在基底上，能够避免由于贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种光学图像识别芯片的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的光学图像识别芯片的结构示意图；

图3A～图3F为本实用新型实施例二提供的光学图像识别芯片制作方法的流程示意图；

图4A～图4I为实施例二执行过程中光学图像识别芯片的剖面示意图。

附图标记：

1-基底；2-电路功能区；3-光线采集功能区；

4-非透光层；5-透光保护层；11-绝缘层；

12-第一半导体层；13-第二半导体层；21-光感应区；

22-焊盘；31-光采集通路；32-盲孔。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

为了方便说明，放大或者缩小了不同层和区域的尺寸，所以图中所示大小和比例并不一定代表实际尺寸，也不反映尺寸的比例关系。

图2为本实用新型实施例一提供的光学图像识别芯片的结构示意图，如图2所示，该芯片包括：基底1、电路功能区2和光线采集功能区3；其中，

基底1，包括绝缘层11，生长在绝缘层11的第一表面的第一半导体层12、生长在绝缘层11的第二表面的第二半导体层13；光线采集功能区3形成于第一半导体层12上；电路功能区2形成于第二半导体层13内；

光线采集功能区3，用于通过光采集通路31将光信号传输至电路功能区2；电路功能区2，用于根据光信号进行图像识别。

其中，第一半导体层12和第二半导体层13可以为半导体元素，例如单晶硅、多晶硅或非晶结构的硅或硅锗(SiGe)，也可以为混合的半导体结构，例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓、合金半导体或其组合。可选的，本实施例中的第一半导体层12和第二半导体层13可以为单晶硅，绝缘层11可以为二氧化硅层。

其中，绝缘层的第一表面指绝缘层的任一面，相应的，绝缘层的第二表面指绝缘层的另一面。具体的，基底1采用SOI结构，即中间层为绝缘层，绝缘层的两面生长有半导体层。具体如图2所示，基底1包括：绝缘层11，分别生长在绝缘层11的两面的第一半导体层12和第二半导体层13。

实际应用中，SOI结构的制造方法有多种，本实施例不再进行详细阐述。具体的，对于基底1来说，第一半导体层12和第二半导体层13分别生长在绝缘层11的两面，也就是说，本方案是在基底1的两面内分别集成电路功能区2与光线采集功能区3，无需对电路功能区2与光线采集功能区3进行贴合。基于本实施例的光学图像识别芯片，通过光采集通路31的光穿过绝缘层11进入到第二半导体层13内部的电路功能区2，从而进行图像识别。

其中，电路功能区2中的集成电路晶体管位于第二半导体层13内。实际应用中，在第二半导体层13中进行集成电路晶体管制作可以采用目前的集成电路制作工艺实现。基于集成电路制作工艺，可以在第二半导体层13中制作电路功能区2的相关晶体管和线路。

具体的，电路功能区2的电路原理可以参照现有的光学图像识别器件，例如，电路功能区2包括：识别电路(图中未示出)和与所述识别电路电连接的光感应区21。其中，光感应区21，用于对光采集通路31上传输的光信号进行光感应处理，并将感应到的光信号传输至识别电路；所述识别电路，用于根据接收到的光信号进行图像识别。

实际应用中，光信号通过光采集通路31传至光感应区21，光感应区21将感应到的光信号传输至识别电路，识别电路根据接收到的光信号进行图像识别。另外，为了使足够的光通过光采集通路31抵达光感应区21，光感应区21与光采集通路31可以对应设置。实际应用中，为了提高图像识别的精度，光采集通路31和光感应区21的数量均可以为多个，且所述多个光感应区与所述多个光采集通路一一对应。

可选的，为了进一步提高光采集通路31中的光通量，光感应区21与光采集通路31的尺寸可以相同，具体的，光感应区21沿与绝缘层11平行方向的长度与光采集通路31沿与绝缘层11平行方向的宽度相同。也就是说，在垂直于绝缘层所在平面的方向上观察所述光学图像识别芯片时，光感应区21与光采集通路31是重合的。

实际应用中，还可以在第二半导体层13的表面嵌设焊盘22，焊盘22露出第二半导体层13的表面，焊盘22与电路功能区2电连接。相应的，在前述任一实施方式的基础上，第二半导体层13的表面嵌设有焊盘22，焊盘22与电路功能区2电连接。通过设置焊盘22可以直接便捷地实现光学图像识别芯片与外部电路，例如其它芯片或者元件，之间的电连接。

进一步的，光采集通路31的结构可以有多种，只要使得光通过光采集通路31能够抵达电路功能区2。可选的，在前述任一实施方式的基础上，光线采集功能区3，可以包括：

形成于第一半导体层12上的至少一个盲孔32；

盲孔32垂直于绝缘层11开设并贯穿第一半导体层12；

每个盲孔32对应一个光采集通路31。

具体的，通过盲孔32的光穿过绝缘层11进入到第二半导体层13内部的电路功能区2，从而进行图像识别。盲孔32的数量可以根据图像识别的精度确定，在此不对其进行限制。为了提高光的均匀性，盲孔32的数量可以为多个，进一步可选的，多个盲孔32可以均匀分布且尺寸相同。这里所说的盲孔的尺寸包括盲孔的孔径和深度。可选的，为了提高盲孔32中的光通量，盲孔32与光感应区21对应设置，以使光信号通过盲孔32传至光感应区21；相应的，光感应区21，用于将感应到的光信号传输至识别电路；所述识别电路，用于根据接收到的光信号进行图像识别。

此外，能够进入盲孔的光通量受盲孔尺寸的影响。举例来说，数值孔径计算方式如下：NA(数值孔径)＝n(介质折射率)×sinα(孔径角的一半)，通过该公式可以评估进入盲孔中的光通量的大小。其中，数值孔径NA可以反映盲孔中的光通量，数值孔径越大能够进入盲孔中的光通量越大，n为盲孔中介质的折射率，α为盲孔的孔径角的一半。其中，孔径角在可以反映盲孔的尺寸。基于上述原理，为了进一步有效提高盲孔中的光通量，优选的，本实施例中，盲孔的孔径与深度的比例为1:10，举例来说，假设盲孔的孔径为20微米(μm)，则盲孔的深度则为200μm。由于盲孔贯穿第一半导体层，因此第一半导体层12的厚度即可视为盲孔的深度，同时考虑芯片的尺寸大小，可选的，第一半导体层12的厚度为200μm～300μm。

实际应用中，按照集成电路芯片标准制造工艺制造完成电路功能区2后，可以对基底1的第一半导体层12进行减薄。一般来说，第一半导体层12的厚度为大约700um，通过减薄处理，例如，研磨处理，将第一半导体层12的厚度可以减薄至200μm～300μm。相应的，后续基于第一半导体层12制备的盲孔的深度为200μm～300μm。

本实施方式，综合考虑了芯片的尺寸和能够有效进入光采集通路的光通量，利用小孔径的光采集通路进行光信号采集，通过限定盲孔的孔径与深度之间的比例关系，利用小数值孔径的光采集通路在有效控制芯片尺寸的基础上，使得光最大化地通过盲孔进入芯片内部，该小数值孔径光学图像识别芯片的性能更佳，识别度更高。

此外，为了避免光采集通路以外的光信号抵达至电路识别区，影响图像识别的效果，在前述任一实施方式的基础上，如图2所示，该光学图像识别芯片还可以包括：非透光层4；非透光层4覆盖于第一半导体层12上除光采集通路31以外的表面上。

实际应用中，制作完电路功能区2后，可以在第一半导体层12的表面制备非透光层4，可选的，该非透光层4可以为金属层或者其他深色的有机涂层。形成非透光层4后，通过进行光刻、蚀刻等工艺，在非透光层4上形成局部窗口，沿着窗口对第一半导体层12进行深蚀刻直至绝缘层11，形成深井，即光采集通路31。其中，光采集通路31和第二半导体层13内部的光感应区21是对应的。

可选的，为了有效保护光学图像识别芯片的结构，提高芯片可靠性，在前述任一实施方式的基础上，该芯片还可以包括：透光保护层5；

透光保护层5覆盖非透光层4和第一半导体层12的表面。实际应用中，在制备完成电路功能区2和光线采集功能区3后，可以在非透光层4和第一半导体层12的表面贴合一层透光保护层，例如，全透明干膜，全透明干膜固化后形成保护层，相应的，光采集通路31成为封闭的腔体。实际应用中，覆盖透光保护层5后的光采集通路31形成腔体，该腔体内可以填充空气，或者该腔体还可以为真空腔体，以进一步提高通路中的光通量。

本实施例提供的光学图像识别芯片，基底包括绝缘层以及分别生长在绝缘层两面的第一半导体层和第二半导体层，光线采集功能区与电路功能区分别集成在第一半导体层和第二半导体层，相较于现有方案中将光线采集功能区与电路功能区分别单独制作成独立部件，再将其贴合在一起来说，本方案能够进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，光采集通路集成在基底上，能够避免由于贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。

图3A为本实用新型实施例二提供的一种光学图像识别芯片制作方法的流程示意图，为了对本实施例中的方法进行清楚系统的描述，图4A-图4I为实施例二执行过程中光学图像识别芯片的剖面示意图，如图3A所示，该方法包括：

301、在基底的第一半导体层上形成光线采集功能区；并且，

302、在所述基底的第二半导体层内形成电路功能区。

其中，所述基底，包括绝缘层，生长在所述绝缘层的第一表面的所述第一半导体层、生长在所述绝缘层的第二表面的所述第二半导体层；所述光线采集功能区，用于通过光采集通路将光信号传输至所述电路功能区；所述电路功能区，用于根据光信号进行图像识别。

第一半导体层和第二半导体层可以为半导体元素，例如单晶硅、多晶硅或非晶结构的硅或硅锗(SiGe)，也可以为混合的半导体结构，例如碳化硅、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓或锑化镓、合金半导体或其组合。可选的，本实施例中的第一半导体层和第二半导体层可以为单晶硅，绝缘层可以为二氧化硅层。

具体地，执行301之后的所述芯片的剖面示意图如图4A所示，其中，所述绝缘层用标号11表示，所述第一半导体层用标号12表示，所述第二半导体层用标号13表示，所述光线采集功能区用标号3表示，所述光采集通路用标号31表示。执行302之后的所述芯片的剖面示意图如图4B所示。其中，所述电路功能区用标号2表示。

需要说明的是，图中所示实施方式只是一种举例的实施方式，其并未对301和302执行的先后顺序进行限定。实际应用中，301和302的执行顺序可以任意设定，例如，可以先执行301形成光线采集功能区，再执行302形成电路功能区；或者，也可以先执行302形成电路功能区，再执行301形成光线采集功能区。

本实施例中，基底1采用SOI结构，即中间层为绝缘层，绝缘层的两面生长有半导体层。实际应用中，基底的制造方法有多种，本实施例不再进行详细阐述。

本实施例中，基底1包括生长在绝缘层21两面的第一半导体层12和第二半导体层13，通过在基底1的两面分别集成电路功能区2与光线采集功能区3，无需对电路功能区2与光线采集功能区3进行贴合。

其中，在第二半导体层13中制备电路功能区2可以采用目前的集成电路制作工艺实现。具体的，如图3B所示，在图3A所示实施方式的基础上，302具体可以包括：

303、在所述基底的第二半导体层内形成识别电路和与所述识别电路电连接的光感应区。

具体地，执行303之后的所述芯片的剖面示意图如图4C所示，其中，所述光感应区用标号21表示。所述光感应区与光采集通路对应设置；所述光感应区，用于对光采集通路上传输的光信号进行光感应处理，并将感应到的光信号传输至识别电路；所述识别电路，用于根据接收到的光信号进行图像识别。

可选的，为了进一步提高光采集通路中的光通量，光感应区沿与绝缘层平行方向的长度与光采集通路沿与绝缘层平行方向的宽度相同。实际应用中，为了提高图像识别的精度，光采集通路和光感应区的数量均可以为多个，且所述多个光感应区与所述多个光采集通路一一对应。

实际应用中，还可以在第二半导体层的表面嵌设与电路功能区电连接的焊盘。相应的，如图3C所示，在前述任一实施方式的基础上，所述方法还可以包括：

304、对所述第二半导体层的表面进行刻蚀，形成凹槽；

305、在所述凹槽内嵌入焊盘，所述焊盘与所述电路功能区电连接。

具体地，执行304之后的所述芯片的剖面示意图如图4D所示。执行305之后的所述芯片的剖面示意图如图4E所示。其中，所述焊盘用标号22表示。

通过设置焊盘可以直接便捷地实现光学图像识别芯片与外部电路，例如其它芯片或者元件，之间的电连接。

进一步的，光采集通路31的结构可以有多种，只要使得光通过光采集通路31能够抵达电路功能区2。可选的，如图3D所示，在前述任一实施方式的基础上，301具体可以包括：

306、对所述第一半导体层进行刻蚀，形成至少一个盲孔。

其中，所述盲孔垂直于所述绝缘层开设并贯穿所述第一半导体层；每个盲孔对应一个光采集通路。

具体地，执行306之后的所述芯片的剖面示意图如图4F所示，其中，所述盲孔用标号32表示。具体的，通过盲孔的光穿过绝缘层进入到第二半导体层内部的电路功能区，从而进行图像识别。

实际工艺中，制备盲孔的方法有多种，本实施例在此不对其进行限制。举例来说，301具体可以包括：在第一半导体层上制备光刻胶；利用预设图案的掩膜对光刻胶的相应区域进行光刻，形成窗口；对窗口对应的第一半导体层进行刻蚀，形成所述盲孔；去除剩余的光刻胶。

其中，盲孔的数量可以根据图像识别的精度确定，在此不对其进行限制。可选的，多个盲孔可以均匀分布且尺寸相同。

为了进一步有效提高盲孔中的光通量，优选的，盲孔的孔径与深度的比例为1:10。同时考虑芯片的尺寸大小，可选的，第一半导体层的厚度为200μm～300μm。

本实施方式，综合考虑了芯片的尺寸和能够有效进入光采集通路的光通量，利用小孔径的光采集通路进行光信号采集，通过限定盲孔的孔径与深度之间的比例关系，利用小数值孔径的光采集通路在有效控制芯片尺寸的基础上，使得光最大化地通过盲孔进入芯片内部，该小数值孔径光学图像识别芯片的性能更佳，识别度更高。

此外，还可以在光采集通路以外的第一半导体层的表面上制备非透光层，以避免光采集通路以外的光信号抵达至电路识别区，影响图像识别的效果，作为一种可实施的方式，在前述任一实施方式的基础上，在301之后，还可以包括：

在所述光采集通路的底部和所述第一半导体层的表面上形成非透光层；

刻蚀所述光采集通路的底部的非透光层，直至暴露所述绝缘层的表面，保留所述第一半导体层的表面上的非透光层。

本实施方式能够在第一半导体层上除光采集通路以外的表面上覆盖非透光层，从而防止光采集通路以外的光信号抵达至电路识别区，影响图像采集和识别的效果。

可选的，作为另一种可实施的方式，如图3E所示，在前述任一实施方式的基础上，在301之前，还包括：

307、在所述第一半导体层的表面上形成非透光层；

308、去除部分区域的所述非透光层，直至暴露所述第一半导体层的表面，形成窗口；

相应的，301具体可以包括：

309、沿第一半导体层的深度方向，对所述窗口对应区域的第一半导体层进行刻蚀，直至暴露所述绝缘层的表面。

具体地，执行307之后的所述芯片的剖面示意图如图4G所示，其中，所述非透光层用标号4表示。执行308之后的所述芯片的剖面示意图如图4H所示。执行309之后的所述芯片的剖面示意图如图4I所示。

本实施方式，在制备光采集通路的工艺流程中，先在第一半导体层上制备非透光层，将该非透光层作为光刻层进行光刻，形成窗口，进而对窗口对应的第一半导体层进行刻蚀，形成光采集通路，通过本实施方式能够在制备光采集通路的同时形成非透光层，从而简化工艺。

可选的，为了保护光学图像识别芯片的结构，提高芯片可靠性，在前述实施方式的基础上，还可以在非透光层和第一半导体层的表面覆盖透光保护层。相应的，如图3F所示，在前述实施方式的基础上，所述方法还包括：

310、在非透光层和第一半导体层的表面上覆盖透光保护层。

具体地，执行310之后的所述芯片的剖面示意图如图2所示，其中，所述透光保护层用标号5表示。需要说明的是，图中所示实施方式只是一种举例的实施方式，其并未对310和302执行的先后顺序进行限定。实际应用中，覆盖透光保护层后的光采集通路形成腔体，该腔体内可以填充空气，或者该腔体还可以为真空腔体，以进一步提高通路中的光通量。

本实施例提供的光学图像识别芯片制备方法，基底包括绝缘层以及分别生长在绝缘层两面的第一半导体层和第二半导体层，光线采集功能区与电路功能区分别集成在第一半导体层和第二半导体层，相较于现有方案中将光线采集功能区与电路功能区分别单独制作成独立部件，再将其贴合在一起来说，本方案能够进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，光采集通路集成在基底上，能够避免由于贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。

本实用新型实施例三提供一种终端设备，该终端设备包括：电源以及如实施例一所述的光学图像识别芯片；

所述光学图像识别芯片的电路功能区与所述电源电连接。

实际应用中，所述终端设备可以为手机、平板电脑等电子设备，该电子设备可以支持触控功能。光学图像识别芯片安装在所述终端设备中，用于实现例如指纹识别等图像识别功能，电源用于为光学图像识别芯片的电路功能区供电。进一步的，光学图像识别芯片可以设置在终端设备的触控屏下方。举例来说，当用户将手指放置在终端设备的触控屏上某一区域时，即可通过光学图像识别芯片实现指纹识别。实际应用中，图像识别可以用于指纹匹配、解锁屏幕、用户身份验证等场景。

具体的，本实施例的终端设备中的所述光学图像识别芯片，其基底采用SOI结构，在基底的两面内分别集成电路功能区与光线采集功能区，无需对电路功能区与光线采集功能区进行贴合，图像识别的准确性和可靠性更高。

本实施例提供的终端设备的光学图像识别芯片，其基底包括绝缘层以及分别生长在绝缘层两面的第一半导体层和第二半导体层，光线采集功能区与电路功能区分别集成在第一半导体层和第二半导体层，相较于现有方案中将光线采集功能区与电路功能区分别单独制作成独立部件，再将其贴合在一起来说，本方案能够进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，光采集通路集成在基底上，能够避免由于贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (13)

1.一种光学图像识别芯片，其特征在于，包括：基底、电路功能区和光线采集功能区；其中，

所述基底，包括绝缘层，生长在所述绝缘层的第一表面的第一半导体层、生长在所述绝缘层的第二表面的第二半导体层；

所述光线采集功能区形成于所述第一半导体层上；

所述电路功能区形成于所述第二半导体层内；

所述光线采集功能区，用于通过光采集通路将光信号传输至所述电路功能区；

所述电路功能区，用于根据光信号进行图像识别。

2.根据权利要求1所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述光线采集功能区，包括：

形成于所述第一半导体层上的至少一个盲孔；

所述盲孔垂直于所述绝缘层开设并贯穿所述第一半导体层；

每个盲孔对应一个光采集通路。

3.根据权利要求2所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述盲孔的孔径与深度的比例为1:10。

4.根据权利要求3所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为200μm～300μm。

5.根据权利要求1所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述电路功能区，包括：

识别电路和与所述识别电路电连接的光感应区，其中，

所述光感应区与光采集通路对应设置；

所述光感应区，用于对光采集通路上传输的光信号进行光感应处理，并将感应到的光信号传输至识别电路；

所述识别电路，用于根据接收到的光信号进行图像识别。

6.根据权利要求5所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述光感应区沿与所述绝缘层平行方向的长度与所述光采集通路沿与所述绝缘层平行方向的宽度相同。

7.根据权利要求1所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述第二半导体层的表面嵌设有焊盘，所述焊盘与所述电路功能区电连接。

8.根据权利要求1所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述芯片，还包括：非透光层；

所述非透光层覆盖于所述第一半导体层上除所述光采集通路以外的表面上。

9.根据权利要求8所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述芯片，还包括：透光保护层；

所述透光保护层覆盖非透光层和第一半导体层的表面。

10.根据权利要求9所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述光采集通路形成的腔体内填充有空气；或者，

所述光采集通路形成的腔体为真空腔体。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层为单晶硅层。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的光学图像识别芯片，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层。

13.一种终端设备，其特征在于，包括：电源以及如权利要求1-12中任一项所述的光学图像识别芯片；

所述光学图像识别芯片的电路功能区与所述电源电连接。