CN206157220U - 平面阴极 - Google Patents
平面阴极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206157220U CN206157220U CN201621144614.8U CN201621144614U CN206157220U CN 206157220 U CN206157220 U CN 206157220U CN 201621144614 U CN201621144614 U CN 201621144614U CN 206157220 U CN206157220 U CN 206157220U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnet
- target
- pad
- gasket
- planar cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及平面阴极，包括阳极、靶材及中心磁铁；其特征在于，还包括磁铁基座和环形磁铁，所述环性磁铁环绕所述中心磁铁设置；所述环形磁铁和所述中心磁铁设置于所述磁铁基座上；所述靶材与所述磁铁基座接触；还包括垫片；所述垫片设置于所述靶材与所述磁铁基座之间。本实用新型中，靶材作为阴极使用。采用在靶材与磁铁组件之间设置一垫片，垫片采用不同材料可实现两种不同功能要求的溅射，如采用导磁材料制成导磁垫片，可拉平耙面磁力线分布，增加耙面溅射均匀区域的分布，提高耙材的利用率，耙材利用率高达40％以上。如采用无磁导热材料制成导热垫片，可增加耙面的磁场强度，降低溅射电压，提高溅射效率和稳定性。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种平面阴极。
背景技术
目前，在真空镀膜领域中，通常把磁控溅射作为溅射技术的主流技术，其主要原因是磁控溅射的“高速”、“低温”、“膜厚可控”特点，它可以在任何基材上沉积任何膜层的薄膜，目前普通圆形平面靶技术已经相对成熟。
但在实际使用过程中，需要溅射的产品是多样的，因此对应的溅射工艺也不同，普通圆形平面靶工艺性能单一，只能满足某种特定的工艺，溅射不同的镀膜材料，需要切换不同结构的小圆靶，无疑会增加小圆靶的数量及种类，增加生产成本。
实用新型内容
本实用新型的目的之一是为了克服现有技术中的不足，提供一种可适用于多种场合的平面阴极。
为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案实现：
平面阴极，包括阳极、靶材及中心磁铁；其特征在于，还包括磁铁基座和环形磁铁，所述环性磁铁环绕所述中心磁铁设置；所述环形磁铁和所述中心磁铁设置于所述磁铁基座上；
所述靶材与所述磁铁基座接触；
还包括垫片；所述垫片设置于所述靶材与所述磁铁基座之间。
根据本实用新型的一个实施例，所述垫片为环形。
根据本实用新型的一个实施例，所述磁铁基座设置有容纳槽，所述垫片设置于所述容纳槽内。
根据本实用新型的一个实施例，所述垫片为导磁垫片。
根据本实用新型的一个实施例，所述垫片为导热垫片。
根据本实用新型的一个实施例，所述靶材与所述磁铁基座可拆卸连接。
根据本实用新型的一个实施例，还包括压环，所述压环压靠在所述靶材边缘，螺钉穿过所述压环与所述磁铁基座螺纹连接。
本实用新型中，靶材作为阴极使用。采用在靶材与磁铁组件之间设置一垫片，垫片采用不同材料可实现两种不同功能要求的溅射，如采用导磁材料制成导磁垫片，可拉平耙面磁力线分布，增加耙面溅射均匀区域的分布，提高耙材的利用率，耙材利用率高达40％以上。如采用无磁导热材料制成导热垫片，可增加耙面的磁场强度，降低溅射电压，提高溅射效率和稳定性。本实用新型中的平面阴极实现不同功能溅射，其他结构及材料不变，只是变更垫片的材料，因此操作方便，减少小圆形溅射平面阴极的数量及种类，节约生产成本。
附图说明
图1为本实用新型中的旋转阴极结构示意图。
图2为图1中的A-A剖视示意图。
图3为图1中的B-B剖视示意图。
图4为采用导磁垫片的平面阴极靶面磁场强度分布图。
图5为采用导热垫片的平面阴极靶面磁场强度分布图。
具体实施方式
以下结合实施例和附图对本实用新型进一步说明。
如图1、图2和图3所示，平面阴极100，包括阳极，在如图所示的示例中，阳极包括顶部阳极6、侧部阳极11和底部阳极13，三者环绕形成凹槽状。槽内设置有安装底板10。安装底板10与底部阳极13之间设置有绝缘垫板12，将两者绝缘。
本实用新型还包括有磁铁基座7，磁铁基座7与安装底板10连接。磁铁基座7上安装有中心磁铁2和环形磁铁1。环形磁铁1环绕中心磁铁2设置。
靶材4为圆形，通过压环5及螺钉26与磁铁基座7可拆卸地连接。所述压环5压靠在所述靶材4边缘，螺钉26穿过所述压环5与所述磁铁基座7螺纹连接。所述靶材4与所述磁铁基座7接触。
本实用新型还包括垫片3；所述垫片3设置于所述靶材4与所述磁铁基座7之间。在如图所示的示例中，所述垫片3为环形。所述磁铁基座7设置有容纳槽(图中未标出)，所述垫片3设置于所述容纳槽内。根据具体使用要求，所述垫片4可以设置为导磁垫片，也可以设置为导热垫片。
本实用新型是采用在圆靶材与磁铁组件之间设置一垫片，垫片采用不同材料可实现两种不同功能要求的溅射。如图4所示，如采用导磁材料制成导磁垫片，可拉平耙面磁力线分布，增加耙面溅射均匀区域的分布，提高耙材的利用率，耙材利用率高达40％以上。如图5所示，如采用无磁导热材料制成导热垫片，可增加耙面的磁场强度，降低溅射电压，提高溅射效率和稳定性。本实用新型中的平面阴极实现不同功能溅射，其他结构及材料不变，只是变更垫片的材料，因此操作方便，减少小圆形溅射平面阴极的数量及种类，节约生产成本。
本实用新型中的实施例仅用于对本实用新型进行说明，并不构成对权利要求范围的限制，本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本实用新型保护范围内。
Claims (7)
1.平面阴极，包括阳极、靶材及中心磁铁；其特征在于，还包括磁铁基座和环形磁铁，所述环形磁铁环绕所述中心磁铁设置；所述环形磁铁和所述中心磁铁设置于所述磁铁基座上；
所述靶材与所述磁铁基座接触；
还包括垫片；所述垫片设置于所述靶材与所述磁铁基座之间。
2.根据权利要求1所述的平面阴极，其特征在于，所述垫片为环形。
3.根据权利要求1或2所述的平面阴极，其特征在于，所述磁铁基座设置有容纳槽，所述垫片设置于所述容纳槽内。
4.根据权利要求1所述的平面阴极，其特征在于，所述垫片为导磁垫片。
5.根据权利要求1所述的平面阴极，其特征在于，所述垫片为导热垫片。
6.根据权利要求1所述的平面阴极，其特征在于，所述靶材与所述磁铁基座可拆卸连接。
7.根据权利要求6所述的平面阴极，其特征在于，还包括压环，所述压环压靠在所述靶材边缘，螺钉穿过所述压环与所述磁铁基座螺纹连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621144614.8U CN206157220U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 平面阴极 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201621144614.8U CN206157220U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 平面阴极 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206157220U true CN206157220U (zh) | 2017-05-10 |
Family
ID=58653795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201621144614.8U Active CN206157220U (zh) | 2016-10-21 | 2016-10-21 | 平面阴极 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206157220U (zh) |
-
2016
- 2016-10-21 CN CN201621144614.8U patent/CN206157220U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101775588B (zh) | 一种高靶材利用率的矩形靶 | |
| CN201962347U (zh) | 长寿命溅射靶材组件 | |
| CN105331936A (zh) | ITO薄膜的沉积方法及GaN基LED芯片 | |
| CN206157220U (zh) | 平面阴极 | |
| CN203999787U (zh) | 一种蒸镀掩膜版 | |
| CN202576553U (zh) | 磁控溅射靶材 | |
| CN206736351U (zh) | 一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 | |
| CN204224460U (zh) | 大面积高透镀膜玻璃 | |
| CN203128642U (zh) | 用于oled镀膜的蒸镀罩 | |
| CN206033870U (zh) | 双闭环磁控溅射阴极 | |
| CN209183400U (zh) | 一种电容器薄膜 | |
| CN204589290U (zh) | 一种电弧离子真空镀膜机偏压辅助装置 | |
| CN204174270U (zh) | 一种直接水冷的矩形平面靶结构 | |
| CN204162777U (zh) | 一种靶材组件 | |
| CN204779787U (zh) | 一种磁控溅射靶枪 | |
| CN209974873U (zh) | 一种高场强高靶材利用率的阴极 | |
| CN205934013U (zh) | 一种真空磁控溅设备的扇形磁铁座及磁靴 | |
| CN209974874U (zh) | 一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极 | |
| CN201890924U (zh) | 一种等离子真空陶瓷镀膜装置 | |
| CN213061007U (zh) | 一种溅射靶材及溅射装置 | |
| CN203462120U (zh) | 一种矩形平面磁控溅射阴极 | |
| CN208562507U (zh) | 一种磁控溅射平面阴极 | |
| CN210065899U (zh) | 一种高靶材利用率的磁控溅射阴极 | |
| CN204174271U (zh) | 一种高效散热的旋转平面靶 | |
| CN202226913U (zh) | 一种磁控溅射均匀加热装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |