CN203553146U - 一种引线框架 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种引线框架，由十个引线框单元单排组成，所述引线框单元之间通过连接筋连接，所述引线框单元包括基体和引线脚，所述基体和引线脚连接处打弯，引线框单元之间设有定位孔，所述基体上设有两个凹槽，本实用新型适应大功率塑封半导体器件的散热、导电和承载大功率芯片的要求，结构简单，制造方便，适于大量生产。

Description

一种引线框架
技术领域
本实用新型涉及到一种引线框架，尤其涉及到一种大功率的引线框架。
背景技术
随着电子行业的发展，大功率半导体器件采用塑料封装形式的愈来愈多，这就需要适应塑封大功率器件的引线框架，引线框架必须适应大功率塑封半导体器件的散热、导电和承载大功率芯片的要求。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种适用于塑封大功率器件的引线框架。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种引线框架，由十个引线框单元单排组成，所述引线框单元之间通过连接筋连接，所述引线框单元包括基体和引线脚，所述基体和引线脚连接处打弯，引线框单元之间设有定位孔，所述引线框单元的宽度为15.5 mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述基体上设有两个凹槽，所述凹槽深度为0.1mm，两个凹槽之间间距为0.8mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述引线框单元之间的间距为17.0±0.3mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述定位孔直径为2.05mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述引线脚长度为22.8mm，厚度为0.6mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述基体长度为16.75mm，厚度为1.5mm。
作为本实用新型的进一步改进，所述基体的平面与引线脚的平面相距2.8mm。
采用上述结构，其有益效果在于：本实用新型适应大功率塑封半导体器件的散热、导电和承载大功率芯片的要求，结构简单，制造方便，适于大量生产。 
附图说明
图1为本实用新型引线框架的结构示意图。
图2为本实用新型引线框架的侧面图。
图中：1-引线框单元，2-基体，3-引线脚，4-定位孔，5-凹槽。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步详细的说明。
如图1所示，一种引线框架，由十个引线框单元1单排组成，所述引线框单元1之间通过连接筋连接，所述引线框单元1包括基体2和引线脚3，所述基体2和引线脚3连接处打弯，引线框单元1之间设有定位孔4，所述引线框单元1的宽度为15.5 mm，所述基体2上设有两个凹槽5，所述凹槽5深度为0.1mm，两个凹槽5之间间距为0.8mm，所述引线框单元1之间的间距为17.0±0.3mm，所述定位孔4直径为2.05mm，所述引线脚3长度为22.8mm，厚度为0.6mm，所述基体2长度为16.75mm，厚度为1.5mm，所述基体2的平面与引线脚3的平面相距2.8mm。
本实用新型适应大功率塑封半导体器件的散热、导电和承载大功率芯片的要求，结构简单，制造方便，适于大量生产。
任何采用与本实用新型相类似的技术特征所设计的引线框架将落入本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种引线框架，由十个引线框单元（1）单排组成，所述引线框单元（1）之间通过连接筋连接，其特征在于：所述引线框单元（1）包括基体（2）和引线脚（3），所述基体（2）和引线脚（3）连接处打弯，引线框单元（1）之间设有定位孔（4），所述引线框单元（1）的宽度为15.5 mm。
2.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述基体（2）上设有两个凹槽（5），所述凹槽（5）深度为0.1mm，两个凹槽（5）之间间距为0.8mm。
3.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述引线框单元（1）之间的间距为17.0±0.3mm。
4.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述定位孔（4）直径为2.05mm。
5.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述引线脚（3）长度为22.8mm，厚度为0.6mm。
6.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述基体（2）长度为16.75mm，厚度为1.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述基体（2）的平面与引线脚（3）的平面相距2.8mm。
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CN103545284A (zh) * 2013-10-28 2014-01-29 沈健 一种大功率引线框架

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