CN203277357U - 一种半导体用的引线框架 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种半导体用的引线框架，由十个引线框单元（1）单排组成，所述引线框单元（1）之间通过连接筋连接，所述引线框（1）设有基体（4），所述基体（4）上设有定位孔（2）、散热片（3）和引线脚（5），所述引线脚（5）设有三条，所述散热片（3）或基体（4）的厚度为h1=1.2mm，所述引线脚（5）的厚度为h2=0.5mm。本实用新型降低了成本且引线框架能达到器件芯片使用要求。

Description

一种半导体用的引线框架
技术领域
本实用新型涉及一种塑封半导体用的引线框架。
背景技术
近年来，国内半导体发展迅速，特别是分立器件的封装量很大，但价格越来越低。这就要求封装企业降低成本，封装企业当然要求引线框架降价。而引线框架用的原材料主要是铜，铜价已从每吨1万多元人民币飙升至每吨6万多元人民币，已给引线框架的成本造成巨大的压力，现还要求引线框架降价。原来的引线框架的散热片、基体厚度为1.5mm、引线脚的厚度为0.6mm。无论是导电、导热系数，还是机械性能都过分地满足了器件芯片要求，增加了成本、浪费了资源。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种降低成本且达到器件芯片使用要求的半导体用的引线框架。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体用的引线框架，由十个引线框单元单排组成，所述引线框单元之间通过连接筋连接，所述引线框设有基体，所述基体上设有定位孔、散热片和引线脚，所述引线脚设有三条，所述散热片或基体的厚度为h1=1.2mm，所述引线脚的厚度为h2=0.5mm。所述引线框由TFe0.1铜带制作而成。
所述引线脚的沿厚度方向弯曲2.8mm。
所述引线框单元的高度为42mm。
所述相邻引线框单元之间的间距为16.97-17.03mm。
所述定位孔的尺寸为φ2.05mm。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
所述散热片或基体的厚度为h1=1.2mm，所述引线脚5的厚度为h2=0.5mm，所述引线脚的沿厚度方向弯曲2.8mm。其厚度方向分别从1.5mm、0.6mm减少到1.2mm、0.5mm，使该引线框成本降低了15%，且其导电、导热等技术性能也满足半导体器件芯片的要求。
附图说明
图1为本实用新型半导体用的引线框架的结构示意图。
图2为本实用新型半导体用的引线框架的厚度示意图。
图中：1-引线框单元，2-定位孔，3-散热片，4-基体，5-引线脚。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1所示，一种半导体用的引线框架，由十个引线框单元1单排组成，引线框单元1之间通过连接筋连接，引线框1设有基体4，基体4上设有定位孔2、散热片3和引线脚5，引线脚5设有三条所述散热片3或基体4的厚度为h1=1.2mm，引线脚5的厚度为h2=0.5mm。
引线框单元1由TFe0.1铜带制作而成。引线脚5的沿厚度方向弯曲2.8mm。引线框单元1的高度为42mm。相邻引线框单元1之间的间距为16.97-17.03mm。定位孔2的尺寸为φ2.05mm。
整个框架采用TFe0.1铜带依次经冲压、表面处理、切断成形而制成。整个框架长度为170mm，宽度为42mm，散热片3、基体4的厚度为1.2mm，公差为±0.015mm，引线脚5厚度为0.5mm，公差为±0.01mm，厚度方向打弯2.8mm。每一个引线框单元1之间的间距为17±0.03mm。9个引线框之间的累积间距为153±0.10mm。
本申请内容为本实用新型的示例及说明，但不意味着本实用新型可取得的优点受此限制，凡是本实用新型实践过程中可能对结构的简单变换、和/或一些实施方式中实现的优点的其中一个或多个均在本申请的保护范围内。

Claims (5)

1.一种半导体用的引线框架，由十个引线框单元（1）单排组成，所述引线框单元（1）之间通过连接筋连接，其特征在于：所述引线框（1）设有基体（4），所述基体（4）上设有定位孔（2）、散热片（3）和引线脚（5），所述引线脚（5）设有三条，所述散热片（3）或基体（4）的厚度为h1=1.2mm，所述引线脚（5）的厚度为h2=0.5mm。
2.根据权利要求1所述的半导体用的引线框架，其特征在于：所述引线脚（5）的沿厚度方向弯曲2.8mm。
3.根据权利要求1所述的半导体用的引线框架，其特征在于：所述引线框单元（1）的高度为42mm。
4.根据权利要求1所述的半导体用的引线框架，其特征在于：所述相邻引线框单元（1）之间的间距为16.97-17.03mm。
5.根据权利要求1所述的半导体用的引线框架，其特征在于：所述定位孔（2）的尺寸为φ2.05mm。
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