CN206834176U - 一种低热阻大功率贴片整流桥 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,所述引脚为平脚,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。本实用新型引脚采用平脚设计,引脚与塑封体焊接面为同一水平面,所述整流桥具有超小超薄封装外形,从而使整流桥贴片封装,实现SMT作业,替代人工插件,减少人工成本;同时,降低产品安装高度,满足相关产品超薄、超小发展趋势。此外,通过框架和管体外形的设计,使的产品具有更低的热阻,适应更大的功率要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件,特别是一种低热阻大功率贴片整流桥。
背景技术
现有整流桥产品采用插件设计,难以使用SMT设备自动上板,需人工插件,厂家使用人工成本高;同时插件设计安装高度高,无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对现有技术存在的问题,提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率贴片整流桥。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,所述引脚为平脚贴片设计,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。
进一步地,所述上框架、下框架为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯,折弯部位包封在所述塑封体内。具体地,框架制作时进行预折弯,然后再工场进行芯片组装。所述整流桥测试前,只需要进行切断而不需要再进行弯角整形,对产品性能影响小。
进一步地,所述整流桥整体厚度介于1.40mm~1.60mm。
进一步地,所述引脚宽度介于1.80mm~2.20mm。所述引脚厚度介于0.20mm~0.30mm。
进一步地,所述整流桥平面形态呈矩形,边长介于10.80mm~11.20mm。
进一步地,所述整流桥底部采用大面积焊盘设计。
进一步地,所述塑封体选用压塑环氧树脂,其成分主要为环氧树脂和二氧化硅,对比传统浇灌工艺,具有更好的散热性。压塑环氧树脂结合底部大面积焊盘设计进一步改进散热,获得更低的热阻,可承受更大功率。
本实用新型的有益效果是:
本实用新型引脚采用平脚设计,引脚焊接面与塑封体在同一水平面,使得整流桥具有超小超薄封装外形,便于SMT作业,替代人工插件,减少人工成本;同时,降低了产品安装高度,满足相关产品超薄、超小发展趋势要求。此外,通过框架和管体外形的设计,使的产品具有更低的热阻,客户可以应用到更大的功率。同时,本实用新型提供的整流桥具有散热好、低热阻的优点。对于同样的器件大小,本实用新型提供的整流桥可承受更大功率。
附图说明
图1是本实用新型实施例1贴片整流桥剖视图;
图2是本实用新型实施例1贴片整流桥主视图;
图3是本实用新型实施例1贴片整流桥侧视图;
图4是本实用新型实施例1贴片整流桥俯视图;
图5是本实用新型实施例1贴片整流桥仰视图;
图6是本实用新型实施例1贴片整流桥上框架结构图;
图7是本实用新型实施例1贴片整流桥下框架结构图;
图中标记:101-上框架,102-下框架,2-GPP芯片,3-塑封体,4-焊料,5-引脚电镀层。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例1
实施例1提供一种3A~6A低热阻大功率贴片整流桥,如图1所示,包括上框架101、下框架102、4颗GPP芯片(84~100mil)2、塑封体3、焊料4和引脚电镀层5。所述GPP芯片的P结、N结分别通过焊料4连接上框架101和下框架102。所述GPP芯片2、焊料4、上框架101以及下框架102连接在一起,且包覆于所述塑封体3内,连接体另一侧水平伸出所述塑封体,并电镀上引脚电镀层5。
所述引脚为平脚,所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。
所述框架(包括上框架101和下框架102)下片的约10%外露于所述塑封体3。
如图2所示,为所述贴片整流桥整体主视图。所述贴片整流桥具有超小超薄封装外形。
如图3所示,所述整流桥整体厚度(A)介于1.40mm~1.60mm。所述引脚厚度(C)介于0.20mm~0.30mm。
所述引脚采用平脚设计,焊接面与塑封体在同一水平面,可以使用SMT自动安装于PCB板表面,通过回流焊焊接上板,无需插孔焊接。
如图4、5所示,所述整流桥平面形态呈正方形,边长(D、E)介于10.80mm~11.20mm。所述引脚宽度(B)介于1.80mm~2.20mm。所述引脚长度(b)介于1.30mm~1.70mm。
图6-7依次为所述上框架、下框架结构平面图。
所述塑封体3为压塑环氧树脂。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种低热阻大功率贴片整流桥,包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架,负极端连接下框架,所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内,直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体,其特征在于:所述引脚为平脚,所述引脚的焊接面与所述塑封体底部在同一水平面。
2.根据权利要求1所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于:所述上框架、下框架为内折弯结构。
3.根据权利要求2所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于,所述塑封体选用环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于,所述环氧树脂采用压塑工艺。
5.根据权利要求1-4任一项所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于:所述低热阻大功率贴片整流桥厚度介于1.40mm~1.60mm。
6.根据权利要求1-4任一项所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于:所述引脚厚度介于0.20mm~0.30mm。
7.根据权利要求6所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于:所述引脚宽度介于1.80mm~2.20mm。
8.根据权利要求1-4任一项所述的低热阻大功率贴片整流桥,其特征在于:所述低热阻大功率贴片整流桥平面形态呈矩形,边长介于10.80mm~11.20mm。
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CN201720148153.XU CN206834176U (zh) | 2017-02-20 | 2017-02-20 | 一种低热阻大功率贴片整流桥 |
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Publications (1)
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CN201720148153.XU Active CN206834176U (zh) | 2017-02-20 | 2017-02-20 | 一种低热阻大功率贴片整流桥 |
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CN (1) | CN206834176U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019210651A1 (zh) * | 2018-05-03 | 2019-11-07 | 扬州虹扬科技发展有限公司 | 一种超薄微型桥堆整流器 |
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2017
- 2017-02-20 CN CN201720148153.XU patent/CN206834176U/zh active Active
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