CN206059384U - 扩展键合压区的to‑220型引线框架 - Google Patents

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李龙
刘宇虹
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Jiangsu Donghai Semiconductor Co.,Ltd.
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WUXI ROUM SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本实用新型属于半导体封装领域，尤其涉及一种扩展键合压区的TO‑220型引线框架，包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿轴向的边长为0.40mm，所述键合压区的可用面积为2.99mm2±0.05mm2，相较传统的TO‑220型引线框架，该框架的键合能力提升2倍多，承受电流的能力提升2倍多，使产品的利用率大幅度提升。

Description

扩展键合压区的TO-220型引线框架
技术领域
本实用新型属于半导体封装领域，尤其涉及一种扩展键合压区的TO-220型引线框架。
背景技术
引线框架是一种集成电路芯片的载体，是借助键合丝使芯片内部电路引出端(键合点)通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面性、应力释放等方面达到较高的标准。
TO-220型引线框架是使用比较广泛的封装形式，但在实际生产过程中也存在一定的问题，图1为传统的TO-220型引线框架，图2为图1中A向的放大图，从图2可看出，TO-220型引线框架的键合压区设有两个倒角。两个倒角减小了键合压区的面积，造成生产中不能焊接多根金属丝，使该框架不能完全达到实际组装效果。该框架键合压区的最大面积为2.78mm2±0.05m2，减去倒角的面积后，实际平整可用面积为1.28mm2±0.05mm2，最多键合15mil金属丝1根，利用率低下。
有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，使其更具有产业上的利用价值。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，减小倒角的面积，提高产品的键合能力，提升产品的利用率。
本实用新型提出的一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿轴向的边长为0.40mm，所述键合压区的可用面积为2.99mm2±0.05mm2。
进一步的，所述引线脚上设有连接其中部的中筋和连接其底部的底筋。
进一步的，所述散热板的顶部设有定位孔。
借由上述方案，本实用新型至少具有以下优点：本实用新型通过将TO-220型引线框架的键合压区的倒角数量降低至1个，并减小倒角面积，使键合压区的可用面积达到2.99mm2±0.05mm2，使该框架的键合能力提升2倍多，承受电流的能力提升2倍多，使产品的利用率大幅度提升。
上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是传统的TO-220型引线框架的结构示意图；
图2是图1中A向的放大图；
图3是本实用新型中TO-220型引线框架的结构示意图；
图4是图3中B向的放大图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
参见图3至4，本实用新型一较佳实施例所述的一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，包括散热板1、与散热板1连接的引线脚2。引线脚2的数量为3个，包括中脚21和分别设置在中脚21两侧的侧脚22，中脚21和两个侧脚22的中部设有中筋3，底部设有底筋4，中脚21与散热板1直接连接，两个侧脚22上均设有键合压区5，键合压区5上设有倒角C1，倒角C1的倒角边与轴向的夹角为35°，倒角C1沿轴向的边长为0.40mm，键合压区5的最大面积为3.03mm2±0.05mm2，可用面积为2.99mm2±0.05mm2。散热板1的顶部设有定位孔6。
本实用新型通过将TO-220型引线框架的键合压区5的倒角C1数量降低至1个，并减小倒角C1面积，使键合压区5的可用面积达到2.99mm2±0.05mm2，使该框架的键合能力提升2倍多，承受电流的能力提升2倍多，使产品的利用率大幅度提升。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，并不用于限制本实用新型，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (3)

1.一种扩展键合压区的TO-220型引线框架，其特征在于：包括散热板、与散热板连接的引线脚，所述引线脚的数量为3个，包括中脚和分别设置在所述中脚两侧的侧脚，两个所述侧脚上均设有键合压区，所述键合压区上设有倒角，所述倒角的倒角边与轴向的夹角为35°，所述倒角沿轴向的边长为0.40mm，所述键合压区的可用面积为2.99mm2±0.05mm2。
2.根据权利要求1所述的扩展键合压区的TO-220型引线框架，其特征在于：所述引线脚上设有连接其中部的中筋和连接其底部的底筋。
3.根据权利要求1所述的扩展键合压区的TO-220型引线框架，其特征在于：所述散热板的顶部设有定位孔。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107978572A (zh) * 2017-12-20 2018-05-01 西安华羿微电子股份有限公司 防止分层的to引线框架

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PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
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Denomination of utility model: TO-220 lead frame of extended bond pressure zone

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Granted publication date: 20170329

Pledgee: Agricultural Bank of China Limited by Share Ltd Wuxi science and Technology Branch

Pledgor: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co., Ltd.

Registration number: 2018990000073

CP03 Change of name, title or address
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Address after: 222300 No. 88 Shuofang Zhongtong East Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co., Ltd.

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Patentee before: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co., Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
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Patentee before: WUXI ROUM SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
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