CN206173480U - 一种坩埚 - Google Patents
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CN106521629A (zh) * | 2016-09-19 | 2017-03-22 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚 |
CN106521629B (zh) * | 2016-09-19 | 2018-12-28 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚 |
CN107287652A (zh) * | 2017-05-29 | 2017-10-24 | 德令哈晶辉石英材料有限公司 | 一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚及其制备方法 |
CN110079863A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-02 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种用于晶体生长的反应器 |
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